JP2002324764A

JP2002324764A - 基板の熱処理装置

Info

Publication number: JP2002324764A
Application number: JP2001126272A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Sasaki; 清裕佐々木; Tatsufumi Kusuda; 達文楠田; Mitsukazu Takahashi; 光和高橋
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-04-24
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-11-08

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を高温側において急速に冷却させること
ができる装置を提供する。【解決手段】熱処理炉１０の光入射窓１６とランプハ
ウス２０のランプ２０ａとの間にシャッター板２６を配
設し、熱処理時はシャッター板を退避位置に保持し、熱
処理が終了してランプへの給電停止と同時もしくはその
直前にシャッター板を退避位置から作動位置へ移動さ
せ、ランプの余熱による熱処理炉内のウエハＷへの熱輻
射をシャッター板で遮断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、熱処理炉内へ半
導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と
称す）の基板を１枚ずつ搬入し光照射により基板を加熱
して熱処理する基板の熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
ランプアニール装置やＣＶＤ装置などのように、熱処理
炉内へ基板、例えば半導体ウエハを１枚ずつ搬入し基板
に光を照射するなどしてウエハを加熱し熱処理する枚葉
式の熱処理装置が、各種の工程で広く使用されている。

【０００３】ところで、半導体デバイスの高集積化を図
るためには、デバイスの微細化と共に高速動作化は重要
な因子である。例えばダイオードの高速動作化には、Ｐ
Ｎ接合の深さを浅くする必要があるので、ウエハに注入
されたＢ、Ａｓ、Ｐ等のイオンを、それが拡散しない状
態で電気的に活性化させる必要がある。そのためには、
ウエハをイオンの活性化温度まで高速で昇温（例えば１
５０℃／秒）させ、昇温後に、イオンが拡散しない温度
までウエハを急速に冷却させる装置が必要になる。

【０００４】ランプアニール装置は、上記のような必要
性から開発されたものであるが、このランプアニール装
置におけるウエハの冷却には、従来、加熱源であるラン
プを消灯させて自然冷却する方法が採られていた。ま
た、熱処理が終わったウエハを内部に保持した熱処理炉
の外壁面に向かって圧縮空気や窒素等をガス噴射装置の
ノズルから吹き出させ、熱処理炉の炉壁を冷却させて炉
内のウエハを間接的に冷却する方法も行われていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
を自然冷却させる方法では、ウエハを急速に冷却させる
ことは難しい。また、熱処理炉の炉壁を冷却させて炉内
のウエハを間接的に冷却する方法は、ウエハを炉内から
の取出し温度（例えば３００℃〜５００℃）まで速やか
に冷却させることによってスループットを向上させるこ
とを主な目的としたものであり、この方法では、イオン
の拡散が抑制される程度にウエハを急速冷却させること
は困難である。すなわち、ウエハ上で浅いＰＮ接合を形
成するためには、低電圧イオン注入機を使用して必要量
のイオンをウエハに浅く注入し、続いて行われる熱処理
においてウエハをイオンの活性化温度（例えば１０００
℃）まで高速で昇温させた後、イオンの拡散が極力抑え
られる温度（約７００℃程度）まで短時間でウエハを冷
却させる必要がある。ところが、ウエハを間接的に冷却
させる従来の方法では、主として低温側における冷却速
度を大きくし、取出し温度までウエハを冷却させる時間
を短縮することはできるが、高温側においては、イオン
の拡散が極力抑えられる温度までウエハを冷却させる時
間を短くすることができない。

