JPS5860553A - 縦型自動プラズマ処理装置 - Google Patents

縦型自動プラズマ処理装置

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JPS5860553A
JPS5860553A JP15928281A JP15928281A JPS5860553A JP S5860553 A JPS5860553 A JP S5860553A JP 15928281 A JP15928281 A JP 15928281A JP 15928281 A JP15928281 A JP 15928281A JP S5860553 A JPS5860553 A JP S5860553A
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植原 晃
Isamu Hijikata
土方 勇
Hisashi Nakane
中根 久
Muneo Nakayama
中山 宗雄
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TOKYO DENSHI KAGAKU KABUSHIKI
Tokyo Denshi Kagaku KK
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TOKYO DENSHI KAGAKU KABUSHIKI
Tokyo Denshi Kagaku KK
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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    • H01J37/20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はLSI或いは超LSI等の大集積回路を形成し
たチップの製造に用いる半導体ウエノ・−にエツチング
、クリーニング或いはアッシング(灰化剥離)処理を行
なうプラズマ処理装置のうち、特にプラズマ発生用チャ
ンバーを縦方向に設置した縦型自動プラズマ処理装置に
関する。
LSI等の大集積回路を形成したチップを製造する際の
微細加工には5半導体ウェハーに微細パターンが形成さ
れたレジスト膜を介して絶縁膜、半導体膜或いは金属膜
をエツチングする工程、上記絶縁膜等をクリーニングす
る工程或いは上記レジスト膜をウェハー表面から除去す
るだめのアッ゛シング工程等が含まれている。
そして従来にあっては、上記各工程を行々うには、無機
酸、有機溶剤等の液体化学薬品を用いた所謂湿式処理に
よっていた。しかしながら湿式処理による場合には廃液
の処理及び加工精度を高めることができない等の問題が
ある。
特に最近では、超LSIの開発に伴ってパターンは更に
微細化する傾向にあり、上記の如き湿式処理を施してい
たのでは所望の微細パターンを得ることができない。
このため、現在では加工精度の高いプラズマを用いた乾
式のプラズマ処理装置が種々提案されている。しかしな
がらプラズマ処理装置の殆んどは単にプラズマ処理を施
すだけのものであり、プラズマ発生用チャンバー内への
ウェハーの出し入れは専ら手作業によって行なっている
のが現状であす る。
例えば、未処理ウェハー収納カセットからウェハーを1
枚毎取り出し1石英またはアルミニウム製のウェハー治
具にピンセットにより一移し替えを行なっている。この
ためウェハーの欠け、割れ。
保持不良による落下、または汚染等により生産歩留りが
非常に低く、さらに近年の如くウエノ・−径も4インチ
から5インチそして6インチと大型化するにつれ上記し
た欠点は増大する。そしてさらにプラズマ処理中は高温
度となるため、処理後の取り出しを手作業で行なうこと
は避けなければならず、作業能率は極めて低い。
この不利を解消すべく、自動的にウニ・・−をチャンバ
ー内に装填するようにした装置(例えば特開昭53−9
0870号)も提案されているが、斯る装置はプラズマ
発生用チャンバーを横向きに配置したものであり、チャ
ンバーは軸方向に長いため装置のコンパクト化を図るこ
とができず、また機構自体も複雑となる問題がある。
本発明者は上述した従来の問題点を有効に解消すべく本
発明を成したものであり、その目的とする処は、手作業
によることなく自動的に多数枚のウェハーを処理するこ
とで処理時間の短縮を図れ、且つ装置自体のコンパクト
化を達成し得る縦型自動プラズマ処理装置を提供するに
ある。
斯る目的を達成すべく本発明は、装置本体内に縦方向に
配設したプラズマ発生用チャンバーに対し、ウニ・・−
保持体を挿抜自在に設け、更に複数枚のウェハーを上下
方向に離間して収納し得るカセットを上記ウェハー保持
体の近傍まで搬送する搬送部材を装置本体内に設け、且
つ上記カセット内に収納されたウェハー間に入り込む舌
