JPS59191342A - 半導体製造装置 - Google Patents
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- JPS59191342A JPS59191342A JP6539383A JP6539383A JPS59191342A JP S59191342 A JPS59191342 A JP S59191342A JP 6539383 A JP6539383 A JP 6539383A JP 6539383 A JP6539383 A JP 6539383A JP S59191342 A JPS59191342 A JP S59191342A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置４に係り、特をニドライプロ
セスをこでウェハに所定の処理を施こすカセット・ツウ
・カセット、ロードロック方式の半導体製造装置をこ関
するも２のである。
セスをこでウェハに所定の処理を施こすカセット・ツウ
・カセット、ロードロック方式の半導体製造装置をこ関
するも２のである。
ドライプロセス督こてウェハに所定の処理を施こすのに
従来適用されているカセット・ツウ・カセット、ロード
ロック方式の半導体製造装置を第１図、第２図により説
明する。
従来適用されているカセット・ツウ・カセット、ロード
ロック方式の半導体製造装置を第１図、第２図により説
明する。
第１図で、真空排気され、例えば、反応ガスが導入され
る反応室１０の両サイドには、真空排気される予備室２
０． ３０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４０，
４１Ｙ介して貝設されている。反応室１０警こは、電源
、例えば、高周波電源（以下、ＲＦ電源と略）が接続さ
れたウェハ載置用の電極１１が、例えば、回動可能に内
設されると共に、電極１１と所定の放電空間を有し、例
えば、上下方向に対向して対向電極（図示省略）が内設
されている。予備室２０．３０には、カセット載置台２
１，３１が昇降可能）こ内股されると共）こ、カセット
出入可能な真空バルブ、例えば、ゲートバルブ（図示省
略Ｊが設けられている。
る反応室１０の両サイドには、真空排気される予備室２
０． ３０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４０，
４１Ｙ介して貝設されている。反応室１０警こは、電源
、例えば、高周波電源（以下、ＲＦ電源と略）が接続さ
れたウェハ載置用の電極１１が、例えば、回動可能に内
設されると共に、電極１１と所定の放電空間を有し、例
えば、上下方向に対向して対向電極（図示省略）が内設
されている。予備室２０．３０には、カセット載置台２
１，３１が昇降可能）こ内股されると共）こ、カセット
出入可能な真空バルブ、例えば、ゲートバルブ（図示省
略Ｊが設けられている。
例えば、予備室２０１こは、ゲートバルブを開放するこ
とで、ウェハ５０が装填されたカセット６０が外部から
搬入され、カセット印は、その開口部をゲートバルブ４
０に対向してカセット載置台２１に載置される。一方、
予備室３０には、ゲートバルブな開放する二とで、空の
カセット６１が外部から搬入され、カセット６１は、そ
の開口部をゲートバルブ４１Ｇ二対向してカセット載置
台３１に載置される。このようなカセット６０． ６１
のカセット載１ｉｊｆ台２１．３１への載置完了後、ゲ
ートバルブは閉止され予備室加。
とで、ウェハ５０が装填されたカセット６０が外部から
搬入され、カセット印は、その開口部をゲートバルブ４
０に対向してカセット載置台２１に載置される。一方、
予備室３０には、ゲートバルブな開放する二とで、空の
カセット６１が外部から搬入され、カセット６１は、そ
の開口部をゲートバルブ４１Ｇ二対向してカセット載置
台３１に載置される。このようなカセット６０． ６１
のカセット載１ｉｊｆ台２１．３１への載置完了後、ゲ
ートバルブは閉止され予備室加。
Ｉは反応室ｌＯと同圧力まで減圧排気される。その後、
予備室印と反応室１０との間のケートバルブ４０を開放
することで、カセット６０＋こ装填さね、たウェハ５０
は、公知、ノ）搬送手段（図示省略）により反応室１（
１１こ搬入され電極１１に載面される。電極１１に所定
枚数、この場合は、１０枚のウェハ５０が載置された５
段階でｒ・備室加と反応室１０との間のゲートバルブ４
０は閉止され、電極１１に載置されたウェハ５０１こは
