CN211788912U - 离子注入机的作业平台 - Google Patents

离子注入机的作业平台 Download PDF

Info

Publication number
CN211788912U
CN211788912U CN202020455344.2U CN202020455344U CN211788912U CN 211788912 U CN211788912 U CN 211788912U CN 202020455344 U CN202020455344 U CN 202020455344U CN 211788912 U CN211788912 U CN 211788912U
Authority
CN
China
Prior art keywords
ptm
silicon wafer
vtm
ion beam
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020455344.2U
Other languages
English (en)
Inventor
夏世伟
陈炯
王占柱
杨立军
王辉
杰夫·贝克
洪俊华
李轩
陈克禄
刘志峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co ltd
Kingstone Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co ltd
Kingstone Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=72928887&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN211788912(U) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co ltd, Kingstone Semiconductor Co Ltd filed Critical Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co ltd
Priority to CN202020455344.2U priority Critical patent/CN211788912U/zh
Priority to PCT/CN2020/094097 priority patent/WO2021196397A1/zh
Priority to TW109208995U priority patent/TWM606355U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211788912U publication Critical patent/CN211788912U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种离子注入机的作业平台，包括EFEM、两个Loadlock、VTM和PTM，EFEM、Loadlock和VTM沿着第一方向依次排布，两个Loadlock平行地设置于EFEM和VTM之间，PTM在第二方向上与VTM相连，第一方向与第二方向不平行，VTM用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM之间传输硅片；PTM用于在真空中采用离子束对硅片进行加工，所述PTM包括扫描机器人和离子束收集装置，所述离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。由此使得硅片免受沉积于离子束收集装置中污染物的影响。

