KR20220080777A - 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하고 회전되는 척과; 상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 제공되며, 기판을 사열하는 광을 방출하는 램프 유닛을 포함하되, 상기 램프 유닛은 표면에 반사층이 제공되는 제1램프를 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는 지지 유닛에 관한 것이다.

Description

지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUPPROTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARUTUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 공정 중 기판을 가열하면서 공정을 수행하는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 소자 제조나 반도체 제조 공정에서 유리 기판이나 웨이퍼를 처리하는 공정에는 감광액 도포 공정(photoresist coating process), 현상 공정(developing process), 식각 공정(etching process), 애싱 공정(ashing process) 등 다양한 공정이 수행된다. 각 공정에는 기판에 부착된 각종 오염물을 제거하기 위해, 약액(chemical) 또는 순수(deionized water)를 이용한 세정 공정(wet cleaning process)과 기판 표면에 잔류하는 약액 또는 순수를 건조시키기 위한 건조(drying process) 공정이 수행된다.
최근에는 황산이나 인산과 같은 고온에서 사용되는 케미칼을 이용하여 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 식각 공정을 진행하고 있다. 고온의 케미칼을 이용한 기판 처리 장치에서는 식각률을 개선하기 위해 기판을 가열하는 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 미국공개특허 2016-0013079에는 상술한 기판 처리 장치의 일 예가 개시된다. 위 특허에 의하면, 기판 처리 장치는 스핀 헤드 내에 기판을 가열하는 램프와, 램프가 복사하는 열을 반사시키는 반사 판을 가진다.
그러나, 램프와 같은 형태의 열원은 방향성이 없어 전 방향으로 동일한 강도의 빛을 방출하기 때문에, 위 특허의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 경우 램프에서 방출되는 열이 기판을 향하지 않는 방향으로 방출되어 낭비되는 에너지가 많은 문제가 있다.
또한, 기판을 향하지 않는 방향으로 방출되는 램프의 열이 주변 부품의 온도를 상승시켜 손상 및/또는 변형되는 문제가 있다.
또한, 주변 부품의 손상 및/또는 변형을 방지하기 위해, 램프와 인접한 다양한 부품들을 모두 열에 강한 소재로 구성할 경우, 소재의 원가가 매우 높아 비용이 증가하게 되는 문제가 있으며, 이러한 경우에도 장기적인 신뢰성을 확보하기 매우 어려운 문제가 있다.
본 발명은 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 램프의 효율을 향상시킬 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 램프와 인접한 주변 부품들의 열적 안정성을 향상시킬 수 있는 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 지지하는 지지 유닛을 개시한다.
본 발명에 따른 지지 유닛은 기판을 지지하고 회전되는 척과; 상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 제공되며, 기판을 사열하는 광을 방출하는 램프 유닛을 포함하되, 상기 램프 유닛은 표면에 반사층이 제공되는 제1램프를 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는다.
일 실시예에 의하면, 상하 방향으로 수직한 단면에서 볼 때, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프로부터 방출되어 기판의 끝단으로 조사되는 상기 광의 제1경로 상에 위치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고, 상기 반사층의 제2단부는 상기 제1램프로부터 방출되어 상기 반사판의 가장자리 영역으로 상기 광이 조사되는 제2경로 상에 위치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하는 측의 반대측에 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반사층은, 상기 제1램프에서 상기 기판을 향하지 않는 방향으로 직접 방출되는 광을 차단하는 위치에 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반사층은, 상기 제1램프에서 방출되고 상기 반사판에 의해 반사되는 광 중에서 상기 기판을 향하지 않는 방향으로 반사되는 광을 차단하는 위치에 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1램프는 링 형상으로 제공되고, 상기 램프 유닛은 상기 제1램프의 내측에 위치되는 하나 또는 복수의 링 형상의 제2램프를 더 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 개시한다.
일 실시예에 의하면, 내부에 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판을 지지 및 회전시키는 척; 상기 척에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하되, 상기 가열 유닛은, 상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 배치되며, 표면에 반사층이 제공되는 제1램프를 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1램프는 링 형상으로 제공되고, 상기 가열 유닛은 링 형상을 가지며 상기 제1램프의 내부에 위치되는 하나 또는 복수의 제2램프를 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛에 지지된 기판과 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 가열 유닛으로부터 방사된 광을 투과하는 투과 플레이트를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 공정 진핸시 상기 척으로부터 상부로 돌출되어 기판의 가장자리를 지지하는 척킹 핀을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 가열 유닛은 상기 척의 회전에 대해 정지되도록 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반사층은, 상하 방향으로 절단한 단면에서 바라볼 때 상기 기판이 상기 척킹 핀에 지지된 상태에서, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프의 중심과 상기 기판이 상기 척킹 핀에 접촉되는 지점을 지나는 선 상위에 위치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하지 않는 면에 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부는, 상부에서 바라볼 때 상기 램프들 중 최외곽에 배치되는 제1램프와, 그리고 상기 제1램프와 인접한 제2램프 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 돌출부는 적어도 일부에서 라운드 형상으로 형성되는 곡면을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하는 측의 반대측에 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다.
