JP7169857B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、パターン倒壊を抑制しつつ、基板の表面に残存する水分を除去する技術として、高圧下で得られる超臨界流体を用いて基板を乾燥させる超臨界乾燥技術が知られている。
特開２０１１－００９２９９号公報
本開示は、超臨界乾燥処理の効率化を図ることができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であり、処理容器と、複数の保持部とを備える。処理容器は、乾燥処理が行われる容器である。複数の保持部は、処理容器の内部においてそれぞれ異なる基板を保持する。
本開示によれば、超臨界乾燥処理の効率化を図ることができる。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。 図２は、第１の実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。 図３は、液処理ユニットの構成例を示す図である。 図４は、第１の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図５は、処理容器の内部に複数のウェハが収容された状態の一例を示す模式断面図である。 図６は、処理空間における処理流体の流通経路の一例を示す模式断面図である。 図７は、第２の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図８は、第３の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図９は、第４の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図１０は、第５の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図１１は、第６の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。 図１２は、第６の実施形態における保持部の構成を示す模式平面図である。 図１３は、第７の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。
以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
（第１の実施形態）
〔１．基板処理システムの構成〕
まず、実施形態に係る基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは、隣接して設けられる。
（搬入出ステーション２について）
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。
搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
（処理ステーション３について）
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数（ここでは、２つ）の処理ブロック５＿１，５＿２とを備える。
（搬送ブロック４について）
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。
搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ブロック５＿１，５＿２は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、処理ブロック５＿１は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）に配置され、処理ブロック５＿２は他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。
処理ブロック５＿１は、複数（ここでは、２つ）の液処理ユニット１７ａ，１７ｂと、乾燥ユニット１８＿１と、供給ユニット１９＿１とを備える。また、処理ブロック５＿２は、複数（ここでは、２つ）の液処理ユニット１７ｃ，１７ｄと、乾燥ユニット１８＿２と、供給ユニット１９＿２とを備える。
なお、以下において、処理ブロック５＿１，５＿２を区別しない場合には、これらを総称して「処理ブロック５」と記載することがある。同様に、液処理ユニット１７ａ～１７ｄを総称して「液処理ユニット１７」、乾燥ユニット１８＿１，１８＿２を総称して「乾燥ユニット１８」、供給ユニット１９＿１，１９＿２を総称して「供給ユニット１９」と記載することがある。
液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。
乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
供給ユニット１９は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット１９は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。第１の実施形態において、供給ユニット１９は、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１８に供給する。
各処理ブロック５において、複数の液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に最も近い位置に配置され、供給ユニット１９は、搬入出ステーション２から最も遠い位置に配置される。
乾燥ユニット１８＿１は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア１８１ａと、搬送ブロック４と処理エリア１８１ａとの間でのウェハＷの受け渡しが行われる複数（ここでは、２つ）の受渡エリア１８２ａ，１８２ｂとを備える。第１の実施形態において、処理エリア１８１ａおよび複数の受渡エリア１８２ａ，１８２ｂは、搬送エリア１５に沿って並べられる。具体的には、複数の受渡エリア１８２ａ，１８２ｂは、処理エリア１８１ａのＸ軸方向における両側、すなわち、処理エリア１８１ａのＸ軸負方向側および正方向側に配置される。
同様に、乾燥ユニット１８＿２は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア１８１ｂと、搬送ブロック４と処理エリア１８１ｂとの間でのウェハＷの受け渡しが行われる複数（ここでは、２つ）の受渡エリア１８２ｃ，１８２ｄとを備える。第１の実施形態において、処理エリア１８１ｂおよび複数の受渡エリア１８２ｃ，１８２ｄは、搬送エリア１５に沿って並べられる。具体的には、複数の受渡エリア１８２ｃ，１８２ｄは、処理エリア１８１ｂのＸ軸方向における両側、すなわち、処理エリア１８１ｂのＸ軸負方向側および正方向側に配置される。
なお、以下において、乾燥ユニット１８＿１，１８＿２を区別しない場合には、これらを総称して「乾燥ユニット１８」と記載することがある。同様に、処理エリア１８１ａ，１８１ｂを総称して「処理エリア１８１」、受渡エリア１８２ａ～１８２ｄを総称して「受渡エリア１８２」と記載することがある。
（制御装置６について）
基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。
制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３，１６、液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９等の制御を実現する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
〔２．基板処理の流れ〕
次に、上述した基板処理システム１における一連の基板処理の流れについて図２および図３を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。なお、図２に示す一連の基板処理は、制御部６１の制御に従って実行される。
図２に示すように、基板処理システム１では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。搬入処理では、搬送装置１３（図１参照）がキャリアＣからウェハＷを取り出して受渡部１４へ載置する。つづいて、搬送装置１６（図１参照）が受渡部１４からウェハＷを取り出して液処理ユニット１７に搬入する。
つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給することにより、ウェハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。
つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液膜形成処理が行われる（ステップＳ１０３）。液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」と記載する）を供給することにより、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。
液膜形成処理後のウェハＷは、搬送装置１６により、同一の処理ブロック５に配置される乾燥ユニット１８の受渡エリア１８２に搬送された後、受渡エリア１８２から処理エリア１８１へ搬送される。その後、基板処理システム１では、処理エリア１８１において超臨界乾燥処理が行われる（ステップＳ１０４）。超臨界乾燥処理において、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって液膜形成処理後のウェハＷを乾燥させる。
第１の実施形態において、乾燥ユニット１８は、超臨界乾燥処理を２枚のウェハＷに対して同時に実行する。具体的には、搬送装置１６は、１つの処理ブロック５、たとえば処理ブロック５＿１に配置された２つの液処理ユニット１７ａ，１７ｂのうちの一方の液処理ユニット１７ａから液膜形成処理後のウェハＷを取り出す。そして、搬送装置１６は、液処理ユニット１７ａから取り出したウェハＷを、同一の処理ブロック５＿１に配置された乾燥ユニット１８＿１が備える２つの受渡エリア１８２ａ，１８２ｂのうちの一方の受渡エリア１８２ａに搬送する。また、搬送装置１６は、処理ブロック５＿１に配置された２つの液処理ユニット１７ａ，１７ｂのうちの他方の液処理ユニット１７ｂから液膜形成処理後のウェハＷを取り出す。そして、搬送装置１６は、液処理ユニット１７ｂから取り出したウェハＷを、乾燥ユニット１８＿１が備える２つの受渡エリア１８２ａ，１８２ｂのうちの他方の受渡エリア１８２ｂに搬送する。その後、２枚のウェハＷは、各受渡エリア１８２ａ，１８２ｂから処理エリア１８１に搬送され、処理エリア１８１において超臨界乾燥処理が施される。
なお、搬送装置１６は、まず、Ｘ軸負方向側に配置された液処理ユニット１７ａから取り出したウェハＷをＸ軸正方向側に配置された受渡エリア１８２ｂに搬送してもよい。また、搬送装置１６は、その後、Ｘ軸正方向側に配置された液処理ユニット１７ｂから取り出したウェハＷをＸ軸負方向側に配置された受渡エリア１８２ａに搬送してもよい。第１の実施形態において、２枚のウェハＷには受渡エリア１８２ａ，１８２ｂにおける待機時間に差が生じることとなるが、上記のように最初に搬送するウェハＷの搬送距離を短くすることで、かかる待機時間の差を吸収することができる。
つづいて、基板処理システム１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。搬出処理では、まず、超臨界乾燥処理後のウェハＷが処理エリア１８１から受渡エリア１８２へ搬送される。その後、搬送装置１６が、超臨界乾燥処理後のウェハＷを受渡エリア１８２から取り出して受渡部１４へ搬送する。その後、搬送装置１３が超臨界乾燥処理後のウェハＷを受渡部１４から取り出してキャリアＣへ搬送する。
〔３．液処理ユニットの構成〕
次に、液処理ユニット１７の構成について図３を参照して説明する。図３は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
図３に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの上面の洗浄処理を行う。
また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。
洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（Deionized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted Hydrofluoric acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面にＩＰＡ液体を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。
〔４．乾燥ユニットの構成〕
つづいて、乾燥ユニット１８の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係る乾燥ユニット１８の構成を示す模式断面図である。また、図５は、処理容器の内部に複数のウェハＷが収容された状態の一例を示す模式断面図である。
図４および図５に示すように、乾燥ユニット１８は、処理容器３１と、複数の蓋体３２ａ，３２ｂと、複数の保持部３３ａ，３３ｂとを備える。
処理容器３１は、たとえば１６～２０ＭＰａ程度の高圧環境を形成することのできる圧力容器である。処理容器３１は、処理エリア１８１（図１参照）に配置され、超臨界乾燥処理は、処理容器３１内部の処理空間３１１にて行われる。
処理容器３１は、平面視矩形状を有しており、複数（ここでは、４つ）の側面のうち受渡エリア１８２に面する２つの側面に開口３１２ａ，３１２ｂを有する。第１の実施形態において、２つの受渡エリア１８２は、処理エリア１８１を挟んで対向する位置に設けられている。したがって、２つの開口３１２ａ，３１２ｂは、処理容器３１が有する複数の側面のうち互いに対向する側面、ここでは、Ｘ軸負方向側の側面とＸ軸正方向側の側面とに設けられる。このように、複数の開口３１２ａ，３１２ｂをそれぞれ処理容器３１の異なる側面に設けることにより、たとえば１つの側面に開口を設ける場合と比較して側面１つあたりの開口面積を小さくすることができる。開口面積が小さくなるほど、処理空間３１１を高圧にした場合に後述するロック部材４２にかかる圧力が小さくなる。したがって、処理容器３１の耐圧性の確保が容易である。
複数（ここでは、２つ）の蓋体３２ａ，３２ｂの各々は、移動機構３２１に接続されており、かかる移動機構３２１によって処理エリア１８１および受渡エリア１８２間を水平移動する。これにより、各蓋体３２ａ，３２ｂは、処理容器３１の対応する開口３１２ａ，３１２ｂを開閉する。具体的には、Ｘ軸負方向側に配置された蓋体３２ａは、処理容器３１のＸ軸負方向側の側面に形成された開口３１２ａを開閉し、Ｘ軸正方向側に配置された蓋体３２ｂは、処理容器３１のＸ軸正方向側の側面に形成された開口３１２ｂを開閉する。
複数（ここでは、２つ）の保持部３３ａ，３３ｂは、それぞれ異なるウェハＷを１枚ずつ水平に保持する。各保持部３３ａ，３３ｂは、たとえば、平面視矩形状の枠体であり、ウェハＷの外周部を下方から支持することによってウェハＷを保持する。
２つの保持部３３ａ，３３ｂのうち、Ｘ軸負方向側に配置された保持部３３ａは、２つの蓋体３２ａ，３２ｂのうちＸ軸負方向側に配置された蓋体３２ａに設けられる。また、２つの保持部３３ａ，３３ｂのうちＸ軸正方向側に配置された保持部３３ｂは、２つの蓋体３２ａ，３２ｂのうちＸ軸正方向側に配置された蓋体３２ｂに設けられる。
これら保持部３３ａ，３３ｂは、移動機構３２１によって蓋体３２ａ，３２ｂとともに処理エリア１８１へ移動することにより、処理空間３１１の内部に収容される。具体的には、Ｘ軸負方向側から処理空間３１１に進入した保持部３３ａは、処理空間３１１において、Ｘ軸正方向側から処理空間３１１に進入した保持部３３ｂの下方に配置される。このように、２つの保持部３３ａ，３３ｂは、処理容器３１の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列されるため、たとえば、処理容器３１のフットプリントの増大を抑えることができる。なお、以下において、蓋体３２ａ，３２ｂを区別しない場合には、これらを総称して「蓋体３２」と記載することがある。同様に、保持部３３ａ，３３ｂを総称して「保持部３３」、開口３１２ａ，３１２ｂを総称して「開口３１２」と記載することがある。
処理容器３１には、供給部３５と排出部３７とが設けられる。供給部３５は、供給ユニット１９（図１参照）の供給機器群に接続されており、供給ユニット１９から供給される処理流体を処理空間３１１に供給する。排出部３７は、処理空間３１１から処理流体を排出する。
供給部３５は、処理容器３１における処理空間３１１の天井面に設けられ、下方に向かって開口する供給口から処理空間３１１に対して処理流体を鉛直下向きに供給する。供給部３５は、処理容器３１に形成された２つの開口３１２のうち、上段の保持部３３が出入りする開口３１２（ここでは、Ｘ軸正方向側の開口３１２）側に寄せて設けられる。なお、供給部３５は、処理エリア１８１および受渡エリア１８２の並び方向（Ｘ軸方向）と直交する水平方向（Ｙ軸方向）に沿って複数の供給口を備える構成であってもよい。
排出部３７は、処理容器３１における処理空間３１１の底面に設けられ、上方に向かって開口する排出口から処理流体を排出する。排出部３７は、処理容器３１に形成された２つの開口３１２のうち、下段の保持部３３が出入りする開口３１２（ここでは、Ｘ軸負方向側の開口３１２）に寄せて設けられる。なお、排出部３７は、処理エリア１８１および受渡エリア１８２の並び方向（Ｘ軸方向）と直交する水平方向（Ｙ軸方向）に沿って複数の排出口を備える構成であってもよい。
乾燥ユニット１８は、供給部３５から処理空間３１１に処理流体を供給しつつ、排出部３７を介して処理空間３１１内の処理流体を排出する。処理流体の排出路には、処理空間３１１からの処理流体の排出量を調整するダンパが設けられており、処理空間３１１内の圧力が所望の圧力に調整されるようにダンパによって処理流体の排出量が調整される。これにより、処理空間３１１において処理流体の超臨界状態が維持される。以下では、超臨界状態の処理流体を「超臨界流体」と記載する場合がある。
処理容器３１は、各開口３１２よりも各開口３１２の開蓋方向側に突出した第１突出部３１３および第２突出部３１４を備える。第１突出部３１３は、開口３１２の下部からＸ軸方向に向かって突出し、第２突出部３１４は、開口３１２の上部からＸ軸方向に向かって突出する。
第１突出部３１３には、第１突出部３１３の上面と下面とを連通する第１挿通孔３１５が形成されている。また、第２突出部３１４には、第１挿通孔３１５と鉛直方向において対向する位置（すなわち第１挿通孔３１５の上方）に、第２突出部３１４の上面と下面とを連通する第２挿通孔３１６が形成されている。
また、乾燥ユニット１８は、複数（ここでは、２つ）のロック部材４２を備える。ロック部材４２は、第１突出部３１３に形成された複数の第１挿通孔３１５にそれぞれ挿通されている。各ロック部材４２には、ロック部材４２を鉛直方向に沿って移動させる昇降機構４３が接続される。
〔５．乾燥ユニットの動作例〕
乾燥ユニット１８では、まず、２枚のウェハＷの搬入処理が行われる。搬入処理において、乾燥ユニット１８は、Ｘ軸負方向側に配置された蓋体３２ａを移動機構３２１によってＸ軸正方向側に水平移動させ、Ｘ軸正方向側に配置された蓋体３２ｂをＸ軸負方向側に移動機構３２１によって水平移動させる。これにより、２つの保持部３３ａ，３３ｂにそれぞれ保持された２枚のウェハＷが処理容器３１の処理空間３１１に収容されるとともに、２つの蓋体３２ａ，３２ｂによって処理空間３１１が密閉された状態となる。なお、２つの蓋体３２ａ，３２ｂを移動させる順番やタイミングは、特に限定されない。
また、乾燥ユニット１８は、２つのロック部材４２を昇降機構４３によって上昇させることにより、各ロック部材４２を第２突出部３１４に形成された第２挿通孔３１６に挿通させる。
ロック部材４２は、処理空間３１１に供給された処理流体によってもたらされる内圧に抗して、処理空間３１１に向けて蓋体３２を押し付ける。これにより、蓋体３２ａ，３２ｂによって処理空間３１１が密閉された状態を維持することができる。
つづいて、乾燥ユニット１８では、昇圧処理が行われる。昇圧処理において、乾燥ユニット１８は、供給部３５から処理容器３１の処理空間３１１に処理流体を供給することにより、処理空間３１１の圧力を上昇させる。これにより、処理空間３１１の圧力は、大気圧から処理圧力まで上昇する。処理圧力は、処理流体であるＣＯ２が超臨界状態となる臨界圧力（約７．２ＭＰａ）を超える圧力であり、たとえば、１６ＭＰａ程度である。かかる昇圧処理により、処理空間内の処理流体が超臨界状態に相変化して、ウェハＷの表面に液盛りされたＩＰＡ液体が超臨界状態の処理流体に溶け込み始める。なお、供給ユニット１９から供給される処理流体は、超臨界状態であってもよいし、液体状態であってもよい。
つづいて、乾燥ユニット１８では、流通処理が行われる。流通処理において、乾燥ユニット１８は、処理空間３１１の圧力を処理圧力に保ったまま、供給部３５から処理空間３１１に処理流体を供給しつつ、処理空間に供給された処理流体を排出部３７から処理空間３１１の外部へ排出する。これにより、処理空間３１１には、ウェハＷの周囲で所定の向きに流動する処理流体の層流が形成される。
ここで、処理空間３１１における処理流体の流通経路について図６を参照して説明する。図６は、処理空間３１１における処理流体の流通経路の一例を示す模式断面図である。なお、図６では、乾燥ユニット１８が備える構成の一部を省略して示している。
図６に示すように、処理流体は、供給部３５から上段の蓋体３２ｂに保持されたウェハＷの上面に供給された後、上段のウェハＷの上方をその表面に沿ってＸ軸負方向に流れる。その後、処理流体は、上段の保持部３３ｂの先端と処理空間３１１の内壁との間を下方に向かって流れた後、下段の保持部３３ａに保持されたウェハＷの上方をその表面に沿ってＸ軸正方向に流れる。その後、処理流体は、下段の保持部３３ａの先端と処理空間３１１の内壁との間を下方に向かって流れた後、下段のウェハＷの下面と処理空間３１１の底面との間をＸ軸負方向に流れる。そして、処理流体は、排出部３７から処理空間３１１の外部へ排出される。
ウェハＷのパターン形成面（上面）に存在するＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解していき、最終的には、超臨界流体に置き換わる。これにより、パターンの間の隙間は、超臨界流体によって満たされた状態となる。
このように、乾燥ユニット１８によれば、各ウェハＷの表面に沿って流れる処理流体の流れを処理空間３１１の内部に形成することができるため、複数のウェハＷに対して超臨乾燥処理を同時に行う場合における処理均一性の低下を抑制することができる。
つづいて、乾燥ユニット１８では、減圧処理が行われる。減圧処理において、乾燥ユニット１８は、処理空間３１１の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧する。これにより、パターン間の隙間を満たしていた超臨界流体が通常のすなわち気体状態の処理流体に変化する。
このように、乾燥ユニット１８は、パターン形成面に存在するＩＰＡ液体を超臨界流体に置換した後、超臨界流体を気体状態の処理流体に戻すことにより、パターン形成面からＩＰＡ液体を除去してパターン形成面を乾燥させる。
超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。したがって、超臨界乾燥処理を行うことで、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。すなわち、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。
