JP4701496B2 - 処理方法及びその装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対してアニールやＣＶＤなどを行う処理方法またはその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置の一つとして、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）をランプにより加熱して、アニールやＣＶＤ等を行う枚葉式処理装置がある。このような処理装置の一例を図９に示すと、処理容器１１と、ウエハＷを載置する、鉛直軸まわりに回転自在に設けられるリング状の載置台１２と、この載置台１２と例えば石英よりなる平板状の光透過窓１３を介して対向する熱輻射ランプ１４とを備え、載置台１２にてウエハＷの周縁部を下方側から支持し、処理容器１１の一方側の側壁から所定の処理ガスを供給しながら他方の側壁側から排気して、ウエハＷを所定の温度で加熱し、熱処理例えばアニールを行う構成が知られている。
【０００３】
上述装置において、例えば載置台１２の中空部下方側には図示しない昇降自在なリフトピンが設けられており、ウエハＷの搬入出は、このリフトピンと処理容器１１内へ側方側から進入する図示しない搬送アームとの間の受け渡しにより行われる。なお載置台１２を回転させる構造は、実際には磁気カップリングを用いて処理容器１１内の気密性を確保しているが、図では略解的に記載している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
熱輻射ランプ１４を加熱源とする利点の一つとして、ウエハを急速に昇温できることが挙げられるが、ランプの消費電力を抑えながら昇温速度を上げるには、ウエハＷを熱輻射ランプ１４にできるだけ近付けることが好ましい。
【０００５】
また、ウエハＷと熱輻射ランプ１４との距離が大きくなると、ウエハＷの周縁部を保持している載置台１２に着目したとき、中央寄りのランプからの光線が当該載置台１２の上方をかすめて外側に向かい、その外れる光線量が多くなる。そして載置台１２が例えばＳｉＣ（炭化珪素）で構成されているときはＳｉ（シリコン）からなるウエハＷよりも熱容量が大きいので、このことも加わってウエハＷから載置台側に熱が流れ、このため昇温速度が速いとウエハＷの中央部と周縁部との間の温度差が大きくなってスリップと呼ばれる結晶欠陥が生じてしまう。このため、昇温速度をあまり上げることができず、スループット向上の妨げの一因となっており、このような点からもウエハＷを熱輻射ランプ１４に近付けることが好ましい。
【０００６】
更にまた、熱輻射ランプ１４のエネルギー損失量は、ウエハＷと熱輻射ランプ１４とが離れるにつれて大きくなり、加えて熱輻射ランプ１４（詳しくは１個の熱輻射ランプとリフレクタ−とを組み合わせたユニット）からウエハＷへ末広がりに光線が照射されるため、照射距離が長いと隣り合うランプ同士の照射領域の重なり領域が増加してしまい、温度コントロールが難しくなり、結果として面内温度について高い均一性をとることができないということもあり、この点においてもウエハＷと熱輻射ランプ１４とは距離が近いことが好ましい。
【０００７】
しかし、前述のようにウエハＷの載置領域の上方側にはウエハＷの受け渡しのためのスペース即ち、昇降するリフトピンと、処理容器１１内に進入する搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しを行うだけのスペースを確保しなければならないので当該スペースの縮小には限界があり、載置台１２と熱輻射ランプ１４との距離を接近させることは困難であった。
【０００８】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は基板の処理例えば熱輻射ランプを用いて基板の加熱処理を行うにあたり、省エネルギー化を図り、面内温度について高い均一性を得ることができる技術を提供することにある。また本発明の他の目的は、紫外線ランプを用いて基板を処理するにあたり、省エネルギー化を図ることができる技術を提供することにある。更にまた他の目的は、処理容器内で基板の載置台を昇降させるにあたって好適な構造の装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る処理方法は、処理容器内に設けられた載置台に基板を載置し、この基板を熱輻射ランプにより上方側から加熱する処理方法において、
