JP2001267279A - 湿式化学現象を利用して、個々のウエハを洗浄かつエッチングする方法と装置 - Google Patents
湿式化学現象を利用して、個々のウエハを洗浄かつエッチングする方法と装置Info
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- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Abstract
(57)【要約】
【課題】いくつかのウエハの同時処理を可能にし、各基
板の両側が化学的な手段を利用して同時に処理され得
る、ディスク形状の基板(ウエハ)の湿式化学洗浄と湿式
化学エッチングの装置と方法とを提供する。 【解決手段】本発明は、閉じられたプロセスチャンバに
おける、ディスク形状の基板７の湿式化学薬品洗浄及び
湿式化学薬品エッチングの方法に関し、前記基板は基板
支持部３によって受けられ、回転され、化学薬品は、こ
の基板の両側に同時にスプレーされる。
板の両側が化学的な手段を利用して同時に処理され得
る、ディスク形状の基板(ウエハ)の湿式化学洗浄と湿式
化学エッチングの装置と方法とを提供する。 【解決手段】本発明は、閉じられたプロセスチャンバに
おける、ディスク形状の基板７の湿式化学薬品洗浄及び
湿式化学薬品エッチングの方法に関し、前記基板は基板
支持部３によって受けられ、回転され、化学薬品は、こ
の基板の両側に同時にスプレーされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ電子部品
でできた製品を対象として、湿式化学現象を利用して複
数のディスク形状の基板(ウエハ)を洗浄かつエッチング
する装置と方法に関する。
でできた製品を対象として、湿式化学現象を利用して複
数のディスク形状の基板(ウエハ)を洗浄かつエッチング
する装置と方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】物理的な洗浄方法(例えば、ブラシ掛け
洗浄、超音波蒸気洗浄)に加えて、ウエハの洗浄即ち、
ウエハ表面に発生する自然酸化物および汚染(例えば、
有機的粒子金属イオン汚染物質)の排除は、Ｈ２ＳＯ
４、Ｈ２Ｏ２、ＨＦ，ＮＦ，ＮＨ４ＯＨ，ＤＩ−Ｈ２Ｏ
(脱イオン水)などのような高濃度化学薬品、もしくは、
例えばＲＣＡ、ＳＣ１，ＳＣ２方法のための化学薬品の
混合物によって果たされる。
洗浄、超音波蒸気洗浄)に加えて、ウエハの洗浄即ち、
ウエハ表面に発生する自然酸化物および汚染(例えば、
有機的粒子金属イオン汚染物質)の排除は、Ｈ２ＳＯ
４、Ｈ２Ｏ２、ＨＦ，ＮＦ，ＮＨ４ＯＨ，ＤＩ−Ｈ２Ｏ
(脱イオン水)などのような高濃度化学薬品、もしくは、
例えばＲＣＡ、ＳＣ１，ＳＣ２方法のための化学薬品の
混合物によって果たされる。
【０００３】好ましくは、浸漬設備が、高アグレッシブ
化学薬品を使用した、化学薬品処理に使用され、複数の
ウエハは、化学薬品で満たされた処理槽の中に浸され
る。
化学薬品を使用した、化学薬品処理に使用され、複数の
ウエハは、化学薬品で満たされた処理槽の中に浸され
る。
【０００４】浸漬設備は、複数のウエハの両側が槽で化
学的に処理されるという利点があり、スループットは、
一工程でいくつかの基板の浸漬が通常なされることによ
り、比較的に高い。
学的に処理されるという利点があり、スループットは、
一工程でいくつかの基板の浸漬が通常なされることによ
り、比較的に高い。
【０００５】不利なことに、このような設備は、大量の
化学薬品を浪費するので、大量の化学薬品の供給とクリ
ーンルーム内の多くのスペースとが必要になり、また、
費用がかかる。更に、一工程におけるいくつかの基板の
処理は、浸漬の工程に関連して処理時間を長くすること
によってのみ、可能である。
化学薬品を浪費するので、大量の化学薬品の供給とクリ
ーンルーム内の多くのスペースとが必要になり、また、
費用がかかる。更に、一工程におけるいくつかの基板の
処理は、浸漬の工程に関連して処理時間を長くすること
によってのみ、可能である。
【０００６】ウエハにおいて構成部品の統合が大きくな
ればなるほど、ウエハの直径も大きくなり、厳密に同じ
である方法で各ウエハに再現可能な処理を行う必要性が
増す。これは、浸漬設備において確実に果たされる。
ればなるほど、ウエハの直径も大きくなり、厳密に同じ
である方法で各ウエハに再現可能な処理を行う必要性が
増す。これは、浸漬設備において確実に果たされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の構造のスプレー