状片を備えた移し換え部材によってカセット内のウエノ
・−をウェハー保持体内に送り込むとともに保持体内の
ウェハーをカセット内に取り出すようにしたことをその
要旨としている。
以下に本発明の好適一実施例を添付図面に従つて詳述す
る。
第1図は本発明に係る縦型自動プラズマ装置の一部を切
り欠いて示した正面図、第2図は同装置の内部構造を示
す側面図である。
図中1は略々ボックス状をなした装置本体であり、この
本体1の前面下方には張出し部2が形成されている。そ
して本体1内の上部に支持台3を固設し、この支持台3
の開口部4を覆うようにプラズマ発生用チャンバー5を
支持台3上に固定している。このチャンバー5は石英か
らなる円筒状をなし、下端を開口するとともにその軸が
上下方向即ち縦方向となるように配置している。そして
チャンバー5の外周部には電極板6を設け、この電極板
6に上記張出し部2の底部に固定した高周波電源γによ
って高周波を印加するようにしている。
また上記チャンバー5の下方の本体内壁には支持板8を
固着し、この支持板8の上下端にブラケット9.9を取
り付け、これらブラケット9.9間に雄ネジ部を刻設し
、モータによって回転せしめられるロッド10を回転自
在に嵌合している。
そしてこのロッド10に台11を螺合しロッド10の回
転に応じて台11が図示しない案内ロッドに沿って昇降
動するようにしている。また台11上には上記支持台3
の開口部4を閉塞する蓋体12を取り付け、この蓋体1
2上に上記開口部4を介してチャンバー5内に出入する
ウェハー保持体13を立設している。
この保持体13は第3図に示す如く、4本のロッド13
a、13b、13c、13dの上端部を連結してなり、
前方に位置するロッド13L、13bの間隔を後方に位
置するロッド13c+ 13d(1’)間隔よりも広く
して全体として平面台形状となるようにしている。そし
て夫々のロッド13fL、 13b。
13c、13clの内面にはウェハー14の周端部が嵌
り込んで係止する溝部15・・・を上下方向に等間隔で
形成している。
而して、上記台11がロッド10の回転につれて上限ま
で上昇した場合には上記蓋体12が支持台3の開口部4
を閉塞するとともに保持体13は開口部4を介してチャ
ンバー5内に挿入されることとなる。そして台11が下
限1で降下した場合には保持体13も降下し1、その全
体がチャンバー5の下方に出ることとなる。
また本体1の中央部には横方向に支持板16を架設し、
この支褥板16上面の左右に一対の搬送部材17.17
を設゛けている。この搬送部材17は支持板16に対し
て回動自在とされた基部171Lとこの基部11に基端
部が固定されたアーム片17bとからなり、このアーム
片17bの先端部にウェハー収納用のカセット18を載
置するようにしている。
このカセット1Bは第4図に示す如く、アルミ或いはテ
フロン等からなる2板の板体1B&、 181Lを対向
し上端を棒n18 bで結合してガリ、夫々の板体18
1L、18aの対向面には上下方向に等間隔で離間した
水平方向の突条19・・・を形成し。
この突条19・・・の上面にウェハ〜14の周端部が係
止することでカセット18内に多数のウニ・・−14が
段状に収納されるようにしている。
そして、上記搬送部材17.17の下方の本体1内には
移し換え、部材20を配設している。この移し換え部材
20は第2図及び第5図に示す如く、アングル片21の
起立部21の裏面に多数の先端二股状となった舌状片2
2を上下方向に連続して固着することによって構成され
ている。そして本体1の底面には第1のシリンダユニッ
ト23を固定するとともに、このシリンダユニット23
のロッド23Lと平行な2本の案内ロッド24.24を
設け、この案内ロッド24.24に支持台25を摺動自
在に挿着するとともに支持台25を上記シリンダユニッ
ト23のロッド23&に固着する。
更に支持台25には第2のシリンダユニット2Gを立設
し、このシリンダユニット26のロッド26aの先端部
に上記移し換え部材20のアングル片21を固着する。
而して、移し換え部材20は第1のシリンダユニット2
2の作動によって本体1内で前後方向に移動せしめられ
るとともに、第2のシリンダユニット2゛6の作動によ
って上下方向に移動せしめられる。
以上の如き構成からなる縦型自動プラズマ処理装置の作
用を以下に述べる。
先ず搬送部材17,1テのアーム片17k)、1rbの
先端部に張出し部2の上面開口部等からウェハーを収納
したカセット18をその板体18aが本体1の前面と平
行となるようにして載置し、第2図に示す状態とする。
次いで本体1内に組込んだモータを駆動することでロッ
ド10を回転せしめる。するとロッド1゜の回転に伴っ
て台11が下降し、この台11上に立設した保持体13
も一体的に下降し、その全体がチャンバー5から引き出
される。そしてこの動作と同時にモータ等の駆動手段に
