CN103094152A - 半导体处理装置及处理流体收集方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露了一种半导体处理装置，其包括微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙。所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。这样，可以使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂流动。

Description

半导体处理装置及处理流体收集方法

【技术领域】

本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻和其它处理的装置以及基于该装置的处理流体收集方法。

【背景技术】

晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别：诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没半导体晶圆或喷射半导体晶圆等一连串步骤组成。

现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的半导体处理装置。该半导体处理装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其它流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个腔室内壁沿垂直方向的相对移动来实现。

在实际使用中发现，某些情况下需要使化学制剂在所述微腔室和被处理的半导体晶圆之间的空隙中按照预定方式流动，比如使所述化学制剂从腔室内壁的一边向另一边流动，再比如使所述化学制剂在腔室内沿环流流动等等。现有技术的方式是采用控制所述化学制剂进入所述微腔室的入口位置和控制所述化学制剂进入所述微腔室的出口位置，同时采用流入微腔室内的气体作为所述化学制剂流动时的一个载体来使得所述化学制剂在所述空隙中按照预定方式流动，但是这种方法不能够完全满足用户的需求。同时现有技术中的半导体处理装置，排出处理中和处理后的化学制剂主要靠腔室内部的压力，在某些情况下的化学制剂收集效果还可以进一步简化。

为此，本发明设计提供了另一种控制化学制剂在微腔室里的流动的半导体处理装置及处理流体收集方法以更好和更完全地满足用户的需求。

【发明内容】

本发明的目的之一在于提供一种半导体处理装置，其可以通过驱动装置使得所述上腔室部和/或下腔室部的工作表面发生倾斜来控制化学制剂在所述微腔室内的流动。

本发明的另一目的在于提供一种处理流体收集方法，通过驱动所述上腔室部和下腔室部中的工作表面发生倾斜来帮助收集化学制剂。

为实现上述目的，本发明提供一种半导体处理装置，其包括：一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口。所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。

进一步的，所述上腔室部和所述下腔室部均为硬性非弹性材料形成，在所述驱动单元的驱动下上腔室部和所述下腔室部整体倾斜，进而带动所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。

进一步的，所述驱动装置还包括控制单元，所述控制单元可编程地控制所述驱动单元中的一个或者多个，使得所述驱动单元驱动所述上腔室部或下腔室部产生预定倾斜。

更进一步的，所述半导体处理装置还包括下盒装置，所述下盒装置包括朝上形成开口的空腔，所述下腔室部被容纳于所述空腔内，且所述下工作表面通过所述开口外露于上方，与下腔室部相连的驱动装置的驱动单元被夹持于所述下腔室部和所述空腔的底壁之间。

更进一步的，所述驱动单元沿所述空腔的底壁和侧壁相交的边缘均匀分布，所述驱动单元为流体驱动器，藉由其中一个或者几个驱动单元的膨胀和收缩，驱动所述下腔室部发生空间位移而使得所述下工作表面产生预定倾斜。

进一步的，根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述下腔室部包括下工作表面和从所述下工作表面的边缘向上延伸出的下周边部分，在所述下工作表面的边缘或者所述下周边部分上包括有至少一个供处理流体排出所述空腔的出口。

更进一步的，所述供处理流体排出所述空腔的出口为多个，所述出口沿所述下工作表面的边缘均匀分布，每个或者部分个出口通过可控阀门与外部收集装置相连。

根据本发明的另一个方面，一种处理流体收集方法，应用于上述的半导体处理装置，其包括：在采用一种处理流体对半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向目标出口产生预定倾斜，以将所述处理流体排出所述空腔。

进一步的，所述处理流体收集方法还包括：在采用另一种处理流体将半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向另一目标出口产生预定倾斜，以将所述处理流体排出所述空腔。

与现有技术相比，本发明中的半导体处理装置采用在上腔室部和/或下腔室部的外侧设置多个驱动单元的方式，可以在不同时间和不同位置提供驱动力给所述上腔室部或者下腔室部，使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂流动，比如可以控制化学制剂沿所述上工作表面或下工作表面沿同一方向流动或者沿环形流动。同时，本发明还可以通过使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来帮助收集处理中和处理后的废液。

