JPH0666295B2 - 多段プラズマ処理装置 - Google Patents
多段プラズマ処理装置Info
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- JPH0666295B2 JPH0666295B2 JP58118017A JP11801783A JPH0666295B2 JP H0666295 B2 JPH0666295 B2 JP H0666295B2 JP 58118017 A JP58118017 A JP 58118017A JP 11801783 A JP11801783 A JP 11801783A JP H0666295 B2 JPH0666295 B2 JP H0666295B2
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- JP
- Japan
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- chamber
- wafer
- cassette
- vacuum
- transfer device
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はLSI或いは超LSI等の大規模集積回路を形成した
チツプ素材となる半導体ウエハーにプラズマ処理を施す
装置に関する。
チツプ素材となる半導体ウエハーにプラズマ処理を施す
装置に関する。
LSI、超LSI等の大規模集積回路を形成したチツプを製造
するには、半導体ウエハーに微細パターンを形成したレ
ジスト膜を介して、絶縁膜、半導体膜或いは金属膜をエ
ツチングする工程、上記膜をクリーニングする工程及び
エツチングに使用したレジスト膜をウエハー表面から除
去する工程を必要としている。
するには、半導体ウエハーに微細パターンを形成したレ
ジスト膜を介して、絶縁膜、半導体膜或いは金属膜をエ
ツチングする工程、上記膜をクリーニングする工程及び
エツチングに使用したレジスト膜をウエハー表面から除
去する工程を必要としている。
そして、上記各工程を行うには無機酸、有機溶剤等の種
々の液体化学薬品を用いた湿式処理と、プラズマを用い
た乾式処理があるが、最近では加工精度及び作業性に優
れたプラズマ処理を行う傾向にある。
々の液体化学薬品を用いた湿式処理と、プラズマを用い
た乾式処理があるが、最近では加工精度及び作業性に優
れたプラズマ処理を行う傾向にある。
しかしながら、上記各工程をプラズマ処理によつて行う
としても、各工程における処理条件、例えば真空度、処
理時間及び反応ガス等は各工程毎に異なり、また従来の
プラズマ処理装置は１つのプラズマ発生用チヤンバー
（処理室）しか備えていないため、１つの処理装置で複
数の工程を連続的に行うことができない。
としても、各工程における処理条件、例えば真空度、処
理時間及び反応ガス等は各工程毎に異なり、また従来の
プラズマ処理装置は１つのプラズマ発生用チヤンバー
（処理室）しか備えていないため、１つの処理装置で複
数の工程を連続的に行うことができない。
斯る問題は１つのプラズマ処理装置に複数のプラズマ発
生用チヤンバーを設ければよいのであるが、単に複数の
プラズマ発生用チヤンバーを設けただけでは装置自体極
めて大型化し、更にウエハーをチヤンバーへ移す機構も
複雑となり、かえつて処理が面倒となる。
生用チヤンバーを設ければよいのであるが、単に複数の
プラズマ発生用チヤンバーを設けただけでは装置自体極
めて大型化し、更にウエハーをチヤンバーへ移す機構も
複雑となり、かえつて処理が面倒となる。
本発明は上述した従来の問題点を改善すべく成したもの
であり、その目的とする処は、従来のプラズマ処理装置
と比べて略々同じ大きさで済み、しかもウエハーを異な
る条件で連続的に処理し得る多段プラズマ処理装置を提
供するにある。
であり、その目的とする処は、従来のプラズマ処理装置
と比べて略々同じ大きさで済み、しかもウエハーを異な
る条件で連続的に処理し得る多段プラズマ処理装置を提
供するにある。
この目的を達成するために本発明は、上下方向に重なる
ように配置されるとともに内部にウェハー搬送装置18を
組込んだ複数のプラズマ発生用チャンバー１と、内部に
ウェハー搬送装置33を組込んだ真空予備室３と、この真
空予備室３にウエハー８を出し入れするために真空予備
室３の開口31に向って移動可能に設けたウェハー出し入
れ用の搬送装置34と、ガイド部材４に昇降可能に支持さ
れ、前記ウェハー出し入れ用の搬送装置34の一端が入り