ょシ搬送部材17゜17のうちの一方のアーム片17b
を約90’回転せしめる。すると、カセット18はその
板体181L間に形成される開口部が保持体13のロッ
ド131L。
13b間如・形成される開口部に対向するように。
カセット18は保持体13の上半部近傍に位置せしめら
れる。
次いで上記第2のシリンダユニット26を作動せしめ、
移し換え部材2oをその舌状片22・・・の夫々がカセ
ット18.に収納したウェハー14・・・の中間位置と
なる高さまで上昇せしめる。すると各部材の位置関係は
第6図に示す如き状態となる。
斯る状態から第1のシリンダユニット23を作動せしめ
移し換え部材2oを後方即ち第2図中右方向へ移動する
。すると、移し換え部材2oの舌状片22・・はその最
上段のものがカセット18内の最上段のウェハーと次段
に位置するウェハーさの間に入り込むとともに、他の舌
状片22・・・もウェハー14・の間に入シ込む。そし
てこの状態となった時点でリミットスイッチ等により第
1のシリンダユニット23の作動を停止し、次いで第2
のシリンダユニット26を作動せしめることで移し換え
部材2oを若干上昇せしめる。すると、舌状片22・・
・がカセット18内のウェハー14・・・、を持ち上げ
ることとなる。
そして舌状片22・・・上にウェハー14・・・が載置
されたならば第2のシリンダユニット26の作動を停止
し、再度第1のシリンダユニット23を作動せしめる。
すると移し換え部材20はウエノ・−14を載置したま
ま第6図中右方向へ移動し、ウニ・・−14・を保持体
13内へ送り込む。その結果、ウェハー14・・・の周
端部が保持体13を構成する各ロッドに形成した溝部1
5内に嵌り込む。
その後第2のシリンダユニット26を前記とは逆方向に
作動させて移し換え部材20を若干下方へ降下せしめる
と、ウェハー14−・・は保持体13の溝部に係止し、
カセット18内のウエノ・−14・・・は保持体13内
に移し換えられたこととなる。
この後、第1のシリンダユニット23及び第2のシリン
ダユニット26を前記とは逆方向に作動せしめて移し換
え部材20をもとの位置、即ち第2図に示す位置まで戻
す。
そして次に搬送部材17.17のうち他方のアーム片1
7bを前記同様約90°回動せしめるとともに、ロッド
10を回転せしめ、カセット18が保持体13の下半部
近傍に位置するようにする。
次いで、前記同様の作用によって、ウエノ・−14・・
・を保持体13内に移し換え、保持体13内にカセット
2つ分のウエノ・−14・・・を保持せしめる。
斯る状態から、再度ロッド10をモータによって回転せ
しめ、蓋体12が開口部4を閉塞する1で台11を上昇
せしめる。その結果、保持体13はウエノ・−14・・
・を保持した壕ま、密閉状態のチャンバー5内に装填さ
れることとなる。
この状態においてチャンバー5内を真空にし。
高周波←印加してプラズマ処理を所定時間施す。
そしてプラズマ処理が終了したならば、ロッド10を逆
方向に回転せしめ保持体13を約半分程降下させ、保持
体13の下半部が空となっているカセット18と対向す
るようにする。その後第1及び第2のシリンダユニツ)
23.26を作動せしめることにより、保持体13の下
半部に保持されているウエノ・−14・・・を、移し換
え部材20によってカセット18内に収納し、搬送部材
17によってこのカセット1Bを元の位置まで戻し、次
工程へ送る。
これが終了したならば再度ロッド10を回転せしめて保
持体13を降下せしめ、前記同様の作用によって、保持
体13の上半部に保持されているウェハー14・・・を
もう1つのカセット18内に移し換え、搬送部材17に
よって元の位置に戻し。
次工程へ送る。
以上によってプラズマ処理工程が完了する。
また第7図は本発明の移し換え部材20を移動せしめる
機構の別実施例を示才ものである。即ち第1及び第2の
シリンダユニツ)23.26の代りにモータ2γ、28
及びこれらモータ27.28によって回転する雄ネジ部
を刻設したロッド29゜30を用いている。
つまり、本体1の底面に第1のモータ27を固定し、こ
のモータ27によって水平方向に架設した第1のロッド
29を回転するとともに、第1のロッド29に支持台3
1を螺合し、この支゛持台31上に第2のモータ28を
取り付け、この第2のモータ28によって第2のロッド
30を回転せしめる如くし、且つこの第2のロッド30
に移し換え部材20を螺合している。
而してモータ27の駆動により支持台31及び移し換え
部材20は前後方向(第7図左右方向)に移動し、また
モータ28の駆動により移し換え部材20は案内ロッド
32.33に沿って上下方向に移動することとなる。し
たがってこの変更実施例によっても前記同様の作用がな
される。
尚1以上は本発明の単なる実施の一例を示したに過ぎず
、本発明は上記のものに限られるものではない。例えば
図示例においては、下端が開口したチャンバー5に下方