【附图说明】

结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

图1为本发明中的微腔室在一个实施例中的立体示意图；

图2为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的组装示意图；

图3为本发明中的半导体处理装置在一个实施例中的爆炸分解图；

图4为本发明中的顶盖板在一个实施例中的仰视示意图；

图5为本发明中的上腔室板在一个实施例中的立体示意图；

图6为本发明中的下腔室板在一个实施例中的立体示意图；

图7为本发明中的下盒盖板在一个实施例中的立体示意图；和

图8为本发明中的处理流体收集方法在一个实施例中的方法流程图。

【具体实施方式】

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

为了便于描述本发明，首先描述作为所述半导体处理装置的核心部件之一的微腔室。所述微腔室用于容纳和处理半导体晶圆。

请参考图1，其示出了本发明中的微腔室在一个实施例100中的立体示意图。所述微腔室100包括上腔室部120和下腔室部140，所述上腔室部120中形成一上工作表面及上周边部分(未图示)，所述下腔室部140中形成一下工作表面142及下周边部分144，所述上工作表面、上周边部分、下工作表面142和下周边部分144围绕成一个用于容纳和处理半导体晶圆的空腔。所述上腔室部120和所述下腔室部140可以通过诸如贯通立柱、滑轨或者掀开式结构等机械结构的作用或者导引下在一个关闭位置和一个打开位置之间移动。当处于打开位置时，所述上腔室部120和所述下腔室部140互相分离，以便于装载和移除将要被处理的或者已经被处理过的半导体晶圆于所述空腔；当处于关闭位置时，所述上腔室部120和所述下腔室部140对应紧密贴合，所述上工作表面、上周边部分、下工作表面142和下周边部分144围绕成所述空腔。当半导体晶圆被装载进入所述空腔内，并且所述空腔处于关闭位置时，可将化学试剂、混合剂及其他处理流体引入所述空腔以对其内的半导体晶圆进行分析、清洁、蚀刻及其它处理，并在处理过程中及处理完毕后，将处理后的所述化学试剂及其它流体引出所述空腔。

具体来讲，被处理的半导体晶圆被容纳于所述上工作表面、上周边部分、下工作表面142和下周边部分144形成的空腔内。并且所述上周边部分和所述下周边部分144的相对的表面还可以通过弹性O环相接，或者说，所述上周边部分和所述下周边部分144相接的表面之间还夹持有弹性O环，所述弹性O环通常采用诸如橡胶的柔性和弹性材料制作，以便所述微腔室获得更好的密封效果。同时应当认识到，所述半导体晶圆与所述上、下工作表面之间还应当存在预期的空隙，所述空隙的预定宽度通常在0.01mm与10mm之间。通过上下腔室部贴合的紧密程度和上下工作表面发生略微的倾斜可以改变所述空隙的宽度和形状，而随着此等空隙的改变，可以实现用于微腔室内的处理流体的不同流动图案。作为本发明的重点和难点之一，所述上腔室部120的上方设置有上驱动装置和/或所述下腔室部140的下方设置有下驱动装置，至少有一个驱动装置包含可驱动对应腔室部的不同位置的多个驱动单元。通过所述驱动装置在不同时间和不同位置提供驱动力给所述上腔室部120或/和下腔室部140的局部位置，使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂、混合剂之类的处理流体的流动。所述上腔室部和所述下腔室部均为硬性非弹性材料形成，在所述驱动单元的驱动下上腔室部和所述下腔室部整体倾斜，进而带动所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜，而不是上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面的局部变形。