込む十分に大きな切欠７を有したカセット台６と、この
カセット台６に立設され、前記切欠７を通って相対的に
上昇する前記ウェハー出し入れ用の搬送装置34の一端に
てウエハー８が出し入れされるウエハー収納用カセット
５とから多段プラズマ処理装置を構成し、これらプラズ
マ発生用チャンバー１、真空予備室３、ウェハー出し入
れ用の搬送装置34及びウエハー収納用カセット５をこの
順で配列する。
ように配置されるとともに内部にウェハー搬送装置18を
組込んだ複数のプラズマ発生用チャンバー１と、内部に
ウェハー搬送装置33を組込んだ真空予備室３と、この真
空予備室３にウエハー８を出し入れするために真空予備
室３の開口31に向って移動可能に設けたウェハー出し入
れ用の搬送装置34と、ガイド部材４に昇降可能に支持さ
れ、前記ウェハー出し入れ用の搬送装置34の一端が入り
込む十分に大きな切欠７を有したカセット台６と、この
カセット台６に立設され、前記切欠７を通って相対的に
上昇する前記ウェハー出し入れ用の搬送装置34の一端に
てウエハー８が出し入れされるウエハー収納用カセット
５とから多段プラズマ処理装置を構成し、これらプラズ
マ発生用チャンバー１、真空予備室３、ウェハー出し入
れ用の搬送装置34及びウエハー収納用カセット５をこの
順で配列する。
前記カセット５と真空予備室３との間を往復移動するウ
ェハー出し入れ用の搬送装置34を介してウエハー８を次
々と前記複数のプラズマ発生チャンバー１へ装入し、処
理し、抽出することができる。
ェハー出し入れ用の搬送装置34を介してウエハー８を次
々と前記複数のプラズマ発生チャンバー１へ装入し、処
理し、抽出することができる。
前記真空予備室３はプラズマ発生用チャンバー１の一側
部又は両側部に付設する。
部又は両側部に付設する。
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る多段プラズマ処理装置の要部の斜
視図であり、上下方向の複数段重なる如く配設されたプ
ラズマ発生用チヤンバー１…の一側部には、中間室２…
を介して真空予備室３…が個別に付設されている。ま
た、真空予備室３の側方には一対の平行なロツド形状の
ガイド部材4,4が立設され、これらガイド部材4,4により
ウエハー収納用カセット５を載置するカセツト台６の昇
降動が案内され、それについて該カセツト５が昇降動す
る。この収容用カセツト台６の昇降動は例えばパルス制
御されるモータによつて回転するネジロツドにカセツト
台６の一部を螺合せしめるようにして行う。
視図であり、上下方向の複数段重なる如く配設されたプ
ラズマ発生用チヤンバー１…の一側部には、中間室２…
を介して真空予備室３…が個別に付設されている。ま
た、真空予備室３の側方には一対の平行なロツド形状の
ガイド部材4,4が立設され、これらガイド部材4,4により
ウエハー収納用カセット５を載置するカセツト台６の昇
降動が案内され、それについて該カセツト５が昇降動す
る。この収容用カセツト台６の昇降動は例えばパルス制
御されるモータによつて回転するネジロツドにカセツト
台６の一部を螺合せしめるようにして行う。
第５図は本発明に係るカセット台、カセットを説明する
ための平面断面図である。
ための平面断面図である。
ウエハー収納用カセツト台６は中央に切欠７を形成した
平面コ字状をなし、ウエハー収納用カセツト５を載置し
たときに、ウエハー８を出し入れ自在としている。即
ち、後述するウエハー出し入れ用の搬送装置34の一端を
差し込んで、相対的に上昇することで、搬送装置34にて
ウエハー８をカセット５から浮かし、搬送装置34にてウ
エハー８を真空予備室側３側へ移動する。切欠７は搬送
装置34の相対的上昇を可能にする十分に大きな切欠であ
る。また、カセット５はカセット台６に立設され、前記
切欠７を通って相対的に上昇する前記ウェハー出し入れ
用の搬送装置34の一端にてウエハー８が出し入れされる
構造である。
平面コ字状をなし、ウエハー収納用カセツト５を載置し
たときに、ウエハー８を出し入れ自在としている。即
ち、後述するウエハー出し入れ用の搬送装置34の一端を
差し込んで、相対的に上昇することで、搬送装置34にて
ウエハー８をカセット５から浮かし、搬送装置34にてウ
エハー８を真空予備室側３側へ移動する。切欠７は搬送
装置34の相対的上昇を可能にする十分に大きな切欠であ
る。また、カセット５はカセット台６に立設され、前記
切欠７を通って相対的に上昇する前記ウェハー出し入れ
用の搬送装置34の一端にてウエハー８が出し入れされる
構造である。
一方、前記プラズマ発生用チヤンバー１、中間室２及び