からウェハーの保持体13を挿抜するようにしたが、上
端部が開口したチャンバーを用い、チャンバーの上端か
ら保持体を出し入れするようにしてもよい。そして更に
図示例では2つのカセット内のウェハーを同時にプラズ
マ処理できるものを示したが、1つのカセット内のウェ
ハーのみを処理するようにしてもよいのは勿論である。
以上の説明で明らかな如く1本発明によれば。
装置本体内にプラズマ発生用チャンバーを縦方向に配置
するとともに、このチャンバーに対し多数のウェハーを
保持し得る保持体を挿抜自在とし、この一方装置本体内
に多数のウェハーを収納したカセットを上記保持体近傍
まで搬送する搬送部材と、上記保持体近傍に位置したカ
セットからウェハーを保持体内に移し換えるための舌状
片を備えた移し換え部材とを設けたので、手作業による
ことなく自動的に多数枚のウェハーを処理でき、ウェハ
ーの破損を極力抑えることができる。しかも多数枚のウ
ェハーを同時に保持体内に送り込むことができるので、
処理時間の大巾な短縮を図ることができ、作業能率が向
上する。
そして更にチャンバーを縦型としたため余分なスペース
を必要とせず、装置のコンパクト化が図れ、装置の占有
面積を可及的に減少せしめ得る等多大の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の好適な実施例を示すものであり、第1図
は本発明に係る縦型自動プラズマ処理装置の一部を切り
欠いて内部を示した正面図、第2図は同装置の内部構造
を示す側面図、第3図はウェハー保持体の上部を示す斜
視図、第4図はカセットがウェハーを収納している状態
を示す正面図、第5図は移し換え部材とカセットの関係
を示す斜視図、第6図は各部材の作動の途中の状態を示
す第2図と同様の側面図、第7図は移し換え部材の作動
機構の別実施例を示す側面図である。 尚、図面中1は装置本体、5はプラズマ発生用チャンバ
ー、′13はウェハー保持体、17は搬送部材、18は
カセット、2oは移し換え部材、22は舌状片である。 特許用 願人 東京電子化学株式会社 代理人 弁理士 下  1) 容一部 器   弁理士  大  橋  邦   産量  弁理
士 小  山    有 第1図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 装置本体内に縦方向に配設したプラズマ発生用チャンバ
    ーと、このチャンバー内に挿抜自在とされたウェハー保
    持体と、複数のウエノ・−を上下方向に離間して収納す
    るカセットと、このカセットを上記ウニ・・−保持体の
    近傍まで搬送する搬送部材と、上記ウエノ・−保持体の
    近傍に位置したカセット内からウエノ・−をウエノ・−
    保持体内に送り込むとともにウエノ・−保持体内のウエ
    ノ・−をカセット内に取り出すだめの舌状片を備えた移
    し換え部材とからなる縦型自動プラズマ処理装置。
JP15928281A 1981-10-05 1981-10-05 縦型自動プラズマ処理装置 Granted JPS5860553A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15928281A JPS5860553A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 縦型自動プラズマ処理装置
US06/424,287 US4550242A (en) 1981-10-05 1982-09-27 Automatic plasma processing device and heat treatment device for batch treatment of workpieces

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15928281A JPS5860553A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 縦型自動プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5860553A true JPS5860553A (ja) 1983-04-11
JPH0557736B2 JPH0557736B2 (ja) 1993-08-24

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ID=15690383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15928281A Granted JPS5860553A (ja) 1981-10-05 1981-10-05 縦型自動プラズマ処理装置

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