KR100744888B1 - 소재를 초임계 처리하기 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

소재의 초임계 처리(supercritical processing) 및 비초임계 처리(non-supercritical processing)를 위한 장치는 이송 모듈, 초임계 처리 모듈, 비초임계 처리 모듈 및 로봇을 포함한다. 이송 모듈은 입구를 갖는다. 초임계 처리 모듈 및 비초임계 처리 모듈은 이송 모듈에 연결된다. 로봇은 이송 모듈내에 위치되는 것이 바람직하다. 작동에 있어서, 로봇은 소재를 이송 모듈의 입구에서 초임계 처리 모듈로 이송시킨다. 초임계 처리 후, 로봇은 소재를 초임계 처리 모듈에서 비초임계 처리 모듈로 이송시킨다. 비초임계 처리 후, 상기 로봇은 소재를 상기 이송 모듈의 입구로 복귀시킨다. 변형 실시예에서, 비초임계 처리는 초임계 처리 전에 실행된다.

Description

소재를 초임계 처리하기 위한 장치 및 방법{METHOD AND APPARATUS FOR SUPERCRITICAL PROCESSING OF A WORKPIECE}
본 발명은 초임계 처리 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 소재가 초임계 환경에서 처리되고, 그리고 소재가 비초임계(non-supercritical) 환경에서 처리되는 초임계 처리 분야에 관한 것이다.
반도체 제조는 이온 주입시 포토레지스트(photoresist), 에칭 및 다른 처리 단계를 사용한다. 이온 주입 단계시, 포토레지스트는 불순물이 주입되지 않는 반도체 기재의 영역을 마스킹한다. 에칭 단계에 있어서, 포토레지스트는 에칭되지 않는 반도체 기재의 영역을 마스킹한다. 다른 처리 단계의 예는 처리된 웨이퍼의 블랭킷 보호 피복 또는 MEMS[마이크로 전기-기계적 시스템(micro electro-mechanical system)] 장치의 블랭킷 보호 피복으로서 포토레지스트를 사용하는 단계를 포함한다. 하기의 이온 주입 단계에 있어서, 포토레지스트는 젤리형 코어를 덮는 단단한 외피를 나타낸다. 단단한 외피는 포토레지스트 제거시에 어려움을 초래한다. 에칭 단계 후, 남아있는 포토레지스트는 포토레지스트 제거를 어렵게 하는 경화된 특성을 나타낸다. 에칭 단계 후, 잔류물(에칭 잔류물과 혼합된 포토레지스트 잔류물)은 에칭 특징부의 측벽을 피복한다. 에칭 단계 및 에칭되는 재료의 형태에 따라서, 에칭 잔류물과 혼합된 포토레지스트 잔류물은 제거가 어려운 문제점을 나타내는데, 이는 에칭 잔류물과 혼합된 포토레지스 잔류물이 종종 에칭 특징부의 측벽에 강하게 결합되기 때문이다.
일반적으로, 종래기술에 있어서, 포토레지스트 및 잔류물은 습식-클린 배스(wet-clean bath)에서의 클리닝 후 O2 플라즈마에서의 플라즈마 애싱(plasma ashing)에 의해 제거된다. 종래기술의 반도체 에칭 및 금속화 처리는 도 1의 블럭도에 도시되어 있다. 반도체 에칭 및 금속화 처리(10)는 포토레지스트 도포 단계(12), 포토레지스트 노출 단계(14), 포토레지스트 현상 단계(16), 유전체 에칭 단계(18), 애싱 단계(20), 습식 클리닝 단계(22) 및 금속 증착 단계(24)를 포함한다. 포토레지스트 도포 단계(12)에 있어서, 포토레지스트는 노출된 산화물 층을 갖는 웨이퍼에 도포된다. 포토레지스트 노출 단계(14)에 있어서, 포토레지스트는 마스크에 의해 부분적으로 차단되는 빛에 노출된다.
포토레지스트가 포지티브 포토레지스트인가 또는 네가티브 포토레지스트인가에 따라서, 노출된 포토레지스트 또는 노출되지 않은 포토레지스트는 각기 포토레지스트 현상 단계(16)에서 제거되어 산화물 층상에 노출된 패턴을 남긴다. 유전체 에칭 단계(18)에 있어서, 산화물 층상의 노출된 패턴은 이 노출된 패턴을 산화물 층내로 에칭하는 RIE[반응성 이온 에칭(reactive ion etch)] 공정에서 에칭되어 에칭된 패턴을 형성하는 한면 부분적으로 포토레지스트를 에칭한다. 이러한 것은 에칭 특징부의 측벽을 피복하는 한면 포토레지스트를 경화시키는 잔류물을 생성한다. 애싱 단계(20)에 있어서, O2 플라즈마는 포토레지스트 및 잔류물을 산화 또는 부분적으로 제거시킨다. 습식 클리닝 단계(22)에 있어서, 잔류 포토레지스트 및 잔류물은 습식-클린 배스에서 클리닝된다.
금속 증착 단계(24)에 있어서, 금속층이 웨이퍼상에 증착되어 에칭 패턴을 메우며 또한 에칭되지 않은 영역을 덮는다. 이후의 처리에 있어서, 에칭되지 않은 영역을 덮는 금속중 적어도 일부는 회로를 형성하기 위해 제거된다.
1990년 7월 31일자로 니시카와 등에게 허여된 미국 특허 제 4,944,837 호는 액화된 가스 또는 초임계 가스를 사용하여 레지스트를 제거하는 종래의 방법을 개시한다. 레지스트를 갖는 기재는 압력 용기내에 탑재되며, 상기 압력 용기는 액화된 가스 또는 초임계 가스를 수용한다. 소정의 시간이 지난 후, 액화된 가스 또는 초임계 가스는 신속히 팽창되어, 레지스트를 제거한다.
상기 미국 특허 제 4,944,837 호에는 초임계 CO2가 포토레지스트용 현상액으로서 사용될 수 있음을 개시한다. 포토레지스트 층을 갖는 기재가 소정의 패턴으로 빛에 노출되며, 따라서 잠상(latent image)을 형성한다. 포토레지스트 및 잠상을 갖는 기재가 초임계 CO2 배스에 30분동안 놓인다. 그런 후 초임계 CO2가 응축되어 포토레지스트의 패턴을 남긴다. 미국 특허 제 4,944,837 호에는 0.5 중량%의 메틸 이소부틸 케톤(MIBK)이 초임계 CO2에 첨가되어, 초임계 CO2의 효율을 향상시키고, 따라서 현상 시간을 30분에서 5분으로 줄일 수 있음을 더욱 개시한다.