기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판을 지지 및 회전시키는 척과; 상기 척에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판과 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 가열 유닛으로부터 방사된 광을 투과하는 투과 플레이트를 포함하되, 상기 가열 유닛은, 상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 배치되고, 링 형상을 가지며, 표면에 반사층이 제공되는 제1램프와; 링 형상을 가지며, 상기 제1램프의 내부에 위치되는 하나 또는 복수의 제2램프를 포함하고, 상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공된다.
일 실시예에 의하면, 상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 공정 진행시 상기 척으로부터 상부로 돌출되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 척킹 핀을 포함하고, 상기 반사층은, 상하 방향으로 절단한 단면에서 바라볼 때, 상기 기판이 상기 척킹 핀에 지지된 상태에서, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프의 중심과 기판이 상기 척킹 핀에 접촉되는 지점을 지나는 선 상에 위치될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 이외의 방향으로 향하는 에너지를 기판을 향하는 방향으로 되돌림으로써 램프의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 이외의 방향으로 향하는 에너지를 차단하여 램프와 인접한 주변 부품들의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 지지 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 가열 유닛이 기판을 가열하는 모습을 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하에서는, 도 1 내지 도 6을 참조하며 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치가 제공된 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(1000)과 공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 인덱스 모듈(1000)은 로드포트(1200) 및 이송프레임(1400)을 포함한다. 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(1200), 이송프레임(1400), 그리고 공정 처리 모듈(2000)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드포트(1200)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(1300)가 안착된다. 로드포트(1200)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(1200)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1200)의 개수는 공정 처리 모듈(2000)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(1300)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(1300)내에 위치된다. 캐리어(1300)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(2000)은 버퍼 유닛(2200), 이송챔버(2400), 그리고 공정챔버(2600)를 포함한다. 이송챔버(2400)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(2400)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(2600)이 배치된다. 이송챔버(2400)의 일측에 위치한 공정챔버(2600)들과 이송챔버(2400)의 타측에 위치한 공정챔버(2600)들은 이송챔버(2400)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(2600)들 중 일부는 이송챔버(2400)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(2600)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(2400)의 일측에는 공정챔버(2600)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(2600)의 수이다. 이송챔버(2400)의 일측에 공정 챔버(2600)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(2600)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(2600)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(2600)는 이송챔버(2400)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(2200)은 이송프레임(1400)과 이송챔버(2400) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(2200)은 이송챔버(2400)와 이송프레임(1400) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(2200)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(2200)에서 이송프레임(1400)과 마주보는 면과 이송챔버(2400)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(1400)은 로드포트(1200)에 안착된 캐리어(1300)와 버퍼 유닛(2200) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(1400)에는 인덱스 레일(1420)과 인덱스 로봇(1440)이 제공된다. 인덱스 레일(1420)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(1440)은 인덱스 레일(1420) 상에 설치되며, 인덱스 레일(1420)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(1440)은 베이스(1441), 몸체(1442), 그리고 인덱스암(1443)을 가진다. 베이스(1441)는 인덱스 레일(1420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1442)는 베이스(1441)에 결합된다. 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(1442)는 베이스(1441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 몸체(1442)에 결합되고, 몸체(1442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(1443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(1443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(1443)들 중 일부는 공정 처리 모듈(2000)에서 캐리어(1300)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(1300)에서 공정 처리 모듈(2000)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(1440)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(2400)는 버퍼 유닛(2200)과 공정챔버(2600) 간에, 그리고 공정챔버(2600)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(2400)에는 가이드 레일(2420)과 메인로봇(2440)이 제공된다. 가이드 레일(2420)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란 하도록 배치된다. 메인로봇(2440)은 가이드 레일(2420) 상에 설치되고, 가이드 레일(2420) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(2440)은 베이스(2441), 몸체(2442), 그리고 메인암(2443)을 가진다. 베이스(2441)는 가이드 레일(2420)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(2442)는 베이스(2441)에 결합된다. 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(2442)는 베이스(2441) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 몸체(2442)에 결합되고, 이는 몸체(2442)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(2443)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동 되도록 제공된다. 메인암(2443)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼 유닛(2200)에서 공정챔버(2600)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)과 공정챔버(2600)에서 버퍼 유닛(2200)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(2443)은 서로 상이할 수 있다.
공정챔버(2600) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(10)가 제공된다. 각각의 공정챔버(2600) 내에 제공된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(2600) 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(2600)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(2600)에 제공된 기판 처리 장치(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(2600)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(2400)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 이송챔버(2400)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(2400)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(2600)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(2600)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(2600)와 제2그룹의 공정챔버(2600)는 각각 사용되는 케미칼의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래의 실시예에서는 고온의 황산, 알카리성 약액, 산성 약액, 린스액, 그리고 건조 가스와 같은 처리 유체들을 사용하여 기판(W)을 세정하는 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 식각 공정 등과 같이 기판(W)을 회전시키면서 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 모두 적용될 수 있다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 바울(200), 지지 유닛(300), 액 공급 유닛(400), 배기 유닛(500), 그리고 승강 유닛(600)을 포함한다.