所定の処理が施こされる。処理完了後、反応室１０トφ
備室３０との間のゲートバルブ４１が開放され、電極１
１に載置されたウェハ５０は公知の搬送手段（図示省略
）により予備室３０に搬入されカセット６】に装填され
て回収される。このような操作が繰返し実施されカセッ
ト６０に装填されたウェハ５０は、処理されカセット６
１に回収される。その後、予備室２０．３０のゲートバ
ルブを開放することで予備室四からは空になったカセッ
ト６０が、また、予備室部からはウェハ５０が装填され
たカセット６１が外部に搬出され、その後、予備室加に
は、ウェハ５０が装填されたカセット６ｏが、また、予
備室３Ｑｌこは、空のカセット６１が外部から搬入され
、カセット載置台２１，３１にそれぞれ載置される。
予備室印と反応室１０との間のケートバルブ４０を開放
することで、カセット６０＋こ装填さね、たウェハ５０
は、公知、ノ）搬送手段（図示省略）により反応室１（
１１こ搬入され電極１１に載面される。電極１１に所定
枚数、この場合は、１０枚のウェハ５０が載置された５
段階でｒ・備室加と反応室１０との間のゲートバルブ４
０は閉止され、電極１１に載置されたウェハ５０１こは
所定の処理が施こされる。処理完了後、反応室１０トφ
備室３０との間のゲートバルブ４１が開放され、電極１
１に載置されたウェハ５０は公知の搬送手段（図示省略
）により予備室３０に搬入されカセット６】に装填され
て回収される。このような操作が繰返し実施されカセッ
ト６０に装填されたウェハ５０は、処理されカセット６
１に回収される。その後、予備室２０．３０のゲートバ
ルブを開放することで予備室四からは空になったカセッ
ト６０が、また、予備室部からはウェハ５０が装填され
たカセット６１が外部に搬出され、その後、予備室加に
は、ウェハ５０が装填されたカセット６ｏが、また、予
備室３Ｑｌこは、空のカセット６１が外部から搬入され
、カセット載置台２１，３１にそれぞれ載置される。
第２図で、反応室ｌＯの片側には、真空排気される予備
室７０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４２を介し
て具設されている。予備室７ｏには、カセット載置台７
１．７２が２台昇降可能昏こ内設されると共に、カセッ
ト出入り能な真空バルブ、例えば、ゲートバルブ （図
示省略）が設けられている。なお、その他、第２図で第
１図と同一部品等は同一符号で示し説明を省略する。
室７０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４２を介し
て具設されている。予備室７ｏには、カセット載置台７
１．７２が２台昇降可能昏こ内設されると共に、カセッ
ト出入り能な真空バルブ、例えば、ゲートバルブ （図
示省略）が設けられている。なお、その他、第２図で第
１図と同一部品等は同一符号で示し説明を省略する。
ゲートバルブを開放することで予備室７０警こは、ウェ
ハ５０が装填されたカセット６０と空のカセット６１と
が外部から搬入され、カセット６ｏは一方のカセット載
置台７１に、カセット６１は他方のカセット載置台７２
にそれぞれ載置される。この場合、カセット６０の開口
部は、カセット６ｏから反応室１ｏにウェハ５０を搬送
可能、または、カセット６１の開口部は、反応室１０か
らカセット６１にウェハ関を搬送可能な向きになってい
る。このようなカセット６０゜６１のカセット載置台７
１．７２への載置完了後、ゲートバルブは！ＶＪ ＋Ｌ
され、予備室７０は反応室１０と同圧力まで減圧排気さ
れる。その後、予備室伊と反応室１０との間のゲートバ
ルブ４２？：開牧することで、カセッｌ−６（Ｈこ装填
されたウェハ５０は公知の搬送手段（図示省略）により
反応室１０に搬入され電極１１９二載置される。電極１
１に所定枚数、この場合は、〒０ 】０枚のウェハ５０が載置された段階で予備室卯と反応
室１０との間のケートバルブ４２は閉Ｉｎされ、電極１
１に載置されたウェハ５０には所定の処理が施こされる
。処理完了後、反応室１０と予備室−との間のケートバ
ルブ４２が開放され、電崩１１に載置されたウェハ５０
は公知の搬送手段（図示省略）により予（＋１ｉｉ室７
０に搬入されカセット６１に装填されて回収される。こ
のような操作が繰返し実施され、これしこよりカセット
６０に装填されたウェハ５０は処理されカセット６１に
回収される。その後、反応室１０と’７゜ １’ （＋ｉｉｉ 室Ｎとの間のゲートバルブ４２を閉