及びエッチングシステム、例えば連続的スプレーシステ
ムは、非常にアグレッシブな化学薬品が必要とされ、か
つ基板の両側は均一に処理されなくてはならないため
に、使用され得ない。更に、化学作用の均一性及び、粒
子、金属イオン汚染から自由であることに対して、非常
に厳密な処理パラメータが必要とされている。例えば、
プロセスチャンバが極めて特有の工程で構築されなくて
はならない様なことがある。
及びエッチングシステム、例えば連続的スプレーシステ
ムは、非常にアグレッシブな化学薬品が必要とされ、か
つ基板の両側は均一に処理されなくてはならないため
に、使用され得ない。更に、化学作用の均一性及び、粒
子、金属イオン汚染から自由であることに対して、非常
に厳密な処理パラメータが必要とされている。例えば、
プロセスチャンバが極めて特有の工程で構築されなくて
はならない様なことがある。
【０００８】回転式プロセッサは、時として、各ウエハ
が支持部(チャック)において回転されるのに使用され、
ウエハには化学薬品が同時にスプレーされる。それゆ
え、不利なことに、前後両側部の、同時に起こる、均一
な処理は、基板の支持部が原因で不可能である。基板
は、支持部で回転されなくてはならず、前後両側部は、
順々に処理されなくてはならない。いくつかの連続処理
が果たされた場合には、回転式プロセッサのウエハ１枚
についての処理時間は、許容範囲を超える長さで、結局
低処理量に終わる。更に、必要とされる材料の耐薬品性
により、物理的な洗浄工程を行う設備における化合は不
可能になる。
が支持部(チャック)において回転されるのに使用され、
ウエハには化学薬品が同時にスプレーされる。それゆ
え、不利なことに、前後両側部の、同時に起こる、均一
な処理は、基板の支持部が原因で不可能である。基板
は、支持部で回転されなくてはならず、前後両側部は、
順々に処理されなくてはならない。いくつかの連続処理
が果たされた場合には、回転式プロセッサのウエハ１枚
についての処理時間は、許容範囲を超える長さで、結局
低処理量に終わる。更に、必要とされる材料の耐薬品性
により、物理的な洗浄工程を行う設備における化合は不
可能になる。
【０００９】いくつかの回転式プロセッサが使用される
場合、設備は許容できないほど高価であり、過度に大き
い。更に、プロセッサ間の操作は、許容範囲を超えて、
要求が多いもので、かつ高価である。
場合、設備は許容できないほど高価であり、過度に大き
い。更に、プロセッサ間の操作は、許容範囲を超えて、
要求が多いもので、かつ高価である。
【００１０】それゆえに、本発明の最も基本的な目的
は、いくつかのウエハの同時処理を可能にし、各基板の
両側が化学的な手段を利用して同時に処理され得る、デ
ィスク形状の基板(ウエハ)の湿式化学洗浄と湿式化学エ
ッチングの装置と方法とを提供することである。
は、いくつかのウエハの同時処理を可能にし、各基板の
両側が化学的な手段を利用して同時に処理され得る、デ
ィスク形状の基板(ウエハ)の湿式化学洗浄と湿式化学エ
ッチングの装置と方法とを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題は、本発明に係
われば、請求項１の特徴を有する方法及び請求項２の特
徴を有する装置により解決される。
われば、請求項１の特徴を有する方法及び請求項２の特
徴を有する装置により解決される。
【００１２】課題は、工夫に富んだ装置と方法とに基づ
いて果たされ、被処理ウエハは、縁部領域(３つの点)で
支持部に対して垂直に保持される。支持部は、駆動装置
によって回転され得る。この輪番制支持部は、２つの半
体を有するプロセスチャンバ内に配置され、ウエハを設
ける際に開かれる。処理化学薬品は、閉じられたプロセ
スチャンバの両側から、基板に向かってスプレーされ
る。この効果は、基板表面で既に活動し、それゆえに消
耗されている化学薬品の遠心分離だけでなく基板表面の
媒体物の分配をも均一にする。化学薬品処理の次には、
基板は水で洗浄される。また、この基板は、更なる搬送
のために、脱水され得る。洗浄後、プロセスチャンバは
開かれ、基板は、グリップ装置を介して、基板支持部か
ら取り外され、例えば搬送手段もしくは操作ロボットを
介して更なる化学薬品処理のための同一構造の次に並ぶ
プロセスチャンバへと移動し、夫々にチャンバからチャ
ンバへと搬送される複数の基板は、各チャンバにおいて
同時に処理されることができ、これに相応して高処理率
が達成される。
いて果たされ、被処理ウエハは、縁部領域(３つの点)で
支持部に対して垂直に保持される。支持部は、駆動装置
によって回転され得る。この輪番制支持部は、２つの半