챔버(100)는 밀폐된 내부 공간을 제공한다. 상부에는 기류 공급 부재(110)가 설치된다. 기류 공급 부재(110)는 챔버(100) 내부에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 부재(110)는 고습도 외기를 필터링하여 챔버(100) 내부로 공급한다. 고습도 외기는 기류 공급 부재(110)을 통과하여 챔버(100) 내부로 공급되며 하강 기류를 형성한다. 하강 기류는 기판(W)의 상부에 균일한 기류를 제공하며, 처리 유체에 의해 기판(W) 표면이 처리되는 과정에서 발생되는 오염물질들을 공기와 함께 바울(200)의 회수통(210, 220, 230)들을 통해 배기 유닛(500)으로 배출시킨다.
챔버(100)의 내부 공간은 수평 격벽(102)에 의해 공정 영역(120)과 유지보수 영역(130)으로 나뉜다. 공정 영역(120)에는 바울(200)과 지지 유닛(300)이 위치한다. 유지보수 영역(130)에는 바울(200)과 연결되는 회수 라인(241, 243, 245), 배기 라인(510) 이외에도 승강 유닛(600)의 구동부와, 처리액 공급 유닛(300)의 구동부, 공급 라인 등이 위치한다. 유지보수 영역(130)은 공정 영역(120)으로부터 격리된다.
바울(200)은 상부가 개방된 원통 형상을 갖고, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 공간을 가진다. 바울(200)의 개방된 상면은 기판(W)의 반출 및 반입 통로로 제공된다. 처리 공간에는 지지 유닛(300)이 위치된다. 지지 유닛(300)은 공정 진행시 기판(W)을 지지한 상태에서 기판(W)을 회전시킨다.
바울(200)는 강제 배기가 이루어지도록 하단부에 배기 덕트(290)가 연결된 하부 공간을 제공한다. 바울(200)에는 회전되는 기판(W)상에서 비산되는 처리액과 기체를 유입 및 흡입하는 제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수 통(230)이 다단으로 배치된다.
환형의 제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230)은 하나의 공통된 환형 공간과 통하는 배기구(H)들을 갖는다. 구체적으로, 제1 내지 제3 회수통(210, 220, 230)은 각각 환형의 링 형상을 갖는 바닥면 및 그 바닥면으로부터 위 방향으로 연장되어 원통 형상을 가지는 측벽을 포함한다. 제2회수통(220)은 제1회수통(210)를 둘러싸고, 제1회수통(210)로부터 이격된다. 제3회수통(230)은 제2회수통(220)을 둘러싸고, 제2회수통(220)로부터 이격된다.
제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230)은 기판(W)으로부터 비산된 처리 액 및 흄(Fume)이 포함된 기류가 유입되는 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2), 그리고 제3회수 공간(RS3)을 제공할 수 있다. 제1회수 공간(RS1)은 제1회수통(210)에 의해 정의되고, 제2회수 공간(RS2)은 제1회수통(210)과 제2회수통(220) 간의 이격 공간에 의해 정의되며, 제3회수 공간(RS3)은 제2회수통(220)과 제3회수통(230) 간의 이격 공간에 의해 정의된다.
제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230)의 각 상면은 중앙부가 개방된다. 제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230)은 연결된 측벽으로부터 개방부로 갈수록 대응하는 바닥면과의 거리가 점차 멀어지는 경사면으로 이루어진다. 기판(W)으로부터 비산된 처리 액은 제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230)의 상면들을 따라 제1회수 공간(RS1), 제2회수 공간(RS2) 및/또는 제3회수 공간(RS3) 안으로 흘러간다.
제1회수 공간(RS1)에 유입된 제1처리액은 제1회수 라인(241)을 통해 외부로 배출된다. 제2회수 공간(RS2)에 유입된 제2처리액은 제2회수 라인(143)을 통해 외부로 배출된다. 제3회수 공간(RS3)에 유입된 제3처리액은 제3 회수라인(145)을 통해 외부로 배출된다.
액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 기판(W)에 가열된 처리 액을 공급할 수 있다. 처리 액은 기판(W) 표면을 처리하기 위한 케미칼일 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 표면을 식각하기 위한 고온의 케미칼일 수 있다. 일 예로 케미칼은 황산, 인산, 또는 황산과 인산의 혼합액일 수 있다. 액 공급 유닛(400)은 액 노즐 부재(410), 그리고 공급부(420)를 포함할 수 있다.
액 노즐 부재(410)는 노즐(411), 노즐 암(413), 지지 로드(415), 노즐 구동기(417)를 포함할 수 있다. 노즐(411)은 공급부(420)로부터 처리 액을 공급받을 수 있다. 노즐(411)은 처리 액을 기판(W) 표면으로 토출할 수 있다. 노즐 암(413)은 일 방향으로 길이가 길게 제공되는 암으로, 선단에 노즐(411)이 장착된다. 노즐 암(413)은 노즐(411)을 지지한다. 노즐 암(413)의 후단에는 지지 로드(415)가 장착된다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)의 하부에 위치한다. 지지 로드(415)는 노즐 암(413)에 수직하게 배치된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 하단에 제공된다. 노즐 구동기(417)는 지지 로드(415)의 길이 방향 축을 중심으로 지지 로드(415)를 회전시킨다. 지지 로드(415)의 회전으로 노즐 암(413)과 노즐(411)이 지지 로드(415)를 축으로 스윙 이동한다. 노즐(411)은 바울(200)의 외측과 내측 사이를 스윙 이동할 수 있다. 그리고, 노즐(411)은 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이 구간을 스윙 이동하며 처리 액을 토출할 수 있다.
