JPH01212755A - イオン処理装置 - Google Patents

イオン処理装置

Info

Publication number
JPH01212755A
JPH01212755A JP3657788A JP3657788A JPH01212755A JP H01212755 A JPH01212755 A JP H01212755A JP 3657788 A JP3657788 A JP 3657788A JP 3657788 A JP3657788 A JP 3657788A JP H01212755 A JPH01212755 A JP H01212755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cover
vacuum
arm
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3657788A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsukasa Nogami
野上 司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP3657788A priority Critical patent/JPH01212755A/ja
Publication of JPH01212755A publication Critical patent/JPH01212755A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばイオン注入装置等のように、真空中
でウェハにイオンビームを照射して当該ウェハを処理す
るイオン処理装置に関する。
〔従来の技術〕
第4図は、従来のイオン処理装置の要部を示す概略横断
面図である。
この装置は、搬送ベルl−14〜18を用いて、ウェハ
20を大気側から真空予備室6を通して真空室である処
理室4内に搬入し、それを水平状態にあるウェハホルダ
24に装着し、そしてこのウェハホルダ24が立てらさ
れてそのウェハ20にイオンビーム2を照射してイオン
注入等の処理を施し、処理後はうエバホルダ24を水平
状態に戻して処理済のウェハ20を真空予備室8を通し
て大気側、に搬出するように構成されている。10〜1
3は真空弁であり、ウェハ20の搬送に伴って適宜開閉
される。
ウェハホルダ24は、第5図も参照して、ベース25と
、ウェハ20のサイズに対応した開口を有するクランパ
ー26との間にウェハ20を挟持する構造をしており、
クランパー26は昇降ピン28によって上下させられる
。またクランパー26の下面には、それが半開きのとき
、搬送ベルト16によって搬入されてきたウェハ20に
当たってそれを停止させるストッパー30が突設されて
おり、これによってウェハ20をウェハホルダ24の中
心に正確に位置決めするようにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが上記のような従来の装置では、搬送ベルトによ
ってウェハ20の搬送を行っているため、ウェハ20を
例えばウェハホルダ24において正確に位置決めするた
めには上記のようにそれをストッパー30に当てて停止
させる必要があり、そのためそのときの衝撃によってウ
ェハ20に欠けや割れ等が発生する恐れがあるという問
題がある。
この問題は、ウェハ20が例えばCaAsウェハのよう
に脆いものの場合は特に深刻である。
また、近年は多品種少量生産化が進み、同一ラインにサ
イズの異なるウェハ20を混在して流す傾向にあり、そ
のためウェハホルダ24においてウェハサイズの変更に
伴うクランパー26の交換を頻繁に行う必要があるが、
処理室4内での作業であるため作業性が悪く、しかも交
換の度に容積の大きい処理室4の真空を破りかつ再排気
する必要があるため多くの時間がかかり、そのためウェ
ハサイズの変更に対応するのが容易でないという問題も
ある。
そこでこの発明は、これらの点を改善したイオン処理装
置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明のイオン処理装置は、イオンビームが導入され
る真空容器と、この真空容器に真空弁を介して隣接され
ていてウェハに前記イオンビームを照射して処理するた
めの処理室と、この処理室を密閉する蓋であって開閉可
能なものと、この蓋を開閉する蓋開閉装置と、この蓋に
取り付けられていて前記ウェハを保持するためのウェハ
保持装置と、前記蓋が開状態にあるときの当該ウェハ保
持装置に対してウェハを着脱することができるアームで
あってその先端部にウェハ吸着用の真空チャンクが設け
られたものを有するウェハ搬送装置とを備えることを特
徴とする。
〔実施例〕
第1図は実施例に係るイオン処理装置の要部を示す平面
図であり、第2図は第1図の装置の概略側面図である。
この実施例の装置は、いわゆるデュアルエンドステーシ
ョンタイプと呼ばれるものであり、図示しないイオン源
等からイオンビーム2が所定角度で左右に振り分けるよ
うに切替えて導入される真空容器32の端部の左右に、
二つの互いに同構造をしたエンドステーションES、お
よびES、を備えている。
各エンドステーションES、 、ES、においては、ウ
ェハ20にイオンビーム2を照射してイオン注入等の処
理を施すための処理室36が、真空弁34を介して上記
真空容器32に隣接されている。
処理室36の真空弁34と反対側には、処理室36を密
閉するための開閉可能な13Bが設けられており、これ
をエアシリンダー40、ヒンジ41等から成る蓋開閉装
置39で矢印Aのように90度開閉するようにしている
蓋38には、ウェハ20を保持すると共に、更にこの例
ではそれを回転させることができるウェハ保持装置42
が取り付けられている。このウェハ保持装置42は、ベ
ース47とウェハ20のサイズに対応した開口を有し両
者間にウェハ20をばね49の力で挟持するウェハホル
ダ46、このベース47を上下かつ回転させることがで
きる駆動部44およびウェハ20吸着用の真空チャック
50を備えている。
蓋38を開いた横の位置には、ウェハ20を載置可能な
アーム56を上下、回転および水平方向に伸縮させる、
即ち3自由度を有するウェハ搬送装置52が設けられて
いる。54はその駆動部である。またアーム56の先端
部には、ウェハ20の吸着用の真空チャック58(第1
図のエンドステーションES、側参照。以下同じ)が設
けられている。
また、ウェハ搬送装置52の手前側(第1図中で)には
、複数枚のウェハ20を多段に収納可能なウェハカセッ
ト60を保持するカセット台64、およびそれを矢印B
のように90度回転させるためのモータ66等を含むカ
セット保持装置62が設けられており、上記ウェハ搬送
装置52は、そのアーム56を用いて、このウェハカセ
ット60と上記ウェハホルダ46間でウェハ20の搬送
を行うことができる。
更にこめ例では、カセット保持装置62の手前側に、2
本のローラ70およびそれを回転させるためのモータ7
2等から成り、ウェハカセット60内のウェハ20のオ
リエンテーションフラット20aの位置を所定方向に揃
えるためのオリエンテーションフラット合せ装置68が
設けられている。
このイオン処理装置の動作例を説明すると、両エンドス
テーションBS、 、ESzのカセット保持装置62の
カセット台64を倒した状態でそこに未処理のウェハ2
0を複数枚ずつ収納したウェハカセット60をそれぞれ
装着(第1図のエンドステーションESI側の状態参照
)すると、その中のウェハ20がオリエンテーションフ
ラット合せ装置68のローラ70によって回転させられ