前記基板を側方から処理容器内に搬入し、前記載置台に載置する工程と、
前記基板が処理位置に位置するように、前記載置台を上昇させる上昇工程と、 前記基板が前記処理位置にあるときに、処理容器内に処理ガスを供給すると共に前記熱輻射ランプにより前記基板の加熱を行う処理工程と、
この処理工程の終了後、前記載置台を下降させる下降工程と、
その後、基板を処理容器から搬出する工程と、を含み、
前記上昇工程及び下降工程は、磁石と磁石または磁性体との間の磁力の強さの調節を利用して行うことを特徴とする。
【００１０】
このような方法によれば、基板の処理を行うにあたり処理時にのみ基板と熱輻射ランプとを接近させるため、基板の搬送領域を確保したまま、エネルギー効率を高めることが可能となる。この方法は、熱輻射ランプの代わりに紫外線照射ランプを用いて処理を行う場合にも適用でき、同様の効果が得られる。本発明において、載置台は例えば基板の周縁部を保持するものであり、処理工程は例えば基板が鉛直軸の周りに回転しながら行われる。
【００１１】
この方法を実施するための具体的構成として次の装置も本発明である。即ち本発明の装置は、側方に基板の搬送口が形成された気密な処理容器と、
この処理容器内に設けられ、外部の搬送手段との間で基板の受け渡しが行なわれる共に当該基板の周縁部を保持する載置台と、
前記処理容器内に処理ガスの供給を行うガス供給部と、
前記載置台に設けられた第１の磁石部と、
前記処理容器内に設けられ、前記第１の磁石部との間で磁力が作用される第２の磁石部と、
前記第１の磁石部及び第２の磁石部の間に作用する磁力の大きさを調整して、載置台を、前記搬送手段との間で基板の受け渡しを行うときの載置位置と、この載置位置よりも上方側であって基板を処理するときの処理位置と、の間で昇降させる制御部と、を備え、
前記第１の磁石部及び第２の磁石部の少なくとも一方は電磁石により構成されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、例えば載置台を前記処理容器内で昇降自在に支持し、基板を鉛直軸周りに回転させることができるように、当該載置台と共に回転する回転基体と、この回転基体を回転させる回転機構と、を備え、前記第２の磁石部は前記回転基体に設けられた構成とすることができる。載置台は回転基体に対して昇降できるようにガイドされていることが好ましい。前記第１、第２の磁石部は、電磁石、永久磁石あるいは磁性体を指すものであり、例えば第１の磁石部及び第２の磁石部の一方は電磁石により構成され、他方は永久磁石または磁性体により構成される。あるいは例えば第１の磁石部は永久磁石または磁性体により構成され、第２の磁石部は電磁石により構成される。
【００１３】
前記回転基体は例えば導電性の軸受けにより処理容器に回転自在に支持され、この場合外部から電磁石へ給電するための給電路は前記軸受けを利用することができる。更に回転基体は、例えば載置台が上昇したときに当該載置台を処理位置の高さに規制する規制部を備えていることが好ましい。回転機構の具体例としては、処理容器の外に設けられると共に回転基体と磁気カップリングで結合されている外輪部と、この外輪部を回転駆動する駆動部と、を備えた構成を挙げることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る熱処理装置の実施の形態を示す縦断面図である。２は被処理体の処理空間を区画形成する処理容器であり、例えばアルミニウム（Ａ５０５２）からなる、内側面の横断面形状が円形な扁平な処理容器本体２０と、この処理容器本体２０の上面開口部を気密に塞ぐように設けられた後述の光透過窓８０とから構成されている。処理容器２の底部の周縁側はリング状の溝部２１として形成されており、この溝部２１の中にはリング状に形成された回転基体である内輪部３１が設けられている。この内輪部３１は前記溝部２１の内壁に、僅かな隙間を介して上下に並んで設けられる導電性例えば金属製の軸受け３２，３３を介して垂直軸回りに回転自在に保持されており、その上部側は不透明石英（ＳｉＯ2）により構成され、また上端が後述の載置台４を支持できるように水平方向外側に屈曲して屈曲部位３０として構成されている。