真空予備室３の内部構造は第２図及び第３図に示すよう
に、プラズマ発生用チヤンバー１の上壁９には反応ガス
の導入管10を、側壁11には真空ポンプにつながる真空引
き用のパイプ12を取り付け、またチヤンバー１内には高
周波電源につながる上部電極13と下部電極14とからなる
平行平板型電極を設け、この下部電極14内に冷却水導入
管15及び排水管16を介して冷却水を循環せしめるように
している。また下部電極14の中央からはウエハー載置台
17が昇降動自在に突出しており、この載置台17はその下
降限において下部電極と略々面一となるようにされてい
る。そしてチヤンバー１内の下部で下部電極14よりも若
干上方には一対の平行なベルトコンベア18,18が左右方
向に移動可能に配設されている。
真空予備室３の内部構造は第２図及び第３図に示すよう
に、プラズマ発生用チヤンバー１の上壁９には反応ガス
の導入管10を、側壁11には真空ポンプにつながる真空引
き用のパイプ12を取り付け、またチヤンバー１内には高
周波電源につながる上部電極13と下部電極14とからなる
平行平板型電極を設け、この下部電極14内に冷却水導入
管15及び排水管16を介して冷却水を循環せしめるように
している。また下部電極14の中央からはウエハー載置台
17が昇降動自在に突出しており、この載置台17はその下
降限において下部電極と略々面一となるようにされてい
る。そしてチヤンバー１内の下部で下部電極14よりも若
干上方には一対の平行なベルトコンベア18,18が左右方
向に移動可能に配設されている。
また、チヤンバー１と開口19を介して連通し、真空予備
室３と開口20を介して連通する中間室２内には弁装置21
が設けられている。この弁装置21はシリンダ22のロツド
23に固着された支持部24と、この支持部24にリンク25,2
5を介して連結し、前面にシール26を取付けた弁体27と
からなり、ロツド23がシリンダ22内に引つ込んでいると
きに第４図（イ）に示す如く、スプリングによつて弁体
27先端部が支持部24の先端部よりも突出し、シリンダ22
を作動させて、ロツド23を突出せしめ第４図（ロ）に示
す如く弁体27の先端部を中間室２の側壁に当接させ、更
にロツド23を突出させることで弁体27を前方へ移動せし
めて、前記開口19を閉じ、チヤンバー１と真空予備室３
との気密に隔離する。
室３と開口20を介して連通する中間室２内には弁装置21
が設けられている。この弁装置21はシリンダ22のロツド
23に固着された支持部24と、この支持部24にリンク25,2
5を介して連結し、前面にシール26を取付けた弁体27と
からなり、ロツド23がシリンダ22内に引つ込んでいると
きに第４図（イ）に示す如く、スプリングによつて弁体
27先端部が支持部24の先端部よりも突出し、シリンダ22
を作動させて、ロツド23を突出せしめ第４図（ロ）に示
す如く弁体27の先端部を中間室２の側壁に当接させ、更
にロツド23を突出させることで弁体27を前方へ移動せし
めて、前記開口19を閉じ、チヤンバー１と真空予備室３
との気密に隔離する。
また、真空予備室３の上壁28には真空引き用のパイプ29
を取付け、側壁30には開口31を開口する弁体32を設け、
更に真空予備室３内には一対の平行なベルトコンベア3
3,33を配設している。そして、開口31の側方にも一対の
平行なベルトコンベア34,34が配設され、このベルトコ
ンベア34は前後方向（第２図、第３図において左右方
向）に全体的に移動可能とされ、前方（第２図、第３図
中左方）に移動することで、前記ガイド部材4,4に支持
されたカセツト台６に形成した切欠７内に入り込むよう
にされ、後方に移動することで、その後端部が開口31の
近傍に位置するようにしている。そして、このベルトコ
ンベア34,34も各プラズマ発生用チヤンバー１に対応し
て個別に設けられ、且つベルトコンベア34及び前記ベル
トコンベア18,33のベルト面は同一平面上にあるように
している。
を取付け、側壁30には開口31を開口する弁体32を設け、
更に真空予備室３内には一対の平行なベルトコンベア3
3,33を配設している。そして、開口31の側方にも一対の
平行なベルトコンベア34,34が配設され、このベルトコ
ンベア34は前後方向（第２図、第３図において左右方
向）に全体的に移動可能とされ、前方（第２図、第３図
中左方）に移動することで、前記ガイド部材4,4に支持
されたカセツト台６に形成した切欠７内に入り込むよう
にされ、後方に移動することで、その後端部が開口31の
近傍に位置するようにしている。そして、このベルトコ
ンベア34,34も各プラズマ発生用チヤンバー１に対応し