、第3図に示すようにそのオリエンテーションフラット
20aがローラ70上に来ると両者が接触しなくなって
ウェハ20の回転が自然に止まり、それによってオリエ
ンテーションフラット20aが一定方向に整列させられ
る。
その後カセット台64が矢印Bのように回転してウニバ
カセントロ0が立てらされ、その中のウェハ20は水平
状態になる(エンドステーションES2側の状態参照)
次いで、ウェハ搬送装置52のアーム56がウェハカセ
ット60の方向に回転し、かつ取り出すウェハ20の高
さまで上昇し、更にアーム56が伸びてウェハ20をそ
の真空チャック58で吸着して取り出す。そしてこのア
ーム56が、開状態にある蓋38上のウェハホルダ46
の方向に回転し、かつウェハ20を所定の高さに移動さ
せる。
このとき、第2図に示すようにベース47は降下してク
ランパー48との間は大きく口をあけ、またベース47
の中央には真空チャック50が突出した状態となってい
る。この状態で、ウェハ搬送装置52はウェハ20を吸
着したアーム56をウェハホルダ46の方向に伸ばして
ウェハ20がその中央に来るとアーム56を降下させる
。そして真空チャック50によってウェハ20を吸着す
ると同時にアーム56側の真空チャック58を解除し、
アーム56を縮める。
次いで、ベース47が上昇してそれとクランパー48間
にばね49の力でウェハ20を挾み、更にこの例ではそ
の状態でベース47が回転してウェハ20のオリエンテ
ーションフラット20aの位置が所定方向に設定される
。またこの動作と並行して、蓋38が蓋開閉装置39に
よって閉じられる。
そして、図示しない真空ポンプによって処理室36内が
真空引きされ、所定の真空度になると真空弁34が開か
れ(ちなみに真空容器32内は予め真空引きされている
)、ウェハホルダ46上のウェハ20にイオンビーム2
が照射されてイオン注入等の処理が行われる(エンドス
テーションES、側の状態参照)。
所定の処理が完了すると、真空弁34が閉じられ、処理
室36内が大気圧に戻され、蓋38が開かれ、そして上
述したのと逆の動作でアーム56によってウェハホルダ
46上の処理済のウェハ20が元のウェハカセット60
内の元の位置(スロット)に戻される。
以降は上記と同様の動作が繰り返される。またこの例で
は、そのような動作が両エンドステーションES、 、
ES、においで並行して行われ、イオンビーム2の切替
えによって両エンドステーションES、 、ES2にお
いてウェハ20が交互に処理される。
以上のようにこの実施例の装置では、ウェハ20の搬送
をウェハ搬送装置52のアーム56によって行うため、
しかも全て大気中で行うためウェハ20をアーム56の
真空チャック58によって確実に固定して行うことがで
きるため、従来例の場合のようにストッパー30を用い
なくてもウエハ20を正確に位置決めすることができ、
そのためウェハ20に大きな衝撃を与えることが無いの
で、ウェハ20がGaAs ウェハのような場合でもそ
れに欠けや割れ等が発生するのを防止することができる
また、ウェハサイズの変更に対しては、処理室36のM
2Sを開くことによって、ウェハホルダ46のクランパ
ー48を容易に交換することができ、しかも従来例のよ
うに処理室4内でウェハホルダ24を水平状態と垂直状
態間で回転させる場合と違って処理室36の容積を従来
のものよりも非常に小さくできるので、その真空排気等
の時間も短(て済み、その結果ウェハサイズの変更にも
容易に対応することができる。
また、イオンビーム2のイオン種によっては、ウェハホ
ルダ46の回りの清掃を十分に行う必要がある場合があ
るが、従来例のようにウェハホルダ24が常に処理室4
内にあるのと違って、この実施例では蓋38を開くこと
によってウェハホルダ46の部分が処理室36外に出て
くるため、そのような清掃等も容易になる。
尚、各エンドステーションES+ 、ES2においては
ウェハ搬送装置52の周囲に複数のウェハカセット60
をそれぞれ配置することも可能であり、そのようにすれ
ば処理後のウェハ2oを元とは別のウェハカセット60
内に収納することもできる。また、以上ではスループッ
トをより大きく取るために二つのエンドステーションE
S、およびES2設けた例を説明したが、このようなエ
ンドステーションを一つにしても良いのは勿論である。
また、ウェハ20のオリエンテーションフラット20a
の位置合せが必要無い場合は、オリエンテーションフラ
ット合せ装置68を設ける必要は無い。またウェハカセ
ット6oを用いずにそれとは別の手段によってウェハ搬
送装置52のアーム56との間でウェハ20のやり取り
を行うようにしても良い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ウェハ保持装置に対す
るウェハの着脱をアーム式のウェハ搬送装置を用いて、
かつ真空チャックで吸着して行うようにしたので、従来
のように搬送ベルトとストッパーを用いる場合と違って
ウェハに大きな衝撃を与えることが無く、従ってウェハ
に欠けや割れが発生するのを防止することができる。
また、処理室の蓋にウェハ保持装置を取り付けたので、
蓋を開くことによって必要な部品を容易に交換すること
ができ、しかも処理室の容積も従来例のものよりも小さ
(でき、その結果ウェハサイズの変更にも容易に対応す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例に係るイオン処理装置の要部を示す平
面図である。第2図は、第1図の装置の概略側面図であ
る。第3図は、ウェハのオリエンテーションフラットの
位置合せの原理を説明するための図である。第4図は、
従来のイオン処理装置の要部を示す概略横断面図である
。第5図は、第4図の線V−■に沿う拡大断面図である
。 2・・・イオンビーム、20・・・ウェハ、32.。 ・真空容器、34.・・真空弁、36.、、処理室、3
8・・・蓋、39・・・蓋開閉装置、42・・・ウェハ
保持装置、52.・・ウェハ搬送装置、56 、、。 アーム、58・・・真空チャック。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオンビームが導入される真空容器と、この真空
    容器に真空弁を介して隣接されていてウェハに前記イオ
    ンビームを照射して処理するための処理室と、この処理
    室を密閉する蓋であって開閉可能なものと、この蓋を開
    閉する蓋開閉装置と、この蓋に取り付けられていて前記
    ウェハを保持するためのウェハ保持装置と、前記蓋が開
    状態にあるときの当該ウェハ保持装置に対してウェハを
    着脱することができるアームであってその先端部にウェ
    ハ吸着用の真空チャックが設けられたものを有するウェ
    ハ搬送装置とを備えることを特徴とするイオン処理装置
JP3657788A 1988-02-18 1988-02-18 イオン処理装置 Pending JPH01212755A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3657788A JPH01212755A (ja) 1988-02-18 1988-02-18 イオン処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3657788A JPH01212755A (ja) 1988-02-18 1988-02-18 イオン処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01212755A true JPH01212755A (ja) 1989-08-25