【００１５】
ここで内輪部３１の上側周辺について図１を部分的に拡大した図２を参照しながら説明を行う。図中４は例えば炭化珪素（ＳｉＣ）よりなるリング状の載置台であり、基板であるウエハＷの周縁部を保持すると共に内輪部３１により下端側を支持されるように設けられている。この載置台４の下端には、前記内輪部３１を上下に貫通する孔部３１ａを介してガイド軸４１が接続され、更にこのガイド軸４１の下端には第１の磁石部をなす永久磁石４２が設けられている。即ち載置台４、ガイド軸４１及び永久磁石４２は一体的に構成されており、図２中実線で示すように載置台４と内輪部３１とが接し、載置台４にウエハＷの載置が行われる載置位置から、図２中に点線で示すように永久磁石４２の上端が内輪部３１の屈曲部位３０に当接し、これに伴い載置台４が後述する光透過窓８０近傍まで上昇する処理位置まで、前記孔部３１ａを介して昇降できるようになっている。この例では前記屈曲部位３０は、永久磁石４２の上限位置を規制部をなしている。
【００１６】
載置台４は、永久磁石４２の鉛直下方側に設けられる第２の磁石部である電磁石４３の磁力の強さを調節することで、具体的には例えば当該電磁石４３が前記永久磁石４２に対して及ぼす反発力の有無を切り替えることで昇降する構成とされており、この電磁石４３は永久磁石４２の移動領域の下端（図２の実線に示す位置）と僅かに離間するように、内輪部３１の垂直面により一端側を支持されて設けられている。この電磁石４３の通電時における磁力の強さは、少なくとも永久磁石４２を、当該永久磁石４２の上端が内輪部３１に当接するまで押し上げることができる程度に設定される。
【００１７】
また、電磁石４３には直流電源部４４の一端が既述の軸受け３２を介し、同じく他端が軸受け３３を介して夫々電力供給線４５を介して夫々接続されており、この電力供給線４５には電磁石４３の磁力の強さを調節する、この例では電磁石４３をオン、オフするためのスイッチ部４６が介設されている。
【００１８】
一方、前記永久磁石４２の外側面には反射板５１が設けられる一方、処理容器本体２０の内壁面に発光部および受光部からなる光センサ５２が埋設されている。図２に示すように光センサ５２は、載置台４を前記処理位置まで上昇させたとき、当該反射板５１から光が戻ってくるか否かを調べることにより載置台４が所定の位置にあるか否かを監視するためのものである。
【００１９】
ところで載置台４には、当該載置台４に保持されるウエハＷを水平に昇降させるため、上述したガイド軸４１及び永久磁石４２が例えば図３の横断面図に示すように内輪部３１を周方向に三等分した位置に配置されており、これに合わせて内輪部３１には３箇所の孔部３１ａが設けられ、また図３では省略するが上から見たときに永久磁石４２と重なる位置に同じく３個の電磁石４３が設けられる。
【００２０】
また前記光センサ５２からの信号は制御部５３へと送信されるように構成されている。制御部５３には、前記光センサ５２にて例えば反射光が検知できないものと判断したときに、例えばオペレータに対してアラームを発して処理の中断を促すための警報出力手段５４が接続されている。また制御部５３は前記スイッチ部４６と接続されており、例えば制御部５３からスイッチ部４６へ電力供給ＯＮまたはＯＦＦの命令を送信し、電磁石４３への電力供給の有無を切り替えることができるように構成されている。
【００２１】
ここで図１に戻り、処理容器本体２０の下部側の構成について説明を行う。前記溝部２１を形成するハウジング２２は一部が下方側に伸びており、当該ハウジング２２の外側には外輪部６１が例えば上下２段に設けられた軸受け６２を介して垂直軸回りに回転自在に保持されている。
【００２２】