또한, 미국 특허 제 4,944,837 호에는 초임계 CO2 및 7 중량%의 MIBK를 사용함으로써 포토레지스트가 제거될 수 있다는 것이 개시되어 있다. 포토레지스트를 갖는 기재는 초임계 CO2 및 MIBK에 30분 내지 45분동안 놓인다. 초임계 CO2를 응축시킴으로써, 포토레지스트가 제거된다.
미국 특허 제 4,944,837 호에 개시된 방법은 여러 이유로 인해 반도체 제조 라인용으로 적절하지 않다. 포토레지스트를 기재에서 제거하기 위해 액화된 가스 또는 초임계 가스를 신속하게 팽창시키는 것은 기재를 파손시킬 수 있다. 30분 정도 소요되는 포토레지스트 현상 처리는 너무 비효율적이다. MIBK를 사용하는 포토레지스트 현상 또는 제거 처리는 바람직하지 않은데, 이는 MIBK가 유독성이며 보다 적절한 선택이 없을 경우에만 MIBK가 사용되기 때문이다.
1995년 1월 3일자로 스미스 2세 등에게 허여된 미국 특허 제 5,377,705 호는 소재로부터 오염물을 클리닝하기 위한 시스템을 개시한다. 오염물은 유기물, 미립자 및 이온성 오염물을 포함한다. 상기 시스템은 가압가능한 클리닝 용기, 액체 CO2 저장 용기, 펌프, 용매 이송 시스템, 분리기, 응축기 및 각종 밸브를 포함한다. 펌프는 CO2 가스 및 용매를 클리닝 용기로 이송시켜 CO2 가스를 초임계 CO2로 가압한다. 초임계 CO2 및 용매는 소재로부터 오염물을 제거한다. 밸브는 초임계 CO2 및 용매중 일부가 클리닝 용기로부터 취출하는 반면 펌프는 초임계 CO2 및 용매를 보충시킨다. 분리기는 초임계 CO2로부터 용매를 분리시킨다. 응축기는 CO2를 액체 CO2로 응축시켜 액체 CO2 저장 용기가 보충될 수 있다.
포토레지스트 및 잔류물을 제거하기 위해 미국 특허 제 5,377,705 호에 개시된 것과 같은 시스템의 사용은 다수의 어려움이 있다. 가압가능한 클리닝 용기는 반도체 기재를 적절히 핸들링(handling)하도록 구성되어 있지 않다. 클리닝동안 초임계 CO2 및 용매를 취출하는 것이 비효율적이다. 이러한 시스템은 반도체 제조 라인의 스루풋 요구치를 만족시키기 쉽지 않다. 이러한 시스템은 반도체 제조 라인에서 중요한 안전한 반도체 기재 핸들링에 기여하지 않는다. 이러한 시스템은 반도체 기재 처리에 대해 경제적이지 못하다.
반도체 제조 라인에 적합한 초임계 이산화탄소를 사용하여 포토레지스트를 현상하는 방법이 요구된다.
반도체 제조 라인에 적합한 초임계 이산화탄소를 사용하여 포토레지스트를 제거하는 방법이 요구된다.
반도체 기재를 핸들링하도록 구성된 초임계 처리 시스템이 요구된다.
처리 챔버내에 유체 유동을 형성하기 위해 초임계 CO2 및 용매를 처리 챔버에서 반드시 취출시키지 않아도 되는 초임계 처리 시스템이 요구된다.
반도체 제조 라인의 스루풋 요구치를 만족시키는 초임계 처리 시스템이 요구된다.
안전한 반도체 기재의 핸들링을 제공하는 초임계 처리 시스템이 요구된다.
경제적인 반도체 기재 처리를 제공하는 초임계 처리 시스템이 요구된다.
에칭 처리와 초임계 처리를 조합하는 장치가 요구된다.
증착 처리와 초임계 처리를 조합하는 장치가 요구된다.
초임계 처리와 비초임계 처리를 조합하는 장치가 요구된다.
발명의 요약
본 발명은 소재의 초임계 처리 및 비초임계 처리를 위한 장치에 관한 것이다. 본 장치는 이송 모듈, 초임계 처리 모듈, 비초임계 처리 모듈 및 로봇을 포함한다. 이송 모듈은 입구를 갖는다. 초임계 처리 모듈 및 비초임계 처리 모듈은 이송 모듈에 연결된다. 로봇은 이송 모듈내에 바람직하게 위치된다. 작동시, 로봇은 소재를 이송 모듈의 입구에서 초임계 처리 모듈로 이송시킨다. 초임계 처리 후, 로봇은 소재를 초임계 처리 모듈에서 비초임계 처리 모듈로 이송시킨다. 비초임계 처리 후, 로봇은 소재를 이송 모듈의 입구로 복귀시킨다. 변형 실시예에서, 비초임계 처리는 초임계 처리전에 실시된다.
도 1은 종래 기술의 반도체 에칭 및 금속화 처리를 위한 처리 플로우의 블럭도,
도 2는 본 발명의 반도체 에칭 및 금속화 처리를 위한 처리 플로우의 블럭도,
도 3은 본 발명의 초임계 제거 처리의 블럭도,
도 4는 본 발명의 바람직한 반도체 처리 시스템을 도시하는 도면,
도 5는 본 발명의 바람직한 반도체 처리 모듈을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 제 1 변형 실시예의 반도체 처리 시스템을 도시하는 도면,
도 7은 본 발명의 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템을 도시하는 도면,
도 8은 본 발명의 제 3 변형 실시예의 반도체 처리 시스템을 도시하는 도면,
도 9는 본 발명의 제 8 변형 실시예의 반도체 처리 시스템을 도시하는 도면.
본 발명의 반도체 에칭 및 금속화 처리가 도 2에 블럭도로서 도시되어 있다. 반도체 에칭 및 금속화 처리(30)는 포토레지스트 도포 단계(32), 포토레지스트 노출 단계(34), 포토레지스트 현상 단계(36), 유전체 에칭 단계(38), 초임계 제거 처리(40) 및 금속 증착 단계(42)를 포함한다. 포토레지스트 도포 단계(32)에 있어서, 포토레지스트는 노출된 산화물 층을 갖는 웨이퍼에 도포된다. 포토레지스트 노출 단계(34)에 있어서, 포토레지스트는 마스크에 의해 부분적으로 차단되는 빛에 노출된다.