Description

离子注入机的作业平台
技术领域
本发明涉及一种作业平台，特别涉及真空中传输硅片的作业平台。
背景技术
图1示出了一种早期的离子注入机的作业平台，其包括多个纵向串列式分布的大气腔室和真空腔室，分别为大气硅片传输模块1001(EFEM)、与EFEM相连的两个预抽真空装置(Loadlock)2001和2002、与两个与抽真空装置相连的真空硅片传输模块300(VTM)以及与VTM相连的工艺处理模块(PTM)400，参考图1中的坐标系，以纸面为xy平面，z轴垂直纸面，其中EFEM1001、预抽真空装置、VTM300和PTM400在y轴方向上依次串行连接。
1)先从硅片的传输角度来说，硅片在xy平面中由EFEM被传递至PTM中，在VTM300中配备有两个分别对应于两个Loadlock的机械手3001和3002，在传输硅片的过程中，两个Loadlock轮流作业：即一个Loadlock被充气至大气压后，EFEM1001中的机器人将Loadlock中已完成注入的硅片取走再把需要注入的硅片放入其中，然后对Loadlock抽真空；在上述Loadlock进行大气侧硅片传输的同时，VTM内的两个机械手协调地将另一个Loadlock中的硅片逐个取出传送至PTM中进行工艺处理，完成工艺处理后的硅片再传回Loadlock。在硅片进行工艺处理的周期内，一个机械手将上次处理完成的硅片传回至对应的Loadlock，再从该Loadlock中取出下一片放到中转台，即刻往工艺装置运动，准备接受当前正在进行工艺处理的硅片；同时，另一个机械手持有要注入的硅片在PTM附近等待，当扫描机器人完成注入，运动到PTM的硅片交换位置，没有硅片的机械手取走扫描机械人的静电吸盘上的硅片，另一机械手把硅片放上到静电吸盘上，进行下一次注入。两个机械手按照这样的运行时序作业，直至这个Loadlock中的所有硅片全部处理完成，再处理另一个Loadlock，两个VTM的机器人的运动步骤也跟着对换。
2)从整体布局的角度来说，这种离子注入机采用了长条形的离子束，离子束41前进方向为y轴方向，其长边方向是x轴方向，短边方向为z轴方向。在硅片10001被传递至PTM中之后，扫描机器人(例如设置有静电吸盘)4002将持有硅片并且在注入前使得硅片的所在平面自xy平面转换至xz平面中，扫描机器人4004携带硅片在z轴方向移动使得长条状离子束4001覆盖硅片的全部区域以实现对硅片的均匀注入。这种布局结构的缺点在于，离子束4001、扫描机器人4002与VTM串列在同一方向上(y轴方向上)。因为离子束不能射到搬运机械人，一个挡住离子束的收集装置4003(例如法拉第杯，Faraday dump)必须要安排在扫描机器人4002和VTM300之间，鉴于搬运机器人的手臂长度有限，所以离子束收集装置4003与进行注入处理的硅片距离很近，且离子束收集装置4003的深度很浅，为此，从离子束收集装置中溅射出来物质会沉积在扫描机械手表面。大剂量离子注入机具有较大的束流强度，在短时间内便能生成较厚的薄膜而这种薄膜又会剥落。剥落下来的颗粒物，将对硅片造成严重的颗粒物污染，这种颗粒物污染程度已经无法被当前先进的半导体器件工艺技术所接受。
图2显示了另一种现有的作业平台，参考图示的坐标系，z轴垂直纸面，依然包括EFEM100、两个Loadlock201和202、与Loadlock相连的VTM30和执行离子注入的PTM40，从布局上来说，EFEM100、两个Loadlock201和202、和VTM30在y轴上相互串联，而PTM40则布置在VTM30的侧面。离子束依然为长条形或板状，离子束前进方向为y轴方向，长边方向可以为x轴方向或者z轴方向。硅片1001自EFEM被传递至PTM的过程中均位于xy平面中，而在执行离子注入前，布置于PTM40中的扫描机构402携带硅片使得硅片平面自xy平面翻转至xz平面中，继而在z轴方向或x轴方向上(取决于离子束401的长边方向)扫描硅片实现对硅片的均匀注入。在这种布局中，VTM布置在PTM的侧面，避免束流射到VTM的任何部件；而且离子束收集装置403可以安置在PTM端部，离进行注入处理的硅片有一定距离，且有较大的空间安排避免粒子从离子收集装置中跑出来，防止硅片被污染。这种布局结构克服了图1所示结构的缺点，使得硅片受颗粒物污染的程度得到改善。但是，在这种作业平台中VTM30中只有一个搬运机器人301，其产能很低，不能满足当前半导体器件工艺对产能的需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中离子注入机作业平台布局不合理、硅片运输效率受到限制的缺陷，提供一种离子注入机的作业平台。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
一种离子注入机的作业平台，其特点在于，包括EFEM、两个Loadlock、VTM和PTM，其中，EFEM、Loadlock和VTM沿着第一方向依次排布，两个Loadlock平行地设置于EFEM和VTM之间且每个Loadlock均皆与EFEM和VTM相连通，PTM在第二方向上与VTM相连，所述第一方向与所述第二方向不平行，其中，