前記内輪部３１の下端部及び外輪部６１には夫々磁極部６３及び６４が設けられ、これら磁極部６３，６４は互いに前記ハウジング２２の隔壁２３の内側及び外側に配置されて磁気カップリングを構成している。前記外輪部６１の外周面にはギヤ部６５が形成されており、このギヤ部６５は例えばモータ及びギアからなる駆動部６６と係合し、駆動部６６を駆動することで外輪部６１が回転するようになっている。詳しくは作用の項で述べるが、駆動部６６の駆動力は前記磁気カップリング、内輪部３１、載置台４を介してウエハＷを回転させるものであり、このウエハＷの回転にかかわる部位全てが特許請求の範囲でいうところの回転機構に相当する。
【００２３】
また処理容器の前記溝部２１を形成するハウジング２３の外部寄りの部位にはパージガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給路２４が形成されており、軸受け３１の上方への前記ガス供給が可能となっている。また溝部２１の内側部分には、パージガスの排気路２５が例えば周方向に複数形成されている。パージガスは図示しないガス供給管から前記供給路２４を介して前記溝部２１内に入り込み、軸受け３１，３２内を通って排気路２５を介して図示しない排気管から排気される。
【００２４】
前記処理容器本体２０の側壁には、図示しない搬送手段が側方側から侵入し、前記載置台４にウエハＷの受け渡しを行うことができるように搬送口２６が形成されており、ゲートバルブ２７により開閉するように構成されている。また、この処理容器本体２０の側壁には、載置台４が前述した処理位置にあるときにウエハＷ表面近傍に図示しないガス供給源から処理ガスを供給するため、当該処理位置より僅かに高い位置に例えば横長のスリット状のガス供給部であるガス供給路２８が設けられており、このガス供給路２８と対向する位置には処理ガスを排気するための図示しない排気路が形成されている。
【００２５】
前記ウエハＷの下方側の処理容器２の底部を構成するボトムプレ−ト２９には、前記載置台４と前記搬送口２６から進入する図示しない搬送手段との間でウエハＷの受け渡しを行うための、突没自在のリフトピン７１が設けられている。リフトピン７１は例えば３本設けられ、一端に昇降部７２が接続する支持部材７３により下端を支持された構成となっている。
【００２６】
次に前記処理容器２の上部側について説明すると、天井部には前記載置台４に載置されたウエハＷ表面と対向するように、加熱ユニット８が設けられており、この加熱ユニット８とウエハＷとに挟まれる空間に板状体である光透過窓８０が設けられている。
【００２７】
加熱ユニット８は例えばウエハＷよりも大きく構成されており、ウエハＷに光を照射して加熱するための加熱手段である熱輻射ランプ８１と、この熱輻射ランプ８１におけるウエハＷと反対側の面を囲むように設けられ、断面が円形をなす反射板８２とを備えている。図中８３は熱輻射ランプ８１の電力供給系を収納した筐体である。
【００２８】
前記熱輻射ランプ８１としては、例えばハロゲンランプが用いられ、この熱輻射ランプ８１は中心の位置が同じであり、大きさの異なる複数の略環状の発光領域を形成するように、つまりこの例ではウエハＷの中心点に相当する点を中心とし、互いに半径の異なる複数の同心円を描くように配列されている。
【００２９】
前記光透過窓８０は例えば石英により形成されており、上面側は前面がフラット（平坦面）であるが、下面側の周縁部には全周に亘って処理空間（光透過窓８０及びウエハＷにより挟まれる空間）側に突出する凸レンズ部８０ａが形成されている。この凸レンズ部８０ａは、載置台４の上方部位から照射される光を光学的に屈折させ、例えばウエハＷの外側に向かう光線を内側へと寄せるためのものであり、例えば載置台４の略真上に位置するように設けられる。