포토레지스트가 포지티브 포토레지스트인가 또는 네가티브 포토레지스트인가에 따라서, 노출된 포토레지스트 또는 노출되지 않은 포토레지스트는 각기 포토레지스트 현상 단계(36)에서 제거되어 산화물 층에 노출된 패턴을 남긴다. 유전체 에칭 단계(38)에 있어서, 산화물 층상의 노출된 패턴은 바람직하게 이 노출된 패턴을 산화물 층에 에칭하는 한면 포토레지스트를 부분적으로 에칭하는 RIE[반응성 이온 에칭(reactive ion etch)] 공정에서 에칭된다. 이러한 것은 에칭 특징부의 측벽을 피복하는 한면 포토레지스트를 경화시키는 잔류물을 형성한다.
초임계 제거 처리(40)에 있어서, 초임계 이산화탄소 및 용매는 포토레지스트 및 잔류물을 제거하도록 사용된다. 금속 증착 단계(42)에 있어서, 금속층이 웨이퍼상에 증착되어 에칭 패턴을 메우며 또한 에칭되지 않은 영역을 덮는다. 이후의 처리에 있어서, 에칭되지 않은 영역을 덮는 금속중 적어도 일부는 회로를 형성하기 위해 제거된다.
본 발명의 초임계 제거 처리(40)가 도 3에 블럭도로서 도시되어 있다. 초임계 제거 처리(40)는 웨이퍼상에 포토레지스트 및 잔류물을 갖는 웨이퍼를 압력 챔버내에 위치시키고 상기 압력 챔버를 제 1 처리 단계(52)에서 밀봉함으로써 개시된다. 제 2 처리 단계(54)에 있어서, 이산화탄소가 초임계 이산화탄소(SCCO2)로 될 때까지 압력 챔버는 이산화탄소에 의해 가압된다. 제 3 처리 단계(56)에 있어서, 초임계 이산화탄소는 용매를 처리 챔버로 이송시킨다. 제 4 처리 단계(58)에 있어서, 포토레지스트 및 잔류물이 웨이퍼로부터 제거될 때까지 초임계 이산화탄소 및 용매는 웨이퍼와 접촉한 상태로 유지된다. 제 4 처리 단계(58)에 있어서, 용매는 포토레지스트 및 잔류물을 적어도 부분적으로 용해시킨다. 제 5 처리 단계(60)에 있어서, 압력 챔버는 부분적으로 배기된다. 제 6 처리 단계(62)에 있어서, 웨이퍼는 린싱된다. 제 7 처리 단계(64)에 있어서, 초임계 제거 단계(40)는 압력 챔버를 감압하고 웨이퍼를 제거함으로써 종료된다.
유전체 에칭 단계(38), 초임계 제거 처리(40) 및 금속 증착 단계(42)는 본 발명의 바람직한 반도체 처리 시스템에 의해 반도체 제조 라인에서 바람직하게 실행되며, 이는 도 4에 도시되어 있다. 바람직한 반도체 처리 시스템(70)은 이송 모듈(72), 에칭 모듈(74), 초임계 처리 모듈(76), 대기실(77), 대기실 로봇(79), 증착 모듈(78), 이송 모듈 로봇(80) 및 제어 전자기기(82)를 포함한다. 이송 모듈(72)은 제 1 내지 제 3 처리 포트(84 내지 86) 및 이송 모듈 입구(90)를 포함한다. 이송 모듈 입구(90)는 제 1 핸드-오프 스테이션(92) 및 제 2 핸드-오프 스테이션(94), 그리고 제 1 입구(96) 및 제 2 입구(98)를 포함한다.
에칭 모듈(74), 대기실(77)을 통한 초임계 처리 모듈(76) 및 증착 모듈(78)은 각기 제 1 내지 제 3 처리 포트(84 내지 86)를 통해 이송 모듈(72)에 바람직하게 연결된다. 바람직하게는, 이송 모듈 로봇(80)은 이송 모듈(72)의 중심에서 이송 모듈(72)에 연결된다. 제 1 및 제 2 핸드-오프 스테이션(92, 94)은 각기 제 1 및 제 2 입구(96, 98)를 통해 이송 모듈에 연결된다. 바람직하게는, 제 1 및 제 2 핸드-오프 스테이션(92, 94)은 각기 제 1 및 제 2 로드록을 포함한다. 제어 전자기기(82)는 이송 모듈(72)에 연결된다.
바람직하게는, 이송 모듈(72)은 낮은 진공 내지 높은 진공에서 작동한다. 바람직하게는, 에칭 모듈(74)은 RIE(반응성 이온 에칭) 모듈이다. RIE 모듈은 높은 진공에서 작동하는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 증착 모듈(78)은 PVD(물리적 증착) 모듈이다. PVD 모듈은 매우 높은 진공 또는 초고 진공에서 작동하는 것이 바람직하다.
당업자는 RIE 모듈이 플라즈마 에칭 모듈과 같은 다른 에칭 모듈로 대체될 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 또한, 당업자는 PVD 모듈이 CVD(화학적 증착) 모듈과 같은 다른 증착 모듈로 대체될 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 또한, 당업자는 바람직한 반도체 처리 시스템(70)이 에칭 모듈(74) 및 초임계 처리 모듈(76)로 구성될 수 있거나, 또는 초임계 처리 모듈(76) 및 증착 모듈(78)로 구성될 수 있음을 쉽게 알 수 있다.
이송 모듈 로봇(80)은 로봇 베이스(100), 로봇 아암(102) 및 앤드 이펙터(end effector)(104)를 포함하는 것이 바람직하다. 로봇 베이스는 이송 모듈(72)에 연결된다. 로봇 아암(102)은 앤드 이펙터(104)를 로봇 베이스(100)에 연결하는 2개의 로봇 아암인 것이 바람직하다. 앤드 이펙터(104)는 소재를 파지하도록 위치되게 구성된다. 바람직하게, 앤드 이펙터(104)는 웨이퍼를 파지하도록 위치되게 구성된다. 변형 실시예에서, 앤드 이펙터(104)는 퍽(puck) 또는 다른 기재를 파지하도록 위치되게 구성된다. 변형 실시예에서, 이중 아암 로봇이 이송 모듈 로봇(80)을 대체하며, 여기서 이중 아암 로봇은 2개의 아암 및 2개의 앤드 이펙터를 포함한다.