【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を高温側において急速に冷却さ
せることができる基板の熱処理装置を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
少なくとも上部の炉壁が光透過性材料で形成され、内部
に基板が搬入されて保持される熱処理炉と、この熱処理
炉内に保持された基板の少なくとも上面に対向して配設
され、前記光透過性材料で形成された炉壁を通して基板
に光を照射して加熱する加熱手段と、を備えた基板の熱
処理装置において、前記熱処理炉の炉壁とその炉壁に対
向する前記加熱手段との間に配設され、加熱手段から熱
処理炉内の基板への熱輻射を遮断する余熱遮断手段と、
この余熱遮断手段を、前記熱処理炉の炉壁と前記加熱手
段との間に介在する作動位置とその作動位置から退避し
た退避位置との間で往復移動させる移動手段と、前記加
熱手段の駆動停止と同時もしくはその直前に前記余熱遮
断手段を退避位置から作動位置へ移動させるように前記
移動手段を制御する制御手段と、をさらに備えたことを
特徴とする。

【０００８】請求項２に係る発明は、請求項１記載の熱
処理装置において、前記余熱遮断手段がシャッター板で
あることを特徴とする。

【０００９】請求項３に係る発明は、請求項２記載の熱
処理装置において、前記シャッター板は、前記加熱手段
と対向する面が高反射率で、前記熱処理炉の炉壁と対向
する面が低反射率であることを特徴とする。

【００１０】請求項４に係る発明は、請求項２または請
求項３記載の熱処理装置において、前記シャッター板を
冷却する冷却手段が設けられたことを特徴とする。

【００１１】請求項１に係る発明の熱処理装置において
は、加熱手段により、熱処理炉内に保持された基板に光
が照射されて加熱され、基板が熱処理される。熱処理が
終了すると直ちに、加熱手段の駆動が停止するととも
に、制御手段により移動手段が制御されて、加熱手段の
駆動停止と同時もしくはその直前に余熱遮断手段が退避
位置から作動位置へ移動させられる。そして、余熱遮断
手段が熱処理炉の炉壁と加熱手段との間に介在すること
により、加熱手段の駆動停止直後の余熱による熱処理炉
内の基板への熱輻射が遮断される。このため、余熱遮断
手段を備えていない装置に比べ、高温側において基板の
温度が速やかに降下する。

【００１２】請求項２に係る発明の熱処理装置では、シ
ャッター板が熱処理炉の炉壁と加熱手段との間に介在す
ることにより、加熱手段の余熱による基板への熱輻射が
遮断される。

【００１３】請求項３に係る発明の熱処理装置では、シ
ャッター板の、加熱手段との対向面側が高反射率である
ことにより、加熱手段の余熱による輻射熱をシャッター
板が吸収してシャッター板の温度が上昇する、といった
ことが抑えられる。また、シャッター板の、熱処理炉の
炉壁との対向面側が低反射率であることにより、熱処理
炉内の基板からの輻射熱エネルギーをシャッター板が吸
収し、このため、基板の温度降下が助長される。

【００１４】請求項４に係る発明の熱処理装置では、冷
却手段によりシャッター板が冷却されて、シャッター板
の温度が低下する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。

【００１６】図１は、この発明の実施形態の１例を示
し、半導体ウエハ等の基板の熱処理装置の１つであるラ
ンプアニール装置の概略構成を切断端面で示す図であ
る。

【００１７】このランプアニール装置は、半導体ウエハ
Ｗの搬入および搬出を行なうための開口１２を有する熱
処理炉１０を備えている。熱処理炉１０の開口１２は、
シャッタ１４によって開閉自在に閉塞される。熱処理炉
１０の少なくとも上部の炉壁は、光入射窓１６となって
いる。熱処理炉１０の反応室１８と加熱源であるランプ
ハウス２０（詳細は図示せず）との間の隔壁である光入
射窓１６は、赤外線透過性を有する材料、例えば石英ガ
ラスによって形成され、ランプハウス２０のランプから
照射された輻射光を効率良く透過させる。この光入射窓
１６は、取り外すことができるように石英ガラス製の窓
ホルダ２２に組み込まれ、Ｏ−リング２４によりシール
されて反応室１８の上部に配設される。

