KR20170135714A - 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치는 회전 척 및 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상의 물품과 대면하는 가열 어셈블리를 포함한다. 액체 디스펜서는 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 회전 척에서 이격되어 마주보는 웨이퍼 형상의 물품의 표면 상에 액체를 디스펜싱하도록 위치된다. 가열 어셈블리는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 사이에 분포된 복사 가열 엘리먼트들의 어레이를 포함한다. 액체 디스펜서는 배출 지점을 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 회전 척의 보다 주변 구역으로 이동시키도록 구성된 하나 이상의 디스펜싱 오리피스들을 포함한다. 제어기는 액체 디스펜서의 배출 지점의 위치에 기초하여 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각에 공급된 전력을 제어한다.

Description

웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PROCESSING WAFER-SHAPED ARTICLES}
본 발명은 일반적으로 개방된 폐쇄된 프로세스 챔버 또는 폐쇄된 프로세스 챔버 내에서, 반도체 웨이퍼들과 같은 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 에칭, 세정, 폴리싱 및 재료 디포지션과 같은 다양한 표면 처리 프로세스들을 겪는다. 예를 들어 미국 특허 번호 제 4,903,717 호 및 제 5,513,668 호에 기술된 바와 같이, 이러한 프로세스들을 수용하기 위해서, 단일의 웨이퍼는 회전 가능한 캐리어와 연관된 척에 의해 하나 이상의 처리 유체 노즐들에 대해 지지될 수도 있다.
대안적으로, 예를 들어 국제 공보 번호 제 WO 2007/101764 호 및 미국 특허 번호 제 6,485,531 호에 기술된 바와 같이, 웨이퍼를 지지하도록 구성된 링 회전자의 형태인 척은 폐쇄된 프로세스 챔버 내에 위치될 수도 있고 그리고 능동 자기 베어링을 통한 물리적 콘택트 없이 구동될 수도 있다. 원심력에 기인하여 회전하는 웨이퍼의 에지로부터 외향으로 추진되는 처리 유체들은 폐기를 위해 공통 드레인으로 전달된다.
이러한 웨이퍼들 상에 형성된 디바이스 피처들이 이들 디바이스 피처들의 종횡비에 수반되는 증가에 의해, 디바이스 피처들의 레이아웃 치수들에 있어서 계속 감소함에 따라 그리고 이러한 웨이퍼들의 직경이 계속해서 증가함에 따라, 웨이퍼들의 건조 동안 패턴 붕괴의 현상은 점점 문제가 많아지게 된다. 패턴 붕괴를 방지하기 위한 기존의 기법들은 제한된 유효성의 기법들이다.
일 양태에서, 본 발명은 회전 척 상에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상의 물품을 홀딩하도록 구성된 회전 척을 포함하는 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에 관한 것이다. 장치는 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상의 물품과 대면하는 가열 어셈블리, 및 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 가열 어셈블리에서 이격되어 대면하는 웨이퍼 형상의 물품의 표면 상에 액체를 디스펜싱하도록 위치된 액체 디스펜서를 포함한다. 가열 어셈블리는 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 회전 척의 보다 주변 구역으로 연장하는 각각의 상이한 존을 각각 점유하는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 사이에 분포된 복사 가열 엘리먼트들 (elements) 의 어레이를 포함한다. 액체 디스펜서는 배출 지점을 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 회전 척의 보다 주변 구역으로 이동시키도록 구성된 하나 이상의 디스펜싱 오리피스들을 포함한다. 제어기는 액체 디스펜서의 배출 지점의 위치에 기초하여 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각에 공급된 전력을 제어한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 10 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 15 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 20 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들은 LED 가열 엘리먼트들이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, LED 가열 엘리먼트들은 380 ㎚ 내지 650 ㎚의 파장 범위에서 최대 강도를 갖는 복사선을 방출한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, LED 가열 엘리먼트들은 380 ㎚ 내지 650 ㎚의 파장 범위의 복사선을 방출한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가열 어셈블리는 회전 척 상에 홀딩된 웨이퍼 형상의 물품을 가열하도록 그리고 웨이퍼 형상의 물품과 콘택트하지 않고 웨이퍼 형상의 물품의 일 측면에만 회전 척에 대해 위치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가열 어셈블리는 회전 척 위에 가로 놓이고 그리고 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 장착될 때 회전 척과 대면하는 웨이퍼 형상의 물품의 표면과 회전 척 사이에 위치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 액체 디스펜서는 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 회전 척의 보다 주변 