止し予（和室７０のゲートバルブを開放することで、予
備室７０からは、空になったカセット６０とウェハ聞が
装填されたカセット６１とが外部に搬出され、その後、
予備室７０には、ウェハ５０が装填されたカセット６０
と空のカセット６１とが外部から搬入され、カセット載
置台７１．７２にそれぞれ載置される。
ハ５０が装填されたカセット６０と空のカセット６１と
が外部から搬入され、カセット６ｏは一方のカセット載
置台７１に、カセット６１は他方のカセット載置台７２
にそれぞれ載置される。この場合、カセット６０の開口
部は、カセット６ｏから反応室１ｏにウェハ５０を搬送
可能、または、カセット６１の開口部は、反応室１０か
らカセット６１にウェハ関を搬送可能な向きになってい
る。このようなカセット６０゜６１のカセット載置台７
１．７２への載置完了後、ゲートバルブは！ＶＪ ＋Ｌ
され、予備室７０は反応室１０と同圧力まで減圧排気さ
れる。その後、予備室伊と反応室１０との間のゲートバ
ルブ４２？：開牧することで、カセッｌ−６（Ｈこ装填
されたウェハ５０は公知の搬送手段（図示省略）により
反応室１０に搬入され電極１１９二載置される。電極１
１に所定枚数、この場合は、〒０ 】０枚のウェハ５０が載置された段階で予備室卯と反応
室１０との間のケートバルブ４２は閉Ｉｎされ、電極１
１に載置されたウェハ５０には所定の処理が施こされる
。処理完了後、反応室１０と予備室−との間のケートバ
ルブ４２が開放され、電崩１１に載置されたウェハ５０
は公知の搬送手段（図示省略）により予（＋１ｉｉ室７
０に搬入されカセット６１に装填されて回収される。こ
のような操作が繰返し実施され、これしこよりカセット
６０に装填されたウェハ５０は処理されカセット６１に
回収される。その後、反応室１０と’７゜ １’ （＋ｉｉｉ 室Ｎとの間のゲートバルブ４２を閉
止し予（和室７０のゲートバルブを開放することで、予
備室７０からは、空になったカセット６０とウェハ聞が
装填されたカセット６１とが外部に搬出され、その後、
予備室７０には、ウェハ５０が装填されたカセット６０
と空のカセット６１とが外部から搬入され、カセット載
置台７１．７２にそれぞれ載置される。
このような半導体製造装置では、次のような欠点があっ
た。
た。
（１） カセット載置台が回動不可でありカセットの
開口部方向が固定されているため、ウェハの供給排出方
向を任意昏こ変化させることができず前後処理装置との
取合いに不都合が生しる。したがって、この不都合をカ
バーするためには前後処理装置との間に余分なウェハ搬
送装置の設置が必要となり設備費が増大する。
開口部方向が固定されているため、ウェハの供給排出方
向を任意昏こ変化させることができず前後処理装置との
取合いに不都合が生しる。したがって、この不都合をカ
バーするためには前後処理装置との間に余分なウェハ搬
送装置の設置が必要となり設備費が増大する。
本発明の目的は、ウェハの供給排出方向を任意に変化可
能とすることで、設備費の増大を抑制できる半導体製造
装置を提供すること昏こある。
能とすることで、設備費の増大を抑制できる半導体製造
装置を提供すること昏こある。
本発明は、予備室）こカセット載置台を回動、かつ、昇
降可能に内設したことを特徴とするもので、カセットの
開口部方向を自由に選択可能とすることでウェハの供給
１ノド出方向を任意、に父化可能としたものである。
降可能に内設したことを特徴とするもので、カセットの
開口部方向を自由に選択可能とすることでウェハの供給
１ノド出方向を任意、に父化可能としたものである。
本発明の一実施例を第３図により説明する。
第３図で、減圧排気され、例えば、反応カスが導入され
る反応室１０１こは、減圧ＪＪ１気される予備室８０．
９０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４３゜４４を
介して共役さ第１．ている。反応室１０ｉこは、電源、
例えば、ＲＦ電源１３が接続されたウェハ載置用の電極
１１が、例えば、回動可能に内設されると共Ｇこ、電極
１１と所定の放電空間を有し、例えば、」−下方向に対
向して対向電極１２が内設されている。予備室８０．
９０には、カセット載置台８１，９１が内設されると共
に、前処理装置 （図示省略）、後処理装置（図示省′
ｅ３）に対応して真空バルブ、例えば、ケートバルブ８
２．９２が設けられている。また、カセット載置台８］
、９１は、この場合、予備室８０．９０の外側に設けら
れた回動並びに昇降用の駆動装置８３゜９３に連接され