【００１８】熱処理炉１０上部の光入射窓１６とランプ
ハウス２０との間には、シャッター板２６が配設されて
いる。図２に、図１に示した装置の要部を簡略化した断
面図を示すように、シャッター板２６は、二点鎖線で示
す（図１では実線で示す）作動位置と実線で示す退避位
置との間を往復移動可能に、図示しない支持機構によっ
て支持されている。図２中の符号２０ａは、光源を構成
するハロゲンランプ等のランプであり、２０ｂはリフレ
クタである。そして、シャッター板２６は、図示しない
エアーシリンダ、モータ等を備えた移動機構により作動
位置と退避位置との間を移動させられ、特に退避位置か
ら作動位置へは素早く移動するような構成となってい
る。また、シャッター板２６の移動機構を制御するコン
トローラ（図示せず）が設けられており、ウエハＷの熱
処理が終了してランプハウス２０のランプ２０ａへの電
力供給が停止させられると同時もしくはその直前に、コ
ントローラからの制御信号により移動機構が駆動され、
シャッター板２６が退避位置から作動位置へ高速で移動
させられるようになっている。

【００１９】シャッター板２６は、素早く移動させるこ
とができるように、例えばアルミニウム、チタン等の軽
量素材で形成することが好ましい。また、ランプ２０ａ
の余熱（ランプ２０ａへの電力供給を停止させても、ラ
ンプ２０ａのフィラメントは、直ぐには輝度が低下せ
ず、数秒間は光り続ける）によってシャッター板２６の
温度が上昇するのを抑えるため、シャッター板２６の、
ランプ２０ａと対向する面を高反射率にすることが好ま
しく、シャッター板２６の上面は、例えば鏡面に研磨さ
れる。また、熱処理炉１０内のウエハＷからの輻射熱エ
ネルギーをシャッター板２６が吸収するようにするた
め、シャッター板２６の、熱処理炉１０の光入射窓１６
と対向する面を低反射率にすることが好ましく、シャッ
ター板２６の下面は、例えば黒化処理される。

【００２０】また、シャッター板２６を冷却する冷却手
段を備えるようにしてもよい。例えば、シャッター板２
６の内部に冷却水の通路を形設し、その通路内に冷却水
を流すようにしたり、退避位置に保持されたシャッター
板２６に対し圧縮空気や窒素等を吹き付けてシャッター
板２６を冷却するガス噴射ノズルを配設したりするなど
してもよい。

【００２１】なお、図示例のものは、一対のシャッター
板２６、２６を互いに反対方向へ移動させる両開き方式
であるが、１枚のシャッター板を一方から作動位置へ進
出させ一方の退避位置へ退出させるような構成としても
よい。

【００２２】また、図示していないが、熱処理炉１０の
開口１２と対向する面側には、ウエハＷを水平姿勢で支
持する支持アームを有し熱処理前のウエハＷをアライメ
ントユニットから熱処理炉１０内へ搬入し熱処理後のウ
エハＷを熱処理炉１０内から搬出するウエハ搬出入装置
が配設されている。

【００２３】熱処理炉１０の内部には、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）などによって形成されたウエハ支持リング２８が配
設され、ウエハ支持リング２８は、石英ガラスで形成さ
れたウエハ支持円筒ホルダ３０の上端部に水平姿勢で固
着されている。ウエハ支持円筒ホルダ３０は、ウエハＷ
の水平状態を調節するためのアジャスタ３２を介してウ
エハ回転機構３４上に保持されている。そして、ウエハ
Ｗは、ウエハ支持リング２８上に支持され、ウエハ回転
機構３４によって回転させられるようになっている。ま
た、ウエハＷの下面に当接してウエハＷを支持する複数
本、例えば３本の支持ピン３６を有しそれら支持ピン３
６を上下方向へ往復移動させるウエハ押し上げ機構３８
が設けられている。