구역으로 회전 척에 대해 이동 가능한 암을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들에 의해 방출된 복사선에 대해 투과성인 플레이트는 스핀 척과의 회전을 위해 장착되고 그리고 웨이퍼 형상의 물품이 스핀 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상의 물품과 가열 어셈블리 사이에 위치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 플레이트는 석영 또는 사파이어로 이루어진다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각은 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상의 물품으로 적어도 2 W/㎠의 전력 강도를 인가할 수 있다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각은 웨이퍼 형상의 물품이 회전 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상의 물품으로 적어도 4 W/㎠의 전력 강도를 인가할 수 있다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 회전 척의 회전 축에 대해 동심원으로 배치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 제어기는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬된 액체 디스펜서의 배출 지점에 응답하여 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹에 전체 전력을 공급하도록 구성된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 제어기는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬되는 액체 디스펜서의 배출 지점에 응답하여, 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 인접하고 그리고 방사상으로 내향인 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 또 다른 개별적으로 제어 가능한 그룹에 전체 전력 미만인 내측 중간 전력을 공급하도록 구성된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 제어기는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬되는 액체 디스펜서의 배출 지점에 응답하여, 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 인접하고 그리고 방사상으로 외향인 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 또 다른 개별적으로 제어 가능한 그룹에 전체 전력 미만인 외측 중간 전력을 공급하도록 구성된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 외측 중간 전력은 내측 중간 전력보다 크다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가열 어셈블리는 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상의 물품과 실질적으로 같은 공간을 차지하는 발광 다이오드들 (LED들) 의 어레이를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 회전 척은 중심의 고정된 포스트를 둘러싸는 회전 가능한 척 바디를 포함하고, 그리고 가열 어셈블리는 중심의 고정된 포스트의 상부 단부에 장착된다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 본 명세서에 기술된 방식으로, 전술된 특성들 중 하나 이상을 가진 장치의 사용을 포함하여, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조하여 제공된, 본 발명의 바람직한 실시예들의 다음의 상세한 기술을 판독한 후에 더 자명해질 것이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 패턴 붕괴의 현상의 설명을 위한 예시이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 장치의 평면도이다.
도 3은 도 2의 라인 III-III을 따른 단면도이다.
도 4는 도 3의 상세사항 IV의 확대도이다.
도 5는 이 실시예의 가열 어셈블리의 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 1 내지 도 5의 실시예의 사용을 위한 바람직한 프로세싱 조건들을 도시한다.
도 7은 사용 위치의 본 발명의 제 2 실시예에 따른 장치를 도시한다.
도 8은 로딩 위치 및 언로딩 위치의 도 7의 실시예를 도시한다.
이제 도 1을 참조하면, 반도체 웨이퍼 (2) 상에 형성된 디바이스 피처들 (1) 은 반도체 디바이스들의 제조시 형성되거나 사용되는 도핑된 실리콘 또는 임의의 다른 구조체들 또는 재료들의 핀들일 수도 있다. 프로세싱 동안, 웨이퍼 (2) 는 통상적으로 먼저 물로 그리고 이어서 핀들 (1) 을 둘러싸는, 도 1a에서 3으로 도시되는, IPA (isopropyl alcohol) 로 린싱된다. 웨이퍼가 건조되면, IPA (3) 는 증발하지만; 핀들 (1) 의 고 종횡비 및 표면 장력 때문에, IPA (3) 는 핀들 사이의 공간으로부터 보다 느리게 없어지고, 이는 도 1b에서 M으로 도시된 메니스커스 (meniscus) 의 형성을 발생시킨다. 웨이퍼의 건조가 계속되기 때문에, IPA (3) 의 표면 장력은 도 1c에 도시된 바와 같이 핀들 (1) 을 서로를 향하여 당기고, 이는 연관된 반도체 디바이스의 올바른 성능을 악화시키거나 방해할 수 있다.
패턴 붕괴의 현상을 완화시키기 위한 종래의 기법들은 주된 선택인 IPA와 함께, DI 수 (deionized water) 보다 저 표면 장력을 가진 린스 액체의 사용, 및 상승된 온도에서 이러한 린스 액체의 사용을 포함하지만; 상기에 주지된 바와 같이, 이러한 기법들은 패턴 붕괴 감소에 한정된 영향을 준다.