EFEM用于在大气中传递硅片；
每个Loadlock用于在大气状态和真空状态中切换并且承载至少一片硅片；
VTM用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM之间传输硅片，所述VTM包括：真空输运腔室、位于所述真空输运腔室中的两个搬运机器人和用于承载硅片的中转台。所述两个搬运机器人中，每个搬运机器人有一个机械手；所述两个搬运机器人中的一个搬运机器人用于把Loadlock中的硅片传输到所述中转台，还用于把注入后的硅片从所述PTM或者所述中转台输送到loaklock中；所述两个搬运机器人中的另一个搬运机器人把硅片从所述中转台送到所述PTM而进行注入加工。
PTM用于在真空采用离子束对硅片进行加工，所述PTM包括工艺腔、位于工艺腔中的扫描机器人和离子束收集装置以及被传输至工艺腔中的离子束，其中离子束的传输方向与所述第一方向的锐夹角小于等于60°，所述扫描机器人用于接收并持有来自于搬运机器人的硅片并且将硅片翻转至注入平面以进行离子注入，这里离子束的传输方向包括了绝对平行于所述第一方向的情况，以及离子束传输方向与第一方向的夹角小于等于60°的情况。
其中，所述第一方向和所述第二方向构成硅片的传输平面，所述注入平面和所述传输平面的锐夹角小于等于60°，所述注入平面和所述第一方向的锐夹角小于等于60°，所述离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。这里包括了注入平面绝对垂直于所述传输平面和第一方向的情况，以及注入平面和传输平面、注入平面和第一方向呈一定角度的情况。
通过VTM和PTM的侧向布置以及将离子束收集装置布置在第二方向上与VTM相间隔的位置，也避免了离子束对VTM中部件的影响，同时也避免了离子束收集装置中沉积的物质被溅射至硅片上。
优选地，VTM位于离子束的侧面，离子束传输方向的延伸线不与任一搬运机器人的动作范围交叉。
优选地，所述离子束为带状束流，所述带状束流的长边方向垂直于所述传输平面，所述扫描机器人用于在所示注入平面中移动硅片。
优选地，所述第一方向垂直于所述第二方向。
优选地，所述中转台设置于两个搬运机器人之间。
优选地，沿着两个搬运机器人的中心连线方向来看，所述中转台位于所述中心连线远离所述PTM的一侧，有利于作业平台的空间利用。
每个搬运机器人包括用于持有硅片的机械手，所述机械手在所述传输平面中是可旋转的。
优选地，每个机械手在垂直于所述传输平面的方向上是可升降的。
优选地，每个机械手在平行于所述传输平面的平面中可线性伸缩。
优选地，两个Loadlock中的一个Loadlock中的硅片被逐一传输至所述PTM中处理时，两个Loadlock中的另一个Loadlock处于抽真空或者破真空或者在大气环境下移除或装入硅片。
优选地，所述中转台还用于硅片中心的定位和/或硅片方向的对准。
优选地，所述扫描机器人包括静电吸盘。
优选地，每个预抽真空装置中设置有用于承载至少一片硅片的晶片承载装置。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明的积极进步效果在于：1)将VTM布置在PTM的侧面，离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔，使得硅片免受沉积于离子束收集装置中污染物的影响，具有优越的颗粒物污染指标；2)VTM中配置两个搬运机器人，通过对两个搬运机器人功能的划分，结合以具有多自由度的机械手，使得硅片在预抽真空装置和中转台之间以及中转台和工艺处理装置之间的传输可以有序交替进行，从而减少无效等待时间，提高整体的产能；3)VTM中配置中转台，可以执行硅片对准的功能，以提高硅片传送的稳定性和注入工艺的精度。
附图说明
图1为现有技术中一种离子注入机的作业平台的示意图。
图2为现有技术中另一种离子注入机的作业平台的示意图。
图3本发明一实施例的离子注入机的作业平台的结构框图。
图4图3所示框图的离子注入机的作业平台的俯视图。
图5为图4的作业平台的立体图。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
下面参考图3-图5，进一步介绍本发明的技术方案。参考图3以及图中xy坐标，以y轴方向作为第一方向，以x轴方向作为第二方向，垂直于纸面方向为z轴，即第三方向，该离子注入机的作业平台，包括EFEM1、两个Loadlock21和22、VTM3和PTM4，其中，EFEM1、Loadlock21和22和VTM3沿着第一方向依次排布，两个Loadlock21和22平行地设置于EFEM1和VTM3之间且每个Loadlock均皆与EFEM1和VTM3相连通，PTM4在第二方向上与VTM3相连，所述第一方向与所述第二方向垂直，其中，