【００３０】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ずウエハＷの処理容器２内への搬入から熱処理開始に至るまでについて図４，５及び６を参照しながら説明するが、ここでは図を略解的に示しており、光透過窓８０の凸レンズ部８０ａは省略している。最初にゲートバルブ２７を開き、搬送口２６を介して処理容器２内へ処理対象であるウエハＷを保持する搬送アームＡ１が進入し、載置台４におけるウエハＷの保持位置の上方にて停止する。次に図４に示すようにリフトピン７１が点線位置から実線位置まで上昇してウエハＷが搬送アームＡ１からリフトピン７１へと受け渡される。ウエハＷの受け渡しについて詳述すると、搬送アームＡ１には例えばリフトピン７１が下方側から上昇してきたときに、リフトピン７１がウエハＷを突き上げることができるように図示しないスリットが形成されており、このリフトピン７１は前記スリットを介して搬送アームＡ１の上方まで突出し、ウエハＷを受け取る。
【００３１】
こうして搬送アームＡ１からウエハＷが離れると、図５に示すように搬送アームＡ１が後退し、しかる後にリフトピン７１を下降することでウエハＷは図５中に点線で示す位置から実線で示す位置まで下降して載置台４の図示しない保持部位に嵌まって周縁部を保持されることとなる。このときの載置台４の位置が前述した載置位置であり、このとき載置台４の裏面と内輪部３１の上端面とは接した状態にある。
【００３２】
そして処理開始に先立ち、ゲートバルブ２７を閉じて光透過窓８０と処理容器本体２０とで構成される処理空間を気密にし、駆動部６６を駆動して外輪部６１を回転させる。このとき外輪部６１の磁極部６４と内輪部３１の磁極部６３との間に磁力が働いているので、磁極部６３が磁極部６４に吸引されて内輪部３１も回転し、ウエハＷは鉛直軸周りに回転を始める。一方、加熱ユニット８（具体的には各熱輻射ランプ８１）には図示しない電力供給源より電力の供給が開始されてウエハＷに向けて光が照射され、ガス供給路２８からは処理ガスである不活性ガス例えばＮ2ガスを供給し、こうしてウエハＷの熱処理が開始される。
【００３３】
加熱開始に伴い、制御部５３はスイッチ部４６へ例えばＯＮ指令を送信することで電磁石４３に通電し、この電磁石４３が永久磁石４２と反発することで載置台４が上方へ押し上げられる。この載置台４は、永久磁石４２の上端が内輪部３１の屈曲部位３０と当接する位置まで押し上げられると、それ以上は上昇できず、電磁石４３の磁力の強さを維持し続けることで当該高さ（処理位置）に固定される（図６）。載置台４の上昇は、上述した内輪部３１の回転と合わせて行われる。具体的には、例えばウエハＷが９０ｒｐｍで回転させながら載置台４を処理位置まで上昇させると共に、例えば１５０℃／分の昇温速度で１０００℃まで昇温させ、所定時間この温度を維持してアニール処理を行う。
【００３４】
そして制御部５３は、すべての個所において反射光が検知されたものと判断した場合にはウエハＷは水平であるものとしてアニール処理を継続し、１ヶ所でも反射板５１からの反射光が検知できなかったと判断したときには、電磁石４３または電力供給系統にトラブルが発生したとして、警報出力手段５４よりアラームの出力を行って例えばオペレータに対して処理の中止を促すか、或いは強制的にアニール処理を中止する制御を行う。
【００３５】
そして所定時間経過後、各熱輻射ランプ８１への電力供給を停止してウエハＷを降温させ、駆動部６６を停止してウエハＷの回転を停止する。処理後のウエハＷは図４から図６に示したものと逆の順路で搬送アームＡ１に受け渡され、処理容器２から搬出される。
【００３６】
上述実施の形態によれば、枚葉式の処理装置において載置台４を昇降自在に構成したため、ウエハＷの搬送スペースを確保しつつ、例えばアニール処理時だけウエハＷと熱輻射ランプ８１とを接近させる運用が可能となる。そしてアニール処理時にウエハＷと熱輻射ランプ８１とを接近させることで、従来装置よりも少ないパワーで同等の処理を行うことが可能となると共に、昇温時におけるウエハＷ表面と載置台４との昇温速度の差が小さくできるため、「発明が解決しようとする課題」で述べたようなスリップの発生を軽減することができる。
【００３７】
また、処理時におけるウエハＷと熱輻射ランプ８１との距離が接近することで、熱輻射ランプ８１から照射される光線の広がりが小さくなるため、各照射領域の重なりが小さくなり、ウエハ温度の制御性がよくなり、結果としてウエハ温度の面内均一性が高くなる。更に回転基体に対する載置台４の昇降を磁力を利用して行っているため、昇降させるための構造が簡単になり、載置台４を回転させながら昇降させる処理装置について好適な構造である。