て個別に設けられ、且つベルトコンベア34及び前記ベル
トコンベア18,33のベルト面は同一平面上にあるように
している。
尚、ベルトコンベア34は図示例にあつては、各プラズマ
発生用チヤンバー１毎に対応して個別に配設したが、ベ
ルトコンベア34を昇降動自在とすれば、１つのベルトコ
ンベア34により共用を図ることも可能である。
発生用チヤンバー１毎に対応して個別に配設したが、ベ
ルトコンベア34を昇降動自在とすれば、１つのベルトコ
ンベア34により共用を図ることも可能である。
次に以上の如き構成からなるプラズマ処理装置の使用例
を述べる。尚、この場合最上段に位置する第１段目のチ
ヤンバーと、第２段目のチヤンバーにおいてはCCl4ガス
を導入してウエハー上のアルミニウム膜の選択的なエツ
チングを行い、第３段目のチヤンバーではCF4ガスを導
入してウエハーのクリーニングを行い、第４段目のチヤ
ンバーにおいてはアルミニウム膜上のホトレジスト層を
アツシング除去することを本発明の一例として次に具体
的に説明する。
を述べる。尚、この場合最上段に位置する第１段目のチ
ヤンバーと、第２段目のチヤンバーにおいてはCCl4ガス
を導入してウエハー上のアルミニウム膜の選択的なエツ
チングを行い、第３段目のチヤンバーではCF4ガスを導
入してウエハーのクリーニングを行い、第４段目のチヤ
ンバーにおいてはアルミニウム膜上のホトレジスト層を
アツシング除去することを本発明の一例として次に具体
的に説明する。
先ず、ガイド部材4,4に支持されたカセツト台６上に例
えば25枚の未処理のウエハー８…を収納したカセツト５
を載置し、これを最上段のチヤンバー１よりも上方とな
るように位置せしめ、このカセット５よりも下方にカセ
ツト台６′上に載置した空のカセツト５′を位置せしめ
る。斯る状態からベルトコンベア34を前方へ移動させ、
これと同時にカセツト台６を降下させる。すると、カセ
ツト台６には切欠７が形成されているのでカセツト５の
降下により最下段のウエハー８がベルトコンベア34上に
載る。そこで、カセツト５の降下を停止するとともにベ
ルトコンベア34を後方へ移動する。
えば25枚の未処理のウエハー８…を収納したカセツト５
を載置し、これを最上段のチヤンバー１よりも上方とな
るように位置せしめ、このカセット５よりも下方にカセ
ツト台６′上に載置した空のカセツト５′を位置せしめ
る。斯る状態からベルトコンベア34を前方へ移動させ、
これと同時にカセツト台６を降下させる。すると、カセ
ツト台６には切欠７が形成されているのでカセツト５の
降下により最下段のウエハー８がベルトコンベア34上に
載る。そこで、カセツト５の降下を停止するとともにベ
ルトコンベア34を後方へ移動する。
次いで、弁体32を回動させて開口31を開き、ベルトコン
ベア34及び33を駆動せしめることでウエハー８を真空予
備室３に入れる。尚、この場合、真空予備室３と中間室
２とを連通する開口19は弁装置21によつて閉じられてい
る。
ベア34及び33を駆動せしめることでウエハー８を真空予
備室３に入れる。尚、この場合、真空予備室３と中間室
２とを連通する開口19は弁装置21によつて閉じられてい
る。
そして、弁体32によつて開口31を閉じた後、真空予備室
３を所定の真空度になるまで真空引きし、所定の真空度
に到達したならば弁装置21によつて開口19を開き真空予
備室３とチヤンバー１内とを連通する。そして、ベルト
コンベア33及び18を駆動することでウエハー８をチヤン
バー１内に搬入する。この場合、チヤンバー１内は既に
所定の真空度に保持されている。
３を所定の真空度になるまで真空引きし、所定の真空度
に到達したならば弁装置21によつて開口19を開き真空予
備室３とチヤンバー１内とを連通する。そして、ベルト
コンベア33及び18を駆動することでウエハー８をチヤン
バー１内に搬入する。この場合、チヤンバー１内は既に
所定の真空度に保持されている。
而る後、弁装置21によつて開口19を閉じるとともに反応
ガスの導入管10を介してチヤンバー１内にCCl4ガスを導
入する。また、これと同時にウエハー載置台17が上昇
し、ベルトコンベア18上にあつたウエハー８をウエハー
載置台17上に載せ、この後ベルトコンベア18,18が左右
に移動してその間隔がウエハー８の径よりも大きくな
る。次いで、ウエハー載置台17が降下してウエハー８を
下部電極14上に載置する。この状態から、上部電極13と
下部電極14との間に高周波を印加しプラズマを発生せし
め、ウエハー８表面のアルミニウム膜をエツチングす
る。
ガスの導入管10を介してチヤンバー１内にCCl4ガスを導