体を有するプロセスチャンバ内に配置され、ウエハを設
ける際に開かれる。処理化学薬品は、閉じられたプロセ
スチャンバの両側から、基板に向かってスプレーされ
る。この効果は、基板表面で既に活動し、それゆえに消
耗されている化学薬品の遠心分離だけでなく基板表面の
媒体物の分配をも均一にする。化学薬品処理の次には、
基板は水で洗浄される。また、この基板は、更なる搬送
のために、脱水され得る。洗浄後、プロセスチャンバは
開かれ、基板は、グリップ装置を介して、基板支持部か
ら取り外され、例えば搬送手段もしくは操作ロボットを
介して更なる化学薬品処理のための同一構造の次に並ぶ
プロセスチャンバへと移動し、夫々にチャンバからチャ
ンバへと搬送される複数の基板は、各チャンバにおいて
同時に処理されることができ、これに相応して高処理率
が達成される。
【００１３】本発明の実質的な効果は、均一な化学作用
と、少量のパーティクルの発生と低金属イオンによる、
高エッチング速度の均一性である。更に、設備内で行わ
れる、化学薬品による物理的な洗浄方法の組み合わせ
は、実現しやすく、処理率も高く、これまで増加してき
た基板の大きさ(例えば３００ｍｍ、４００ｍｍなど)か
らすると、クリーンルームに必要とされる空間も少な
い。
と、少量のパーティクルの発生と低金属イオンによる、
高エッチング速度の均一性である。更に、設備内で行わ
れる、化学薬品による物理的な洗浄方法の組み合わせ
は、実現しやすく、処理率も高く、これまで増加してき
た基板の大きさ(例えば３００ｍｍ、４００ｍｍなど)か
らすると、クリーンルームに必要とされる空間も少な
い。
【００１４】プロセスチャンバは、回転式基板の乱れを
最小限にするために、この回転に対して左右対称に構成
されている。基板支持部とプロセスチャンバとの回転式
左右対称構成に加えて、チャンバを構成する全部品の形
状と表面の特性とが、容易だが完全な洗浄処理とプロセ
スチャンバの自動洗浄とを円滑にするために選択され、
また、プロセスチャンバにおける粒子の汚染を最小化す
る。
最小限にするために、この回転に対して左右対称に構成
されている。基板支持部とプロセスチャンバとの回転式
左右対称構成に加えて、チャンバを構成する全部品の形
状と表面の特性とが、容易だが完全な洗浄処理とプロセ
スチャンバの自動洗浄とを円滑にするために選択され、
また、プロセスチャンバにおける粒子の汚染を最小化す
る。
【００１５】プロセスチャンバと基板支持部との非常に
単純な構造により、また低金属汚染に対する高度な要求
事項を満たすために使用されるアグレッシブ化学薬品に
耐性のある塑性材料による製造が、可能になる。
単純な構造により、また低金属汚染に対する高度な要求
事項を満たすために使用されるアグレッシブ化学薬品に
耐性のある塑性材料による製造が、可能になる。
【００１６】閉じられたプロセスチャンバは、材料の抵
抗と安全とに対して、設備全体に高価な予防策を取る必
要もなく、アグレッシブな化学薬品の使用を許容する。
ウエハの垂直処理は、小さい形状の設備の構成を容易に
する。スプレーされ、遠心力を作用された化学薬品は、
出口を介してプロセスチャンバに集められ、再生利用さ
れる。これで、各基板は同じ状態(一定の化学薬品濃度)
で加工されるので、化学薬品の最小利用と、基板から基
板への規則的なエッチング速度の均一性とが保証され
る。
抗と安全とに対して、設備全体に高価な予防策を取る必
要もなく、アグレッシブな化学薬品の使用を許容する。
ウエハの垂直処理は、小さい形状の設備の構成を容易に
する。スプレーされ、遠心力を作用された化学薬品は、
出口を介してプロセスチャンバに集められ、再生利用さ
れる。これで、各基板は同じ状態(一定の化学薬品濃度)
で加工されるので、化学薬品の最小利用と、基板から基
板への規則的なエッチング速度の均一性とが保証され
る。
【００１７】また、個々のウエハの処理を最適化するに
は、終点デテクターは、処理がデテクターにより制御さ
れるので、例えば、媒体パラメータ(温度、濃度、スプ
レー量など)をウエハごとに一定に精度良く保つ必要が
なく、各ウエハに対して最適な処理制御を可能とするよ
うに使用され得る。１つの処理ステーションから次の処
理ステーションまでのみ各ウエハを搬送し、往復移動す
るウエハ搬送システムは、設備全体に渡って相互汚染さ
れるのを避けるために使用され、搬送後、最初の位置に
戻る。これは、例えば連続したコンベヤーベルトを使用
して生じるような、パーティクルの移動を防ぐ。
は、終点デテクターは、処理がデテクターにより制御さ
れるので、例えば、媒体パラメータ(温度、濃度、スプ