为此，请结合参考图2和图3，其分别示出了本发明中的半导体处理装置在一个实施例200中的组装示意图和爆炸分解图。简单来讲，所述半导体处理装置200包括上部驱动装置220、微腔室模块240和下盒装置260。所述各个模块中的各个组件由四根互相平行的立柱22所支撑、固定或者导引。所述立柱22的局部外表形成有螺纹，并沿所述立柱22由上往下分别为上部驱动装置220、微腔室模块240和下盒装置260。其中微腔室模块240包括一处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括有形成上工作表面的上腔室板(或称上腔室部)242和形成下工作表面的下腔室板(或称下腔室部)244。所述上腔室板242藉由所述上部驱动装置220支撑和驱动，所述下腔室板244藉由所述下盒装置260支撑和驱动。所述下盒装置260包括朝上形成较大开口的立方体状空腔264，所述下腔室板244被容纳和支撑于所述立方体状空腔内，且所述下工作表面通过所述开口外露于上方，并且所述下腔室板244的底面和所述立方体状空腔的底壁之间还包括有对应于下腔室板244的底面不同位置的多个驱动单元262，这些驱动单元可以统称为下驱动装置。

所述上部驱动装置220可驱动所述上腔室板242沿所述立柱22的导引而相对于所述下腔室板244移动，以便在需要装载及移除半导体晶圆时能够使得所述上腔室板242与下腔室板244处于打开位置或者关闭位置。所述多个驱动单元262可以是气袋或者液压驱动器一类的流体驱动器。每个驱动单元分散相接于所述下腔室部的下方的局部位置，比如每个驱动单元262可以分散或者均匀沿所述立方体状空腔的底壁与侧壁相交的边缘设置，通过控制一个或者几个驱动单元262的膨胀和收缩，可以使得所述下腔室部244中形成的下工作表面发生预定倾斜。

为了便于描述本发明，首先描述所述上部驱动装置220和上腔室板242。所述上部驱动装置220由上到下依次包括顶盖板222、气袋(也可以称为驱动单元)224和上腔室板242的局部。所述气袋224位于由所述顶盖板222和上腔室板242之间形成的一个空腔内并与所述顶盖板222和上腔室板242相固定。当气袋224被充气膨胀时，所述上腔室板242会沿所述立柱22的导引而向下移动，从而使所述微腔室完成从打开位置到关闭位置的变换。当气袋224被放气收缩时，所述上腔室板242会沿所述立柱22的导引而向上移动，从而使所述微腔室完成从关闭位置到打开位置的变换。

图4为所述顶盖板222在一个实施例400中的仰视示意图。所述顶盖板400的形状呈正方形，并在所述顶盖板400的四角包括对应于所述立柱22的四个柱位孔402，并通过与位于所述立柱22顶端的螺纹相匹配的八个第一螺帽221与所述立柱22的顶端紧固在一起。所述顶盖板400朝向下方的一面还延伸形成有圆柱形的第一侧壁404。所述第一侧壁404用于形成容纳所述气袋224的空腔的一部分腔壁。

图5为所述上腔室板242在一个实施例500中的立体示意图。所述上腔室板500的形状也呈正方形，并在所述上腔室板500的四角形成有对应于所述立柱22的四个柱位孔502，所述四个柱位孔502的内径略大于所述立柱22的外径，也即所述上腔室板500可沿所述立柱22的导引而上下滑动。所述上腔室板500朝向下方的一面向下延伸形成有第一圆形凸台，所述第一圆形凸台的朝下一面形成了所述上工作表面504，所述第一圆形凸台的四周边缘还向下延伸形成有凸缘状的上周边部分506。所述上腔室板500朝向上方的一面则向上延伸形成有圆柱形的第二侧壁508，所述第二侧壁508的内径不小于所述第一侧壁404的外径，使得所述第一侧壁404可以套接在所述第二侧壁508内，并结合所述顶盖板222和所述上腔室板242的局部表面形成容纳所述气袋224的可伸缩空腔。所述气袋224可以通过螺丝、胶水或者其他任何已知的构件固定于所述顶盖板222和所述上腔室板242的表面。显然，藉由上述结构，当所述气袋224膨胀时，所述上腔室板242可以沿所述立柱22的导引向下移动；当所述气袋224收缩时，所述上腔室板242可以沿所述立柱22的导引向上移动。