入する。また、これと同時にウエハー載置台17が上昇
し、ベルトコンベア18上にあつたウエハー８をウエハー
載置台17上に載せ、この後ベルトコンベア18,18が左右
に移動してその間隔がウエハー８の径よりも大きくな
る。次いで、ウエハー載置台17が降下してウエハー８を
下部電極14上に載置する。この状態から、上部電極13と
下部電極14との間に高周波を印加しプラズマを発生せし
め、ウエハー８表面のアルミニウム膜をエツチングす
る。
そして、第１段目のチヤンバー１における処理が半分程
度まで済んだならば、前記同様の操作により、カセツト
５の下から２段目に収納されていたウエハー８を第２段
目のチヤンバー１内に搬入し、この第２段目のチヤンバ
ー１内においてCCl4ガスを用いてウエハー８表面のアル
ミニウム膜のエツチングを行う。
度まで済んだならば、前記同様の操作により、カセツト
５の下から２段目に収納されていたウエハー８を第２段
目のチヤンバー１内に搬入し、この第２段目のチヤンバ
ー１内においてCCl4ガスを用いてウエハー８表面のアル
ミニウム膜のエツチングを行う。
尚、このエツチング処理の間に、前記カセツト５を一旦
上昇させ、カセツト５′を最上段のチヤンバー１に対応
する位置まで上昇させておく。
上昇させ、カセツト５′を最上段のチヤンバー１に対応
する位置まで上昇させておく。
そして、第１段目のチヤンバー１におけるエツチング処
理が終了したならば前記とは逆の操作によりウエハー８
を真空予備室３に戻し、ベルトコンベア33,34を駆動し
てウエハー８をベルトコンベア34上に載せ、このベルト
コンベア34を前方に移動せしめて、アルミニウム膜のエ
ツチング処理が終了したウエハー８を空のカセツト５′
内に収納する。
理が終了したならば前記とは逆の操作によりウエハー８
を真空予備室３に戻し、ベルトコンベア33,34を駆動し
てウエハー８をベルトコンベア34上に載せ、このベルト
コンベア34を前方に移動せしめて、アルミニウム膜のエ
ツチング処理が終了したウエハー８を空のカセツト５′
内に収納する。
次いでベルトコンベア34をカセツト5,5′の昇降動と干
渉しない位置まで戻す。この後、３段目のプラズマ発生
用チヤンバー１に対応して設けられたベルトコンベア34
を前方に移動せしめるとともに空のカセツト５′を降下
せしめ、３段目のベルトコンベア34上にアルミニウム膜
のエツチング処理が終了したウエハー34を載置する。そ
して、前記同様の操作でこのウエハーを３段目のプラズ
マ発生用チヤンバー１内に搬入する。ここで３段目のプ
ラズマ発生チヤンバー１内には反応ガスとしてCF4ガス
を充填し、このチヤンバー１内ではプラズマクリーニン
グ処理を行う。
渉しない位置まで戻す。この後、３段目のプラズマ発生
用チヤンバー１に対応して設けられたベルトコンベア34
を前方に移動せしめるとともに空のカセツト５′を降下
せしめ、３段目のベルトコンベア34上にアルミニウム膜
のエツチング処理が終了したウエハー34を載置する。そ
して、前記同様の操作でこのウエハーを３段目のプラズ
マ発生用チヤンバー１内に搬入する。ここで３段目のプ
ラズマ発生チヤンバー１内には反応ガスとしてCF4ガス
を充填し、このチヤンバー１内ではプラズマクリーニン
グ処理を行う。
一方、アルミ膜のエツチング処理が終了したウエハー８
に対し３段目のチヤンバー１でクリーニング処理を行つ
ている間に、最上段のチヤンバー１内では、カセツト５
の最下段から３段目に収納されていたウエハー８のアル
ミニウム膜エッチング処理を施すこととなる。
に対し３段目のチヤンバー１でクリーニング処理を行つ
ている間に、最上段のチヤンバー１内では、カセツト５
の最下段から３段目に収納されていたウエハー８のアル
ミニウム膜エッチング処理を施すこととなる。
そして、３段目のチヤンバー１内でクリーニング処理が
施されたウエハー８は前記同様の操作で再び空のカセツ
ト５′内に戻され、次いで前記同様の操作により今度は
４段目のチヤンバー１内に搬入される。そしてこのチヤ
ンバー１内には反応ガスとしてO2ガスを導入し、プラズ
マによりレジスト膜のアツシング処理を行う。これと併
行して第２段目のチヤンバー１内でアルミニウム膜のエ
ツチング処理が終了したウエハー８を３段目のチヤンバ
ー１内にてクリーニング処理を施す。
施されたウエハー８は前記同様の操作で再び空のカセツ
ト５′内に戻され、次いで前記同様の操作により今度は
４段目のチヤンバー１内に搬入される。そしてこのチヤ
ンバー１内には反応ガスとしてO2ガスを導入し、プラズ
マによりレジスト膜のアツシング処理を行う。これと併