배기 유닛(500)은 바울(100)의 내부를 배기할 수 있다. 일 예로, 배기 유닛(500)은 공정시 제1회수통(210), 제2회수통(220), 그리고 제3회수통(230) 중 처리 액을 회수하는 회수통에 배기 압력(흡입 압력)을 제공할 수 있다. 배기 유닛(500)은 배기 덕트(290)와 연결되는 배기 라인(510), 댐퍼(520)를 포함할 수 있다. 배기 라인(510)은 배기 펌프(미도시됨)로부터 배기압을 제공받으며 반도체 생산라인의 바닥 공간에 매설된 메인 배기 라인과 연결된다.
한편, 바울(200)은 바울(200)의 수직 위치를 변경시키는 승강 유닛(600)과 결합된다. 승강 유닛(600)은 바울(200)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(200)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(300)에 대한 바울(200)의 상대 높이가 변경된다.
승강 유닛(600)은 브라켓(612), 이동축(614), 그리고 구동기(616)를 포함한다. 브라켓(612)은 챔버(100)의 외벽에 고정 설치된다. 브라켓(612)에는 구동기(616)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(614)이 고정 결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(300)에 로딩 또는 언로딩될 때 지지 유닛(300)이 바울(200)의 상부로 돌출되도록 바울(200)은 하강한다. 또한, 공정이 진행 시에는 기판(W)에 공급된 처리 액의 종류에 따라 처리 액이 기 설정된 회수통(210, 220, 230)으로 유입될 수 있도록 바울(200)의 높이가 조절된다. 바울(200)은 상기 각 회수공간(RS1, RS2, RS3) 별로 회수되는 처리 액과 오염 가스의 종류를 다르게 할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 지지 유닛의 일 실시예를 보여주는 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 지지 유닛의 일 부분을 확대하여 보여주는 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 가열 유닛이 기판을 가열하는 모습을 보여주는 도면이다. 특히, 도 6에 따른 단면도는, 척킹 핀(316)과 척(310)의 결합 구조가 보이는 방향에서의 단면도를 도시한 도면이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 지지 유닛(300)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하며, 공정이 진행되는 동안 기판(W)을 회전시킬 수 있다.
지지 유닛(300)은 척(310), 스핀 구동부(320), 백 노즐부(330), 가열 유닛(340), 냉각 부재(350), 반사판(360), 방열판(370) 그리고 반사층(380)을 포함할 수 있다.
척(310)은 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)를 포함한다. 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)는 서로 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 예컨대, 척 스테이지(312)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 또한, 투과 플레이트(314)는 척 스테이지(312)를 덮는 커버 형상을 가질 수 있다. 이에, 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)는 서로 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 투과 플레이트(314)는 후술하는 램프(342)에서 방사되는 광을 투과할 수 있는 재질로 형성된다. 일 예로, 투과 플레이트(314)은 석영 재질로 형성될 수 있다.
척 스테이지(312)는 스핀 구동부(320)에 결합되어 회전될 수 있다. 척 스테이지(312)의 가장자리에는 척킹 핀(316)들이 설치될 수 있다. 척킹 핀(316)은 척 스테이지(312)로부터 상부로 돌출된다. 이때, 척킹 핀(316)들은 투과 플레이트(314)를 관통해서 투과 플레이트(314) 상측으로 돌출되도록 제공된다. 이때, 투과 플레이트(314)에는 척킹 핀(316)이 관통되는 관통홀이 형성된다. 투과 플레이트(314)의 투과홀의 직경은 척킹 핀(316)이 기판(W)의 공정 위치와 대기 위치를 이동 가능하도록 척킹 핀(316)의 직경보다 크게 형성된다. 척킹 핀(316)에는 구동부가 결합된다. 구동부는 척킹 핀(316)이 공정 위치와 대기 위치 간에 이동 가능하도록 척킹 핀(316)에 동력을 제공한다. 척킹 핀(316)들은 다수의 지지 핀(318)들에 의해 지지된 기판(W)이 정 위치에 놓이도록 기판(W)을 정렬할 수 있다. 공정 진행시 척킹 핀(316)들은 기판(W)의 측부와 접촉되어 기판(W)이 정 위치로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 척킹 핀(316)들은 기판(W)이 공정 위치에 위치할 경우 기판(W) 측부와 접촉하여 기판(W)을 지지한다.
투과 플레이트(314)는 기판(W)과 척 스테이지(210) 상부에 위치한다. 투과 플레이트(314)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)과 가열 유닛(340) 사이에 배치된다. 투과 플레이트(314)는 가열 유닛(340)를 보호하기 위해 제공된다. 투과 플레이트(314)는 투명하게 제공될 수 있다. 투과 플레이트(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 투과 플레이트(314)는 지지 핀(318)들을 포함한다. 지지 핀(318)들은 투과 플레이트(314)의 상부 면 가장자리부에 소정 간격 이격되어 배치된다. 지지 핀(318)은 투과 플레이트(314)로부터 상 측으로 돌출되도록 제공된다. 지지 핀(318)들은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)이 투과 플레이트(314)로부터 상측 방향으로 이격된 상태에서 지지되도록 한다.