【００３８】
これまで説明してきた実施の形態では、基板処理の例としてアニール処理を例に説明したが、本実施の形態はＣＶＤ処理などにも適用できるし、また紫外線ランプを用いたウエハＷ表面の膜質改善処理を行う装置に適用することもできる。紫外線ランプを用いた処理には例えば図７に示すような構成のものが用いられ、処理容器９内は光透過窓９１により上部室９ａと下部室９ｂとに仕切られており、上部室には紫外線ランプ９２が設けられ、下部室９ｂの光透過窓９１近傍位置には下方側に向けて多数のスリットが形成された処理ガス供給手段９３が設けられている。また下部室９ｂには図示しないガイド軸に沿って上下に移動できるように構成される永久磁石９４を備える載置台９５が設けられており、上述実施の形態と同様に下部側の電磁石９６からの磁力により昇降する。また９７は加熱手段であり、９８はゲートバルブである。
【００３９】
この実施の形態は、載置台９５を上昇させ、ウエハＷに対して処理ガス例えばオゾンガスを供給すると共に紫外線ランプ９２から紫外線エネルギーの照射を行い、こうしてオゾンが活性化して生成された酸素ラジカルによりウエハＷ表面の膜質を改善するものであり、ウエハＷと紫外線ランプ９２とを接近させて処理を行うことができるため、上述実施の形態と同様に省エネルギー化を図ることができる。
【００４０】
これまで説明してきた実施の形態において、載置台の昇降に用いた第１及び第２の磁石部の構成は例えば電磁石が永久磁石の上側にあって、永久磁石を吸引して引き上げる構成としてもよく、具体例としては図１に示した実施の形態において、電磁石４３を永久磁石４２の上方例えば屈曲部位３０の裏面に設け、永久磁石４２を上方側へ吸引する構成を挙げることができる。また図８に示すように永久磁石に上側に付勢力の働くバネＳ１を組み合わせ、電磁石をオフにしたとき載置台が上昇するようにしてもよい。更にまた、第１及び第２の磁石部の構成を共に電磁石、或いは一方を磁性体としてもよく、これらいずれの場合においても上述実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
なお磁石を用いて載置台を昇降させる構造は、載置台を回転させるタイプの装置に好適であるが載置台を回転させない装置に適用してもよく、その場合、処理容器の中の底部に第１の磁石に相当する例えば電磁石を設けることにより、底壁を貫通する昇降軸が不要になるので、気密性を確保するためのベローズなどが不要になり、構造が簡単になる。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板の処理例えば熱処理において装置が要するスペースを拡大することなしに省エネルギー化を図り、かつ面内温度について高い均一性を得ることができるようになる。また紫外線ランプを用いて基板を処理するにあたり、省エネルギー化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置の実施の形態を表す縦断面図である。
【図２】前記実施の形態の要部及び制御系について示す説明図である。
【図３】前記実施の形態の要部を示す横断面図である。
【図４】前記処理装置の作用を示す説明図である。
【図５】前記処理装置の作用を示す説明図である。
【図６】前記処理装置の作用を示す説明図である。
【図７】本実施の形態に係る処理装置の他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図８】本実施の形態に係る処理装置の更に他の実施の形態を示す概略断面図である。
【図９】従来発明に係る枚葉式の処理装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
Ｗ ウエハ
２ 処理容器
２０ 処理容器本体
２１ 溝部
３１ 内輪部
３２，３３ 軸受け
４ 載置台
４２ 永久磁石
４３ 電磁石
５１ 反射板
５２ 光センサ
６１ 外輪部
６２ 軸受け
７１ リフトピン
８ 加熱ユニット
８１ 熱輻射ランプ

Claims (12)