行して第２段目のチヤンバー１内でアルミニウム膜のエ
ツチング処理が終了したウエハー８を３段目のチヤンバ
ー１内にてクリーニング処理を施す。
このようにして、複数枚のウエハーに対し、異なる処理
条件下において、連続的にプラズマ処理を施す。
条件下において、連続的にプラズマ処理を施す。
尚、以上の使用例は一例に過ぎず、反応条件等は任意に
設定できるものであり、また実施例にあつては個々のプ
ラズマ発生用チヤンバー毎に真空ポンプ及び高周波電源
を設けるようにしたが、１つの真空ポンプ或いは高周波
電源を共用するようにしてもよい。
設定できるものであり、また実施例にあつては個々のプ
ラズマ発生用チヤンバー毎に真空ポンプ及び高周波電源
を設けるようにしたが、１つの真空ポンプ或いは高周波
電源を共用するようにしてもよい。
また、図示例にあつてはプラズマ発生用チヤンバー１…
の一側部に真空予備室３…を付設したものを示したが、
プラズマ発生用チヤンバー１…の両側部に真空予備室３
を付設し、一方の真空予備室３から搬入したウエハー８
を他方の真空予備室３を介して搬出するようにしてもよ
い。尚、この場合はそれぞれの真空予備室の側方にガイ
ド部材４を立設する必要がある。
の一側部に真空予備室３…を付設したものを示したが、
プラズマ発生用チヤンバー１…の両側部に真空予備室３
を付設し、一方の真空予備室３から搬入したウエハー８
を他方の真空予備室３を介して搬出するようにしてもよ
い。尚、この場合はそれぞれの真空予備室の側方にガイ
ド部材４を立設する必要がある。
以上に説明したように本発明によれば、装置内に真空予
備室を付設したプラズマ発生用チヤンバーを上下方向に
重なる如く配設し、真空予備室の側方にはガイド部材を
介してウエハーを収納したカセツトを昇降動自在に保持
し、更に搬送装置により、上記チヤンバーとカセツトと
の間でウエハーを出し入れ可能としたので、１つの装置
で複数のウエハーに対し、異なる条件下において連続的
に各種プラズマ処理を行うことができ、従来に比べ飛躍
的に生産効率が向上するとともに、装置自体が占めるス
ペースも従来装置と然程変わることがない等多くの効果
を発揮する。
備室を付設したプラズマ発生用チヤンバーを上下方向に
重なる如く配設し、真空予備室の側方にはガイド部材を
介してウエハーを収納したカセツトを昇降動自在に保持
し、更に搬送装置により、上記チヤンバーとカセツトと
の間でウエハーを出し入れ可能としたので、１つの装置
で複数のウエハーに対し、異なる条件下において連続的
に各種プラズマ処理を行うことができ、従来に比べ飛躍
的に生産効率が向上するとともに、装置自体が占めるス
ペースも従来装置と然程変わることがない等多くの効果
を発揮する。
第１図は本発明に係る多段プラズマ処理装置の要部を示
す斜視図、第２図は同要部の縦断面図、第３図は同要部
の横断面図、第４図（イ），（ロ）は弁装置の作動を示
す横断面図、第５図は本発明に係るカセット台、カセッ
トを説明するための平面断面図である。 尚、図面中１はプラズマ発生用チヤンバー、３は真空予
備室、４はガイド部材、5,5′はウエハー収納用カセッ
ト、６はカセット台、７は切欠、８はウエハー、13,14
は電極、18,33,34は搬送装置、21は弁装置、31は真空予
備室の開口である。
す斜視図、第２図は同要部の縦断面図、第３図は同要部
の横断面図、第４図（イ），（ロ）は弁装置の作動を示
す横断面図、第５図は本発明に係るカセット台、カセッ
トを説明するための平面断面図である。 尚、図面中１はプラズマ発生用チヤンバー、３は真空予
備室、４はガイド部材、5,5′はウエハー収納用カセッ
ト、６はカセット台、７は切欠、８はウエハー、13,14
は電極、18,33,34は搬送装置、21は弁装置、31は真空予
備室の開口である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−164522（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−150920（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−111336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−98478（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−16237（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−39430（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】上下方向に重なるように配設されるととも