스핀 구동부(320)는 중공 형의 형상을 갖고, 척 스테이지(312)와 결합하여 척 스테이지(312)를 회전시킨다. 척 스테이지(312)가 회전되는 경우, 투과 플레이트(314)는 척 스테이지(312)와 함께 회전될 수 있다. 또한, 척(310) 내에 제공되는 구성들은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 예컨대, 후술하는 가열 유닛(340), 반사 판(360), 방열 판(370)은 척(310)의 회전으로부터 독립하게 위치될 수 있다. 가열 유닛(340)은 척(310)의 회전에 대해 정지되도록 제공된다. 반사판(360), 방열판(380)은 척(310)의 회전에 대해 정지되도록 제공된다.
백 노즐부(330)는 기판(W)의 배면에 약액을 분사하기 위해 제공된다. 백 노즐부(330)는 노즐 몸체(332) 및 약액 분사부(334)를 포함한다. 약액 분사부(334)는 척 스테이지(312)와 투과 플레이트(314)의 중앙 상부에 위치된다. 노즐 몸체(332)는 중공형의 스핀 구동부(320) 내에 관통 축설되며, 노즐 몸체(332)의 내부에는 약액 이동 라인, 가스 공급라인 및 퍼지 가스 공급 라인 등이 제공될 수 있다. 약액 이동 라인은 기판(W) 배면의 식각 처리를 위한 식각액을 약액 분사부(334)에 공급하고, 가스 공급 라인은 기판(W)의 배면에 식각 균일도 조절을 위한 질소 가스를 공급하고, 퍼지 가스 공급 라인은 투과 플레이트(314)와 노즐 몸체(332) 사이로 식각액이 침투되는 것을 방지하도록 질소 퍼지가스를 공급한다.
가열 유닛(340)는 공정 진행 중 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 유닛(340)는 척(310) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 가열 유닛(340)는 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)가 서로 조합되어 정의하되 척(310)의 내부 공간에 배치될 수 있다. 가열 유닛(340)는 램프(342), 그리고 온도 제어부(미도시)를 포함한다.
램프(342)는 척 스테이지(312)의 상부에 설치된다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)을 가열하는 열 에너지를 발생시킬 수 있다. 램프(342)는 지지 유닛(300)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 램프(342)는 대체로 링 형상으로 제공될 수 있다. 램프(342)는 복수 개로 제공될 수 있다. 램프(342)는 서로 상이한 직경으로 제공될 수 있다. 각 램프(342)에는 온도 제어부가 구성되어 있어 각각의 온도 제어가 가능할 수 있다. 또한, 램프(342)는 적외선 램프(IR Lamp)일 수 있다. 이에, 램프(342) 적외선 광을 조사하여 기판(W)을 가열할 수 있다. 램프(342)에는 후술하는 반사층(380)이 제공될 수 있다.
가열 유닛(340)는 동심의 다수의 구역들로 세분될 수 있다. 각각의 구역에는 각각의 구역을 개별적으로 가열시킬 수 있는 램프(342)들이 제공될 수 있다. 램프(342)들 중 적어도 일부는, 링 형상을 가질 수 있다. 또한, 램프(342)들은 척 스테이지(312)의 중심에 대해 서로 상이한 반경을 가지되 그 중심이 서로 일치하도록 이격되어 배열될 수 있다. 본 실시예에서는 6개의 램프(342)들이 도시되어 있지만, 이는 하나의 예에 불과하며 램프(342)들의 수는 원하는 온도, 제어된 정도에 의존하여 가감될 수 있다. 가열 유닛(340)는 각각의 개별적인 구역의 온도를 제어함으로써, 공정 진행 동안 기판(W)의 반경에 따라 온도를 연속적으로 증가 또는 감소하게 제어할 수 있다.
복수의 램프(342)는 복수의 램프(342) 중 최외곽에 제공되는 제1램프(342a)와, 제1램프(342a)의 내측에 위치되는 하나 또는 복수의 제2램프(342 b)를 포함한다. 제1램프(342a)의 표면에는 반사층(380)이 제공된다.
반사층(380)은 가열 유닛(340)과 가장 인접한 위치에 제공된다. 일 예로, 반사층(380)은 제1램프(342a)의 표면에 제공된다. 반사층(350)은 제1램프(342a)로부터 방출되는 광이 기판(W)을 향하지 않도록 차단한다. 보다 상세히, 반사층(350)은 제1램프(342a)로부터 방출되는 광을 반사시켜 기판(W)을 향하도록 광 경로를 변경할 수 있다.
반사층(380)은 램프(342)의 표면 중 적어도 일부에 제공된다. 반사층(380)은 램프(342)의 표면 중 외측면부에 제공될 수 있다. 반사층(350)은 제1램프(342a)의 표면 중 제1램프(342a)에서 방출되는 광이 기판(W)을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는다.
반사층(380)은 램프(342)의 표면 중 돌출부(364)과 대향하는 측의 반대측에 제공된다. 반사층(380)은 램프(342)의 표면 중 곡면(R)과 대향하는 면의 반대면에 제공된다. 반사층(380)은 라운드 형상을 포함한다. 이때, 반사층(380)의 내부면의 곡률은 제1램프(342a)의 곡률과 대응될 수 있다.