Family

ID=12473625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3657788A Pending JPH01212755A (ja) 1988-02-18 1988-02-18 イオン処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01212755A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226048A (ja) * 1990-04-19 1992-08-14 Applied Materials Inc 二重カセット装填ロック装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226048A (ja) * 1990-04-19 1992-08-14 Applied Materials Inc 二重カセット装填ロック装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3391623B2 (ja) 半導体加工装置のためのローディング及びアンローディング用ステーション
US7246985B2 (en) Work-piece processing system
US4311427A (en) Wafer transfer system
JP5237336B2 (ja) 基板処理装置、基板収納容器開閉装置、基板処理方法、基板の搬送方法および基板収納容器の開閉方法
KR100230697B1 (ko) 감압 처리 장치
EP0344823A2 (en) Workpiece processing apparatus
JPH05275511A (ja) 被処理体の移載システム及び処理装置
EP1052681B1 (en) Apparatus for processing wafers
CN211788912U (zh) 离子注入机的作业平台
JPH01212755A (ja) イオン処理装置
JP2002009131A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JPH0615720B2 (ja) 真空処理装置
JPH03155619A (ja) 真空処理装置
JP2582578Y2 (ja) 多室式半導体処理装置
JPH041989B2 (ja)
JPH02288139A (ja) イオン処理装置
JPH05243363A (ja) 搬送装置及び搬送方法
JPH04136168A (ja) イオン処理装置
JP3971081B2 (ja) 真空処理装置
JPS62141731A (ja) ウエハハンドリング装置
JPS61101321A (ja) ウエハ搬送装置
JPH08325733A (ja) 真空処理方法および真空処理装置
JP2000031234A (ja) 基板搬送装置
JPH01120811A (ja) 半導体ウエハ処理装置
JP3091469B2 (ja) 半導体装置の製造方法