JPH06338440A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06338440A JPH06338440A JP14865993A JP14865993A JPH06338440A JP H06338440 A JPH06338440 A JP H06338440A JP 14865993 A JP14865993 A JP 14865993A JP 14865993 A JP14865993 A JP 14865993A JP H06338440 A JPH06338440 A JP H06338440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing apparatus
- semiconductor manufacturing
- cassette stocker
- cassette
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置内でのウェーハの自然酸化を防
止する。 【構成】半導体製造装置内にクリーンユニットを設ける
と共に不活性ガスを供給可能とし、半導体製造装置内に
不活性ガス流れを形成し、半導体製造装置内のウェーハ
の自然酸化を防止する。
止する。 【構成】半導体製造装置内にクリーンユニットを設ける
と共に不活性ガスを供給可能とし、半導体製造装置内に
不活性ガス流れを形成し、半導体製造装置内のウェーハ
の自然酸化を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特に装
置内で待機中のウェーハの自然酸化を防止する半導体製
造装置に関するものである。
置内で待機中のウェーハの自然酸化を防止する半導体製
造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置で未処理ウェーハ、処理
済ウェーハを装置外部と授受する為、半導体製造装置に
はカセットストッカが設けられる。ウェーハはウェーハ
カセットに装填された状態でカセットストッカに収納さ
れ、授受が行われる迄待機する。
済ウェーハを装置外部と授受する為、半導体製造装置に
はカセットストッカが設けられる。ウェーハはウェーハ
カセットに装填された状態でカセットストッカに収納さ
れ、授受が行われる迄待機する。
【０００３】従来、半導体製造装置には１組のカセット
ストッカが設けられていたが、本出願人が特願平２−４
２１７９号（特開平３−２４４１２１号）で提案した様
に、ウェーハカセットの搬送効率、半導体製造装置の可
動率を向上させる為、次のバッチ分のウェーハカセット
を収納するバッファカセットストッカが設けられた半導
体製造装置がある。
ストッカが設けられていたが、本出願人が特願平２−４
２１７９号（特開平３−２４４１２１号）で提案した様
に、ウェーハカセットの搬送効率、半導体製造装置の可
動率を向上させる為、次のバッチ分のウェーハカセット
を収納するバッファカセットストッカが設けられた半導
体製造装置がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】斯かる半導体製造装置
の様にバッファカセットストッカを有するものでは、半
導体製造装置内での待機時間が長くなることは避けられ
ず、半導体製造装置内でのウェーハの自然酸化が問題と
なってきた。
の様にバッファカセットストッカを有するものでは、半
導体製造装置内での待機時間が長くなることは避けられ
ず、半導体製造装置内でのウェーハの自然酸化が問題と
なってきた。
【０００５】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置内でのウェーハの自然酸化が防止される様にしたもの
である。
置内でのウェーハの自然酸化が防止される様にしたもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置内にクリーンユニットを設けると共に不活性ガスを供
給可能とし、半導体製造装置内に不活性ガス流れを形成
したものである。
置内にクリーンユニットを設けると共に不活性ガスを供
給可能とし、半導体製造装置内に不活性ガス流れを形成
したものである。
【０００７】
【作用】半導体製造装置内に不活性ガス流れが形成さ
れ、半導体製造装置内のウェーハの自然酸化が防止され
る。
れ、半導体製造装置内のウェーハの自然酸化が防止され
る。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【０００９】図１、図２に於いて、反応炉１は半導体製
造装置の上部位置に設けられ、該反応炉１の下方にはボ
ートエレベータ２が設けられ、該ボートエレベータ２は
ウェーハ３が装填されたボート４を反応炉１内部に装
入、引出しする。
造装置の上部位置に設けられ、該反応炉１の下方にはボ
ートエレベータ２が設けられ、該ボートエレベータ２は
ウェーハ３が装填されたボート４を反応炉１内部に装
入、引出しする。
【００１０】前記反応炉１、ボートエレベータ２と対向
した位置に、バッファカセットストッカ７、カセットス
トッカ８が設けられ、該カセットストッカ８と前記ボー
トエレベータ２との間にウェーハ移載機９が設けられ
る。前記バッファカセットストッカ７と前記反応炉１と
の間にバッファカセットストッカ用クリーンユニット１
０が設けられ、前記カセットストッカ８と前記ウェーハ
移載機９との間にはシャッタ１１が設けられる。