レー量など)をウエハごとに一定に精度良く保つ必要が
なく、各ウエハに対して最適な処理制御を可能とするよ
うに使用され得る。１つの処理ステーションから次の処
理ステーションまでのみ各ウエハを搬送し、往復移動す
るウエハ搬送システムは、設備全体に渡って相互汚染さ
れるのを避けるために使用され、搬送後、最初の位置に
戻る。これは、例えば連続したコンベヤーベルトを使用
して生じるような、パーティクルの移動を防ぐ。
【００１８】化学薬品をスプレーするための複数のノズ
ルは、処理工程の間、次の洗浄媒体(ほとんどの場合が
水)をスプレーすることによって、きれいにされる。こ
れは、スプレーノズルをバルブバッテリに結合すること
により果たされ、異なった化学薬品が次々とスプレーさ
れ、また、スプレーノズルが水で洗浄されるのを可能に
する。
ルは、処理工程の間、次の洗浄媒体(ほとんどの場合が
水)をスプレーすることによって、きれいにされる。こ
れは、スプレーノズルをバルブバッテリに結合すること
により果たされ、異なった化学薬品が次々とスプレーさ
れ、また、スプレーノズルが水で洗浄されるのを可能に
する。
【００１９】化学薬品は、結合されたバルブバッテリと
エッチング溶液の成分の混合率を規定するための混合装
置とを使用して，随意的に、ちょうどスプレーする前に
供給されることができる。化学薬品の混合物が使用され
るときは、これは特に重要である。化学薬品の混合物
は、分解する傾向があり、それゆえに長時間の間、混合
物の形状で保存されることができないからである。
エッチング溶液の成分の混合率を規定するための混合装
置とを使用して，随意的に、ちょうどスプレーする前に
供給されることができる。化学薬品の混合物が使用され
るときは、これは特に重要である。化学薬品の混合物
は、分解する傾向があり、それゆえに長時間の間、混合
物の形状で保存されることができないからである。
【００２０】また、様々なノズルから異なった処理化学
薬品をスプレーすることは、可能であり、化学薬品は基
板表面で初めて混合される。
薬品をスプレーすることは、可能であり、化学薬品は基
板表面で初めて混合される。
【００２１】本発明に関して、洗浄、エッチング及びス
プレー処理の一部分もしくは全ては、例えば実験室の、
プロセスチャンバ内で連続して実施され得る。個々の処
理の間で随意的に、基板の洗浄とチャンバの洗浄とは、
行われ得る。化学薬品処理は、連続したプロセスチャン
バ(図５)において交互に複数の工程が実施され得る物理
的な洗浄を行う複数の設備に、容易に組み入れられるこ
とが可能である。プラント内での、マガジンからの基板
の取り扱いは、ウエハを垂直に方向付けもしくは位置付
けした状態で実施される。
プレー処理の一部分もしくは全ては、例えば実験室の、
プロセスチャンバ内で連続して実施され得る。個々の処
理の間で随意的に、基板の洗浄とチャンバの洗浄とは、
行われ得る。化学薬品処理は、連続したプロセスチャン
バ(図５)において交互に複数の工程が実施され得る物理
的な洗浄を行う複数の設備に、容易に組み入れられるこ
とが可能である。プラント内での、マガジンからの基板
の取り扱いは、ウエハを垂直に方向付けもしくは位置付
けした状態で実施される。
【００２２】更なる利点、特徴、細部は、従属クレイム
と、特に好ましい実施形態における図を参照しての基板
の説明とから、抜粋され得る。図に示され、クレイムで
復唱される特徴は、個々にもしくは所定の任意の組み合
わせにおいて、本発明にとって不可欠なものであり得
る。
と、特に好ましい実施形態における図を参照しての基板
の説明とから、抜粋され得る。図に示され、クレイムで
復唱される特徴は、個々にもしくは所定の任意の組み合
わせにおいて、本発明にとって不可欠なものであり得
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、(開口した)プロセスチャ
ンバの基本構造を示している。これは、プロセスチャン
バの半体１、２の２体から構成され、これら半体開閉の
ために互いに移動され得る。
ンバの基本構造を示している。これは、プロセスチャン
バの半体１、２の２体から構成され、これら半体開閉の
ために互いに移動され得る。
【００２４】漏斗形状の基板支持部(チャック)３が、プ
ロセスチャンバ中に設けられ、受けピン４，５，６(図
３を又見よ)によって、基板７を受けている。駆動部に
よって回転され得る基板支持部(チャック)３の中心に
は、基板７の一側面にスプレーする静止したスプレーノ
ズル８が設けられている。基板７の他側面は、他方のプ
ロセスチャンバ半体２に関連してこの中央に設けられ