초임계 처리 모듈(76)은 제 1 게이트 밸브(106)를 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 게이트 밸브(106)는 소재 캐비티(cavity)(112)를 대기실(77)에 연결시킨다. 대기실(77)은 제 2 게이트 밸브(108)를 포함하는 것이 바람직하다. 제 2 게이트 밸브(108)는 대기실(77)을 이송 모듈(72)에 연결시킨다.
바람직하게는, 작동시 이송 모듈 로봇(80)은 소재(118)를 제 1 핸드-오프 스테이션(92)으로부터 유전체 에칭 단계(38)가 실시되는 에칭 모듈(74)로 이송시킨다. 그 후, 이송 모듈 로봇(80)은 웨이퍼(118)를 에칭 모듈(74)로부터 초임계 처리 모듈(76)의 대기실(77)로 이송시킨다. 그런 후, 제 2 게이트 밸브(108)가 폐쇄되고 대기실(77)이 이산화탄소로 가압되는 것이 바람직하다. 그 후, 대기실 로봇(79)은 소재(118)를 대기실(77)로부터 초임계 처리 모듈(76)로 이송시키며, 상기 모듈에서 초임계 제거 처리(40)가 실시된다. 그 후, 소재는 대기실 로봇(79)에 의해 초임계 처리 모듈(76)로부터 대기실(77)로 제거된다. 그 후, 대기실은 진공 펌프(도시되지 않음)에 의해 배기된다. 바람직하게, 진공 펌프는 터보-펌프를 포함하는 것이 바람직하다. 그런 후, 제 2 게이트 밸브(108)가 개방되고 이송 모듈 로봇(80)은 소재(118)를 초임계 처리 모듈(76)로부터 증착 모듈(78)로 이송시키며, 상기 증착 모듈에서 금속 증착 단계(42)가 실행된다. 그 후, 이송 모듈 로봇(80)은 소재(118)를 금속 증착 모듈(78)로부터 제 2 핸드-오프 스테이션(94)으로 이송시킨다.
바람직하게는 소재(118)는 웨이퍼이다. 바람직하게는, 웨이퍼는 이송 모듈 로봇(80)이 웨이퍼를 에칭 모듈(74)로 이동시키기 전에 제 1 핸드-오프 스테이션(92)에서 다른 웨이퍼와 함께 제 1 카세트내에 있다. 당업자는 나머지 웨이퍼중 일부는 상기 웨이퍼와 동시에 처리될 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼가 증착 모듈(78)내에 있는 동안, 제 2 웨이퍼는 초임계 처리 모듈(76)내에 있을 수 있으며, 제 3 웨이퍼는 에칭 모듈(74)내에 있을 수 있다.
바람직하게는, 웨이퍼는 금속 증착 단계 후 이송 모듈 로봇(80)에 의해 제 2 핸드-오프 스테이션(94)의 제 2 카세트내에 위치된다. 변형 실시예에서, 웨이퍼는 나머지 웨이퍼와 함께 제 1 핸드-오프 스테이션(92)의 제 1 카세트에서 개시 및 종료하는 반면 웨이퍼의 제 2 그룹은 제 2 핸드-오프 스테이션(94)의 제 2 카세트에서 개시 및 종료한다.
당업자는 제 2 핸드-오프 스테이션(94)이 제거될 수 있거나 또는 추가적인 핸드-오프 스테이션이 바람직한 반도체 처리 시스템(70)에 부가될 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 또한, 당업자는 이송 모듈 로봇(80)이 소재(118)를 이송시키도록 구성된 이송 장치로 대체될 수 있음을 쉽게 알 수 있다. 또한, 당업자는 제 1 및 제 2 카세트가 전방 개방식 일체화된 포드(pods)일 수 있으며 상기 포드는 표준 기계적 계면 개념을 사용하여 웨이퍼가 주위 환경과 분리된 청정 환경에 유지될 수 있다.
본 발명의 초임계 처리 모듈(76)이 도 5에 도시되어 있다. 초임계 처리 모듈(76)은 이산화탄소 공급 용기(132), 이산화탄소 펌프(134), 압력 챔버(136), 화학제품 공급 용기(138), 순환 펌프(140) 및 배기 가스 수집 용기(144)를 포함한다. 이산화탄소 공급 용기(132)는 이산화탄소 펌프(134) 및 이산화탄소 배관(146)을 통해 압력 챔버(136)에 연결된다. 이산화탄소 배관(146)은 이산화탄소 펌프(134)와 압력 챔버(136) 사이에 위치된 이산화탄소 가열기(148)를 포함한다. 압력 챔버(136)는 압력 챔버 가열기(150)를 포함한다. 순환 펌프(140)는 순환 라인(152)상에 위치되고, 상기 순환 라인은 순환 입구(154) 및 순환 출구(156)에서 압력 챔버(136)에 연결된다. 화학제품 공급 용기(138)는 제 1 주입 펌프(159)를 포함하는 화학제품 공급 라인(158)을 통해 순환 라인(152)에 연결된다. 린스제 공급 용기(160)는 제 2 주입 펌프(163)를 포함하는 린스 공급 라인(162)을 통해 순환 라인(152)에 연결된다. 배기 가스 수집 용기(144)는 배기 가스 배관(164)을 통해 압력 챔버(136)에 연결된다.
이산화탄소 공급 용기(132), 이산화탄소 펌프(134) 및 이산화탄소 가열기(148)는 이산화탄소 공급 장치(149)를 형성한다. 화학제품 공급 용기(138), 제 1 주입 펌프(159), 린스제 공급 용기(160) 및 제 2 주입 펌프(163)는 화학제품 및 린스제 공급 장치(165)를 형성한다.
당업자는 초임계 처리 모듈(76)이 밸브 장치, 제어 전자기기, 필터 및 전형적인 초임계 유체 처리 시스템인 다용도 후크업(hookups)을 포함할 수 있음을 쉽게 알 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 초임계 제거 방법(40)의 실행은 제 1 처리 단계(52)에 의해 개시되고, 여기서 포토레지스트 또는 잔류물(또는 포토레지스트와 잔류물 양자)을 갖는 웨이퍼는 대기실 로봇(79)에 의해 압력 챔버(136)의 웨이퍼 캐비티(112)내에 삽입되고, 그런 후 압력 챔버(136)는 게이트 밸브(106)를 폐쇄시킴으로써 밀봉된다. 제 2 처리 단계(54)에 있어서, 압력 챔버(136)는 이산화탄소 펌프(134)에 의해 이산화탄소 공급 용기(132)로부터의 이산화탄소로 가압된다. 제 2 단계(54) 동안, 이산화탄소는 이산화탄소 가열기(148)에 의해 가열되는 한면 압력 챔버(136)는 압력 챔버 가열기(150)에 의해 가열되어 압력 챔버(136)내의 이산화탄소의 온도가 임계 온도 이상으로 되는 것을 보장한다. 이산화탄소를 위한 임계 온도는 31℃이다. 바람직하게는, 압력 챔버(136)내의 이산화탄소의 온도는 45℃ 내지 75℃ 범위내에 있다. 변형 실시예에 있어서, 압력 챔버(136)내의 이산화탄소의 온도는 31℃ 내지 약 100℃의 범위내에 유지된다.
초기의 초임계 조건에 도달하면, 제 1 주입 펌프(159)는 용매를 화학제품 공급 용기(138)로부터 순환 라인(152)을 통해 압력 챔버(136)로 펌핑하는 한면, 이산화탄소 펌프는 제 3 처리 단계(56)에서 초임계 이산화탄소를 더욱 가압한다. 용매 주입의 개시시, 압력 챔버(136)내의 압력은 약 1,100 psi 내지 1,200 psi(7.58 MPa 내지 8.27 MPa)인 것이 바람직하다. 소정량의 용매가 압력 챔버(136)내로 펌핑되어 소망의 초임계 조건에 도달하면, 이산화탄소 펌프(134)는 압력 챔버(136)를 가압하는 것을 중단하고, 제 1 주입 펌프(159)는 용매를 압력 챔버(136)내로 펌핑하는 것을 중단하며, 제 4 처리 단계(58)에서 순환 펌프(140)는 초임계 이산화탄소 및 용매를 순환시키는 것을 개시한다. 바람직하게, 상기 시점에서의 압력은 약 2,700 psi 내지 2,800 psi(18.62 MPa 내지 19.31 MPa)이다. 초임계 이산화탄소 및 용매를 순환시킴으로써, 초임계 이산화탄소는 용매가 웨이퍼와 접촉하는 것을 유지시킨다. 또한, 초임계 이산화탄소 및 용매를 순환시킴으로써, 유체 유동은 포토레지스트 및 잔류물을 웨이퍼로부터 제거하는 것을 향상시킨다.
바람직하게, 제 4 처리 단계(58) 동안 웨이퍼는 압력 챔버(136)내에 정지된채 유지된다. 변형 실시예에서, 제 4 처리 단계(58) 동안 웨이퍼는 압력 챔버(136)내에서 회전된다.
포토레지스트 및 잔류물이 웨이퍼로부터 제거된 후, 압력 챔버(136)내의 조건을 제 5 처리 단계(60)시의 초기 초임계 조건에 가깝게 복귀시키기 위해 압력 챔버(136)는 초임계 이산화탄소, 용매, 제거된 포토레지스트 및 제거된 잔류물중 일부를 배기 가스 수집 용기(144)로 배출시킴으로써 부분적으로 감압된다. 바람직하게는, 압력 챔버(136)내의 압력은 압력을 증가시킴으로써 상기 시점에서 적어도 한번 순환되며 그 후 압력 챔버(136)를 부분적으로 다시 배기시킨다. 이러한 것은 압력 챔버(136)내의 청결도를 향상시킨다. 제 5 처리 단계(60)에 있어서, 압력 챔버는 임계 온도 이상 및 임계 압력 이상으로 유지되는 것이 바람직하다. 이산화탄소에 대한 임계 압력은 1,070 psi(7.38 MPa)이다.
제 6 처리 단계(62)에 있어서, 제 2 주입 펌프(163)는 린스제를 린스제 공급 용기(160)로부터 순환 라인을 통해 압력 챔버(136)내로 펌핑하는 반면, 이산화탄소 펌프(134)는 압력 챔버(136)를 소망의 초임계 조건에 가깝게 가압하고, 그런 후 웨이퍼를 린싱하기 위해 순환 펌프(140)는 초임계 이산화탄소 및 린스제를 순환시킨다. 바람직하게는, 린스제는 물, 알콜, 아세톤 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹에서 선택된다. 보다 바람직하게는, 린스제는 알콜과 물의 혼합물이다. 바람직하게는, 알콜은 이소프로필 알콜, 에탄올 및 다른 저분자량 알콜로 이루어진 그룹에서 선택된다. 더욱 바람직하게는, 알콜은 이소프로필 알콜 및 에탄올로 이루어진 그룹에서 선택된다. 가장 바람직하게는, 알콜은 에탄올이다.
바람직하게는, 제 6 처리 단계(62) 동안 웨이퍼는 압력 챔버(136)내에 정지 상태로 유지된다. 변형 실시예에서, 제 6 처리 단계(62) 동안 웨이퍼는 압력 챔버(136)내에서 회전한다.
제 7 처리 단계(64)에 있어서, 압력 챔버(136)는 압력 챔버(136)를 배기 가스 수집 용기(144)에 배기시킴으로써 감압되고, 게이트 밸브(106)가 개방되며, 웨이퍼는 대기실 로봇(77)에 의해 압력 챔버(136)로부터 제거된다.
본 발명의 변형 실시예의 초임계 제거 처리는 하기의 특허, 즉 2000년 10월 25일자로 출원된 미국 특허 출원 제 09/697,227 호(또한 2000년 11월 1일자로 제 PCT/US00/30218 호로 국제 출원되었으며, 2001년 5월 10일자로 제 WO 01/33613 호로 공개됨), 1998년 5월 27일자로 출원된 미국 특허 출원 제 09/085,391 호(2001년 10월 23일자로 미국 특허 제 6,306,564 호로 특허 허여됨), 및 1997년 5월 27일자로 출원된 미국 가 특허 출원 제 60/047,739 호(상기 출원은 미국 특허 제 6,306,564 호에 대해 우선권을 제공함)에 개시되어 있으며, 이들 모두는 본원에 참조로서 인용된다.
본 발명의 제 1 변형 실시예의 반도체 처리 시스템이 도 6에 도시되어 있다. 제 1 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(170)은 대기실(77) 및 대기실 로봇(79)을 바람직한 반도체 처리 시스템(70)으로부터 제거한다. 제 1 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(170)에 있어서, 초임계 처리 모듈(76)은 제 2 처리 포트(85)에 직접 연결되는 것이 바람직하고, 진공 펌프는 초임계 처리 모듈(76)에 연결되는 것이 바람직하다. 따라서, 제 1 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(170)에 있어서, 초임계 처리 모듈(76)은 진공 조건과 초임계 조건 사이에서 작동한다.
본 발명의 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템이 도 7에 도시되어 있다. 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(220)은 제 3 핸드-오프 스테이션(222), 제 2 이송 모듈(224), 제 2 이송 모듈 로봇(226)을 바람직한 반도체 처리 시스템(70)에 부가시킨다. 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(220)에 있어서, 제 3 핸드-오프 스테이션(222)은 이송 모듈(72)을 제 2 이송 모듈(224)에 연결시킨다. 제 2 이송 모듈 로봇(226)은 제 2 이송 모듈(224)내에 존재하는 것이 바람직하다. 에칭 모듈(74) 및 증착 모듈(78)은 이송 모듈(72)에 연결되는 것이 바람직하며, 초임계 처리 모듈(76)은 제 2 이송 모듈(224)에 연결되는 것이 바람직하다. 따라서, 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(220)이 초임계 처리 모듈(76)을 진공에서 작동하는 에칭 및 증착 모듈(74, 78)로부터 분리시키는 것이 바람직하다. 이러한 방법에 있어서, 처리 청결도는 향상된다. 선택적으로, 제 2 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(220)에 있어서, 제 4 핸드-오프 스테이션은 이송 모듈(72)과 제 2 이송 모듈(224) 사이에 부가된다.
본 발명의 제 3 변형 실시예의 반도체 처리 시스템이 도 8에 도시되어 있다. 제 3 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(200)은 이송 모듈(72), 초임계 처리 모듈(76), 이송 모듈 로봇(80) 및 비초임계 처리 모듈(202)을 포함한다. 비초임계 처리 모듈은 반도체 처리 모듈인 것이 바람직하다. 반도체 처리 모듈은 에칭 모듈, 물리적 증착 모듈, 화학적 증착 모듈, 전기 도금 모듈, 화학적 기계적 평탄화 모듈, 사진 석판술 모듈, 애싱 모듈, 스크러빙 모듈(scrubbing module) 및 다른 반도체 처리 모듈로 이루어진 그룹에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 4 변형 실시예의 반도체 처리 시스템에 있어서, 바람직한 반도체 처리 시스템(70)의 이송 모듈(72)은 진공에서 작동되지 않으며, 제 1 및 제 2 핸드-오프 스테이션(92, 94)은 로드록이 아닌 것이 바람직하다. 차라리, 이송 모듈(72)은 대기압 또는 주위 환경에 대해 약간의 포지티브 압력에서 작동하며 상기 약간의 포지티브 압력은 불활성 가스 주입 장치에 의해 발생된다. 불활성 가스 주입 장치는 Ar, CO2, 또는 N2와 같은 불활성 가스를 이송 모듈(72)내에 주입시킨다. 이러한 것은 이송 모듈이 진공에서 작동되지 않을 경우 이송 모듈(72)내에 보다 청정한 처리 환경을 보장한다.
본 발명의 제 5 변형 실시예의 반도체 처리 시스템은 제 4 변형 실시예의 반도체 처리 시스템의 이송 모듈(72)을 제거한다. 제 5 변형 실시예의 반도체 처리 시스템에 있어서, 이송 모듈 로봇(80)은 이송 모듈(72)에 의해 제공되는 폐쇄 효과로 인한 이득없이 소재를 제 1 및 제 2 핸드-오프 스테이션(92, 94)과 에칭 모듈(74), 초임계 처리 모듈(76)과 증착 모듈(78) 사이에서 이동시키도록 구성된 간단한 로봇이다.
본 발명의 제 6 변형 실시예의 반도체 처리 시스템은 바람직한 반도체 처리 시스템(70)에 검사 스테이션을 부가한다. 제 6 변형 실시예의 반도체 처리 시스템에 있어서, 소재(118)는 증착 모듈(78)로 이송되기 전에 검사 스테이션으로 이송된다. 검사 스테이션에서, 소재(118)를 검사함으로써 포토레지스트 및 잔류물이 소재로부터 제거되었음을 보장한다. 바람직하게, 검사 스테이션은 소재를 검사하기 위해 분광기를 사용한다. 선택적으로, 검사 스테이션은 초임계 처리 모듈(76)내에 결합될 수 있다.
제 6 변형 실시예의 반도체 처리 시스템의 작동에 있어서, 만일 포토레지스 트가 에칭 완료되었으며 잔류물이 증착되지 않았음을 예측하는 경우 소재(118)는 에칭 모듈(74)로부터 직접 검사 스테이션으로 이송된다. 따라서, 검사 스테이션에서 어떠한 포토레지스트도 남아있지 않으며 어떠한 잔류물도 발견되지 않는다면, 초임계 제거 처리(40)는 생략된다.
본 발명의 제 7 변형 실시예의 반도체 처리 시스템은 바람직한 반도체 처리 시스템(70)에 사전 준비 로봇(front-end robot)을 부가시킨다. 제 7 변형 실시예의 반도체 처리 시스템에 있어서, 사전 준비 로봇은 이송 모듈(72)에 대한 입구의 외측에 존재하며 제 1 및 제 2 카세트는 제 1 및 제 2 핸드-오프 스테이션(92, 94)와 이격되게 위치된다. 사전 준비 로봇은 웨이퍼를 제 1 카세트에서 제 1 핸드-오프 스테이션(92)으로 이동시키도록 구성되는 것이 바람직하며, 또한 웨이퍼를 제 2 핸드-오프 스테이션(94)에서 제 2 카세트로 이동시키도록 구성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 8 변형 실시예의 반도체 처리 시스템이 도 9에 도시되어 있다. 제 8 변형 실시예의 반도체 처리 시스템(210)은 다른 이송 모듈(212)과 로봇 트랙(214)을 포함한다.
본 발명의 제 9 변형 실시예의 반도체 처리 시스템은 바람직한 반도체 처리 시스템(70)에 웨이퍼 배향 장치를 부가시킨다. 웨이퍼 배향 장치는 플랫(flat), 노치(notch) 또는 다른 배향 지시기에 따라 웨이퍼를 배향시킨다. 바람직하게는, 웨이퍼는 제 1 핸드-오프 스테이션(92)에 배향된다. 변형 실시예에 있어서, 웨이퍼는 제 2 핸드-오프 스테이션(94)에 배향된다.
본 발명의 제 1 변형 실시예의 초임계 처리 모듈은 압력 챔버(136)와 게이트 밸브(106)를 다른 압력 챔버로 대체한다. 다른 압력 챔버는 챔버 하우징과 유압 구동식 웨이퍼 플래튼(platen)을 포함한다. 챔버 하우징은 바닥에서 개방되는 원통형 캐비티를 포함한다. 유압 구동식 웨이퍼 플래튼은 원통형 캐비티의 외측을 하우징하는 챔버를 밀봉하도록 구성된다. 작동시, 웨이퍼는 유압 구동식 웨이퍼 플래튼상에 위치된다. 그런 후, 유압 구동식 웨이퍼 플래튼은 상방으로 이동하여 챔버 하우징과 밀봉된다. 웨이퍼가 처리되면, 유압 구동식 웨이퍼 플래튼은 하강되고 웨이퍼는 취출된다.
본 발명의 제 2 변형 실시예의 초임계 처리 모듈은 웨이퍼 캐비티(112)에 도입하기 위한 순환 라인(152)용 변형 입구를 웨이퍼 캐비티(112)의 원주에 위치시키고 변형 출구를 웨이퍼 캐비티(112)의 상부 중앙에 위치시킨다. 변형 입구는 초임계 이산화탄소를 웨이퍼 캐비티(112)에 의해 형성된 평면에 주입시키도록 바람직하게 구성된다. 바람직하게, 변형 입구는 웨이퍼 캐비티(112)의 잔류물에 대해 경사져 작동시 변형 입구 및 변형 출구는 웨이퍼 캐비티(112)내에 와류를 형성한다.
당업자는 첨부된 특허청구범위에 의해 규정된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나는 일 없이 각종 다른 변형이 바람직한 실시예에 실시될 수 있음을 쉽게 알 수 있다.

Claims (63)

  1. 소재(workpiece)를 초임계 처리하기 위한 장치에 있어서,
    ⓐ 입구를 갖는 이송 모듈(72)과,
    ⓑ 처리 동안에 상기 소재를 유지하기 위한 일정한 부피를 갖는 웨이퍼 캐비티(cavity)를 구비하고, 상기 웨이퍼 캐비티내의 압력을 주기적으로 변화시키도록 구성된 제 1 초임계 처리 모듈(76)과,
    ⓒ 상기 제 1 초임계 처리 모듈인 단일의 처리 모듈에 상기 이송 모듈을 연결하고, 1,000psi(6.89MPa) 이상의 압력을 견디도록 구성된 대기실(antechamber)과,
    ⓓ 상기 대기실을 상기 제 1 초임계 처리 모듈에 연결하는 제 1 게이트 밸브와,
    ⓔ 상기 이송 모듈에 연결되고, 제 2 초임계 처리 모듈, 진공 처리 모듈 및 대기압 처리 모듈중 하나인 제 2 처리 모듈(74, 78, 202)과,
    ⓕ 상기 이송 모듈에 연결되고, 상기 이송 모듈과 상기 대기실 사이에서 상기 소재를 이동시키도록 구성된 제 1 이송 장치와,
    ⓖ 상기 대기실에 연결되고, 상기 대기실과 상기 제 1 초임계 처리 모듈 사이에서 상기 소재를 이동시키도록 구성된 제 2 이송 장치를 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
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  26. 그 표면상에 잔류물을 갖는 제 1 소재(118)를 초임계 처리하는 방법에 있어서,
    ⓐ 상기 제 1 소재를 이송 모듈(72)의 입구(92, 94)로부터 상기 이송 모듈내로 이송하는 단계와,
    ⓑ 상기 제 1 소재를 청정 환경에 유지하면서 상기 제 1 소재를 소재 캐비티를 갖는 초임계 처리 모듈(76)로 이송하는 단계로서,
    ① 상기 제 1 소재를 상기 이송 모듈로부터 대기실로 이송하는 단계와,
    ② 상기 대기실을 1,000psi(6.89MPa) 이상의 압력으로 가압하는 단계와,
    ③ 상기 제 1 소재를 상기 대기실로부터 상기 소재 캐비티로 이송하는 단계를 포함하는, 상기 제 1 소재를 상기 초임계 처리 모듈로 이송하는 단계와,
    ⓒ 상기 잔류물의 적어도 일부가 상기 제 1 소재의 표면으로부터 제거될 때까지 초임계 환경의 상기 소재 캐비티내에서 상기 제 1 소재를 처리하는 단계로서, 상기 소재 캐비티가 처리 동안에 거의 일정한 부피를 유지하는, 상기 제 1 소재의 처리 단계와,
    ⓓ 상기 제 1 소재를 청정 환경에 유지하면서 상기 제 1 소재를 비초임계(non-supercritical) 처리 모듈(74, 78, 202)로 이송하는 단계와,
    ⓔ 상기 제 1 소재를 상기 비초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계와,
    ⓕ 상기 제 1 소재를 상기 이송 모듈의 입구로 복귀시키는 단계를 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 이송 모듈의 상기 입구는 핸드-오프 스테이션(hand-off station)(92)을 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 이송 모듈의 상기 입구는 추가적인 핸드-오프 스테이션(94)을 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 처리 모듈은 에칭 모듈, 전자 도금 모듈, 화학적 기계적 평탄화 모듈, 사진 석판술(photolithography) 모듈, 증착 모듈, 및 이들 조합중 하나인
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  32. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 초임계 처리 모듈에 연결되고, 상기 제 1 초임계 처리 모듈내로 물질을 가압하도록 구성된 가압 장치(pressurizer)를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 가압 장치는,
    ⓐ CO2 공급 용기와,
    ⓑ 상기 CO2 공급 용기를 상기 제 1 초임계 처리 모듈에 연결하는 펌프를 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  34. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 모듈은 상기 이송 모듈내에 진공을 형성하기 위한 수단을 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 이송 모듈은 주위 환경에 대해 약간의 정압으로 되도록 상기 이송 모듈내의 압력을 유지시키기 위한 수단을 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 이송 모듈 내부를 약간의 정압으로 유지시키기 위한 수단은 불활성 가스 주입 장치를 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  37. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 이송 모듈은 제 1 로봇을 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    제 2 이송 모듈은 제 2 로봇을 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  39. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 초임계 처리 모듈은,
    ⓐ 상기 웨이퍼 캐비티의 원주부를 따라 위치되고, 상기 웨이퍼 캐비티내로 초임계 물질을 주입하도록 구성된 다수의 입구와,
    ⓑ 상기 웨이퍼 캐비티의 상부 중앙을 따라 위치되고, 상기 웨이퍼 캐비티로부터 상기 초임계 물질을 배출하도록 구성된
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  40. 제 31 항에 있어서,
    상기 증착 모듈은 물리적 증착 모듈, 화학적 증착 모듈 및 이들 조합중 하나인
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  41. 제 1 항에 있어서,