【００２４】熱処理前のウエハＷは、ウエハ搬出入装置
の支持アームに支持されて熱処理炉１０内へ搬入され、
ウエハ押し上げ機構３８の上昇した支持ピン３６上へ移
し替えられた後、支持ピン３６が下降することにより、
ウエハ支持リング２８上に載置され水平姿勢で支持され
る。また、熱処理後のウエハＷは、ウエハ押し上げ機構
３８の支持ピン３６が上昇することにより、ウエハ支持
リング２８上から浮上させられた後、支持ピン３６上か
らウエハ搬出入装置の支持アーム上へ移し替えられ、ウ
エハ搬出入装置により熱処理炉１０内から搬出される。

【００２５】また、熱処理炉１０の内部には、ウエハ支
持リング２８上に支持されたウエハＷの上面に対向し
て、赤外線透過性を有する材料、例えば石英ガラスによ
って形成され複数個のガス吹出し孔が穿設されたシャワ
ープレート４０が配設されている。このシャワープレー
ト４０と光入射窓１６との間は、反応ガスが導入される
ガス導入室４２となっており、ガス導入室４２は、ガス
導入路４４を通して反応ガス供給源に流路接続されてい
る。そして、反応ガス供給源から供給されガス導入室４
２内に導入された反応ガスは、シャワープレート４０の
複数個のガス吹出し孔を通ってウエハ支持リング２８上
のウエハＷの上面全体へ均等に吹き出すようになってい
る。

【００２６】熱処理炉１０の下部炉壁は、反射板４６に
よって構成されている。反射板４６は、ステンレス鋼で
形成されており、ウエハＷと対向する面は、高反射率を
得るために鏡面に研磨されている。この反射板４６に
は、２種類の放射温度計、すなわち、支持リング温度検
出用放射温度計４８とウエハ温度検出用放射温度計５０
とが取着されている。支持リング温度検出用放射温度計
４８は、ウエハ支持リング２８上のウエハＷの外周縁か
ら５ｍｍ程度外方側の位置に焦点が当たるように設置さ
れている。ウエハ温度検出用放射温度計５０は、複数位
置、例えばウエハＷのほぼ中央に相当する位置、ウエハ
Ｗの半径に相当する位置およびウエハＷの外周に相当す
る位置にそれぞれ取り付けられている。

【００２７】反射板４６、ウエハ回転機構３４、アジャ
スタ３２、ウエハ支持円筒ホルダ３０、ウエハ支持リン
グ２８などは、一体的に金属ベローズ５２に連結されて
おり、反射板等上下機構５４によって駆動され、これに
より、反応室１８の容積が変化させられる構造となって
いる。この容積の変化は、ウエハＷの位置によってウエ
ハ上段位置Ａ、ウエハ中段位置Ｂおよびウエハ下段位置
Ｃの３段階がある。ウエハ上段位置Ａは、ウエハＷの熱
処理時の位置であり、ウエハ中段位置Ｂは、ウエハＷと
反射板４６との間に溜まっているガスをパージする位置
であり、ウエハ下段位置Ｃは、熱処理炉１０内にウエハ
Ｗを出し入れする位置である。

【００２８】熱処理炉１０の上部には、ウエハＷの熱処
理時の排気を行うための上段排気口５６が形設されてい
る。そして、ウエハＷの熱処理中には、反応ガスは、ガ
ス導入路４４を通ってガス導入室４２内に導入され、シ
ャワープレート４０の複数個のガス吹出し孔からウエハ
支持リング２８上のウエハＷの上面全体へ吹き出した
後、ウエハＷの外周からウエハ支持リング２８の上面を
通り、上段排気口５６から熱処理炉１０外へ排出され
る。