た、ノズル９を介して、スプレーされる。スプレーさ
れ、遠心力が作用される液体は、出口１０を介して、プ
ロセスチャンバから排出され得る。
ロセスチャンバ中に設けられ、受けピン４，５，６(図
３を又見よ)によって、基板７を受けている。駆動部に
よって回転され得る基板支持部(チャック)３の中心に
は、基板７の一側面にスプレーする静止したスプレーノ
ズル８が設けられている。基板７の他側面は、他方のプ
ロセスチャンバ半体２に関連してこの中央に設けられ
た、ノズル９を介して、スプレーされる。スプレーさ
れ、遠心力が作用される液体は、出口１０を介して、プ
ロセスチャンバから排出され得る。
【００２５】図２は、必要な場合には、プロセスチャン
バから蒸気を吸引するための吸引管１２を備え、かつ
“終点”デテクター１１が処理制御のために設けられ得
る、閉じられたプロセスチャンバを示している。このプ
ロセスチャンバには、ガス入り口管１３を介して、ガス
が供給され得る。
バから蒸気を吸引するための吸引管１２を備え、かつ
“終点”デテクター１１が処理制御のために設けられ得
る、閉じられたプロセスチャンバを示している。このプ
ロセスチャンバには、ガス入り口管１３を介して、ガス
が供給され得る。
【００２６】図３は、基板支持部(チャック)３を示して
いる。基板(示されず)はボルト４，５，６によって、保
持される。上部ボルト６は、回転されることができ、回
転された後も、ボルト４，５において支えられた基板
は、ボルト６の形状により保持される。このために、ボ
ルト６は、径並びに軸方向ステップを備えている。
いる。基板(示されず)はボルト４，５，６によって、保
持される。上部ボルト６は、回転されることができ、回
転された後も、ボルト４，５において支えられた基板
は、ボルト６の形状により保持される。このために、ボ
ルト６は、径並びに軸方向ステップを備えている。
【００２７】図４は、駆動ユニット１４に設けられ、関
連した複数の駆動部を備えた、プロセスチャンバの断面
図である。１つの駆動部は、プロセスチャンバ中で基板
７を回転させる。基板７は、基板支持部３のボルト４,
５,６の間に保持される。基板支持部３は、のこぎり歯
状のディスク１６及びのこぎり歯状のベルト１７を介し
て、モータにより駆動される中空シャフト１５に接して
設けられている。
連した複数の駆動部を備えた、プロセスチャンバの断面
図である。１つの駆動部は、プロセスチャンバ中で基板
７を回転させる。基板７は、基板支持部３のボルト４,
５,６の間に保持される。基板支持部３は、のこぎり歯
状のディスク１６及びのこぎり歯状のベルト１７を介し
て、モータにより駆動される中空シャフト１５に接して
設けられている。
【００２８】前記中空シャフト１５は、スプレーノズル
８(図３を見よ)への媒体入口１８を有している。
８(図３を見よ)への媒体入口１８を有している。
【００２９】閉じているボルト１９は、基板支持部のボ
ルト６を回転させ、基板７をロックもしくは解放する。
基板支持部３と基板７とを、基板７をロックした後に回
転可能にするために、ボルト６をねじった後、クロージ
ャを、基板支持部３から外さなくてはならない。このた
めに、閉じているボルト１９は、クロージャ１９を回転
可能で、ボルトを長手方向に変位させることができる駆
動部に、結合されている。
ルト６を回転させ、基板７をロックもしくは解放する。
基板支持部３と基板７とを、基板７をロックした後に回
転可能にするために、ボルト６をねじった後、クロージ
ャを、基板支持部３から外さなくてはならない。このた
めに、閉じているボルト１９は、クロージャ１９を回転
可能で、ボルトを長手方向に変位させることができる駆
動部に、結合されている。
【００３０】プロセスチャンバを開くために、プロセス
チャンバの半体が固着されている駆動ユニット１４全体
が、ねじ付きスピンドル２２を介して駆動部２１によっ
て変位される。プロセスチャンバの前半分は、固定され
得る。基板７は、取り扱いシステムによって、開かれた
プロセスチャンバ中に装填されるか、取り出されること
ができる。装填された後は、クロージャボルト１９によ
り、基板支持部３上に基板７はロックされる。次に、プ
ロセスチャンバの半体１，２は、駆動部２１を介して、
ねじ付きスピンドル２２により閉じられる。チャンバ中
の基板７は、駆動装置１４によって回転され、ノズル
８,９により、両側から化学薬品がスプレーされる。
チャンバの半体が固着されている駆動ユニット１４全体
が、ねじ付きスピンドル２２を介して駆動部２１によっ
て変位される。プロセスチャンバの前半分は、固定され
得る。基板７は、取り扱いシステムによって、開かれた