に内部にウェハー搬送装置18を組込んだ複数のプラズマ
発生用チャンバー１と、 内部にウェハー搬送装置33を組込んだ真空予備室３と、 この真空予備室３にウエハー８を出し入れするために真
空予備室３の開口31に向って移動可能に設けたウェハー
出し入れ用の搬送装置34と、 ガイド部材４に昇降可能に支持され、前記ウェハー出し
入れ用の搬送装置34の一端が入り込む十分に大きな切欠
７を有したカセット台６と、 このカセット台６に立設され、前記切欠７を通って相対
的に上昇する前記ウェハー出し入れ用の搬送装置34の一
端にてウエハー８が出し入れされるウエハー収納用カセ
ット５とからなり、 これらプラズマ発生用チャンバー１、真空予備室３、ウ
ェハー出し入れ用の搬送装置34及びウエハー収納用カセ
ット５をこの順で配列し、 前記カセット５と真空予備室３との間を往復移動するウ
ェハー出し入れ用の搬送装置34を介してウエハー８を次
々と前記複数のプラズマ発生チャンバー１へ装入し、処
理し、抽出するように構成したことを特徴とする多段プ
ラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記真空予備室３はプラズマ発生用チャン
バー１の一側部に付設されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の多段プラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記真空予備室３はプラズマ発生用チャン
バー１の両側部に付設されたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の多段プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118017A JPH0666295B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 多段プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118017A JPH0666295B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 多段プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010625A JPS6010625A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH0666295B2 true JPH0666295B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14725995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118017A Expired - Lifetime JPH0666295B2 (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 多段プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666295B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0236035U (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-08 | ||
| JP2592511B2 (ja) * | 1988-12-03 | 1997-03-19 | 株式会社フレンドテック研究所 | 縦型半導体製造システム |
| EP0506109B1 (en) * | 1991-03-28 | 1997-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer material carrying member and image forming apparatus making use of the same |
| JP3179168B2 (ja) * | 1992-01-30 | 2001-06-25 | キヤノン株式会社 | 転写材担持部材及び画像形成装置 |