ている。
る反応室１０１こは、減圧ＪＪ１気される予備室８０．
９０が真空バルブ、例えば、ゲートバルブ４３゜４４を
介して共役さ第１．ている。反応室１０ｉこは、電源、
例えば、ＲＦ電源１３が接続されたウェハ載置用の電極
１１が、例えば、回動可能に内設されると共Ｇこ、電極
１１と所定の放電空間を有し、例えば、」−下方向に対
向して対向電極１２が内設されている。予備室８０．
９０には、カセット載置台８１，９１が内設されると共
に、前処理装置 （図示省略）、後処理装置（図示省′
ｅ３）に対応して真空バルブ、例えば、ケートバルブ８
２．９２が設けられている。また、カセット載置台８］
、９１は、この場合、予備室８０．９０の外側に設けら
れた回動並びに昇降用の駆動装置８３゜９３に連接され
ている。
ゲートバルブ８２．９２を開放する二とで予１１ＭＩ
Ｎａ ｒｓυ。
Ｎａ ｒｓυ。
９０ｊこは、空のカセット６０．６１が搬入され、カセ
ット６０．６１はカセット載置台８１．９１に載置され
る。
ット６０．６１はカセット載置台８１．９１に載置され
る。
その後、カセット載置台８１ヲ駆動装置８３により回動
させカセット６０の開口部をゲートバルブ８２に対応さ
せることで、カセット６０には、前処理装置で処理され
たウェハ５０が所定枚数供給される。その後、ケートバ
ルブ８２． ９２は閉止され、予備室８０゜９０内は、
反応室１０と同圧力に減圧排気される。その後、駆動装
置８３によりカセット６０の開口部をゲートバルブ４３
ｉこ対応する位置まで駆動させると共）こ、ケートバル
ブ４３ヲ開放することで、カセット６０に供給されたウ
ェハ５０は公知の搬送手段（図示省略）により反応室１
０に搬入され電極１１に載置される。電極１１に所定枚
数のウェハ５０が載置された段階でゲートバルブ４３は
閉止され、電極１１に載置されたウェハ５０には所定の
処理が施こされる。処理完了後、ゲートパル７４４が開
放され、電ｆｉｌｌに載置されたウェハ５０は公知の搬
送手段（図示省略）により予備室９０に搬入され駆動装
置９３により開口部をデートバルブ４４と対応する位１
准まで回動させられたカセット６１に回収される。この
ような操作が繰返し実施されカセット６０に供給された
ウエノへ５０は処理されカセット６１に回収される。−
カセット６０が空をこなった時点で、カセット６０は、
その開１コ部を駆動装置８３によりケートバルブ８２と
対応する位置まで回動させられる。その後、ゲートノ＜
バルブ８２ ’＜、Ｊｌ孜することで前処理装置δて処
理されたウェハ５０がカセット６０に所定枚数丙ひ供給
される。−ａ、ウェハ５０ヲ回収したカー２ノド６１は
、その開口部を駆動装置９３番こよりケートバルブ９２
と対応する位置まで回動させられる。その後、ゲートバ
フレフ９２を開放することでカセット６１に回収された
ウェハ５０は予備室９０から搬出されて後処理装置９こ
送給される。その後、カセット６０への２エノ１５０の
供給並びにカセット６１からのウェハ５０のυＦ出が完
了した時点でゲートバルブ８２．９２は閉止さね７、再
び上記した操作が繰返し実施される。
させカセット６０の開口部をゲートバルブ８２に対応さ
せることで、カセット６０には、前処理装置で処理され
たウェハ５０が所定枚数供給される。その後、ケートバ
ルブ８２． ９２は閉止され、予備室８０゜９０内は、
反応室１０と同圧力に減圧排気される。その後、駆動装
置８３によりカセット６０の開口部をゲートバルブ４３
ｉこ対応する位置まで駆動させると共）こ、ケートバル
ブ４３ヲ開放することで、カセット６０に供給されたウ
ェハ５０は公知の搬送手段（図示省略）により反応室１
０に搬入され電極１１に載置される。電極１１に所定枚
数のウェハ５０が載置された段階でゲートバルブ４３は
閉止され、電極１１に載置されたウェハ５０には所定の
処理が施こされる。処理完了後、ゲートパル７４４が開
放され、電ｆｉｌｌに載置されたウェハ５０は公知の搬
送手段（図示省略）により予備室９０に搬入され駆動装
置９３により開口部をデートバルブ４４と対応する位１
准まで回動させられたカセット６１に回収される。この
ような操作が繰返し実施されカセット６０に供給された
ウエノへ５０は処理されカセット６１に回収される。−
カセット６０が空をこなった時点で、カセット６０は、
その開１コ部を駆動装置８３によりケートバルブ８２と
対応する位置まで回動させられる。その後、ゲートノ＜
バルブ８２ ’＜、Ｊｌ孜することで前処理装置δて処
理されたウェハ５０がカセット６０に所定枚数丙ひ供給
される。−ａ、ウェハ５０ヲ回収したカー２ノド６１は
、その開口部を駆動装置９３番こよりケートバルブ９２
と対応する位置まで回動させられる。その後、ゲートバ
フレフ９２を開放することでカセット６１に回収された
ウェハ５０は予備室９０から搬出されて後処理装置９こ
送給される。その後、カセット６０への２エノ１５０の
供給並びにカセット６１からのウェハ５０のυＦ出が完
了した時点でゲートバルブ８２．９２は閉止さね７、再
び上記した操作が繰返し実施される。
本実施例のような半導体製造装置、では、次のような効
果が得られる。
果が得られる。
（１） カセット載置台が回動可能でカセット開口部
方向を自由に選択できるため、ウェハの供給排出方向を
任意に変化させることができ、したがって、前後処理装
置との取合いにも処都合が生ぜず、前後処理装置との間
に余分なウェハ搬送装置を設置す、る必要がなくなるた
め、設備費の増大含抑制Ｔきる。
方向を自由に選択できるため、ウェハの供給排出方向を
任意に変化させることができ、したがって、前後処理装
置との取合いにも処都合が生ぜず、前後処理装置との間
に余分なウェハ搬送装置を設置す、る必要がなくなるた
め、設備費の増大含抑制Ｔきる。
本発明は、以上説明したよ５＋二半導体製造装置の反応
室をこ真空バルブを介し共役された予備室にカセット載
置台を回動、かつ、昇降可能に内設したことで、ウェハ
の供給排出方向を任意Ｇこ変化さ１欠 せることができるので、墾理装置との間に余分なウェハ
搬送装置を設置する必要がなくなり設備費の増大を抑制
できる効果がある。
室をこ真空バルブを介し共役された予備室にカセット載
置台を回動、かつ、昇降可能に内設したことで、ウェハ
の供給排出方向を任意Ｇこ変化さ１欠 せることができるので、墾理装置との間に余分なウェハ
搬送装置を設置する必要がなくなり設備費の増大を抑制
できる効果がある。
第１図、第２図は、従来の半導体製造装置の平面構成図
、第３図は、本発明による半導体製造装置の縦断面図で
ある。 １０・・ 反応室、閃、９０・・・・・・予備室、８１
．９１・・・・・、 才１１２１ 才２図 ２７１ 才３図 １ ２
、第３図は、本発明による半導体製造装置の縦断面図で
ある。 １０・・ 反応室、閃、９０・・・・・・予備室、８１
．９１・・・・・、 才１１２１ 才２図 ２７１ 才３図 １ ２
Claims (1)
- ■、 ウェハにドライプロセス蚤こで所定の処理を施こ
す反応室（こ真空バルブを介し予イＲ１］室が置設され
た装置響こおいて、前記予備室にカセット載置台を回動
、かつ、昇降可能に内設したことを特徴とする半導体製
造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6539383A JPS59191342A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6539383A JPS59191342A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191342A true JPS59191342A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13285708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6539383A Pending JPS59191342A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226048A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-14 | Applied Materials Inc | 二重カセット装填ロック装置 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP6539383A patent/JPS59191342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226048A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-14 | Applied Materials Inc | 二重カセット装填ロック装置 |
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