반사층(380)은 램프(342)로부터 방출되는 열 에너지에 대한 내열성이 강한 재질로 제공된다. 반사층(380)은 램프(342)로부터 방출되는 열 에너지에 대한 차단률 또는 반사율이 높은 재질로 제공된다. 일 예로, 반사층(380)은 금속 재질로 형성될 수 있다. 일 예로, 반사층(380)은 금, 은, 구리, 알루미늄 및 세라믹 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 일 예로, 반사층(380)은 반사판(360)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 또는, 반사층(380)은 반사판(360)과 다른 재질로 형성될 수 있다.
반사층(380)은 제1램프(342)로부터 방출되는 광 중 기판(W)을 향하지 않는 방향으로 방출되는 광을 차단하는 위치에 제공된다. 반사층(380)은 제1램프(342)에서 기판(W)을 향하지 않는 방향으로 직접 방출되는 광을 차단한다. 반사층(380)은 램프(342)로부터 기판(W)을 향하지 않는 방향으로 직접 방출되는 광을 반사시킬 수 있는 위치에 제공되고, 반사층(380)에 의해 반사된 광은 기판(W)으로 조사된다. 반사층(380)은 램프(342)에서 방출되고 반사판(350)에 의해 반사되는 광 중에서 기판(W)을 향하지 않은 방향으로 반사되는 광을 차단한다. 이 경우, 반사층(380)은 램프(342)에서 방출되고 반사판(350)에 의해 반사되는 광 중에서 기판(W)을 향하지 않은 방향으로 반사되는 광을 반사시킬 수 있는 위치에 제공되고, 반사층(380)에 의해 반사된 광은 기판(W)으로 조사된다. 이와 같이, 본 발명에 다르면, 램프(342)의 표면에 반사층(380)을 적용하여 기판(W)을 향하지 않는 방향으로 방출되는 광이 기판(W)을 향하도록 광 경로를 변경할 수 있어, 램프(342)의 효율을 증대시킬 수 있다. 나아가, 기판(W)을 향하지 않는 방향으로 방출되는 광을 차단할 수 있어, 기판(W)의 주변 부품이 열 변형, 열 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 6을 참조하면, 반사층(380)은 램프(342)의 표면 중 제1지점(P1)과 제2지점(P2) 사이에 제공된다. 상하 방향으로 수직한 단면에서 볼 때, 반사층(380)의 제1단부(P1)는 제1램프(342a)로부터 방출되어 기판(W)의 끝단(P3)으로 조사되는 광의 제1경로(L1)상에 위치된다. 또한, 도 6을 참조하면, 반사층(380)은 상하 방향으로 절단한 단면에서 바라볼 때 기판(W)이 척킹 핀(316)에 지지된 상태에서, 반사층(380)의 제1단부(P1)는 제1램프(342a)의 중심(C)과 기판(W)이 척킹 핀(316)에 접촉되는 지점(P3)을 지나는 선 상위에 위치된다. 반사층(380)의 제2단부(P2)는 제1램프(342a)로부터 방출되어 반사판(360)의 가장자리 영역(P4)으로 광이 조사되는 제2경로(L2) 상에 위치된다.
제1램프(342a)로부터 방출되는 광 중에서 제1램프(342a)의 제1단부(P1)를 지나는 광은 기판(W)의 외측 가장자리 지점(P3)으로 조사된다.
반사층(380)의 제2단부(P2)는 램프(342)로부터 방출되어 반사판(360)의 가장자리 영역(P4)으로 조사되는 제2경로(L2) 상에 위치된다. 제2경로(L2)는 램프(342)의 중심(C)과 반사판(350)의 외측 가장자리 영역(P4)을 연결하는 경로일 수 있다. 즉, 제1램프(342a)로부터 방출되는 광 중에서 제1램프(342a)의 제2단부(P2)를 지나는 광은 반사판(360)의 외측 가장자리 영역(P4)으로 조사되고, 반사판(360)에 의해 반사되어 기판(W)으로 조사된다.
본 발명과는 달리 반사층(380)이 적용되지 않을 경우, 제1단부(P1)과 제2단부(P2) 사이로 방출되는 광은 주변 부품으로 조사되어 열 손상 및/또는 열 변형을 일으키는 문제가 있다. 그러나 본 발명은 제1램프(342a)로부터 방출되는 광 중에서 제1단부(P1)와 제2단부(P2) 사이로 방출되는 광의 경우, 반사층(380)에 의해 기판(W)을 향하는 방향으로 경로가 변경된다. 이를 통해, 제1램프(342a)로부터 방사형으로 균일하게 방출되는 열 에너지를 기판(W)으로 집중시켜 램프(342)의 효율을 증대시킬 수 있고, 열 에너지로 인해 주변 부품의 온도가 상승되는 것을 억제하여 주변 부품의 열 변형 및/또는 열 손상을 방지할 수 있다.
냉각 부재(350)는 척(310) 내에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 예컨대, 냉각 부재(350)는 후술하는 방열판(370) 내에 형성되는 유로(372)에 냉각 유체를 공급할 수 있다. 냉각 유체는 가스 일 수 있다. 냉각 유체는 비활성 가스 일 수 있다. 예컨대, 냉각 유체는 질소를 포함하는 비활성 가스 일 수 있다.
반사판(360)은 가열 유닛(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)으로 반사시킬 수 있다. 반사 판(360)은 가열 유닛(342)가 발생시키는 열 에너지를 기판(W)의 가장자리 영역 및/또는 기판(W)의 중앙 영역으로 반사시킬 수 있다. 반사판(360)은 가열 유닛(340)가 발생시키는 열 에너지에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 반사판(360)은 램프(342)가 조사하는 광에 대한 반사 효율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 반사판(360)은 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 반사판(360) 은 쿼츠에 금, 은, 구리, 및/또는 알루미늄으로 코팅된 재질로 제공될 수 있다. 반사판(360)은 쿼츠에 금, 은, 구리 및/또는 알루미늄을 물리적 기상 증착법(PVD) 방식으로 코팅한 재질로 제공될 수 있다.
반사판(360)은 척(310) 내에 배치될 수 있다. 반사판(380)은 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)가 서로 조합되어 형성하는 내부 공간에 배치될 수 있다. 반사판(360)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원 판 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 반사판(360)은 상부에서 바라볼 때 그 중앙 영역에 개구가 형성된 원 판 형상을 가질 수 있다. 반사판(360)은 반사 재질로 형성되거나, 반사물질이 반사판(360)의 표면에 코팅될 수 있다.
반사판(360)은 베이스부(362), 그리고 돌출부(364)를 포함할 수 있다. 베이스부(362)는 가열 유닛(340)의 아래에 배치될 수 있다. 베이스부(362)는 램프(342)의 아래에 배치될 수 있다. 돌출부(364)는 베이스부(362)로부터 위 방향으로 돌출될 수 있다. 돌출부(364)는 램프(342)들 중 어느 하나, 그리고 어느 하나의 램프(342)와 인접하는 램프(342) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 돌출 부(364)는 상부에서 바라볼 때 램프(342)들 중 최외곽에 배치되는 램프(342), 그리고 최외곽에 배치되는 램프(342)와 가장 인접한 램프(342) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 돌출부(364)는 상부에서 바라볼 때 호 형상을 가질 수 있다. 또한, 돌출부(364)는 복수로 제공될 수 있다. 상부에서 바라본 돌출부(364)들은 서로 조합되어 대체로 링 형상을 이루도록 제공될 수 있다.
또한, 베이스부(362) 및/또는 돌출부(364)의 적어도 일부 표면은 굴곡질 수 있다. 예컨대, 베이스부(362) 및/또는 돌출부(364)의 표면 중 가열 유닛(340)와 대향하는 표면은 굴곡질 수 있다. 예컨대, 베이스부(362) 및/또는 돌출부(364)의 표면은 램프(342)가 조사하는 광을 기판(W)의 가장자리 영역으로 반사시키는 곡면(R)을 포함할 수 있다. 예컨대, 베이스부(362) 및 돌출부(364)의 표면은 서로 조합되어 곡면(R)을 형성할 수 있다. 램프(342)에서 기판(W)을 가열시키는 광을 조사하게 되면, 램프(342)가 조사하는 광은 기판(W)으로 직접적으로 조사됨과 더불어, 반사판(360)이 가지는 반사 면에 의해 반사되어 기판(W)에 간접적으로 조사될 수 있다.
방열판(370)은 척(310) 내에 배치될 수 있다. 방열판(370)은 척 스테이지(312), 그리고 투과 플레이트(314)가 형성하는 내부 공간에 배치될 수 있다. 방열 판(370)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원 판 형상을 가질 수 있다. 방열 판(370) 내에는 냉각 부재(350)가 공급하는 냉각 유체가 흐를 수 있는 냉각 유로가 형성될 수 있다. 또한, 방열판(370)은 가열 유닛(340)가 발생시키는 열이 스핀 구동부(320)의 온도를 상승시키는 것을 최소화할 수 있도록, 열 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다. 방열판(370)이 열 전도율이 높은 재질로 제공되게 되면 방열 판(370)은 열을 빠르게 지지 유닛(300)의 외부로 방열할 수 있게 된다. 이는 스핀 구동부(320)의 온도가 과도하게 높아지게 되면 스핀 구동부(320)가 적절히 구동하지 못하는 것을 방지하기 위함이다. 방열판(370)은 알루미늄을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 방열판(370)은 반사판(360)보다 열 전도율이 높은 재질로 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
300: 지지 유닛 310: 척
312: 척 스테이지 314: 투과 플레이트
316: 척킹 핀 318: 지지 핀
320: 스핀 구동부 330: 백 노즐부
340: 가열 유닛 350: 냉각 부재
360: 반사판 370: 방열판
380: 반사층

Claims (20)

  1. 기판을 지지하는 지지 유닛에 있어서,
    기판을 지지하고 회전되는 척과;
    상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 제공되며, 기판을 사열하는 광을 방출하는 램프 유닛을 포함하되,
    상기 램프 유닛은 표면에 반사층이 제공되는 제1램프를 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는 지지 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상하 방향으로 수직한 단면에서 볼 때, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프로부터 방출되어 기판의 끝단으로 조사되는 상기 광의 제1경로 상에 위치되는 지지 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고,
    상기 반사층의 제2단부는 상기 제1램프로부터 방출되어 상기 반사판의 가장자리 영역으로 상기 광이 조사되는 제2경로 상에 위치되는 지지 유닛.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하는 측의 반대측에 제공되는 지지 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반사층은,
    상기 제1램프에서 상기 기판을 향하지 않는 방향으로 직접 방출되는 광을 차단하는 위치에 제공되는 지지 유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반사층은,
    상기 제1램프에서 방출되고 상기 반사판에 의해 반사되는 광 중에서 상기 기판을 향하지 않는 방향으로 반사되는 광을 차단하는 위치에 제공되는 지지 유닛.