| US5470940A (en) * | 1992-06-29 | 1995-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer material supporting member and image forming device using this transfer material supporting member |
| JP3325136B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2002-09-17 | 東芝テック株式会社 | 画像形成装置 |
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| JP3947761B2 (ja) * | 1996-09-26 | 2007-07-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法 |
| US5879459A (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-09 | Genus, Inc. | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition |
| US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
| US6551399B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-04-22 | Genus Inc. | Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition |
| US6617173B1 (en) | 2000-10-11 | 2003-09-09 | Genus, Inc. | Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition |
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| KR102244137B1 (ko) * | 2011-10-26 | 2021-04-23 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 반도체 웨이퍼 취급 및 이송 |
| CN117276162B (zh) * | 2023-11-22 | 2024-03-22 | 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司 | 一种等离子体处理设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116237A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Daiichi Denshi Kogyo | Denkaishorihoshiki |
| JPS55150920A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-25 | Plasma Syst:Kk | Plasma continuous treatment apparatus |
| JPS5698478A (en) * | 1980-01-08 | 1981-08-07 | Toshiba Corp | Vacuum treating device |
| JPS56164522A (en) * | 1980-05-22 | 1981-12-17 | Sony Corp | Transferring and distributing method |
| JPS5739430U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-03 | ||
| JPS58111336A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | ベルト式ウエハベ−ク炉 |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58118017A patent/JPH0666295B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010625A (ja) | 1985-01-19 |
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