【００２９】また、上段排気口５６の下側に、ウエハ中
段位置ＢにおいてウエハＷと反射板４６との間に溜まっ
ているガスをパージするために、反応ガスを熱処理１０
内へ導入するパージガス導入口５８が形設されている。
さらに、パージガス導入口５８の下側に中段排気口６０
が形設されている。中段排気口６０は、反応室１８とウ
エハ回転機構３４周りとをガスの流れで分離するために
設けている。すなわち、反応室１８内のガス（時には腐
食性ガスの場合もある）がウエハ回転機構３４周りに流
れ込まないように、またウエハ回転機構３４周りのガス
（粒子状ゴミも含む）が反応室１８内へ舞い上がらない
ように、中段排気によって調節しながらガスを排気して
いる。

【００３０】また、ウエハ回転機構３４や金属ベローズ
５２などから排出される可能性のある粒子状ゴミを速や
かに熱処理炉１０外へ排気するために、ガスパージ口６
２および下段排気口６４が形設されている。ガスパージ
口６２からは通常窒素ガスが導入され、反射板４６の上
下移動に伴って反応室１８の空間容積が増減することに
より、反応室１８内のガスがウエハ回転機構３４周りに
流れたり、また逆にウエハ回転機構３４周りのガスが反
応室１８内へ流れ込むのを防止するように、反応室１８
の空間容積の増減に合わせて導入ガス流量を調節してい
る。

【００３１】さらに、シャッタ１４の開閉に伴うウエハ
搬出入用の開口１２から反応室１８への大気の巻き込み
を防止するため、パージガス導入口５８から熱処理炉１
０内へ導入された窒素ガス等のパージガスが炉口方向へ
流れるようにする炉口排気口６６が設けられている。

【００３２】図１中の符号６８は、反射板等上下機構５
４によって上下方向へ移動させられるウエハＷがウエハ
上段位置Ｃを超えてさらに上昇しないようにするための
ストッパである。また、符号７０は、ウエハＷがウエハ
上段位置Ｃで熱処理されている時に放射温度計４８、５
０にランプハウス２０からのランプ光が回り込まないよ
うにランプの迷光を遮断するための遮光リングであり、
この遮光リング７０は、ＳｉＣ等で環状に形成されてい
る。

【００３３】上記した構成を有するランプアニール装置
において、ウエハＷの熱処理は、ランプハウス２０のラ
ンプ２０ａからウエハＷに光が照射されてウエハＷが加
熱され、通常通り行われる。この熱処理の期間中、シャ
ッター板２６は、図２に実線で示した退避位置に保持さ
れて、熱処理炉１０上部の光入射窓１６とランプハウス
２０のランプ２０ａとの間が全面的に開放される。ウエ
ハＷの熱処理が終了して、ランプ２０ａへの給電が停止
されると、それと同時もしくはその直前に、コントロー
ラからの制御信号により移動機構が駆動され、シャッタ
ー板２６が退避位置から図２に二点鎖線で示した（図１
に実線で示した）作動位置へ素早く移動させられる。そ
して、シャッター板２６によってランプ２０ａの余熱に
よる熱輻射が遮断され、熱処理炉１０内のウエハＷにラ
ンプ２０ａの輻射熱が伝達されないようにされる。この
ため、シャッター板２６を備えていない装置に比べ、熱
処理終了直後における高温側において、ウエハＷの温度
が速やかに降下することになる。その後の適当な時期
に、シャッター板２６は、作動位置から退避位置へ移動
させられる。