  7. 제1항 내지 제6항에 있어서,
    상기 제1램프는 링 형상으로 제공되고,
    상기 램프 유닛은 상기 제1램프의 내측에 위치되는 하나 또는 복수의 링 형상의 제2램프를 더 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공되는 지지 유닛.
  8. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 바울과;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 기판을 지지 및 회전시키는 척;
    상기 척에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하되,
    상기 가열 유닛은,
    상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 배치되며, 표면에 반사층이 제공되는 제1램프를 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1램프는 링 형상으로 제공되고,
    상기 가열 유닛은 링 형상을 가지며 상기 제1램프의 내부에 위치되는 하나 또는 복수의 제2램프를 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판과 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 가열 유닛으로부터 방사된 광을 투과하는 투과 플레이트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    공정 진핸시 상기 척으로부터 상부로 돌출되어 기판의 가장자리를 지지하는 척킹 핀을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 가열 유닛은 상기 척의 회전에 대해 정지되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 반사층은,
    상하 방향으로 절단한 단면에서 바라볼 때 상기 기판이 상기 척킹 핀에 지지된 상태에서, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프의 중심과 상기 기판이 상기 척킹 핀에 접촉되는 지점을 지나는 선 상위에 위치되는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    상기 제1램프로부터 방출되는 광을 상기 기판의 가장자리 영역으로 반사시키는 돌출부를 포함하는 반사판을 더 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하지 않는 면에 제공되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 돌출부는,
    상부에서 바라볼 때 상기 램프들 중 최외곽에 배치되는 제1램프와, 그리고 상기 제1램프와 인접한 제2램프 사이에 배치되는 기판 처리 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 돌출부는 적어도 일부에서 라운드 형상으로 형성되는 곡면을 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 돌출부와 대향하는 측의 반대측에 제공되는 지지 유닛.
  18. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 바울과;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 기판을 지지 및 회전시키는 척과;
    상기 척에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판과 상기 가열 유닛 사이에 배치되어, 상기 가열 유닛으로부터 방사된 광을 투과하는 투과 플레이트를 포함하되,
    상기 가열 유닛은,
    상기 척에 지지된 기판과 상기 척의 사이에 배치되고, 링 형상을 가지며, 표면에 반사층이 제공되는 제1램프와;
    링 형상을 가지며, 상기 제1램프의 내부에 위치되는 하나 또는 복수의 제2램프를 포함하고,
    상기 반사층은 상기 제1램프와 상기 제2램프 중 상기 제1램프에만 제공되는 기판 처리 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 반사층은 상기 제1램프의 표면 중 상기 제1램프에서 방출되는 광이 기판을 직접 향하는 영역에는 제공되지 않는 기판 처리 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    공정 진행시 상기 척으로부터 상부로 돌출되어 상기 기판의 가장자리를 지지하는 척킹 핀을 포함하고,
    상기 반사층은,
    상하 방향으로 절단한 단면에서 바라볼 때, 상기 기판이 상기 척킹 핀에 지지된 상태에서, 상기 반사층의 제1단부는 상기 제1램프의 중심과 기판이 상기 척킹 핀에 접촉되는 지점을 지나는 선 상에 위치되는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102263006B1 (ko) * 2019-07-18 2021-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102564838B1 (ko) * 2020-07-24 2023-08-10 세메스 주식회사 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140018915A (ko) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 램프 조립체를 이용한 기판 하부의 오프­각도형 가열
KR20170026901A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20170135714A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 램 리서치 아게 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치
KR20190131916A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 에이피시스템 주식회사 히터 블록, 열 처리 장치 및 방법

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4789771A (en) * 1985-10-07 1988-12-06 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
US6108491A (en) * 1998-10-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Dual surface reflector
JP2002118071A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Ushio Inc 光照射式加熱処理装置及び方法
US6600138B2 (en) * 2001-04-17 2003-07-29 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing system for integrated circuits
KR100621777B1 (ko) * 2005-05-04 2006-09-15 삼성전자주식회사 기판 열처리 장치
US9748118B2 (en) * 2013-07-31 2017-08-29 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus
KR101681183B1 (ko) * 2014-07-11 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11057963B2 (en) * 2017-10-06 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Lamp infrared radiation profile control by lamp filament design and positioning
US11043403B2 (en) * 2018-04-06 2021-06-22 Semes Co., Ltd. Substrate support unit and substrate processing apparatus having the same including reflective member configured to reflect light toward substrate
KR102078157B1 (ko) * 2018-04-16 2020-02-17 세메스 주식회사 기판 가열 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140018915A (ko) * 2011-03-11 2014-02-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 램프 조립체를 이용한 기판 하부의 오프­각도형 가열
KR20170026901A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20170135714A (ko) * 2016-05-31 2017-12-08 램 리서치 아게 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치
KR20190131916A (ko) * 2018-05-18 2019-11-27 에이피시스템 주식회사 히터 블록, 열 처리 장치 및 방법

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