下文将继续描述所述下盒装置260和被容纳于所述下盒装置260中的下腔室板244和若干个驱动单元262。所述下盒装置260包括朝上形成较大开口的下盒顶盖264和下盒底盖266。所述下腔室板244和若干个驱动单元262被夹持于所述下盒顶盖264和下盒底盖266之间形成的立方体状空腔内，所述下盒顶盖264和下盒底盖266可以通过与所述立柱22的中部和底部的螺纹相匹配的八个第二螺帽269固定于所述立柱22上。所述驱动单元262可以是气袋或者液压驱动器一类的流体驱动器。每个驱动单元分散相接于所述下腔室部的下方的局部位置，比如每个驱动单元262可以分散或者均匀沿所述立方体状空腔的底壁与侧壁相交的边缘设置，通过控制一个或者几个驱动单元262的膨胀和收缩，可以使得所述下腔室板244中形成的下工作表面发生预定倾斜。

请参考图6，其示出了本发明中的下腔室板244在一个实施例600中的立体示意图。所述下腔室板600包括矩形的基板部602，和从所述矩形的基板部602向上延伸形成的第二圆形凸台604，所述第二圆形凸台604的朝上一面形成了所述下工作表面，所述第二圆形凸台604的四周边缘还向上延伸形成有凸缘状的下周边部分606。所述第二圆形凸台604的形状基本与所述第一圆形凸台504相对称，所述上周边部分506和下周边部分606相接的面上还可以形成有圆形凹槽，以便设置采用诸如橡胶之类材质制作的弹性O环(未具体示出)，所述弹性O环一方面可以改进所述上腔室板和所述下腔室板在处于关闭位置时的闭合紧密性；另一方面，还可以使得所述上腔室板和所述下腔室板在处于关闭位置时，两者之间形成预定宽度范围的间隙，使得所述上腔室板或者下腔室板可以在不影响腔室气密性的情况下发生一定程度的空间位移和倾斜。

请继续参考图7，其示出了本发明中的下盒盖板264在一个实施例700中的立体示意图。所述下盒盖板700包括形成较大开口的正方形顶板702和从所述正方形顶板702的四边向下延伸形成的四个侧板704，所述顶面702的四角还形成有对应于所述立柱22的四个柱位孔706。在一个实施例中，所述侧板704的厚度较厚，所述四个柱位孔706可以纵向贯穿所述侧板704。所述正方形顶面702中形成的较大开口的形状对应于所述第二圆形凸台604的形状，并且第二圆形凸台604的外部尺寸稍小于所述正方形顶面702中形成的较大开口，以便于在所述下腔室板244被容纳于所述下盒装置260内时，所述第二圆形凸台604能够穿过所述较大开口而外露于所述下盒装置260的上方，并且第二圆形凸台604与所述较大开口之间有一定的缝隙，这样所述下腔室板244可以相对于所述下盒盖板264进行一定的倾斜等运动。对应地，所述下盒底板266是一块四角包括四个柱位孔的正方形板，所述下盒底板266的整体形状基本对称于所述下盒盖板700的正方形顶板，区别仅在于所述下盒底板266的中央没有形成开口。当所述下盒盖板264和所述下盒底板266叠放时，其内部形成立方体状的空腔。所述下盒顶盖264和下盒底盖266可以通过与所述立柱22的中部和底部的螺纹相匹配的八个第二螺帽269固定于所述立柱22上。所述下腔室板244和若干个驱动单元262被夹持于所述下盒顶盖264和下盒底盖266之间。所述下腔室板244与所述下盒盖板264之间相接的表面上还可以夹持有弹性块。

在通常情况下，所述下腔室板244被所述若干个驱动单元262所支撑和挤压而容纳于所述下盒顶盖264和下盒底盖266之间的空腔内，其外露于下盒顶盖264上部的下工作表面也呈水平状态。在所述上腔室板242和所述下腔室板244处于关闭位置时，通过控制一个或者几个驱动单元262的膨胀和收缩，可以使得所述下腔室板244中形成的下工作表面发生预定倾斜。尽管所述倾斜的幅度并不是非常剧烈，但对于所述下工作表面和半导体晶圆之间的细小空隙而言，处于所述下工作表面和半导体晶圆之间的化学制剂还是会因所述下工作表面的倾斜和所述空隙的改变而朝空隙大处流动。可以预料的是，如果在一段时间内，对于不同的驱动单元262采取不同的驱动方式，使得所述下工作表面的倾斜处于一种动态的可控效果，那么必然可以获得所述下工作表面和半导体晶圆之间的化学制剂按照预期的效果发生环流或者向固定方向流动之类的种种预期效果。

在图2示出的实施例中，所述上部驱动装置220中的气袋224为一个，在其他实施例中，也可以为多个，也就是说上部驱动装置220也可以包括有对应于上腔室板的顶面不同位置的多个驱动单元。此外，也可以不设置所述上部驱动装置220而是直接将上腔室板242固定不动。总而言之，可以在上腔室板242的上方设置上驱动装置和/或下腔室板244的下方设置下驱动装置，至少有一个驱动装置可以包括驱动对应腔室板的不同位置的多个驱动单元，以实现控制该腔室板的工作表面的运动。

在一个实施例中，所述半导体处理装置还包括控制单元，所述控制单元可以可编程地控制所述驱动单元中的一个或者多个，使得所述驱动单元根据用户设定的编程策略来驱动所述上腔室部或下腔室部产生预定倾斜或其他运动；在另一个实施例中，可以使得每个驱动单元分散相接于所述上腔室部的上方或下腔室部的下方的局部位置，从而实现所述上腔室部或下腔室部能够根据不同大小和位置的驱动力朝向各个方向产生预定倾斜；在再一个实施例中，所述驱动单元可以为四个或者八个，并且均匀设置于所述上腔室部的上方或下腔室部的下方靠近腔室部边缘的位置，从而更利于所述控制单元的控制。所述控制单元如何控制所述驱动单元可以由用户按照自己的策略来设定。比如在具体的一个实施例中，所述控制单元可以控制对称设置的两个驱动单元中的一个逐渐膨胀，以抬高下腔室部的一边；然后在相邻的另一段时间内，所述控制单元控制已膨胀的驱动单元逐渐收缩，而另一驱动单元逐渐膨胀，以把已经抬高的下腔室部的一边放低，而把下腔室部中相对的另一边抬高，然后重复该步骤，就可以使得所述下腔室部产生类似“单摆”似的规律运动，从而使得其内部的化学制剂沿相对的两个方向往返流动。在再一个具体的实施例中，所述下腔室部的下方设置有八个编号从一到八的驱动单元，每个驱动单元都均匀设置在所述下腔室部的下方表面的边缘位置。所述控制单元按照编号从一到八然后从八到一的方式循环控制相邻的驱动单元依次膨胀预定的时间长度，使得所述下腔室部做环形的起伏运动，以便其内部的化学制剂沿顺时针或者逆时针而环形流动。虽然上述实施例中主要以在下腔室部的下方设置多个驱动单元的方式来描述，但是对于有关上腔室部的上方设置多个驱动单元的相关实施例，是本领域技术人员所易于思及的。

综上所述，所述半导体处理装置采用在上腔室部和/或下腔室部的外侧设置多个驱动单元的方式，可以在不同时间和不同位置提供驱动力给所述上腔室部或者下腔室部，使得所述上工作表面或下工作表面发生预定倾斜来控制其内部的化学制剂流动。

同时，本发明还提供一种处理流体收集方法，可以用于上述半导体处理装置中，根据上文描述可知，所述半导体处理装置的微腔室中还包括用于处理流体流出所述空腔的出口，所述出口可以为设置于所述下腔室部的下工作表面边缘或者所述下周边部分上的贯通外部的小孔。所述出口可以不止一个，比如所述出口的个数为多个，具体的出口个数可以对应于处理半导体晶圆时各个步骤中采用的不同化学制剂或者混合剂的种类数，各个出口可以沿所述下工作表面的边缘均匀分布，每个或者部分个出口还可以通过可控阀门与处理流体收集装置相连。请参考图8，其示出了本发明中的处理流体收集方法在一个实施例800中的方法流程图，所述处理流体收集方法800包括：

步骤802，当半导体晶圆被装载入所述微腔室后，将处理流体引入所述微腔室内对半导体晶圆进行处理；

步骤804，在采用一种化学制剂或者混合剂对半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向目标出口产生预定倾斜，以将所述化学制剂或者混合剂排出所述空腔；

由于具体的出口个数可以对应于半导体晶圆时各个步骤中采用的不同化学制剂或者混合剂的种类数。那么，可以在所述下腔室部针对每个步骤或者种类的处理流体分别设置一个出口，而且各个出口分散设置在所述下周边部分上略高于下工作表面的地方。在采用一种化学制剂或者混合剂对半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向目标出口产生预定倾斜，以将所述化学制剂或者混合剂排出所述空腔，如果每个出口都通过可控阀门与处理流体收集装置相连，则还需要对各个出口的可控阀门的导通与截止进行相应控制。

步骤806，在采用另一种化学制剂或者混合剂将半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向另一目标出口产生预定倾斜，以将所述化学制剂或者混合剂排出所述空腔；

如果还需要采用再一种化学制剂或者混合剂将半导体晶圆处理进行处理，则重复步骤806，如果处理过程完成，则步骤808，结束处理过程。

显然，采用所述处理流体收集方法可以将不同的化学制剂或者混合剂之类的处理流体区分收集起来，有利于后续的分析和处理，而且也可以避免通过一个出口来收集处理液体造成的交叉污染等问题。

本文中“若干”和“多个”均表示两个或两个以上，“和/或”表示和或者或。

上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式。

Claims (9)

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括可在一打开位置和关闭位置之间移动的形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，当处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和所述下工作表面之间形成的空腔内，且与所述上、下工作面之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室中还包括至少一个供处理流体进入所述空腔的入口和至少一个供处理流体排出所述空腔的出口，

所述上腔室部的上方与驱动装置相连或/和下腔室部的下方与驱动装置相接，所述驱动装置包括有驱动对应腔室部的不同位置的若干驱动单元，基于所述驱动装置的驱动使得所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部和所述下腔室部均为硬性非弹性材料形成，在所述驱动单元的驱动下上腔室部和所述下腔室部整体倾斜，进而带动所述上腔室部的上工作表面或/和下腔室部的下工作表面整体产生倾斜。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动装置还包括控制单元，所述控制单元可编程地控制所述驱动单元中的一个或者多个，使得所述驱动单元驱动所述上腔室部或下腔室部产生预定倾斜。

4.根据权利要求2或3所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括下盒装置，所述下盒装置包括朝上形成开口的空腔，所述下腔室部被容纳于所述空腔内，且所述下工作表面通过所述开口外露于上方，与下腔室部相连的驱动装置的驱动单元被夹持于所述下腔室部和所述空腔的底壁之间。

5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述驱动单元沿所述空腔的底壁和侧壁相交的边缘均匀分布，所述驱动单元为流体驱动器，藉由其中一个或者几个驱动单元的膨胀和收缩，驱动所述下腔室部发生空间位移而使得所述下工作表面产生预定倾斜。

6.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述下腔室部包括下工作表面和从所述下工作表面的边缘向上延伸出的下周边部分，在所述下工作表面的边缘或者所述下周边部分上包括有至少一个供处理流体排出所述空腔的出口。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，所述供处理流体排出所述空腔的出口为多个，所述出口沿所述下工作表面的边缘均匀分布，每个或者部分个出口通过可控阀门与外部预定收集装置相连。

8.一种处理流体收集方法，应用于权利要求6或7所述的半导体处理装置，其特征在于，其包括：

在采用一种处理流体对半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向目标出口产生预定倾斜，以将所述处理流体排出所述空腔。

9.根据权利要求8所述的处理流体收集方法，其特征在于，其还包括：

在采用另一种处理流体将半导体晶圆处理中或处理后，驱动所述下工作表面朝向另一目标出口产生预定倾斜，以将所述处理流体排出所述空腔。

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