본 발명자들은 도 1b에 도시된 바와 같은 메니스커스가 형성되지 않고, 그리고 이에 따라 도 1c에 도시된 수반되는 패턴 붕괴가 방지되도록, 이동하는 프런트 (moving front) 를 따른 웨이퍼의 신속한 국부화된 가열이 린스 액체를 충분히 신속하게 증발하도록 기능할 수 있다는 것을 알아냈다.
도 2는 스핀 척 (10) 이 미리 결정된 직경, 예를 들어, 300 ㎜ 또는 450 ㎜의 웨이퍼 (W) 를 홀딩 및 회전하도록 설계되는 발견 (discovery) 을 구현하도록 설계된 장치의 제 1 실시예를 도시한다. 웨이퍼 (W) 는 이 실시예에서 6 개인 일련의 원형인 파지 핀들 (pin) (16) 에 의해 홀딩된다. 핀들 (16) 은 석영 또는 사파이어로 이루어진 투과성 플레이트 (25) 내의 개구부들을 통과한다. 플레이트 (25) 는 나사들 (26) 에 의해 척 (10) 에 고정되고 그리고 척 (10) 과 함께 회전한다. 웨이퍼 (W) 가 척 상에 위치될 때, 웨이퍼의 하부 표면이 플레이트 (25) 와 평행하고 그리고 작은 갭만큼 플레이트 (25) 로부터 이격되도록 웨이퍼 (W) 는 플레이트 (25) 위에 홀딩된다.
이하에 보다 상세히 기술될 복사 가열 어셈블리 (50) 가 투과성 플레이트 (25) 아래에 장착된다. 척 (10) 에 인접하게 붐 스윙 암 (boom swing arm) (30) 이 자신의 구동 모터 (34) 를 중심으로 피봇 운동을 위해 장착된다. 암 (30) 은 프로세스 및/또는 린스 액체를 공급하고, 프로세스 및/또는 린스 액체는 암의 배출 노즐 (32) 을 통해 하향으로 배출된다. 붐 스윙 암 (30) 은 도 2에서 실선으로 도시된 대기 위치와 파선으로 도시된 중심 위치 사이에서 이동 가능하다. 그러므로 배출 노즐 (32) 은 웨이퍼 (W) 의 전체 반경에 걸쳐 스캔할 수 있고, 그리고 웨이퍼 (W) 가 척 (10) 에 의해 회전될 때, 이에 따라 웨이퍼의 전체 상향-대면 표면 상으로 액체를 디스펜싱할 수 있다.
이제 도 3을 참조하면, 회전 척 (10) 은 서로 고정되고 그리고 고정된 중심 포스트 (20) 를 중심으로 회전을 위해 저널링되는 (journalled), 하부 척 바디 (12) 및 상부 척 바디 (14) 로 이루어진다는 것을 알 수 있다. 파지 핀들 (16) 및 투과성인 플레이트 (25) 은 또한 이들 후자의 베이스들에서 제공된 기어 티스 (gear teeth) 를 통해 파지 핀들 (16) 각각과 연속적으로 맞물려 인게이지하는 (meshing engagement) 링 기어 (18) 가 그러한 것처럼, 이 실시예에서 척 (10) 과 함께 회전한다. 링 기어 (18) 는 또한 그 자체가 공지된 방식으로, 핀들의 각각의 축들을 중심으로 파지 핀들 (16) 을 회전시키고 그리고 최상측 편심 파지 위치들을 그 개방 위치와 폐쇄 위치 사이에서 이동시키도록, 척 (10) 에 대해 제한된 정도로 회전할 수 있다.
고정된 포스트 (20) 는 고정자 (44) 처럼, 장치의 머신 프레임 (40) 상에 장착되지만, 회전자 (42) 는 하부 척 바디 (12) 에 고정되고, 고정자 (44) 및 회전자 (42) 는 회전시 척 (10) 을 구동하는 자기 모터를 구성한다. 전체 척 구조체의 추가의 상세들은 예를 들어 공동으로 소유된 미국 특허 번호 제 9,245,777 호에 기술된다.
이 실시예에서 복사 가열 어셈블리 (50) 는 고정된 포스트 (20) 상에 장착되고, 그러므로 회전하지 않지만, 복사 가열 어셈블리 (50) 는 엘리먼트들 (25, 14, 16) 을 포함한 척의 회전 구조체에 의해 감싸진다. 이 실시예에서 복사 가열 어셈블리 (50) 는 투과성 플레이트 (25) 에 대면하여 장착된 다수의 블루 LED들 (51), 및 제어기 (52) (예를 들어 가열 어셈블리 (50) 의 하부측에 장착된 온-보드 (on-board) 제어기 (미도시)) 를 포함한다. 제어기 (52) 는 블루 LED들 (51) 의 턴 온 및 턴 오프, 뿐만 아니라 전력을 제어하고, 그리고 또한 붐 스윙 암 (30) 의 모터 (34) 와 무선으로 통신한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 복사 가열 어셈블리 (50) 는 함께 납땜된 상부 피스 및 하부 피스 (54 및 55) 로 이루어진 알루미늄 기판으로 이루어지고, 알루미늄 기판은 블루 LED 엘리먼트들 (51) 아래의 구조체의 과도한 가열을 방지하도록 열 싱크 (heat sink) 로서 기능한다. 인쇄 회로 기판 (53) 은 상부 피스 (54) 상단에 장착되고, 상부 피스 (54) 상에 LED 엘리먼트들을 위한 트레이스들 (traces) 이 형성되고 그리고 상부 피스 (54) 상에 LED 엘리먼트들 (51) 이 장착된다.
온보드 칩들 (56) 은 하부 피스 (55) 의 하부측에 고정된 인쇄 회로 기판 (60) 상에 장착된다. PCB (53) 상에 형성된 트레이스들의 입력 말단들과 온보드 칩들 (56) 의 출력 핀들을 서로 연결하는 와이어들 (58) 은 알루미늄 기판 (53, 54) 을 통과하는 포켓들 (57) 내에 수용된다.
도 5에 도시된 바와 같이, 이 실시예의 PCB (53) 는 커넥터들 (59) 에 의해 함께 조인되는 4 개의 사분원들로 형성된다. LED 엘리먼트들 (51) 은 온보드 제어기 (52) 와 함께, 16 개의 그룹들, 즉, 온보드 칩들 (56) 과 이들 칩들로부터 PCB (53) 로의 연결부들의 배치로 형성되고, LED들로 하여금 16 개만큼 적은 그룹들에 개별적으로 전력 공급되게 한다.
LED들 (51) 이 20 개의 동심원들로 배치된다는 것, 그리고 원 각각의 LED들의 수가 16의 배수라는 것을 도 5에서 알 수 있을 것이다. 그러므로, 동심원 각각은 상기에 기술된 배치 때문에, 분리된 가열 존으로서 개별적으로 제어될 수 있다.
블루 LED 램프들 (51) 은 약 450 ㎚의 파장에서 최대 강도를 갖는다. 복사선의 다른 소스들이 사용될 수 있지만, 390 ㎚ 내지 550 ㎚의 파장 범위 그리고 보다 바람직하게 400 ㎚ 내지 500 ㎚의 파장 범위에서 최대 강도를 갖는 복사선을 방출하는 소스를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 파장 특성의 복사선이 플레이트 (25) 를 대체로 투과하는 반면에, 동일한 복사선은 특히 웨이퍼 (W) 가 실리콘일 때, 웨이퍼 (W) 의 반도체 재료에 의해 대체로 흡수된다.
이 배치는 손상을 주는 메니스커스가 형성될 기회를 갖기 전에 린스 액체의 증발을 유발하는 방식으로, 웨이퍼 (W) 의 매우 빠른 국부적 가열을 허용한다. 예를 들어, LED (51) 각각은 10 W의 전력을 소모할 수 있고 그리고 3 W의 광 전력을 제공하고, 이 광 전력은 거의 즉각적으로 생성될 수 있다. 부가적으로, 보다 적은 광 전력들은 원하는 경우, 예를 들어 500 ㎐로, 예를 들어, 선택된 LED들 (51) 로 전력 공급을 펄싱함으로써, 그 자체가 공지된 방식으로, 선택된 LED들 (51) 에 대해 생성될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 이 실시예의 장치의 동작의 바람직한 예를 도시한다. 도 6b의 가로 좌표가 존들의 수뿐만 아니라 웨이퍼의 중심으로부터 에지로의 방사상 거리를 나타내도록, 웨이퍼 (W) 는 가열 어셈블리 (50) 의 개별적으로 제어 가능한 동심원 존들의 수에 대응하는 N 개의 존들 (1, 2, 3, 4,...N) 로 분할된다고 간주될 수 있다.
도 6a에 도시된 구역 (A) 에서, 액체 (L) 는 웨이퍼 (W) 의 표면 상에 남아 있고, 그리고 이 예에서 IPA (isopropyl alcohol) 인 액체 (L) 를 상승되었지만 웨이퍼 (W) 의 조급한 건조를 유발하지 않는 온도로 가열하는 것이 목적이다. 상기 온도는 도 6b의 세로 좌표에 도시된 바와 같이, 레벨 2로 유지되는 존들 (4 내지 N) 내의 가열기의 열 플럭스에 대응한다.
반면에, 복사 가열 어셈블리 (50) 의 존 (3) 에 대응하는 구역 (B) 에서, 웨이퍼 (W) 의 온도는 상기에 기술된 바와 같이 패턴 붕괴를 방지하도록, IPA의 증발 레이트로 하여금 빽빽이 인접한 디바이스 피처들 사이에 메니스커스 (즉, 편평하거나 90° 메니스커스) 가 없게 충분히 높아지도록 상당히 상승된다. 가열기 존들 (1 및 2) 에 대응하는 구역 (C) 내에서, 이미 건조된 웨이퍼는 린스 액체의 완전한 증발을 보장하도록 그리고 건조된 웨이퍼 표면 상의 응결을 방지하도록, 보다 낮지만 여전히 상승된 온도로 유지된다.
가열 어셈블리의 다양한 동심원 존들로 공급된 전력의 제어가 린스 유체의 배출 노즐 (32) 의 방사상 위치에 대응하고, 따라서 제어기 (52) 는 배출 노즐의 방사상 위치에 기초하여 관련된 존들의 LED들 (51) 로의 전력 공급을 제어한다는 것이 이해될 것이다.
도 7 및 도 8은 척이 폐쇄된 챔버 (80) 내에 위치되고, 그리고 챔버 (80) 외부에 위치된 고정자 (72) 에 의해 회전시 구동되는 자기 링 회전자 (70) 인 대안적인 실시예를 도시한다. 웨이퍼 (W) 는 링 회전자 (70) 로부터 하향으로 돌출하는 파지 엘리먼트들 (71) 에 의해 홀딩된다.
챔버 (80) 는 도 8에 도시된 바와 같이 웨이퍼 (W) 의 로딩 및 제거를 위해 개방될 수 있다. 가열 어셈블리 (50') 는 하우징 (80) 의 하부 부분에 포함되고, 그리고 이 실시예에서 투과성 플레이트 (25') 가 고정되고 그리고 자기 회전자 (70) 와 함께 회전하지 않는다는 것을 제외하고, 이전의 실시예와 관련되어 기술된 것과 일반적으로 유사하다.
또한, 이 실시예에서, 방사상으로 이동 가능한 액체 디스펜서 (30) 대신, 매니폴드 (73) 에 의해 피딩된 (fed) 일련의 고정된 액체 디스펜싱 노즐들 (74) 이 제공된다. 린스 액체는 이전의 실시예들의 붐 스윙 암 (30) 의 디스펜싱 작용과 유사하도록, 가장 중심부에서 시작해서 가장 주변부로 계속되게, 이들 노즐들 (74) 로 연속적으로 공급될 수 있다. 그러므로, 이 경우에, 제어기 (52) 는 어떤 노즐 (74) 이 액체를 디스펜싱하는지에 기초하여 LED들 (51) 의 선택된 그룹들로의 전력 공급을 제어할 것이다.
본 발명이 본 발명의 다양한 바람직한 실시예들과 관련되어 기술되지만, 이들 실시예들은 단지 본 발명을 예시하도록 제공되고, 본 발명은 이들 실시예들로 제한되지 않지만, 오히려 첨부된 청구항들의 참된 범위 및 정신에 의해 포함된다는 것이 이해된다.

Claims (21)

  1. 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치에 있어서,
    회전 척 상에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상의 물품을 홀딩하도록 구성된 회전 척,
    상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼 형상의 물품과 대면하는 가열 어셈블리, 및
    상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 가열 어셈블리에서 이격되어 대면하는 상기 웨이퍼 형상의 물품의 표면 상에 액체를 디스펜싱하도록 위치된 액체 디스펜서를 포함하고,
    상기 가열 어셈블리는 상기 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 상기 회전 척의 보다 주변 구역으로 연장하는 각각의 상이한 존을 각각 점유하는 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 사이에 분포된 복사 가열 엘리먼트들 (elements) 의 어레이를 포함하고, 상기 액체 디스펜서는 배출 지점을 상기 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 상기 회전 척의 보다 주변 구역으로 이동시키도록 구성된 하나 이상의 디스펜싱 오리피스들, 및 상기 액체 디스펜서의 상기 배출 지점의 위치에 기초하여 상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각에 공급된 전력을 제어하는 제어기를 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 상기 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 10 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 상기 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 15 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 상기 복사 가열 엘리먼트들의 적어도 20 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들은 LED 가열 엘리먼트들인, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 LED 가열 엘리먼트들은 380 ㎚ 내지 650 ㎚의 파장 범위에서 최대 강도를 갖는 복사선을 방출하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 LED 가열 엘리먼트들은 380 ㎚ 내지 650 ㎚의 파장 범위의 복사선을 방출하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 어셈블리는 상기 회전 척 상에 홀딩된 상기 웨이퍼 형상의 물품을 가열하도록 그리고 상기 웨이퍼 형상의 물품과 콘택트하지 않고 상기 웨이퍼 형상의 물품의 일 측면에만 상기 회전 척에 대해 위치되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 어셈블리는 상기 회전 척 위에 가로 놓이고 그리고 상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 회전 척 상에 장착될 때 상기 회전 척과 대면하는 상기 웨이퍼 형상의 물품의 표면과 상기 회전 척 사이에 위치되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 액체 디스펜서는 상기 회전 척의 보다 중심 구역으로부터 상기 회전 척의 보다 주변 구역으로 상기 회전 척에 대해 이동 가능한 암을 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들에 의해 방출된 복사선에 대해 투과성인 플레이트를 더 포함하고, 상기 플레이트는 상기 스핀 척과의 회전을 위해 장착되고 그리고 상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 스핀 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼 형상의 물품과 상기 적어도 가열 어셈블리 사이에 위치되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플레이트는 석영 또는 사파이어로 이루어지는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각은 상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼 형상의 물품으로 적어도 2 W/㎠의 전력 강도를 인가할 수 있는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 각각은 상기 웨이퍼 형상의 물품이 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼 형상의 물품으로 적어도 4 W/㎠의 전력 강도를 인가할 수 있는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사 가열 엘리먼트들의 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들은 상기 회전 척의 회전 축에 대해 동심원으로 배치되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬된 상기 액체 디스펜서의 상기 배출 지점에 응답하여 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹에 전체 전력을 공급하도록 구성되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬되는 상기 액체 디스펜서의 상기 배출 지점에 응답하여, 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 인접하고 그리고 방사상으로 내향인 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 또 다른 개별적으로 제어 가능한 그룹에 상기 전체 전력 미만인 내측 중간 전력을 공급하도록 구성되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬되는 상기 액체 디스펜서의 상기 배출 지점에 응답하여, 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 인접하고 그리고 방사상으로 외향인 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 또 다른 개별적으로 제어 가능한 그룹에 상기 전체 전력 미만인 외측 중간 전력을 공급하도록 구성되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 축 방향으로 정렬되는 상기 액체 디스펜서의 상기 배출 지점에 응답하여, 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 상기 일 개별적으로 제어 가능한 그룹과 인접하고 그리고 방사상으로 내향인 상기 적어도 5 개의 개별적으로 제어 가능한 그룹들 중 또 다른 개별적으로 제어 가능한 그룹에 상기 전체 전력 미만인 내측 중간 전력을 공급하도록 구성되고, 그리고 상기 외측 중간 전력은 상기 내측 중간 전력보다 큰, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 어셈블리는 상기 미리 결정된 직경의 상기 웨이퍼 형상의 물품과 실질적으로 같은 공간을 차지하는 발광 다이오드들의 어레이를 포함하는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척은 중심의 고정된 포스트를 둘러싸는 회전 가능한 척 바디를 포함하고, 그리고 상기 가열 어셈블리는 상기 중심의 고정된 포스트의 상부 단부에 장착되는, 웨이퍼 형상의 물품들을 프로세싱하기 위한 장치.
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