EFEM1用于在大气中传递硅片101；每个Loadlock用于在大气状态和真空状态中切换并且承载至少一片硅片；VTM3用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM4之间传输硅片，所述VTM3包括：真空输运腔室、位于所述真空输运腔室中的两个搬运机器人(分别以31和32表示)和用于承载硅片的中转台33，所述中转台33设置于两个搬运机器人之间；所述两个搬运机器人中，每个搬运机器人有一个机械手，所述两个搬运机器人中的一个搬运机器人31用于把Loadlock中的硅片101传输到所述中转台33，还用于把注入后的硅片从所述PTM4或者所述中转台33输送到loaklock中；所述两个搬运机器人中的另一个搬运机器人32把硅片从所述中转台33送到所述PTM4而进行注入加工。PTM4用于在真空采用离子束41对硅片进行加工，所述PTM4包括工艺腔、位于工艺腔中的扫描机器人42和离子束收集装置43以及被传输至工艺腔中的离子束41，其中离子束41的传输方向平行于所述第一方向，所述扫描机器人42用于接收并持有来自于搬运机器人32的硅片并且将硅片翻转至注入平面以进行离子注入，其中，所述第一方向和所述第二方向构成硅片的传输平面(即xy平面)，所述注入平面垂直于所述传输平面和所述第一方向，即xz平面，所述离子束收集装置43位于PTM4的远离所述扫描机器人42的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。
由于VTM和PTM侧向布置，即VTM和PTM的连线与离子束的传输方向不一致(在本实施例中相垂直)，而离子束接收装置(例如法拉第杯)又被置于PTM远离扫描机器人的一端，因此离子束作用到离子束收集装置上由此溅射出的污染物也难以影响到硅片和VTM。而且，VTM位于离子束的侧面，离子束传输方向的延伸线不与任一搬运机器人的动作范围交叉。
所述离子束为带状束流，如果离子束长边方向是x轴方向，那么扫描机器人42就在z轴方向上移动。如果离子束长边方向是z轴方向，那么扫描机器人42就在x轴方向上移动。
参考图4-图5，沿着两个搬运机器人的中心连线方向来看，所述中转台位于所述中心连线且远离PTM的一侧(图4中左侧)，有利于作业平台的空间利用。在PTM4中，采用设置有真空吸盘的机械手来作为扫描机器人42，扫描机器人的机械手有多个自由度，可以将硅片自xy平面翻转至xz平面以使得沿着y轴传输的离子束垂直于硅片表面，获得理想的注入角度。另外，扫描机器人的机械手可以持有硅片沿着x轴或者z轴平移。
每个搬运机器人31和32包括用于持有硅片的机械手，每个机械手在硅片传输平面中是可旋转的。
其中，每个机械手在在垂直于硅片传输平面的方向上是可升降的。而且，每个机械手在硅片传输平面中可线性伸缩。除此之外，所述中转台33除了用于在硅片输运路径的中途存放硅片，还用于硅片中心的定位和/或硅片方向的对准。
在本实施例中，每个Loadlock中设置有用于承载至少一片硅片的晶片盒(cassette)，所述晶片盒可以在垂直硅片传输平面的方向上升降，从而实现待处理硅片的取出和处理完的硅片的放入。每个Loadlock与所述VTM之间设置有传送阀门，通过所述传送阀门硅片可以被传输。此外，每个Loadlock还配备有抽真空设备和破真空设备，使得每个预抽真空装置可以在真空和大气之间切换。
VTM也设置有连接PTM的连接部，供硅片传输已在PTM中完成工艺操作(例如离子注入)。
硅片的传输过程如下：硅片在xy平面中由EFEM被传递至Loadlocks 21和22中，在VTM 3中配备有两个分别对应于两个Loadlock的机械手31和32，在传输硅片的过程中，两个Loadlocks同时作业：即一个Loadlock21被充气至大气压后，通过EFEM的机器人将注入后硅片取走再把要注入硅片放入其中，然后对Loadlock21抽真空。同时由两个VTM内的机械手31、32协调运动将另一个Loadlock22中的硅片逐个取出传送至PTM4中进行工艺处理，完成工艺处理后的硅片再传回Loadlock22。在硅片进行工艺处理的周期内，机械手31将上次处理完成的硅片传回至对应的Loadlock 22，再从该Loadlock22中取出下一硅片放到中转台33，即刻往工艺装置运动；准备接受当前正在进行工艺处理的硅片；同时，另一个机械手32从中转台取上硅片往工艺装置运动，持有要注入的硅片在PTM附近等待，当扫描机械人42完成对硅片的注入，运动到PTM的硅片交换点，没有硅片的机械手31取走扫描机械人的静电吸盘上的硅片，另一机械手32把硅片放上到扫描机器人42中设置的静电吸盘上，进行下一次注入。两个机械手按照这样的运行时序，直至这个Loadlock22中的所有硅片全部处理完成，再处理另一个Loadlock21中的硅片。