した位置に、バッファカセットストッカ７、カセットス
トッカ８が設けられ、該カセットストッカ８と前記ボー
トエレベータ２との間にウェーハ移載機９が設けられ
る。前記バッファカセットストッカ７と前記反応炉１と
の間にバッファカセットストッカ用クリーンユニット１
０が設けられ、前記カセットストッカ８と前記ウェーハ
移載機９との間にはシャッタ１１が設けられる。
【００１１】又、前記カセットストッカ８のウェーハ移
載機９とは反対側にカセットエレベータ１２が設けら
れ、該カセットエレベータ１２には反転可能なウェーハ
カセット授受部６が設けられている。該ウェーハカセッ
ト授受部６、カセットエレベータ１２を介して外部カセ
ット搬送装置と前記カセットストッカ８、バッファカセ
ットストッカ７間でウェーハカセット５の授受が行われ
る。
載機９とは反対側にカセットエレベータ１２が設けら
れ、該カセットエレベータ１２には反転可能なウェーハ
カセット授受部６が設けられている。該ウェーハカセッ
ト授受部６、カセットエレベータ１２を介して外部カセ
ット搬送装置と前記カセットストッカ８、バッファカセ
ットストッカ７間でウェーハカセット５の授受が行われ
る。
【００１２】前記ボートエレベータ２に対峙してボート
用クリーンユニット１３が設けられ、該クリーンユニッ
ト１３からの清浄ガスは前記シャッタ１１で分割され、
一方はボート４側を流れ、他方はカセットストッカ８側
を流れる。前記クリーンユニット１３の吸引側に窒素ガ
ス源（図示せず）に接続された窒素ガス導入管１４が配
設される。該窒素ガス導入管１４は前記クリーンユニッ
ト１３に対向する部分に多数の吐出孔（図示せず）が穿
設されている。
用クリーンユニット１３が設けられ、該クリーンユニッ
ト１３からの清浄ガスは前記シャッタ１１で分割され、
一方はボート４側を流れ、他方はカセットストッカ８側
を流れる。前記クリーンユニット１３の吸引側に窒素ガ
ス源（図示せず）に接続された窒素ガス導入管１４が配
設される。該窒素ガス導入管１４は前記クリーンユニッ
ト１３に対向する部分に多数の吐出孔（図示せず）が穿
設されている。
【００１３】以下、作動を説明する。
【００１４】ウェーハ３はウェーハカセット５に装填さ
れた状態で半導体製造装置と外部との間の搬送が行われ
る。ウェーハカセット５はウェーハカセット授受部６で
中継され、ウェーハカセット授受部６の反転で半導体製
造装置に取込まれた後、前記カセットエレベータ１２に
より内部のバッファカセットストッカ７、カセットスト
ッカ８に収納される。この間前記シャッタ１１は閉塞さ
れ、前記バッファカセットストッカ７、カセットストッ
カ８は前記クリーンユニット１０、シャッタ１１で略仕
切られた空間に収納された状態となる。
れた状態で半導体製造装置と外部との間の搬送が行われ
る。ウェーハカセット５はウェーハカセット授受部６で
中継され、ウェーハカセット授受部６の反転で半導体製
造装置に取込まれた後、前記カセットエレベータ１２に
より内部のバッファカセットストッカ７、カセットスト
ッカ８に収納される。この間前記シャッタ１１は閉塞さ
れ、前記バッファカセットストッカ７、カセットストッ
カ８は前記クリーンユニット１０、シャッタ１１で略仕
切られた空間に収納された状態となる。
【００１５】前記シャッタ１１を開きウェーハ３の移載
を行う。前記カセットストッカ８に収納されたウェーハ
カセット５のウェーハ３を前記ウェーハ移載機９により
下降状態にある前記ボート４に移載する。該ボート４へ
のウェーハカセット５の移載が完了すると、前記シャッ
タ１１を閉塞し、前記ボートエレベータ２はボート４を
反応炉１内に装入し、ウェーハ３の成膜処理を行う。成
膜処理がが完了するとボートを反応炉１より取出し、再
び前記シャッタ１１を開き、処理済みのウェーハ３を前
記ウェーハ移載機９によりカセットストッカ８内の空の
ウェーハカセット５へ移載する。
を行う。前記カセットストッカ８に収納されたウェーハ
カセット５のウェーハ３を前記ウェーハ移載機９により
下降状態にある前記ボート４に移載する。該ボート４へ
のウェーハカセット５の移載が完了すると、前記シャッ
タ１１を閉塞し、前記ボートエレベータ２はボート４を
反応炉１内に装入し、ウェーハ３の成膜処理を行う。成
膜処理がが完了するとボートを反応炉１より取出し、再
び前記シャッタ１１を開き、処理済みのウェーハ３を前
記ウェーハ移載機９によりカセットストッカ８内の空の
ウェーハカセット５へ移載する。
【００１６】更に、未処理ウェーハ３のボート４への移
載が行われる。一連のウェーハ３の移載が完了すると前
記シャッタ１１が閉塞される。
載が行われる。一連のウェーハ３の移載が完了すると前
記シャッタ１１が閉塞される。
【００１７】前記クリーンユニット１０、クリーンユニ
ット１３により半導体製造装置内に清浄ガスの流れが形
成される。又、前記窒素ガス導入管１４からは窒素ガス
が供給されており、前記クリーンユニット１３により半
導体製造装置内を循環する窒素ガスの流れが形成され、
半導体製造装置内は不活性ガス雰囲気となる。従って、
ボート４に保持されたウェーハ３は窒素ガスの流れに包
まれ酸化が防止され、特に前記シャッタ１１が閉塞され
た状態では、バッファカセットストッカ７、カセットス
トッカ８が収納される空間は、他の空間から略独立した
状態となり、前記クリーンユニット１３から送給される
窒素ガスでより略完全な不活性ガス雰囲気が形成され
る。
ット１３により半導体製造装置内に清浄ガスの流れが形
成される。又、前記窒素ガス導入管１４からは窒素ガス
が供給されており、前記クリーンユニット１３により半
導体製造装置内を循環する窒素ガスの流れが形成され、
半導体製造装置内は不活性ガス雰囲気となる。従って、
ボート４に保持されたウェーハ３は窒素ガスの流れに包
まれ酸化が防止され、特に前記シャッタ１１が閉塞され
た状態では、バッファカセットストッカ７、カセットス
トッカ８が収納される空間は、他の空間から略独立した
状態となり、前記クリーンユニット１３から送給される
窒素ガスでより略完全な不活性ガス雰囲気が形成され
る。
【００１８】而して、ウェーハ３が前記バッファカセッ
トストッカ７、カセットストッカ８に収納され、待機状
態では不活性ガス雰囲気にあるので、自然酸化が抑制さ
れる。
トストッカ７、カセットストッカ８に収納され、待機状
態では不活性ガス雰囲気にあるので、自然酸化が抑制さ
れる。
【００１９】処理後のウェーハ３が装填されたウェーハ
カセット５については、上記手順の逆を行うことで半導
体製造装置外部に搬出される。
カセット５については、上記手順の逆を行うことで半導
体製造装置外部に搬出される。
【００２０】図３は本願発明の他の実施例を示すもので
ある。
ある。
【００２１】該実施例ではバッファカセットストッカ７
に収納されるウェーハ３は、次のバッチ処理の対象とな
るものであることから、待機時間が長くなることを考慮
し、バッファカセットストッカ７全体を酸化防止ケース
１５に収納可能としたものである。
に収納されるウェーハ３は、次のバッチ処理の対象とな
るものであることから、待機時間が長くなることを考慮
し、バッファカセットストッカ７全体を酸化防止ケース
１５に収納可能としたものである。
【００２２】該酸化防止ケース１５はケース本体１６と
水平方向にスライドする蓋１７から主に構成され、前記
ケース本体１６には図示しない窒素ガス供給管が連通し
ている。
水平方向にスライドする蓋１７から主に構成され、前記
ケース本体１６には図示しない窒素ガス供給管が連通し
ている。
【００２３】バッファカセットストッカ７とカセットス
トッカ８間でのウェーハカセット５の搬送は、前記蓋１
７が開いた状態で行われ、バッファカセットストッカで
の待機中では前記蓋１７が閉塞され、酸化防止ケース１
５には窒素ガスが充填される。
トッカ８間でのウェーハカセット５の搬送は、前記蓋１
７が開いた状態で行われ、バッファカセットストッカで
の待機中では前記蓋１７が閉塞され、酸化防止ケース１
５には窒素ガスが充填される。
【００２４】従って、酸化防止ケース１５内は更に高度
な不活性ガス雰囲気が形成され、一層の自然酸化が防止
される。
な不活性ガス雰囲気が形成され、一層の自然酸化が防止
される。
【００２５】尚、不活性ガスについては、窒素ガス以外
にアルゴンガス等種々のものが採用可能であり、又不活
性ガスの供給位置もクリーンユニット１３の吸引側に限
らず、不活性ガス流れが形成できる位置であればどこで
もよい。又、上記実施例ではバッファカセットストッカ
を具備した半導体製造装置について説明したが、バッフ
ァカセットストッカを具備しない半導体製造装置につい
ても実施可能であることは勿論である。
にアルゴンガス等種々のものが採用可能であり、又不活
性ガスの供給位置もクリーンユニット１３の吸引側に限
らず、不活性ガス流れが形成できる位置であればどこで
もよい。又、上記実施例ではバッファカセットストッカ
を具備した半導体製造装置について説明したが、バッフ
ァカセットストッカを具備しない半導体製造装置につい
ても実施可能であることは勿論である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、半導体
製造装置内での無用の酸化が防止され、半導体素子の品
質向上、歩留まりの向上を促進することができるという
優れた効果を発揮する。
製造装置内での無用の酸化が防止され、半導体素子の品
質向上、歩留まりの向上を促進することができるという
優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示す正面からの斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例を示す背面からの斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施例を示す背面からの斜視図で
ある。
ある。
７ バッファカセットストッカ ８ カセットストッカ １０ クリーンユニット １１ シャッタ １３ クリーンユニット １４ 窒素ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲泉 吉洋 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置内にクリーンユニットを
設けると共に不活性ガスを供給可能とし、半導体製造装
置内に不活性ガス流れを形成したことを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】 カセットストッカ、バッファカセットス
トッカの内少なくともカセットストッカを具備する半導
体製造装置に於いて、半導体製造装置内にクリーンユニ
ットを設けると共に前記少なくともカセットストッカの
収納空間を仕切るシャッタを設け、前記半導体製造装置
内に不活性ガスを供給可能とし、半導体製造装置内に不
活性ガス流れを形成すると共に少なくともカセットスト
ッカの収納空間内に不活性雰囲気を形成可能としたこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865993A JPH06338440A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14865993A JPH06338440A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338440A true JPH06338440A (ja) | 1994-12-06 |
Family
ID=15457758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14865993A Pending JPH06338440A (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06338440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6941792B2 (en) * | 2001-08-10 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface inspection system |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP14865993A patent/JPH06338440A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6941792B2 (en) * | 2001-08-10 | 2005-09-13 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface inspection system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6487793B2 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method therefor | |
| US5388944A (en) | Vertical heat-treating apparatus and heat-treating process by using the vertical heat-treating apparatus | |
| JP4308975B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体素子の形成方法 | |
| JP2003124284A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH0666295B2 (ja) | 多段プラズマ処理装置 | |
| JPH06338440A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP5164416B2 (ja) | 基板処理装置、収納容器の搬送方法および半導体装置の製造方法 | |
| US7994067B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment with an open-topped cassette apparatus | |
| JPH1079412A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4229497B2 (ja) | 基板処理装置および基板の処理方法 | |
| JP4128973B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| JP4358690B2 (ja) | 縦型熱処理装置及びその運用方法 | |
| JP4883804B2 (ja) | 半導体熱処理方法及び半導体熱処理装置 | |
| JP3176153B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3438826B2 (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
| JPH10144766A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0252449A (ja) | 基板のロード・アンロード方法 | |
| JPH04271139A (ja) | 半導体製造装置 | |
| USRE39823E1 (en) | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors | |
| KR100515775B1 (ko) | 고온 공정용 반도체 제조장치 | |
| JP2001351963A (ja) | 基板処理装置 | |
| US7089680B1 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method therefor | |
| JPH0758047A (ja) | ロードロック式縦型拡散・ｃｖｄ装置 | |
| JP2000091399A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000114187A (ja) | 半導体製造装置 |