    상기 대기실은 하나의 소재만을 수용하는 크기를 갖는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  42. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 모듈을 상기 대기실에 연결하는 제 2 게이트 밸브를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 제 1 게이트 밸브 및 상기 제 2 게이트 밸브는 모두 1,000psi(6.89MPa) 이상의 압력을 견디도록 구성된
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  44. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 초임계 처리 모듈은 8인치보다 큰 직경을 갖는 웨이퍼를 수용하는 크기를 갖는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  45. 소재를 초임계 처리하기 위한 장치에 있어서,
    ⓐ 이송 모듈과,
    ⓑ 처리 동안에 상기 소재를 유지하기 위한 웨이퍼 캐비티를 구비하는 제 1 초임계 처리 모듈로서, 상기 웨이퍼 캐비티는 캐비티 벽에 의해 규정되고, 상기 캐비티 벽은 처리 동안에 실질적으로 강성을 유지하는, 상기 제 1 초임계 처리 모듈과,
    ⓒ 상기 제 1 초임계 처리 모듈인 단일의 처리 모듈에 상기 이송 모듈을 연결하고, 1,000psi(6.89MPa) 이상의 압력을 견디도록 구성된 대기실과,
    ⓓ 상기 이송 모듈에 연결되고, 제 2 초임계 처리 모듈, 진공 처리 모듈 및 대기압 처리 모듈중 하나인 제 2 처리 모듈과,
    ⓔ 상기 이송 모듈에 연결되고, 상기 이송 모듈과 상기 대기실 사이에서 상기 소재를 이동시키도록 구성된 제 1 이송 장치와,
    ⓕ 상기 대기실에 연결되고, 상기 대기실과 상기 제 1 초임계 처리 모듈 사이에서 상기 소재를 이동시키도록 구성된 제 2 이송 장치를 포함하는
    소재를 초임계 처리하기 위한 장치.
  46. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 1 소재를 상기 초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계는,
    ⓐ 처리 물질을 상기 초임계 처리 모듈내로 도입하는 단계와,
    ⓑ 상기 초임계 처리 모듈내의 상기 처리 물질을 초임계 상태로 조정하는 단계를 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  47. 제 46 항에 있어서,
    상기 처리 물질은 이산화탄소인
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  48. 제 26 항에 있어서,
    상기 이송 모듈 내부를 약간의 정압으로 유지하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  49. 제 26 항에 있어서,
    상기 이송 모듈 내부를 대략 대기압과 동일한 압력으로 유지하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  50. 제 48 항에 있어서,
    상기 약간의 정압으로 유지하는 단계는 불활성 가스를 상기 이송 모듈내로 주입하는 단계를 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  51. 제 50 항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 본질적으로 Ar, CO2 및 N2로 구성되는 그룹으로부터 선택되는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  52. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 1 소재를 상기 비초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계는, 검사 단계, 정렬 단계, 에칭 단계, 물리적 증착 단계, 화학적 증착 단계, 전기 도금 단계, 화학적 기계적 평탄화 단계, 사진 석판화 단계, 애싱 단계, 스크러빙(scrubbing) 단계중 하나를 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  53. 제 46 항에 있어서,
    상기 제 1 소재를 상기 초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계는,
    ⓐ 상기 초임계 처리 모듈내에 초임계 상태를 발생시키는 단계와,
    ⓑ 용매를 상기 초임계 처리 모듈내로 주입하는 단계와,
    ⓒ 상기 처리 물질 및 용매를 상기 초임계 처리 모듈내에서 순환시키는 단계와,
    ⓓ 상기 처리 물질 및 용매중 일부를 상기 초임계 처리 모듈로부터 배기하는 단계를 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  54. 제 53 항에 있어서,
    상기 제 1 소재를 상기 초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계 동안에 상기 제 1 소재를 고정 상태로 유지하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  55. 제 53 항에 있어서,
    상기 제 1 소재를 상기 초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계 동안에 상기 제 1 소재를 회전시키는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  56. 제 53 항에 있어서,
    ⓐ 상기 초임계 처리 모듈내의 압력을 조정하는 단계와,
    ⓑ 상기 처리 물질 및 용매를 상기 초임계 처리 모듈로부터 배기하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  57. 제 53 항에 있어서,
    ⓐ 린스제를 상기 초임계 처리 모듈내로 도입하는 단계와,
    ⓑ 상기 처리 물질을 상기 초임계 처리 모듈내로 도입하는 단계와,
    ⓒ 상기 처리 물질 및 상기 린스제를 상기 초임계 처리 모듈내에서 순환시키는 단계와,
    ⓓ 상기 처리 물질 및 상기 린스제를 상기 초임계 처리 모듈로부터 배기하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  58. 제 57 항에 있어서,
    상기 린스제는 본질적으로 물, 알콜, 아세톤 및 이들 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  59. 제 58 항에 있어서,
    상기 알콜은 본질적으로 이소프로필 알콜, 에탄올 및 다른 저분자량 알콜로 이루어진 그룹으로부터 선택되는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  60. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 1 소재가 상기 소재 캐비티에서 처리되는 동안에 제 2 소재를 상기 비초임계 처리 모듈에서 처리하는 단계를 더 포함하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  61. 제 26 항에 있어서,
    상기 잔류물은 포토레지스트 잔류물 및 에칭 잔류물중 하나인
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  62. 제 26 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 캐비티내의 압력은 1,500psi(10.34MPa)를 초과하는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
  63. 제 26 항에 있어서,
    상기 제 1 소재는 8인치보다 큰 직경을 갖는
    소재를 초임계 처리하는 방법.
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