【００３４】図４に、ハロゲンランプ（定格電力：２．
６ｋＷ）の応答曲線の１例を示す。ランプへ電力を供給
する（電力ＯＮ）と、ランプのフィラメントの温度は、
数秒の遅れを生じるが急激に上昇し、一定温度に到達す
る。その後、ランプへの電力供給を停止する（電力ＯＦ
Ｆ）と、フィラメントの温度は、数秒の遅れを伴って急
激に降下する。この場合、電力のＯＮおよびＯＦＦ時に
フィラメント温度の数秒の応答遅れが無ければ、被加熱
物（ウエハ）の昇降温特性が良くなるが、現実には、フ
ィラメントの熱容量やフィラメントを形成する螺旋状コ
イルに励起される逆起電力によって数秒の応答遅れを生
じる。例えば、定格電力点灯の場合、フィラメントの温
度は約３０００Ｋに達するが、電力ＯＦＦ後に４０％
（約１２００Ｋ）まで応答するのに、約２秒程度を要す
る。この２秒程度の応答遅れが、熱処理終了直後の高温
（７００℃〜１１００℃）側におけるウエハの冷却速度
に大きく影響することになる。このため、従来のランプ
アニール装置では、熱処理終了直後の高温側におけるウ
エハの冷却速度を高めようとしても限度があった。本発
明に係るランプアニール装置では、上記したように熱処
理炉１０上部の光入射窓１６とランプハウス２０との間
にシャッター板２６を備えるといった構成により、熱処
理終了直後の高温側におけるウエハの冷却速度を高める
ことを可能にしたのである。

【００３５】図５に、ウエハの昇降温曲線および降温速
度曲線の１例を示す。この図において、実線Ａおよび実
線ａがそれぞれ、シャッター板を備えたランプアニール
装置における昇降温曲線および降温速度曲線であり、破
線Ｂおよび破線ｂがそれぞれ、シャッター板を備えてい
ない従来のランプアニール装置における昇降温曲線およ
び降温速度曲線である。この図示例では、設定昇温速度
が約２００℃／秒であり、ウエハの温度を１０５０℃ま
で上昇させ、加熱開始時から１５秒が経過するまでウエ
ハの温度を１０５０℃に保持した後、ランプへの給電を
停止させている。

【００３６】図５に示した例では、シャッター板の無い
装置における冷却速度は、ランプへの給電停止直後に最
大となって約９０℃／秒（降温速度：約−９０℃／秒）
であるのに対し、シャッター板を備えた装置における冷
却速度は、ランプへの給電停止直後で約１２０℃／秒
（降温速度：約−１２０℃／秒）となり、約３３％の向
上が認められた。

【００３７】また、図６に示した例では、設定昇温速度
が約２００℃／秒であり、ウエハの温度を１０５０℃ま
で到達させた後、直ちにランプへの給電を停止させてい
る。最近におけるイオン注入後の活性化アニールでは、
イオン注入層を活性化させるだけでイオンを拡散させな
いように、図６に示すような温度プロファイルが用いら
れることが多い。この図において、実線Ｃおよび実線ｃ
がそれぞれ、シャッター板を備えたランプアニール装置
における昇降温曲線および降温速度曲線であり、破線Ｄ
および破線ｄがそれぞれ、シャッター板を備えていない
従来のランプアニール装置における昇降温曲線および降
温速度曲線である。この例でも、シャッター板を備える
ことにより、図５に示した例と同様の冷却効果が得られ
ている。

【００３８】上記した実施形態では、熱処理炉１０の上
部炉壁を、石英ガラス板からなる光入射窓１６とし、そ
の光入射窓１６に対向してランプハウス２０を配設した
構成のランプアニール装置について説明したが、この発
明は、図３に示すように、熱処理炉７２の炉壁全体が石
英ガラスで形成され、熱処理炉７２の上部炉壁および下
部炉壁にそれぞれ対向してランプハウス２０を配設した
構成のランプアニール装置についても、同様に適用可能
である。この場合には、熱処理炉７２の上部炉壁および
下部炉壁と各ランプハウス２０との間に、それぞれシャ
ッター板２６を配設する。

【００３９】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板の熱処理装置
を使用すると、基板を高温側において急速に冷却させる
ことができ、例えばダイオードの製造プロセスにおい
て、ウエハをイオンの活性化温度まで高速で昇温させた
後に、イオンが拡散しない温度までウエハを急速に冷却
させることが可能になる。