在本发明的技术方案中，两个Loadlock中的一个Loadlock中的硅片被逐一传输至所述PTM中处理时，两个Loadlock中的另一个Loadlock处于抽真空或者破真空。即所述两个Loadlock轮流作业，当一个Loadlock的硅片在逐一进行硅片的工艺处理期间，另一个Loadlock执行充气-卸除硅片-装载新的硅片-抽真空的作业。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种离子注入机的作业平台，其特征在于，包括EFEM、两个Loadlock、VTM和PTM，其中，EFEM、Loadlock和VTM沿着第一方向依次排布，两个Loadlock平行地设置于EFEM和VTM之间且每个Loadlock均皆与EFEM和VTM相连通，PTM在第二方向上与VTM相连，所述第一方向与所述第二方向不平行，其中，
EFEM用于在大气中传递硅片；
每个Loadlock用于在大气状态和真空状态中切换并且承载至少一片硅片；
VTM用于在真空状态下在每个Loadlock和PTM之间传输硅片，所述VTM包括：真空输运腔室、位于所述真空输运腔室中的两个搬运机器人和用于承载硅片的中转台；所述两个搬运机器人中，每个搬运机器人有一个可以独立动作的机械手；所述两个搬运机器人中的一个搬运机器人用于把Loadlock中的硅片传输到所述中转台，还用于把注入后的硅片从所述PTM输送到loaklock中；所述两个搬运机器人中的另一个搬运机器人把硅片从所述中转台送到所述PTM而进行注入加工，还可用于把硅片从所述PTM传输到所述中转台；
PTM用于在真空采用离子束对硅片进行加工，所述PTM包括工艺腔、位于工艺腔中的扫描机器人和离子束收集装置以及被传输至工艺腔中的离子束，其中离子束的传输方向与所述第一方向的锐夹角小于等于60°，所述扫描机器人用于接收并持有来自于搬运机器人的硅片并且将硅片翻转至注入平面以进行离子注入，
其中，所述第一方向和所述第二方向构成硅片的传输平面，所述注入平面和所述传输平面的锐夹角小于等于60°，所述注入平面和所述第一方向的锐夹角小于等于60°，所述离子束收集装置位于PTM的远离所述扫描机器人的一端并且在第二方向上与VTM相间隔。
2.如权利要求1所述的作业平台，其特征在于，VTM位于离子束的侧面，离子束传输方向的延伸线不与任一搬运机器人的动作范围交叉。
3.如权利要求1所述的作业平台，其特征在于，所述离子束为带状束流，所述带状束流的长边方向垂直于所述传输平面，所述扫描机器人用于在所示注入平面中移动硅片。
4.如权利要求1所述的作业平台，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的夹角大于等于60°。
5.如权利要求4所述的作业平台，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向。
6.如权利要求4所述的作业平台，其特征在于，所述中转台设置于两个搬运机器人之间。
7.如权利要求6所述的作业平台，其特征在于，沿着两个搬运机器人的中心连线方向来看，所述中转台位于所述中心连线且远离所述PTM的一侧。
8.如权利要求1所述的作业平台，其特征在于，每个所述搬运机器人包括至少一个用于持有硅片的机械手，所述机械手在平行于所述传输平面的平面中是可旋转的。
9.如权利要求8所述的作业平台，其特征在于，所述搬运机器人可以在垂直于所述传输平面的方向上进行升降。
10.如权利要求8所述的作业平台，其特征在于，每个所述机械手在硅片平行于传输平面的平面中可线性伸缩。
11.如权利要求1-10中任意一项所述的作业平台，其特征在于，所述两个Loadlock中的一个Loadlock中的硅片被逐一传输至所述PTM中处理时，两个Loadlock中的另一个Loadlock处于抽真空或者破真空或者在大气环境下移除或装入硅片。
12.如权利要求1-10中任意一项所述的作业平台，其特征在于，所述中转台还用于硅片中心的定位和/或硅片方向的对准。
13.如权利要求1-10中任意一项所述的作业平台，其特征在于，安置于PTM内的所述扫描机器人包括静电吸盘。
14.如权利要求1-10中任意一项所述的作业平台，其特征在于，每个Loadlock中设置有用于承载至少一片硅片的晶片承载装置。
CN202020455344.2U 2020-04-01 2020-04-01 离子注入机的作业平台 Active CN211788912U (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020455344.2U CN211788912U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 离子注入机的作业平台
PCT/CN2020/094097 WO2021196397A1 (zh) 2020-04-01 2020-06-03 离子注入机的作业平台
TW109208995U TWM606355U (zh) 2020-04-01 2020-07-15 離子注入機的作業平台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020455344.2U CN211788912U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 离子注入机的作业平台