プロセスチャンバ中に装填されるか、取り出されること
ができる。装填された後は、クロージャボルト１９によ
り、基板支持部３上に基板７はロックされる。次に、プ
ロセスチャンバの半体１，２は、駆動部２１を介して、
ねじ付きスピンドル２２により閉じられる。チャンバ中
の基板７は、駆動装置１４によって回転され、ノズル
８,９により、両側から化学薬品がスプレーされる。
【００３１】図５は、基板７の湿式化学処理を行う自動
化された設備の構造を示し、化学薬品処理のための上述
したプロセスモジュール、例えばプロセスモジュール２
６乃至３０は、この構造中に、設備の部品として、設け
られている。
化された設備の構造を示し、化学薬品処理のための上述
したプロセスモジュール、例えばプロセスモジュール２
６乃至３０は、この構造中に、設備の部品として、設け
られている。
【００３２】基板７は、マガジン３２の基板供給体２５
から、搬送装置３３上に置かれ、プロセスモジュール２
６まで搬送され、ここで洗浄ステーションまで持ち上げ
られて、洗浄される。搬送装置３３から基板７が持ち上
げられた後、搬送装置は元の位置に戻り、次の基板７を
受けることが可能である。この搬送装置３３の往復移動
は、設備内の相互汚染(汚染の搬送)を防ぐ。
から、搬送装置３３上に置かれ、プロセスモジュール２
６まで搬送され、ここで洗浄ステーションまで持ち上げ
られて、洗浄される。搬送装置３３から基板７が持ち上
げられた後、搬送装置は元の位置に戻り、次の基板７を
受けることが可能である。この搬送装置３３の往復移動
は、設備内の相互汚染(汚染の搬送)を防ぐ。
【００３３】プロセスモジュール２６，２７は、例え
ば、他の蒸気洗浄、ブラシ掛け洗浄、超音波洗浄などの
物理的な洗浄方法に、使用され得る。他のプロセスモジ
ュール２８，２９，３０は、閉じられたチャンバ内での
化学薬品処理ＳＣ１、ＳＣ２、ＲＣＡなどに、使用され
得る。
ば、他の蒸気洗浄、ブラシ掛け洗浄、超音波洗浄などの
物理的な洗浄方法に、使用され得る。他のプロセスモジ
ュール２８，２９，３０は、閉じられたチャンバ内での
化学薬品処理ＳＣ１、ＳＣ２、ＲＣＡなどに、使用され
得る。
【００３４】プロセスチャンバへの装填と取り出しは、
例えば、取り扱いグリップ装置３４によって果たされ
る。基板７は、プロセスモジュール３１内で乾かされ
る。乾かされた基板７は、マガジン３５中に配置され
る。
例えば、取り扱いグリップ装置３４によって果たされ
る。基板７は、プロセスモジュール３１内で乾かされ
る。乾かされた基板７は、マガジン３５中に配置され
る。
【図１】図１は、開口したプロセスチャンバを概略的に
示している。
示している。
【図２】図２は、閉じられたプロセスチャンバである。
【図３】図３は、基板支持部である。
【図４】図４は、複数の関連駆動部を備えたプロセスチ
ャンバの断面図である。
ャンバの断面図である。
【図５】図５は、基板を湿式化学薬品処理するための自
動化された設備の構造を示している。
動化された設備の構造を示している。
３…基板支持部、７…基板、３４…取り扱いグリップ装
置、８，９…スプレーノズル、１２…吸気管、１３…ガ
ス入口管、３３…搬送手段。
置、８，９…スプレーノズル、１２…吸気管、１３…ガ
ス入口管、３３…搬送手段。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｂ
Claims (18)
- 【請求項１】 閉じられたプロセスチャンバ中で、ディ
スク形状の基板を湿式化学洗浄並びに湿式化学エッチン
グする方法において、被処理基板(７)が、基板支持部
(３)によって受けられ、基板(７)は、回転され、この基
板(７)の両側に、化学薬品が同時にスプレーされること
を特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記プロセスチャンバは、相互にずらさ
れることによりプロセスチャンバを開閉できる少なくと
も２つのプロセスチャンバの半体(１、２)を有すること
を特徴とする、請求項１の方法を実行する装置。 - 【請求項３】 前記基板(７)は、プロセスチャンバが開
かれているとき、取り扱いグリップ装置(３４)によりこ
のプロセスチャンバ内に設けられた前記基板支持部(３)
に対して出し入れ可能であることを特徴とする、請求項
２の装置。 - 【請求項４】 前記基板支持部(３)は、基板(７)が前記
取り扱いグリップ装置(３４)を用いて挿入され得る、少
なくとも２つの固定されたボルト(５、６)を有し、ま
た、回転可能かつ移動可能なボルト(６)が、基板支持部
(３)に基板(７)を固定することを特徴とする、請求項３
の装置。 - 【請求項５】 前記基板支持部(３)は漏斗形状を有し、
１つもしくは複数の固定されたスプレーノズル(８，９)
を中央に有し、スプレーノズルが化学薬品を回転式基板
(７)の方に向けてスプレーすることを特徴とする、請求
項２乃至４のいずれか１の装置。 - 【請求項６】 プロセスチャンバ半体(１又は／並びに
２)は、前記基板（７）から遠心分離され，スプレーさ
れた媒体物を、プロセスチャンバから集めるための少な
くとも１つの出口(１０)を有することを特徴とする、請
求項２乃至５のいずれか１の装置。 - 【請求項７】 プロセスチャンバは、発生した蒸気もし
くはガスを吸引するための、１つもしくは複数の吸気管
(１２)を有することを特徴とする、請求項２乃至６のい
ずれか１の装置。 - 【請求項８】 前記プロセスチャンバは、化学薬品を前
記基板(７)にスプレーするとき、化学処理を制御するた
めに、プロセスチャンバを保護ガス(例えば、Ｎ２、Ｏ
２など)で処理するための、ガス入口管(１３)を有する
ことを特徴とする、請求項２乃至７のいずれか１の装
置。 - 【請求項９】 単一支持体又は複合体ノズルとして使用
され得、異なった開口角度並びに／もしくは異なったジ
ェット形状(フラットジェット、全開ジェット)を有する
スプレーノズル(８、９)によって特徴付けられる、請求
項２乃至８のいずれか１の装置。 - 【請求項１０】 前記スプレーノズル(８並びに／もし
くは９)は、基板の一部分もしくは基板全体にスプレー
するために、基板(７)から離れて、調整かつ変位され得
ることを特徴とする、請求項９の装置。 - 【請求項１１】 前記スプレーノズル(８並びに／もし
くは９)は、例えば脱イオン水でプロセスチャンバを自
動的に洗浄するために使用され得ることを特徴とする、
請求項９もしくは１０のいずれか１の装置。 - 【請求項１２】 前記スプレーノズル(８並びに／もし
くは９)は、各スプレーノズル(８もしくは９)中でのみ
化学薬品の混合を果たすための、混合もしくは複合体ノ
ズルであることを特徴とする、請求項９乃至１１のいず
れか１の装置。 - 【請求項１３】 各化学薬品は、各ノズルを用いてスプ
レーされ、化学薬品が前記基板(７)に当たるときのみ、
混合作用が起こることを特徴とする、請求項９乃至１２
のいずれか１の装置。 - 【請求項１４】 基板の回転速度と化学薬品のスプレー
とは、化学薬品の消費を最小にするように調整されるこ
とを特徴とする、請求項２乃至１４の装置。 - 【請求項１５】 プロセスデテクター(１１)、例えば、
各基板(７)の処理制御を最適化する、反射を基礎にした
終点デテクターを有することにより特徴付けられる、請
求項２乃至１４の装置。 - 【請求項１６】 様々な処理もしくはいくつかの理想的
な処理を実現するための処理モジュール(２６乃至３１)
として、互いに接続されている、いくつかのプロセスチ
ャンバを有することによって特徴付けられる、請求項２
乃至１５のいずれか１の装置。 - 【請求項１７】 特に、前記処理モジュール(２６乃至
３１)の間またはこれらに対して垂直に前記基板(７)の
材を搬送するためのリニア搬送手段(３３)を有すること
によって特徴付けられる、請求項１６の装置。 - 【請求項１８】 前記搬送手段(３３)は、各処理モジュ
ール幅だけ往復移動することを特徴とする、請求項１６
の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10007248.8 | 2000-02-17 | ||
| DE2000107248 DE10007248A1 (de) | 2000-02-17 | 2000-02-17 | Verfahren und Vorrichtung für die naßchemische Reinigung und Ätzung von scheibenförmigen Einzelsubstraten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267279A true JP2001267279A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=7631309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001014785A Pending JP2001267279A (ja) | 2000-02-17 | 2001-01-23 | 湿式化学現象を利用して、個々のウエハを洗浄かつエッチングする方法と装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1126505A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001267279A (ja) |
| DE (1) | DE10007248A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013016941A1 (zh) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 可调式半导体处理装置及其控制方法 |
| CN103094152A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 半导体处理装置及处理流体收集方法 |
| KR101493606B1 (ko) | 2013-08-27 | 2015-02-13 | 김정대 | 기체 세정 장치 |
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|---|---|---|---|---|
| DE10319521A1 (de) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Scp Germany Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609129A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | ウエツト処理装置 |
| JPH04340226A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板のエッチング方法とその装置 |
| US5468302A (en) * | 1994-07-13 | 1995-11-21 | Thietje; Jerry | Semiconductor wafer cleaning system |
| JPH0831783A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Fujitsu Ltd | 基板のダイシング方法とその装置 |
| US5927305A (en) * | 1996-02-20 | 1999-07-27 | Pre-Tech Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
-
2000
- 2000-02-17 DE DE2000107248 patent/DE10007248A1/de not_active Withdrawn
- 2000-12-13 EP EP00127200A patent/EP1126505A3/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-01-23 JP JP2001014785A patent/JP2001267279A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013016941A1 (zh) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 可调式半导体处理装置及其控制方法 |
| US10283389B2 (en) | 2011-07-29 | 2019-05-07 | Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co., Ltd | Adjustable semiconductor processing device and control method thereof |
| CN103094152A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华瑛微电子技术有限公司 | 半导体处理装置及处理流体收集方法 |
| KR101493606B1 (ko) | 2013-08-27 | 2015-02-13 | 김정대 | 기체 세정 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1126505A2 (de) | 2001-08-22 |
| DE10007248A1 (de) | 2001-08-23 |
| EP1126505A3 (de) | 2005-01-26 |
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