1. 処理容器内に設けられた載置台に基板を載置し、この基板を熱輻射ランプにより上方側から加熱する処理方法において、
   前記基板を側方から処理容器内に搬入し、前記載置台に載置する工程と、
   前記基板が処理位置に位置するように、前記載置台を上昇させる上昇工程と、 前記基板が前記処理位置にあるときに、処理容器内に処理ガスを供給すると共に前記熱輻射ランプにより前記基板の加熱を行う処理工程と、
   この処理工程の終了後、前記載置台を下降させる下降工程と、
   その後、基板を処理容器から搬出する工程と、を含み、
   前記上昇工程及び下降工程は、磁石と磁石または磁性体との間の磁力の強さの調節を利用して行うことを特徴とする処理方法。
2. 処理容器内に設けられた載置台に基板を載置し、この基板に対し紫外線照射ランプにより上方側から紫外線の照射を行う処理方法において、 前記基板を側方から処理容器内に搬入し、前記載置台に載置する工程と、
   前記基板が処理位置に位置するように、前記載置台を上昇させる上昇工程と、 前記基板が前記処理位置にあるときに、処理容器内に処理ガスを供給すると共に紫外線の照射を行って基板を処理する処理工程と、
   この処理工程終了後、前記載置台を下降させる下降工程と、
   その後、基板を処理容器から搬出する工程と、を含み、
   前記上昇工程及び下降工程は、磁石と磁石または磁性体との間の磁力の強さの調節を利用して行うことを特徴とする処理方法。
3. 載置台は基板の周縁部を保持することを特徴とする請求項１または２記載の処理方法。
4. 処理工程は、基板が鉛直軸の周りに回転しながら行われることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の処理方法。
5. 側方に基板の搬送口が形成された気密な処理容器と、
   この処理容器内に設けられ、外部の搬送手段との間で基板の受け渡しが行なわれると共に当該基板の周縁部を保持する載置台と、
   前記処理容器内に処理ガスの供給を行うガス供給部と、
   前記載置台に設けられた第１の磁石部と、
   前記処理容器内に設けられ、前記第１の磁石部との間で磁力が作用される第２の磁石部と、
   前記第１の磁石部及び第２の磁石部の間に作用する磁力の大きさを調整して、載置台を、前記搬送手段との間で基板の受け渡しを行うときの載置位置と、この載置位置よりも上方側であって基板を処理するときの処理位置と、の間で昇降させる制御部と、を備え、
   前記第１の磁石部及び第２の磁石部の少なくとも一方は電磁石により構成されていることを特徴とする処理装置。
6. 載置台を前記処理容器内で昇降自在に支持し、基板を鉛直軸周りに回転させることができるように、当該載置台と共に回転する回転基体と、この回転基体を回転させる回転機構と、を備え、前記第２の磁石部は前記回転基体に設けられたことを特徴とする請求項５記載の処理装置。
7. 載置台は回転基体に対して昇降できるようにガイドされていることを特徴とする請求項６記載の処理装置。
8. 第１の磁石部及び第２の磁石部の一方は電磁石により構成され、他方は永久磁石または磁性体により構成されていることを特徴とする請求項５、６または７記載の処理装置。
9. 第１の磁石部は永久磁石または磁性体により構成され、第２の磁石部は電磁石により構成されていることを特徴とする請求項８記載の処理装置。
10. 回転基体は、導電性の軸受けにより処理容器に回転自在に支持され、外部から電磁石へ給電するための給電路は前記軸受けを利用していることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の処理装置。
11. 回転基体は、載置台が上昇したときに当該載置台を処理位置の高さに規制する規制部を備えていることを特徴とする請求項６ないし１０のいずれかに記載の処理装置。
12. 回転機構は、処理容器の外に設けられると共に回転基体と磁気カップリングで結合されている外輪部と、この外輪部を回転駆動する駆動部と、を備えたことを特徴とする請求項６ないし１１のいずれかに記載の処理装置。

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