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211788912U true CN211788912U (zh) 2020-10-27

Family

ID=72928887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020455344.2U Active CN211788912U (zh) 2020-04-01 2020-04-01 离子注入机的作业平台

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN211788912U (zh)
TW (1) TWM606355U (zh)
WO (1) WO2021196397A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113832442A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 哈尔滨工业大学 带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机
WO2022222098A1 (zh) * 2021-04-22 2022-10-27 汉辰科技股份有限公司 离子布植装置及机械手臂
WO2023032571A1 (ja) * 2021-09-06 2023-03-09 日新イオン機器株式会社 基板移送装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5486080A (en) * 1994-06-30 1996-01-23 Diamond Semiconductor Group, Inc. High speed movement of workpieces in vacuum processing
US6313469B1 (en) * 1998-03-13 2001-11-06 Ebara Corporation Substrate handling apparatus and ion implantation apparatus
JPH11260889A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Ebara Corp イオン注入装置
JP4348921B2 (ja) * 2002-09-25 2009-10-21 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法
JP3674864B2 (ja) * 2003-03-25 2005-07-27 忠素 玉井 真空処理装置
KR100615101B1 (ko) * 2003-07-02 2006-08-22 한국베리안 주식회사 애싱 공정이 가능한 이온주입장치 및 이를 이용한이온주입공정
KR20070081036A (ko) * 2006-02-09 2007-08-14 삼성전자주식회사 이온 주입 설비 및 이를 이용한 플래튼의 로드 포지션 검출방법
CN102122627A (zh) * 2010-01-08 2011-07-13 上海凯世通半导体有限公司 传递工件进出真空制程腔的装置及方法
CN101964319B (zh) * 2010-08-04 2013-03-20 清华大学 离子注入机晶圆传送系统及晶圆传送方法
JP6257455B2 (ja) * 2014-06-17 2018-01-10 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022222098A1 (zh) * 2021-04-22 2022-10-27 汉辰科技股份有限公司 离子布植装置及机械手臂
WO2023032571A1 (ja) * 2021-09-06 2023-03-09 日新イオン機器株式会社 基板移送装置
JP2023037992A (ja) * 2021-09-06 2023-03-16 日新イオン機器株式会社 基板移送装置
JP7315905B2 (ja) 2021-09-06 2023-07-27 日新イオン機器株式会社 基板移送装置
CN113832442A (zh) * 2021-09-23 2021-12-24 哈尔滨工业大学 带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机

Also Published As

Publication number Publication date
TWM606355U (zh) 2021-01-11
WO2021196397A1 (zh) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN211788912U (zh) 离子注入机的作业平台
CN107112264B (zh) 晶片对准器
US5357115A (en) Processing method for wafers
EP0690480B1 (en) High speed movement of workpieces in vacuum processing
US8651539B1 (en) Integrated gripper for workpiece transfer
US20130108406A1 (en) High-throughput workpiece handling
TWI408766B (zh) Vacuum processing device
CN1255235A (zh) 多个单片晶片气塞晶片处理装置及其装卸方法
KR19990072722A (ko) 피처리기판반송장치및반송방법
WO1999035673B1 (en) Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
US20100314552A1 (en) Ion implanter
KR20080082905A (ko) 기판처리장치
JP2007527627A (ja) イオンビーム注入装置用のワークピース移送システム
CN1795533A (zh) 具有载荷锁定装置和缓冲器的工件处理系统
KR20030064602A (ko) 센터링 장치 및 반도체 제조 장치
JPH11130255A (ja) 基板搬送移載装置
JP2007537606A (ja) 低圧環境で物品を処理するための装置及び方法
WO2021179437A1 (zh) 硅片输运装置
CN110416137B (zh) 用于半导体工艺的基板传送机构及成膜系统
KR101751307B1 (ko) 고-스루풋 이온 주입기
JP2743274B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送装置
US20240186166A1 (en) Passive separation cassette and carrier
CN211529927U (zh) 硅片输运装置
US20240145271A1 (en) Workpiece handling architecture for high workpiece throughput
US20240145270A1 (en) Workpiece handling architecture for high workpiece throughput

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant