CN114582751A - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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张奎焕
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Abstract

本发明构思提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；及第二处理部，其处理在所述第一处理部处已处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。

Description

用于处理基板的装置
技术领域
本文所述的本发明构思的例示实施方式关于一种用于处理基板的装置。
背景技术
执行诸如光学微影术工序、蚀刻工序、灰化工序、离子植入工序、及薄膜沉积工序的各个工序，以制造半导体装置。在工序中的各者处，使用各种处理液体及处理气体，且在处理工序期间，产生颗粒及工序副产品。为了移除此类薄膜、颗粒、及工序副产品，在各个工序前后执行液体处理。在习知液体处理工序中，在干燥处理之前运用化学品及冲洗液体处理基板。液体处理工序可自基板剥离SiN。
此外，运用化学品及冲洗液体处理基板的方法可大致分为集体处理多个基板的批量式处理法、及一次分别处理一个基板的单一式处理法。
在集体处理多个基板的批量式处理法中，基板处理通过将多个基板集体浸入处理浴中来执行的，在处理浴中，化学品或冲洗液体以垂直姿态储存。为此，基板处理的产量非常突出，且各个基板之间的处理质量是均匀的。然而，在批量式处理法中，在其顶表面上具有图案的多个基板以垂直姿态浸入。因此，当基板上的图案具有高纵横比时，在诸如提升基板的工序期间可能发生图案倾斜现象。此外，若在多个基板暴露于空气之后的短时间内未执行干燥处理，则可在暴露于空气的多个基板中的一些上产生水印。
另一方面，在逐一处理基板的单一式处理法的情况下，通过供应化学品或冲洗液体至以水平姿态旋转的单个基板来执行基板处理。此外，在单一式处理法中，因为转移的基板保持水平姿态，所以上述图案倾斜的风险低，且因为基板经干燥处理、或逐一处理之后立即进行液体处理，所以出现上述水印的风险低。然而，在单一式处理法的情况下，基板处理的产量差，且与批式处理法相比，各个基板之间的处理质量相对不均匀。
此外，当基板旋转并旋转干燥时，若在基板上形成的图案具有高纵横比，则可能出现倾斜现象，其中基板上的图案塌陷。
发明内容
本发明构思的实施方式提供一种用于有效处理基板的基板处理装置。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其能改善基板处理的产量。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其能改善各个基板之间处理质量的均匀性。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于最小化在基板上发生水印的风险。
本发明构思的实施方式提供一种用于最小化基板上发生图案倾斜现象的风险的基板处理装置。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于有效地处理具有高纵横比图案的基板。
本发明构思的技术目标不限于上述内容，且其他未提及的技术目标将自以下描述中对本领域技术人员变得显而易见。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；第二处理部，其处理在第一处理部处已处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。
在实施方式中，第一处理部包括第一装载端口单元，在第一装载端口单元上放置储存未处理基板的容器；且第二处理部包括第二装载端口单元，在第二装载端口单元上放置储存经处理基板的容器。
在实施方式中，第一处理部包括批量手，其转移自放置于第一装载端口单元上的容器中转移的多个基板；且第二处理部包括单一手，其转移单个在第一处理部处已经过液体处理的基板。
在实施方式中，第二处理部包括：单一式处理室，其以单一式处理法对基板执行液体处理或干燥处理；及第二缓冲单元，其放置于单一式处理室与第二装载端口单元之间，并暂时储存在单一式处理室处已处理的基板。
在实施方式中，第二处理部包括：单一式处理室，其以单一式处理法对基板执行液体处理或干燥处理；及第一缓冲单元，其放置于第一处理部与单一式处理室之间，并暂时储存在第一处理部处已处理的基板。
在实施方式中，第一处理部包括：处理浴，其具有容纳空间以容纳处理液体；储存容器，其浸没于包含于容纳空间中的处理液体中并具有用于储存基板的储存空间；及姿态改变构件，其旋转浸没于处理液体中的储存容器。
在实施方式中，姿态改变构件包括：旋转单元，其可安装于储存容器上并旋转储存容器；及移动单元，其安装于处理浴处并在水平方向上移动安装于旋转单元上的储存容器。
在实施方式中，处理浴具有带有开口顶部的容器形状，且移动单元安装于处理浴的一侧处。
在实施方式中，移动单元具有“
Figure BDA0003383979640000031
”形状，其开口部件面向底部，以便移动单元可安装于处理浴的一侧处。
在实施方式中，第一处理部还包括提升/降低构件以在上/下方向上移动由姿态改变构件旋转的储存容器，且提升/降低构件能够附接至储存容器/从储存容器移除。
在实施方式中，第二处理部包括第一缓冲单元，其用于暂时储存在第一处理部处已经过液体处理的基板；且装置还包括转移单元，其用于在储存容器与第一缓冲单元之间转移基板。
在实施方式中，基板支撑单元还包括控制器，控制器经配置以控制转移单元、及提升/降低构件，以向上移动储存容器，从而使暴露于外部的基板可转移至第一缓冲单元。
在实施方式中，基板支撑单元还包括控制器，控制器经配置以控制转移单元，以便将储存于储存容器处的基板中最顶部基板自储存容器转移至第一缓冲单元。
在实施方式中，当基板中最顶部基板自储存容器转移之后，控制器控制提升/降低构件以在向上方向上移动储存容器，因此储存于储存容器中的基板中随后的最顶部基板暴露于外部。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：批量式处理室，其用于以批量式处理法对多个基板执行清洁处理；单一式处理室，其用于处理在批量式处理室中经处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行干燥处理；及转移单元，其在批量式处理室与单一式处理室之间转移基板。
在实施方式中，批量式处理室包括：处理浴，其具有容纳空间以容纳处理液体；及姿态改变构件，其浸没于在容纳空间中含有的处理液体中并旋转具有储存基板的储存空间的储存容器。
在实施方式中，姿态改变构件包括：旋转单元，其可安装至储存容器并旋转储存容器；及移动单元，其安装于处理浴处并在水平方向上移动安装于旋转单元的储存容器。
在实施方式中，批量式处理室还包括提升/降低构件，其在上/下方向上移动由姿态改变构件旋转的储存容器。
本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；及第二处理部，其以单一式处理法对单个基板执行干燥处理，其中第一处理部包括：第一装载端口单元，其仅装载未处理基板；批量式处理室，其以批量式处理法对多个基板执行清洁处理；第一转移模块，其具有将多个基板自第一装载端口单元转移至批量式处理室的批量手；及第一缓冲单元，其放置于批量式处理室与第二处理部之间并暂时储存基板，其中第二处理部包括：单一式处理室，其对单个基板执行干燥处理；第二转移模块，其具有将基板自第一缓冲单元转移至单一式处理室的单一手；及第二装载端口单元，其用于卸除在单一式处理室处经处理的基板。
在实施方式中，提供多个单一式处理室，且单一式处理室中的至少一些与第一缓冲单元堆叠放置，且单一式处理室中的至少另一些彼此堆叠放置。
根据本发明构思的实施方式，可有效地处理基板。
根据本发明构思的实施方式，可改善基板处理的大规模生产。
根据本发明构思的实施方式，可改善各个基板之间处理质量的均匀性。
根据本发明构思的实施方式，可最小化基板上发生水印的风险。
根据本发明构思的实施方式，可最小化基板上发生图案倾斜现象的风险。
根据本发明构思的实施方式，可有效地处理具有以高纵横比形成的图案的基板。
本发明构思的效果不限于上述的效果，且本领域技术人员将自本说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
从参考以下附图的以下描述中，上述和其他目的和特征将变得显而易见，其中除非另有说明，否则在所有各个附图中相同的附图标记指代相同的部分，并且其中：
图1是根据本发明构思的实施方式的自上观察的基板处理装置的示意图。
图2是自一个方向观察的图1的第二处理部的侧视图。
图3是自另一方向观察的图1的第二处理单元的侧视图。
图4是自侧面观察的图1的批量式液体处理室及第一转移室的示意图。
图5是图示图4的第三批量式液体处理室中设置的基板处理装置的透视图。
图6是图示图4的第三批量式液体处理室中设置的基板处理装置的横截面图。
图7是图示图6的第三批量式液体处理室中处理基板的状态的视图。
图8是图示图6的第三批量式液体处理室中改变基板姿态的状态的视图。
图9是图示图6的第三批量式液体处理室中将储存容器移动至提升/降低构件的顶部的状态的视图。
图10是显示图6的第三批量式液体处理室中在储存于储存容器中的基板的最顶端处设置的基板暴露于空气中的状态的视图。
图11是图示自图6的第三批量式液体处理室取出基板并将其带入第一缓冲单元的状态的视图。
图12是图示在自图4的第三批量式液体处理室取出基板之后，在储存于储存容器中的基板的最顶端处设置的基板暴露于空气中的状态的视图。
图13是图示自图6的第三批量式液体处理室取出基板并将其带入第一缓冲单元的状态的视图。
图14是图示在图1的单一式液体处理室中设置的基板处理装置的视图。
图15是图示在图1的干燥室中设置的基板处理装置的视图。
图16是根据本发明构思的另一实施方式的自上观察的基板处理装置的示意图。
具体实施方式
本发明构思可进行各种修改并可具有各种形式，且其具体实施方式将在附图中图示并详细描述。然而，根据本发明构思的实施方式并不旨在限制特定的揭示形式，且应理解，本发明构思包括本发明构思的精神及技术范畴中包括的所有变换、等价物及替换物。在本发明构思的描述中，当相关已知技术的详细描述可能使本发明构思的本质不清楚时，可省略该描述。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方式，并不旨在限制本发明构思。如本文所用，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一(a)”、“一(an)”及“该(the)”旨在也包括复数形式。应进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”及/或“包括(comprising)”时，规定所述特征、整数、步骤、操作、部件、及/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、部件、部件、及/或其群组的存在或添加。如本文所使用的，术语“及/或”包括相关列出项目中的一个或多者的任何及所有组合。此外，术语“例示性”意指实例或说明。
单数表达包括复数表达，除非其在上下文中明确具有不同的含义。此外，为了更清楚地解释，可夸大附图中部件的形状及大小。
应理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种部件、部件、区域、层及/或区段，但这些部件、部件、区域、层及/或区段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件、部件、区域、层或区段与另一区域、层或区段。因此，下文讨论的第一部件、部件、区域、层或区段可称为第二部件、部件、区域、层或区段，而不脱离本发明构思的教导。
应理解，当部件或部件称为“在另一部件或部件上”、“连接至”、“联接至”、或“相邻于”另一部件或部件时，其可直接在另一部件或部件上，直接连接至、联接至、或相邻于另一部件或部件，或可存在中介部件或部件。相较而言，当部件称为“直接在另一部件或部件上”、“直接连接至”、“直接联接至”、或“紧邻于”另一部件或部件时，不存在中介部件或部件。解释部件之间关系的其他表达，诸如当部件称为“在另两个部件之间”时，其可直接在另两个部件之间，或可间接在另两个部件之间。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语，包括技术或科学术语，与本发明构思所属领域的技术人员通常理解的术语具有相同的含义。除非在本申请案中明确定义，否则常用词典中定义的术语应解释为与相关技术的上下文一致，而非理想的或过于正式的。
此外，下文将描述的用于转移基板W的部件，诸如下文中的转移单元或转移机器人，可称为转移模块。
以下，将参考图1至图16描述本发明构思的实施方式。
图1图示根据本发明构思的实施方式的基板处理装置，图2图示自一个方向观察的图1的第二处理部，且图3图示自另一方向观察的图1的第二处理部。
参考图1、图2、及图3，根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10可包括第一处理部100、第二处理部200、及控制器600。当自上观察时，第一处理部100及第二处理部200可沿第一方向X配置。以下，将垂直于第一方向X的方向称为第二方向Y，且将垂直于第一方向X及第二方向Y的方向称为第三方向Z。
第一处理部100可以批量式方法集体液体处理多个基板W。举例而言，第一处理部100可以批量式方法集体清洁处理多个基板W。第一处理部100可包括第一装载端口单元110、第一转位室120、第一转移室130、批量式液体处理室140、及第二转移室150。
第一装载端口单元110可包括至少一个装载埠。储存有至少一个基板W的容器F可放置于第一装载端口单元110的装载端口中。多个基板W可储存于容器F中。举例而言，25个基板可储存于容器F中。容器F可称为卡匣、POD、前开式统一吊舱(Front Opening UnifiedPods；FOUP)、等。容器F可由容器转移装置装载至第一装载端口单元110中。储存在放置于第一装载端口单元110上的容器F中的基板W可为未处理基板W或需要液体处理的基板W(待液体处理的晶圆)。此外，仅可将储存有未处理基板W的容器F放置于第一装载端口单元110中。也即，第一装载端口单元110可用于装载需要处理的基板W。
第一装载端口单元110可联接至第一转位室120。第一转位室120及第一装载端口单元110可在第二方向Y上配置。第一转位室120可包括第一转移机器人122及姿态改变单元124。第一转移机器人122可自位于第一装载端口单元110上的容器F中取出未处理或需要处理的基板(待处理晶圆)W。第一转移机器人122可将基板W自容器F取出并将基板W带入设置于第一转位室120中的储存容器C中。第一转移机器人122可具有批量手，能够同时抓取及转移多个基板(例如，25个晶圆)。
储存容器C可基本上为容器形状。储存容器C可在其中具有储存空间。多个基板W可储存于储存容器C的储存空间中。举例而言，50个基板W可储存于储存容器C的储存空间中。储存容器C可具有带有一个开口侧面的容器。可在储存容器C的储存空间中设置用于支撑/保持基板W的支撑构件。
当自容器F取出的基板W完全带入储存容器C中时，储存容器C可返回至设置于第一转位室120中的姿态改变单元124。姿态改变单元124可旋转储存容器C。举例而言，姿态改变单元124可旋转储存容器C，使得储存容器C的开口侧面向上。当储存容器C旋转使得储存容器C的开口侧面向上时，储存于储存容器(C)中的基板W的姿态可自水平姿态改变为垂直姿态。水平姿态可意谓基板W的顶表面(例如，形成图案的表面)平行于X-Y平面的状态，垂直姿态可意谓基板W的顶表面平行于X-Z平面或Y-Z平面的状态。
第一转移室130可连接至第一转位室120。第一转移室130可包括第一转移单元132。第一转移单元132可包括能够转移对象的转移手。此外，第一转移单元132的转移手可设置为可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移动。此外，第一转移单元132的转移手可设置为可绕作为旋转轴的第三方向Z旋转。第一转移单元132可自第一转位室120取出至少一个基板W，并将其插入稍后描述的批量式液体处理室140中。举例而言，第一转移单元132可自第一转位室120一次取出多个基板W，并将其放入稍后描述的批量式液体处理室140中。举例而言，第一转移单元132的手可自第一转位室120取出由姿态改变单元124旋转的储存容器C，并将取出的储存容器C带入批量式液体处理室140中。
当自上观察时，批量式液体处理室140可与第一转移室130平行设置。
批量式液体处理室140可一次液体处理多个基板W。批量式液体处理室140可使用处理液体一次清洁多个基板W。批量式液体处理室140可使用处理液体一次液体处理多个基板W。批量式液体处理室140中使用的处理液体可为化学品及/或冲洗液体。举例而言，化学品可为具有强酸或强碱性质的化学品。此外，冲洗液体可为纯水。举例而言，化学品可选自APM(氨-过氧化氢混合物)、HPM(盐酸-过氧化氢混合物)、FPM(氢氟酸-过氧化氢混合物)、DHF(稀氢氟酸)、移除SiN的化学品、包括磷酸的化学品、或包括硫酸的化学品。清洁液可适当地选自纯水或臭氧水等。
此外，批量式液体处理室140可包括第一批量式液体处理室141、第二批量式液体处理室142、及第三批量式液体处理室143。第一批量式液体处理室141及第二批量式液体处理室142可使用化学品处理基板W。第三批量式液体处理室143可使用冲洗液体冲洗处理基板W。此外，在第一批量式液体处理室141及/或第二批量式液体处理室142中处理基板W之后，上述第一转移单元132可将容纳已经化学处理的基板的储存容器C返回至第三批量式液体处理室143，以利用冲洗液体处理储存于储存容器C中的基板W。稍后将描述批量式液体处理室140的细节。
当自上观察时，第二转移室150可与第一转移室130及批量式液体处理室140平行配置。举例而言，第二转移室150可在第二方向Y上与第一转移室130平行配置。此外，第二转移室150可在第一方向X上与批量式液体处理室140平行配置。此外，第二转移室150可设置于第三批量式液体处理室143与第二处理部200之间。举例而言，第二转移室150可设置于第三批量式液体处理室143与第二处理部200的第一缓冲单元210(稍后描述)之间。
第二转移室150可转移基板W。第二转移室150可自批量式液体处理室140取出基板W，并将基板W返回至第一缓冲单元210(稍后描述)。第二转移室150可包括具有转移手的第二转移单元152。第二转移单元152的转移手可设置为可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移动。此外，第二转移单元152的转移手可设置为可绕作为轴的第三方向Z旋转。此外，第二转移单元152的转移手可自包括于批量式液体处理室140中的第三批量式液体处理室143中取出基板W，并将基板W转移至第一缓冲单元210。此外，第二转移单元152的转移手可以水平姿态自第三批量式液体处理室143取出基板W，并将其转移至第一缓冲单元210。
第二处理部200可处理已由第一处理部100处理的基板W。第二处理部200可处理已由第一处理部100处理的基板W，并可对基板W执行单一式液体处理或单一式干燥处理。第二处理部200可包括第一缓冲单元210、第三转移室220、单一式液体处理室230、干燥室240、第二缓冲单元250、第二转位室260、及第二装载端口单元270。单一式液体处理室230及干燥室240两者均可称为单一式处理室。
当自上观察时，第一缓冲单元210可在第一方向X上与第二转移室150平行配置。举例而言，第一缓冲单元210可设置于第二转移室150的一个侧面上。第一缓冲单元210可具有用于暂时储存已在第一处理部100中经液体处理的基板W的储存空间。第一缓冲单元210可以水平姿态储存基板W，其位置已自第三批量式液体处理室143中的垂直位置改变。此外，供应润湿液体至储存空间的液体供应管线可连接至第一缓冲单元210，以防止带入储存空间中的基板W干燥(以保持基板W的润湿性)。此外，储存于第一缓冲单元210中的基板W可储存于第一缓冲单元210内独立分区的个别储存空间中。此外，第一缓冲单元210可设置成与单一式处理室中的至少一些堆叠。举例而言，稍后描述的干燥室240或单一式液体处理室230可设置于第一缓冲单元210下方。举例而言，稍后描述的单一式液体处理室230可设置于第一缓冲单元210下方。一个或多个单一式的液体处理室230可设置于第一缓冲单元210下方。
当自上观察时，第三转移室220可设置于稍后描述的干燥室240之间。此外，当自上观察时，第三转移室220可设置于第一缓冲单元210与稍后描述的单一式液体处理室230之间。第三转移室220可包括第三转移单元222。第三转移单元222可包括自第一缓冲单元210取出基板W并将基板W转移至干燥室240或单一式液体处理室230的转移手。第三转移单元220的手可为一次转移一个基板的单一式手。第三转移单元222的转移手可设置为可沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移动。此外，第三转移单元222的转移手可设置为可绕作为旋转轴的第三方向Z旋转。
当自上观察时，单一式液体处理室230可设置于第三转移室220的一个侧面上及另一侧面上。单一式液体处理室230中的一些可设置成与如上所述的第一缓冲单元210堆叠。单一式液体处理室230中的一些可设置于第一缓冲单元210的下。
单一式液体处理室230旋转水平姿态基板W，并以水平姿态供应处理液体至旋转基板W以处理基板W。可在单一式液体处理室230处一次处理一个基板W。自单一式液体处理室230供应的处理液体可为有机溶剂。举例而言，自单一式液体处理室230供应的处理液体可为异丙醇(IPA)。单一式液体处理室230可供应有机溶剂至旋转基板W，并旋转基板W以干燥处理基板W。或者，单一式液体处理室230供应有机溶剂至旋转基板W，且在经有机溶剂润湿的同时将基板W返回至稍后描述的干燥室240，从而基板W可在干燥室240中干燥。稍后将详细描述单一式液体处理室230。
干燥室240可使用超临界流体处理基板W。干燥室240可为超临界室，用于以单一式的方式干燥一个基板W。干燥室240可为用于使用超临界流体干燥基板W的超临界室。稍后将详细描述干燥室240。
第二缓冲单元250可设置于第三转移室230与第二转位室260(稍后描述)之间。第二缓冲单元250可设置于单一式处理室与第二装载端口单元270之间。
类似于第一缓冲单元210，第二缓冲单元250可提供暂时储存、或停留基板W的空间。举例而言，第二缓冲单元250可暂时储存在单一式液体处理室230及/或干燥室240中已处理的基板W。
第二转位室260可与第二缓冲单元250及第三转移室220配置成一直线。第二转位室260可与第二缓冲单元250及第三转移室220在第二方向Y上配置成一直线。第三转移室220的第三转移单元222可以水平姿态执行基板W，该基板W已由单一式液体处理室230或干燥室240处理，并可将经执行基板W转移至第二缓冲单元250。第二转位室260的第二转移机器人262可自第二缓冲单元250取出基板W。
第二转移机器人262的手可为一次转移一个基板的单一式手。第二转移机器人262的转移手可设置成沿第一方向X、第二方向Y、及第三方向Z移动。此外，第二转移机器人262的转移手可设置为绕作为旋转轴的第三方向Z旋转。
第二装载端口单元270可包括至少一个装载埠。用于储存多个基板W的容器F可设置于第二装载端口单元270的装载端口中。举例而言，放置于第二装载端口单元270上的容器F可储存在第一处理部100及第二处理部200中已经处理的基板W。在放置于第二装载端口单元270上的容器F中，仅可储存在第一处理部100及第二处理部200中已经处理的基板W。也即，第二装载端口单元270可执行自基板处理装置卸除经处理基板W的功能。
上述第二转移机器人262可将经处理基板W带入放置于第二装载端口单元270的装载端口中的容器F中。容器F可通过上述物品转移装置(例如，OHT、高架运输装置)返回至基板处理装置10的外部。
控制器600可控制基板处理装置10。举例而言，控制器600可控制基板处理装置10的部件。举例而言，控制器600可控制基板处理装置10，以便基板处理装置10可执行处理基板W的工序。举例而言，控制器600可控制批量式液体处理室140、第二转移单元152、第一缓冲单元210、第三转移单元222、及第二转移机器人262。此外，控制器600可控制液体供应源315、液体排放管线316、姿态改变构件330、提升/降低构件340、及加热构件320(稍后描述)。
此外，控制器600可包括由执行基板处理装置10的控制的微处理器(计算机)组成的工序控制器；用户接口，诸如操作者透过其输入命令以管理基板处理装置10的键盘及显示基板处理装置10的操作情况的显示器；及储存处理配方(也即，通过控制工序控制器来执行基板处理装置10的处理工序的控工序式或根据数据及处理条件执行基板处理装置10的部件的程序)的内存单元。此外，用户接口及内存单元可连接至工序控制器。处理配方可储存于储存单元的储存媒体中，且储存媒体可为硬盘、诸如CD-ROM的可携式磁盘、DVD、或诸如闪存的半导体内存。
图4自侧面示意性地图示图1的批量式液体处理室及第一转移室。
参考图4，批量式液体处理室140可包括第一批量式液体处理室141、第二批量式液体处理室142、及第三批量式液体处理室143，如上所述。第一批量式液体处理室141、第二批量式液体处理室142、及第三批量式液体处理室143可沿第一方向X并排配置。
第一批量式液体处理室141及第二批量式液体处理室142可具有相同或类似的结构。举例而言，除了使用不同类型的处理液体的外，第一批量式液体处理室141及第二批量式液体处理室142可具有彼此相同或相似的结构。举例而言，第一批量式液体处理室141可使用第一处理液体L1处理基板W。举例而言，第二批量式液体处理室142可使用第二处理液体L2处理基板W。第一处理液体L1可为上述化学品中的任一者。第二处理液体L2可为上述化学品中的另一者。
第一批量式液体处理室141可包括第一处理浴141a、第一液体供应管线141b、第一液体排放管线141c、第一加热构件141d、及第一液体供应源141e。第二批量式液体处理室142可包括第二处理浴142a、第二液体供应管线142b、第二液体排放管线142c、第二加热构件142d、及第二液体供应源142e。第一液体供应管线141b、第一液体排放管线141c、第一加热构件141d、及第一液体供应源141e可分别执行与第二处理浴142a、第二液体供应管线142b、第二加热构件142d、及第二液体供应源142e实质上相同或类似的功能。以下，将主要描述第一批量式液体处理室141。
第一处理浴141a可具有容纳第一处理液体L1的容纳空间。第一处理浴141a可具有带有笔状顶部的容器形状。第一处理浴141a可设置有第一加热构件141d，用于调整容纳于容纳空间中的第一处理液体L1的温度。此外，连接至第一液体供应源141e的第一液体供应管线141b可将第一处理液体L1供应至第一处理浴141a的容纳空间，且第一液体排放管线141c可将供应至容纳空间的第一处理液体L1排放至外部。此外，储存容器C具有带有一个开口侧面的容器形状，且可在其中具有储存空间。此外，储存容器C可浸入供应至第一处理浴141a的容纳空间的第一处理液体L1中，同时其中容纳多个基板W。此外，在储存容器C处形成至少一个穿透孔，且储存于储存容器C中的基板W可浸入第一处理液体L1中。用第一处理液体L1处理的基板W可由第一转移单元132按此次序转移至第二批量式液体处理室142及第三批量式液体处理室143，以便用第二处理液体L2及第三处理液体L3处理。第三处理液体L3可为上述冲洗液体。
图5是图示在图4的第三批量式液体处理室中提供的基板处理装置的透视图，且图6是图示在图4的第三批量式液体处理室中提供的基板处理装置的横截面图。参考图5及图6，在第三批量式液体处理室143中提供的基板处理装置300可包括处理浴310、液体供应管线314、液体供应源315、液体排放管线316、加热构件320、姿态改变构件330、及提升/降低构件340。
处理浴310可具有容纳第三处理液体L3的容纳空间312。处理浴310可具有带有开口顶部的容器形状(例如，矩形容器形状)。处理浴310可包括底部部分及自底部部分的边缘区域向上延伸的侧部。
此外，液体供应源315可将处理液体供应至容纳空间312。液体供应源315可将第三处理液体L3供应至容纳空间312。液体供应源315可将冲洗液体供应至容纳空间312。液体供应源315可连接至液体供应管线314。液体供应管线314的一个末端可连接至容纳空间312，而液体供应管线314的另一末端可连接至液体供应源315。液体供应源315可将冲洗液体供应至液体供应管线314，且液体供应管线314可将冲洗液体供应至容纳空间312。此外，在容纳空间312中使用的第三处理液体L3可经由液体排放管线316排放至外部。
加热构件320可调整供应至容纳空间312的第三处理液体L3的温度。举例而言，加热构件320可将供应至容纳空间312的第三处理液体L3加热至设定温度。加热构件320可设置于处理浴310的底部部分及侧部。举例而言，加热构件320可埋入处理浴310的底部部分及侧部内。加热构件320可通过产生冷却热或加热热来控制供应至容纳空间312的第三处理液体L3的温度。加热构件320可为加热器。然而，本发明构思不限于此，且加热构件320可不同地修改为能够调整供应至容纳空间312的第三处理液体L3的温度的已知装置。
姿态改变构件330可旋转浸入第三处理液体L3中的储存容器C。姿态改变构件330可旋转浸入第三处理液体L3中的储存容器C，以将容纳于储存容器C中的基板W的姿态自垂直姿态转换为水平姿态。姿态改变构件330可包括移动部件332及旋转部件334。
移动部件332可安装于处理浴310上。移动部件332可经配置为可沿第一方向X移动。移动部件332可安装于处理浴310的侧部上。举例而言，移动部件332可具有倒“U”形，以便可将其安装于处理浴310的侧部上方。如上所述，移动部件332经配置为可在第一方向X上移动，且安装至稍后描述的旋转部件334的储存容器C可在第一方向X上移动，第一方向X为水平方向。
旋转部件334可安装于移动部件332处。旋转部件334可安装于储存容器C处形成的安装沟槽(未显示)上。旋转部件334可安装于储存容器C上以旋转储存容器C。举例而言，旋转部件334可具有杆形，且其旋转轴可平行于第二方向Y。此外，旋转部件334可在储存容器C浸入容纳空间312中时保持储存容器C。
提升/降低构件340可在上/下方向上移动储存容器C。提升/降低构件340可在上/下方向上移动由姿态改变构件330旋转的储存容器C。提升/降低构件340可设置为能够附接至储存容器C并且能够从储存容器C拆离。提升/降低构件340可包括轴342及驱动器344。轴342可通过驱动器344产生的驱动力在上/下方向上移动。驱动器344可为气动或液压缸、或马达。然而，本发明构思并不限于此，且驱动器344可以各种方式修改为能够在上/下方向上移动轴342的已知装置。
此外，轴342可设置于处理浴310的底部部分处，并相邻于第一缓冲单元210。轴342可具有杆形。轴342可用作导引轴，用于导引已由姿态改变构件330旋转的储存容器C的位置。举例而言，轴342可插入由姿态改变构件330旋转的储存容器C的底部部分上形成的对准沟槽CG中，以导引储存容器C的位置(例如，水平)。此外，上述实例中提及的提升/降低构件340也可称为导向构件等。
以下，将参考图7至图13描述根据本发明构思的实施方式的处理基板的方法。为了执行以下描述的基板处理法，控制器600可控制基板处理装置10。
参考图7，其中储存有多个基板W(例如，约25至50个基板W)的储存容器C可浸入供应至容纳空间312的第三处理液体L3中。举例而言，储存容器C可浸入第三处理液体L3中，且第三处理液体L3可流入储存容器C的储存空间中以处理基板W。在这种情况下，储存于储存容器C中的基板W可保持垂直姿态。此外，当基板W由第三处理液体L3处理时，姿态改变构件330的旋转部件可抓取储存容器C。
参考图8，当基板W的处理由第三处理液体L3完成时，姿态改变构件330的旋转部件334可旋转储存容器C。姿态改变构件330的旋转部件334可绕其平行于第二方向Y的旋转轴旋转储存容器C，例如，将储存容器C旋转约90度。当旋转储存容器C时，储存于储存容器C中的多个基板W的姿态可自垂直姿态改变为水平姿态。在这种情况下，旋转部件334可在储存容器C浸入供应至容纳空间312的第三处理液体L3时旋转储存容器C。这是因为当储存容器C在暴露于外部(例如，暴露于空气)的同时旋转时，储存于储存容器C中的基板W可经干燥。
参考图9，由旋转部件334旋转的储存容器C可在安装于旋转部件334上时沿第一方向X移动。举例而言，可将储存容器C移动至提升/降低构件340的上。此外，可在储存容器C浸入供应至容纳空间312的第三处理液体L3中的状态下执行其水平方向上的移动。这是因为当储存容器C在暴露于外部(例如，暴露于空气)的同时移动时，储存于储存容器C中的基板W可经干燥。
参考图10，提升/降低构件340的轴342可向上移动并插入在储存容器C中形成的对准沟槽CG中。当插入对准沟槽CG中时，旋转部件334可沿第二方向Y移动以与储存容器C分离。此后，轴342可向上移动储存容器C，以将容纳于储存容器C中的一些基板W暴露于外部(例如，暴露于空气)。举例而言，轴342可向上移动储存容器C，以仅将储存于储存容器C中的基板W中最顶部基板暴露于外部(例如，将基板W暴露于空气)。这是为了防止剩余的基板W经干燥，也即保持润湿性，除由第二转移单元152自储存容器C取出的基板W中的最顶部基板的外。
参考图11，容纳于储存容器C中的基板中最顶部基板W可由第二转移单元152自储存容器C取出并返回至第一缓冲单元210。在这种情况下，如上所述，第一缓冲单元210可包括喷嘴，用于供应化学液体或水雾，以保持转移至第一缓冲单元210的储存空间的基板W的润湿性。化学液体或水雾可包括异丙醇(IPA)、上述化学品、及选自上述冲洗液体的处理液体。
参考图12，在如上所述将设置的最顶部基板W取出至储存容器C之后，提升/降低构件340的轴342可再次将储存容器C在向上方向上移动。因此，容纳于储存容器C中的基板W中的另一最顶部基板W可暴露于外部(例如，暴露于空气)。这是为了防止剩余的基板W经干燥，也即为了保持润湿性，除由第二转移单元152自储存容器C取出的另一最顶部基板W的外。
参考图13，容纳于储存容器C中的基板W中的另一最顶部基板W可由第二转移单元152自储存容器C取出并返回至第一缓冲单元210。
图14是图示图1的单一式液体处理室中提供的基板处理装置的视图。在单一式液体处理室230中提供的基板处理装置400可包括壳体410、处理容器420、支撑单元440、提升/降低单元460、及液体供应单元480。
壳体410在其中具有处理空间412。壳体410可具有在其中具有空间的圆柱形状。处理容器420、支撑单元440、提升/降低单元460、及液体供应单元480可设置于壳体410的内部空间中。当自前横截面观察时，壳体410可具有矩形形状。然而，本发明构思不限于此，且壳体410可转换成能够具有处理空间412的各种形状。
处理容器420具有带有开口顶部的圆柱形状。处理容器420具有内部再收集容器422及外部再收集容器426。内部再收集容器422及外部再收集容器426中的各者回收工序中使用的处理液体中的不同处理液体。内部再收集容器422围绕基板支撑单元440以环形形状设置，而外部再收集容器426围绕内部再收集容器422以环形形状设置。内部再收集容器422的内部空间及内部再收集容器422用作第一入口422a，处理液体经由其流入内部再收集容器422中。内部再收集容器422与外部再收集容器426之间的空间用作第二入口426a，处理液体经由其流入外部再收集容器426中。根据实施方式，第一入口422a及第二入口426a中的各者可定位于不同的高度处。再收集管线422b及426b连接于内部再收集容器422及外部再收集容器426中的各者的底表面下方。引入内部再收集容器422及外部再收集容器426中的各者中的处理液体可经由再收集管线422b及426b提供并重使用至外部处理液体再生系统(未图标)。
支撑单元440在处理空间412中支撑基板W。支撑单元440在工序期间支撑并旋转基板W。支撑单元440具有支撑板442、支撑销444、卡盘销446、及旋转驱动构件448及449。
支撑板442设置为基本圆板形状且具有上表面及底表面。底表面具有比顶表面小的直径。也即，支撑板442可具有宽的顶表面及窄的下表面形状。顶表面及底表面的定位使其中心轴彼此重合。此外，可在支撑板442上提供加热构件(未显示)。提供至支撑板442的加热构件可加热放置于支撑板442上的基板W。加热构件可产生热量。由加热构件产生的热量可为加热温度或冷却温度。由加热构件产生的热量可转移至放置于支撑板442上的基板W。此外，转移至基板W的热量可加热供应至基板W的处理液体。加热构件可为加热器及/或冷却线圈。然而，本发明构思不限于此，且加热构件可不同地修改为已知装置。
提供多个支撑销444。支撑销444设置于支撑板442的上表面的边缘处，彼此间隔开预定间隔，并自支撑板442向上突出。支撑销444通过彼此组合而设置成具有作为一个整体的环形形状。支撑销444支撑基板W的底表面的边缘，使得基板W与支撑板442的上表面间隔开预定距离。
提供多个卡盘销446。卡盘销446比支撑销444更远离支撑板442中心设置。卡盘销446自支撑板442的上表面向上突出。卡盘销446支撑基板W的侧部，使得当支撑板442旋转时基板W不会自预定位置横向分离开。卡盘销446设置为能够沿着支撑板442的径向在外部位置与内部位置之间线性移动。与内部位置相比，外部位置为远离支撑板442中心的位置。当基板W在支撑板442上装载或卸除时，卡盘销446位于外部位置处，而当对基板W执行工序时，卡盘销446位于内部位置处。内部位置为卡盘销446与基板W的侧部彼此接触的位置，而外部位置为卡盘销446与基板W彼此间隔开的位置。
旋转驱动构件448及449旋转支撑板442。支撑板442可通过旋转驱动构件448及449绕磁性中心轴旋转。旋转驱动构件448及449包括支撑轴448及旋转驱动构件449。支撑轴448具有面向第四方向16的圆柱形状。支撑轴448的上部末端固定地联接至支撑板442的底表面。根据实施方式，支撑轴448可固定地联接至支撑板442的底表面中心。旋转驱动构件449提供旋转支撑轴448的驱动力。支撑轴448由旋转驱动构件449旋转，且支撑板442可与支撑轴448一起旋转。
提升/降低单元460在上/下方向上线性移动处理容器420。随着处理容器420上下移动，处理容器420相对于支撑板442的相对高度改变。当在支撑板442上装载或卸除基板W时，通过提升/降低单元降低处理容器420，使得支撑板442自处理容器420向上突出。此外，当处理进行时，调整处理容器420的高度，使得处理液体可根据供应至基板W的处理液体的类型流入预设内部再收集容器422及外部再收集容器426中。提升/降低单元460具有支架462、移动轴464、及驱动器466。支架462固定地安装于处理容器420的外壁上，而由驱动器466在上/下方向上移动的移动轴464固定地联接至支架462。选择性地，提升/降低单元460可在上/下方向上移动支撑板442。
液体供应单元480可供应处理液体至基板W。处理液体可为有机溶剂、或上述冲洗液体或化学品。有机溶剂可为异丙醇(IPA)液体。
液体供应单元480可包括移动构件481及喷嘴489。移动构件481将喷嘴489移动至工序位置及待机位置。工序位置为喷嘴489面向由支撑单元440支撑的基板W的位置。根据实施方式，工序位置为处理液体自基板W的上表面排出的位置。此外，工序位置包括第一供应位置及第二供应位置。第一供应位置可为比第二供应位置更靠近基板W的中心的位置，且第二供应位置可为包括基板的一末端的位置。任选地，第二供应位置可为相邻于基板的末端的区域。待机位置定义为喷嘴489偏离工序位置的位置。根据实施方式，待机位置可为在基板W上完成处理之前或之后喷嘴489待机的位置。
移动构件481包括臂482、支撑轴483、及驱动器484。支撑轴483位于处理容器420的一个侧面上。支撑轴483具有杆形，其纵向方向面向第四方向。支撑轴483设置成可由驱动器484旋转。支撑轴483设置成可向上及向下移动。臂482联接至支撑轴483的上部末端。臂482自支撑轴483垂直延伸。喷嘴489联接至臂482的末端。当支撑轴483旋转时，喷嘴489可与臂482一起摆动。喷嘴489可摆动并移动至工序位置及待机位置。任选地，臂482可设置成能够在其纵向方向上向前及向后移动。当自上观察时，喷嘴489移动经由的路径可在工序位置处与基板W的中心轴重合。
图15是图示图1的干燥室中提供的基板处理装置的视图。参考图15，干燥室500可通过在超临界状态下使用干燥流体G移除剩余在基板W上的处理液体。干燥室500可为超临界室，用于使用超临界流体移除剩余在基板W上的处理液体(例如，冲洗液体或有机溶剂)。举例而言，干燥室500可在超临界状态下使用二氧化碳(CO2)执行移除剩余在基板W上的有机溶剂的干燥处理工序。
干燥室500可包括主体510、加热构件520、流体供应单元530、流体排出单元550、及提升/降低构件560。主体510可具有内部空间518，其中处理基板W。主体510可提供内部空间518，其中处理基板W。主体510可提供内部空间518，其中基板W在超临界状态下通过干燥流体G来干燥。
主体510可包括上主体512及下主体514。上主体512与下主体514可彼此组合以形成内部空间518。基板W可支撑在内部空间518中。举例而言，基板W可由内部空间518中的支撑构件(未显示)支撑。支撑构件可经配置为支撑基板W的边缘区域的下表面。上主体512及下主体514中的任一者可联接至提升/降低构件560以在上/下方向上移动。举例而言，下主体514可联接至提升/降低构件560，以通过提升/降低构件560在上/下方向上移动。因此，主体510的内部空间518可选择性地密封。在上述实例中，下主体514联接至提升/降低构件560以在上/下方向上移动，但本发明构思不限于此。举例而言，上主体512可联接至提升/降低构件560以在上/下方向上移动。
加热构件520可加热供应至内部空间518的干燥流体G。加热构件520可通过升高主体510的内部空间518的温度，将供应至内部空间518的干燥流体G相变为超临界状态。此外，加热构件520可升高主体510的内部空间518的温度，以保持供应至内部空间518的干燥流体G的超临界状态。
此外，加热构件520可埋入主体510中。举例而言，加热构件520可埋入上主体512及下主体514中的任一者中。举例而言，加热构件520可设置于下主体514中。然而，本发明构思不限于此，且加热构件520可设置于能够升高内部空间518的温度的各种位置处。此外，加热构件520可为加热器。然而，本发明构思不限于此，且加热构件520可不同地修改为能够提高内部空间518的温度的已知装置。
流体供应单元530可将干燥流体G供应至主体510的内部空间518。由流体供应单元530供应的干燥流体G可包括二氧化碳(CO2)。流体供应单元530可包括流体供应源531、第一供应管线533、第一供应阀535、第二供应管线537、及第二供应阀539。
流体供应源531可储存和/或供应供应至主体510的内部空间518的干燥流体G。流体供应源531可将干燥流体G供应至第一供应管线533及/或第二供应管线537。举例而言，第一供应阀535可安装于第一供应管线533上。此外，第二供应阀539可安装于第二供应管线537上。第一供应阀535及第二供应阀539可为开/关阀。根据第一供应阀535及第二供应阀539的开/关状态，干燥流体G可选择性地流动穿过第一供应管线533或第二供应管线537。
在上述实例中，第一供应管线533及第二供应管线537连接至一个流体供应源531，但本发明构思不限于此。举例而言，可提供多个流体供应源531，第一供应管线533可连接至多个流体供应源531中的任一者，且第二供应管线537可连接至流体供应源531中的另一者。
此外，第一供应管线533可为自主体510的内部空间518的上部部分供应干燥气体的上部供应管线。举例而言，第一供应管线533可在自顶至底的方向上供应干燥气体至主体510的内部空间518。举例而言，第一供应管线533可连接至上主体512。此外，第二供应管线537可为自主体510的内部空间518的下部部分供应干燥气体的下部供应管线。举例而言，第二供应管线537可在向下至向上方向上供应干燥气体至主体510的内部空间518。举例而言，第二供应管线537可连接至下主体514。
流体排出单元550可自主体510的内部空间518排出干燥流体G。
如上所述，根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10可包括批量式液体处理室140及单一式液体处理室230两者。因此，可能具有批量式液体处理法及单一式液体处理室的所有优点。
举例而言，在批量式液体处理室140中，可同时处理多个基板W，因此基板W的处理产量非常高，且基板W之间的处理均匀性非常高。此外，当在基板W上形成的图案具有高纵横比时，可能通过自单一式处理室230供应化学品、冲洗液体、及类似者来补充批量式液体处理室140(例如，尚未蚀刻的部分)。此外，由单一式液体处理室230或第一缓冲单元210供应的由有机溶剂润湿的基板W可转移至干燥室240，以通过供应超临界流体来干燥基板W。超临界流体对在基板W上形成的图案之间的空间具有优良的渗透性质，且可在不旋转基板W的情况下干燥基板W，从而最小化上述图案倾斜现象的发生。此外，本发明构思的基板处理装置10可执行单一式液体处理法、批量式液体处理法、及使用超临界流体干燥基板W的方法中的全部，从而改善由于颗粒造成的缺陷、以及脱落及流动性。此外，由于可在批量式液体处理室140中处理的基板W的数目相对大，故不需要大量的液体处理室，所以具有减小基板处理装置10的占地面积的优点。此外，通过如上所述进一步包括单一式液体处理室230，可解决当仅使用批量式液体处理室140处理基板W时可能出现的基板W上图案的SiO2异常生长的问题。
此外，如在根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10中，当提供批量式液体处理室140及单一式液体处理室230两者时，将基板W的姿态自垂直姿态改变为水平姿态是至关重要的。因此，根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10包括姿态改变构件330，以将基板W的姿态自垂直姿态转换为水平姿态。在这种情况下，可尽可能保持基板W的润湿性(若没有，则可干燥基板W以产生水印)，且基板W的姿态在基板W浸入处理液体L中时改变。此外，当基板W自批量式液体处理室140中取出并转移至第一缓冲单元210时，除待转移基板W以外的剩余基板W仍浸没于处理液体L中，从而使基板W的干燥及产生水印最小化。
在上述实例中，当基板W在批量式液体处理室140之间转移时，储存容器C由第一转移单元132转移，但本发明构思不限于此。举例而言，第一转移单元132可一次抓取多个处于垂直姿态的基板W而非储存容器C，以在批量式液体处理室140之间传输多个基板W。
在上述实例中，自第三批量式液体处理室143中一次取出一个基板W并将其转移至第一缓冲单元210，但本发明构思不限于此。举例而言，第二转移单元152可一次抓取多个基板W并将多个基板W自储存容器C中一次取出。此外，第二转移单元152可将多个基板W一次转移至第一缓冲单元210。在这种情况下，第一缓冲单元210可如上所述供应化学液体或水雾至第一缓冲单元210的储存空间，以保持引入的基板W的润湿性。
在上述实例中，描述根据本发明构思的实施方式的基板处理装置10包括单一式液体处理室230及干燥室240中的全部，但本发明构思不限于此。举例而言，基板处理装置10可仅包括单一式液体处理室230及干燥室240中的一者。
在上述实例中，自批量式液体处理室140取出的基板W转移至单一式液体处理室230，且在单一式液体处理室230中完成基板W处理之后，基板W转移至干燥室240，但本发明构思不限于此。举例而言，若颗粒能阶良好，则基板W可自批量式液体处理室140立即转移至干燥室240。
在上述实例中，当基板W在第一处理部100的批量式液体处理室140之间转移时，储存容器C由第一转移单元132转移，但本发明构思不限于此。举例而言，如图16中所示，第一转移单元132可具有用于一次转移多个基板W(例如，25个晶圆)的批量手，且第一转移单元132可在批量式液体处理室140之间仅转移多个基板W而非储存容器C。此外，当第一转移单元132具有批量手时，可在批量式液体处理室140中的各者中设置储存容器C，或可提供支撑多个基板W的支撑构件。
本发明构思的效果不限于上述效果，本发明构思所属领域的技术人员可自说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。
尽管到目前为止已说明及描述了本发明构思的优选实施方式，但本发明构思并不限于上述具体实施方式，且需注意，本发明构思所属领域的普通技术人员可在不脱离申请专利范围中主张的发明概念的实质的情况下以各种方式实施本发明构思，且这些修改不应与发明概念的技术精神或前景分开解释。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，包括：
第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；以及
第二处理部，其处理在所述第一处理部处已处理的所述基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一处理部包括第一装载端口单元，在所述第一装载端口单元上放置储存未处理基板的容器；并且所述第二处理部包括第二装载端口单元，在所述第二装载端口单元上放置储存经处理基板的容器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述第一处理部还包括转移从放置于所述第一装载端口单元上的所述容器中取出的多个基板的批量手；且所述第二处理部包括转移单个在所述第一处理部处已经过液体处理的基板的单一手。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述第二处理部包括：
单一式处理室，其以所述单一式处理法对所述基板执行所述液体处理和/或所述干燥处理；及
第二缓冲单元，其设置于所述单一式处理室与所述第二装载端口单元之间，并暂时储存在所述单一式处理室处已处理的基板。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述第二处理部包括：
单一式处理室，其以所述单一式处理法对所述基板执行所述液体处理和/或所述干燥处理；及
第一缓冲单元，其设置于所述第一处理部与所述单一式处理室之间，并暂时储存在所述第一处理部处已处理的基板。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一处理部包括：
处理浴，其具有容纳空间以容纳处理液体；
储存容器，其浸没于包含于所述容纳空间中的所述处理液体中并具有用于储存所述基板的储存空间；及
姿态改变构件，其旋转浸没于所述处理液体中的所述储存容器。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中所述姿态改变构件包括：
旋转单元，其可安装于所述储存容器上并旋转所述储存容器；及
移动单元，其安装于所述处理浴上并在水平方向上移动安装于所述旋转单元上的所述储存容器。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中所述处理浴具有带有开口顶部的容器形状，且所述移动单元安装于所述处理浴的侧部上。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述移动单元具有倒“U”形，以便所述移动单元可安装于所述处理浴的所述侧部上。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一处理部还包括提升/降低构件，以在上/下方向上移动由所述姿态改变构件旋转的所述储存容器，且所述提升/降低构件能够附接至所述储存容器及/或从所述储存容器移除。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中所述第二处理部还包括第一缓冲单元，其用于暂时储存在所述第一处理部处已经过液体处理的基板；且所述基板处理装置还包括转移单元，其用于在所述储存容器与所述第一缓冲单元之间转移所述基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其还包括控制器，所述控制器经配置以控制所述转移单元及所述提升/降低构件，以便所述提升/降低构件可向上移动所述储存容器，且暴露于外部的所述基板可自所述储存容器转移至所述第一缓冲单元。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述控制器进一步经配置以控制所述转移单元，使得储存于所述储存容器处的所述基板中的最顶部基板自所述储存容器转移并转移至所述第一缓冲单元。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中所述控制器控制所述提升/降低构件，以在所述基板中所述最顶部基板自所述储存容器转移后，在向上方向上移动所述储存容器，因此储存于所述储存容器中的所述基板中之后续最顶部基板暴露于外部。
15.一种基板处理装置，包括：
批量式处理室，其用于以批量式处理法对多个基板执行清洁处理；
单一式处理室，其用于处理在所述批量式处理室中经处理的所述基板，并以单一式处理法对单个基板执行干燥处理；及
转移单元，其用于在所述批量式处理室与所述单一式处理室之间转移所述基板。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中所述批量式处理室包括：
处理浴，其具有容纳空间以容纳处理液体；及
姿态改变构件，其浸没于包含于所述容纳空间中的所述处理液体中并旋转具有储存所述基板的储存空间的所述储存容器。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中所述姿态改变构件包括：
旋转单元，其可安装于所述储存容器上并旋转所述储存容器；及
移动单元，其安装于所述处理浴上并在水平方向上移动安装于所述旋转单元上的所述储存容器。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中所述批量式处理室还包括提升/降低构件，所述提升/降低构件在上/下方向上移动由所述姿态改变构件旋转的所述储存容器。
19.一种基板处理装置，包括：
第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；及
第二处理部，其以单一式处理法对单个基板执行干燥处理，
其中所述第一处理部包括：
第一装载端口单元，其仅装载未处理基板；
批量式处理室，其以批量式处理法对所述多个基板执行清洁处理；
第一转移模块，其具有批量手以将所述多个基板自所述第一装载端口单元转移至所述批量式处理室；及
第一缓冲单元，其设置于所述批量式处理室与所述第二处理部之间并暂时储存所述基板，
其中所述第二处理部包括：
单一式处理室，其对单个基板执行干燥处理；
第二转移模块，其具有单一手以将所述基板自所述第一缓冲单元转移至所述单一式处理室；及
第二装载端口单元，其卸除在所述单一式处理室处经处理的所述基板。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其中设置多个所述单一式处理室，且所述单一式处理室中的至少一些与所述第一缓冲单元堆叠放置，且所述单一式处理室中的至少另一些彼此堆叠。
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