【００４０】請求項２に係る発明の熱処理装置では、シ
ャッター板により加熱手段の余熱による基板への熱輻射
を確実に遮断することができる。

【００４１】請求項３に係る発明の熱処理装置では、加
熱手段の余熱による輻射熱によってシャッター板の温度
が上昇することを抑えることができるとともに、基板の
温度降下を助長することができる。

【００４２】請求項４に係る発明の熱処理装置では、加
熱手段の余熱による輻射熱によってシャッター板の温度
が上昇しても、その温度を下げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態の１例を示し、半導体ウエ
ハ等の基板の熱処理装置の１つであるランプアニール装
置の概略構成を切断端面で示す図である。

【図２】図１に示した装置の要部を簡略化した断面図で
ある。

【図３】この発明の別の実施形態を示し、ランプアニー
ル装置の要部を簡略化した断面図である。

【図４】ランプアニール装置の光源として使用されるハ
ロゲンランプの応答曲線の１例を示す図である。

【図５】ウエハの昇降温曲線および降温速度曲線の１例
を示す図であって、図中の実線Ａおよび実線ａがそれぞ
れ、本発明に係るランプアニール装置における昇降温曲
線および降温速度曲線であり、破線Ｂおよび破線ｂがそ
れぞれ、従来のランプアニール装置における昇降温曲線
および降温速度曲線である。

【図６】ウエハの昇降温曲線および降温速度曲線の別の
例を示す図であって、図中の実線Ｃおよび実線ｃがそれ
ぞれ、本発明に係るランプアニール装置における昇降温
曲線および降温速度曲線であり、破線Ｄおよび破線ｄが
それぞれ、従来のランプアニール装置における昇降温曲
線および降温速度曲線である。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ１０、７２熱処理炉１２ウエハ搬出入用の開口１４シャッタ１６光入射窓１８反応室２０ランプハウス２０ａランプ２６シャッター板２８ウエハ支持リング３０ウエハ支持円筒ホルダ３２アジャスタ３４ウエハ回転機構３８ウエハ押し上げ機構４０シャワープレート４２ガス導入室４４ガス導入路４６熱処理炉の下部炉壁をなす反射板４８、５０放射温度計５２金属ベローズ５４反射板等上下機構５６、６０、６４排気口５８パージガス導入口６２ガスパージ口６６炉口排気口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者楠田達文京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者高橋光和京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 5F045 DP03 EC05 EF05 EF20 EJ01 EJ02 EJ09 EJ10 EK12 EK24 EM10 EN04 GB05 HA16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも上部の炉壁が光透過性材料で
形成され、内部に基板が搬入されて保持される熱処理炉
と、この熱処理炉内に保持された基板の少なくとも上面に対
向して配設され、前記光透過性材料で形成された炉壁を
通して基板に光を照射して加熱する加熱手段と、を備え
た基板の熱処理装置において、前記熱処理炉の炉壁とその炉壁に対向する前記加熱手段
との間に配設され、加熱手段から熱処理炉内の基板への
熱輻射を遮断する余熱遮断手段と、この余熱遮断手段を、前記熱処理炉の炉壁と前記加熱手
段との間に介在する作動位置とその作動位置から退避し
た退避位置との間で往復移動させる移動手段と、前記加熱手段の駆動停止と同時もしくはその直前に前記
余熱遮断手段を退避位置から作動位置へ移動させるよう
に前記移動手段を制御する制御手段と、をさらに備えた
ことを特徴とする基板の熱処理装置。
【請求項２】前記余熱遮断手段がシャッター板である
請求項１記載の基板の熱処理装置。
【請求項３】前記シャッター板は、前記加熱手段と対
向する面が高反射率で、前記熱処理炉の炉壁と対向する
面が低反射率である請求項２記載の基板の熱処理装置。
【請求項４】前記シャッター板を冷却する冷却手段が
設けられた請求項２または請求項３記載の基板の熱処理
装置。