ここでは、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体としてＣＯ２を用いることとしたが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、ＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。
このように、第１の実施形態に係る乾燥ユニット１８によれば、複数枚のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を同時に行うこととしたため、超臨界乾燥処理を１枚のウェハＷずつ行う従来の基板処理装置と比較して、超臨界乾燥処理の効率化を図ることができる。また、たとえば、超臨界乾燥処理の効率化のために乾燥ユニットの数を増やした場合と比較して、基板処理システム１の高コスト化を抑えることができる。
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。なお、以下の各実施形態では、理解を容易にするために、乾燥ユニットの構成の一部を省略して示す場合がある。
図７に示すように、第２の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ａは、仕切板３８を備える。仕切板３８は、上段の保持部３３ｂと下段の保持部３３ａとの間に配置される板状の部材であり、処理容器３１における処理空間３１１のＸ軸負方向側の内壁からＸ軸正方向側の内壁に向かって延在する。仕切板３８の先端と処理空間３１１のＸ軸正方向側の内壁との間には隙間が設けられる。なお、仕切板３８は、処理容器３１と別体に設けられてもよいし、一体的に形成されてもよい。
第２の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ａにおいて、処理流体は、上段の保持部３３ｂの先端と処理空間３１１の内壁との間を下方に向かって流れた後、仕切板３８と上段のウェハＷの下面との間をＸ軸正方向に流れる。その後、処理流体は、仕切板３８の下面と下段のウェハＷの上面との間をＸ軸負方向に流れた後、枠体状の保持部３３の空洞部分を通って下方に流れて、排出部３７から処理空間３１１の外部へ排出される。
このように、上段の保持部３３ｂと下段の保持部３３ａとの間に仕切板３８を設けることで、下段の保持部３３ａの上方の空間を狭くすることができ、下段のウェハＷに対して処理流体をより効率的に接触させることができる。また、仕切板３８は、仕切板３８の下面とウェハＷの上面との間の距離Ｄ１が、処理空間３１１の天井面と上段のウェハＷの上面との間の距離Ｄ２と同一となる位置に配置される。これにより、複数のウェハＷに対する超臨乾燥処理の処理均一性を向上させることができる。
ここでは、仕切板３８が処理容器３１に設けられる場合の例について示したが、仕切板３８は、下段の蓋体３２ａまたは下段の保持部３３ａに設けられてもよい。
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。図８に示すように、第３の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｂは、補充部５０を備える。補充部５０は、２つの受渡エリア１８２のうち、乾燥ユニット１８Ｂに最初に搬送されるウェハＷの搬送先となる受渡エリア１８２（ここでは、受渡エリア１８２ａ）に配置され、受渡エリア１８２ａにおいて保持部３３ａに保持されたウェハＷの上面にＩＰＡを補充する。
上述したように、受渡エリア１８２ａにおいて保持部３３ａに保持されたウェハＷの上面には、ＩＰＡ液体の液膜が形成されている。搬送装置１６（図１参照）は、ウェハＷを１枚ずつ搬送するため、乾燥ユニット１８Ｂに最初に搬送されたウェハＷは、２枚目のウェハＷが乾燥ユニット１８Ｂに搬送されるまでの間、受渡エリア１８２ａで待機しておくこととなる。この間に、１枚目のウェハＷ上面のＩＰＡ液体が揮発することで、２枚のウェハＷの液膜の厚さに差が生じるおそれがある。
これに対し、第３の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｂは、同時に処理される２枚のウェハＷのうち乾燥ユニット１８Ｂに最初に搬送されるウェハＷに対し、補充部５０を用いてＩＰＡ液体を補充することができる。したがって、第３の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｂによれば、２枚のウェハＷの液膜の厚さに差が生じることを抑制することができる。
なお、乾燥ユニット１８Ｂは、２つの受渡エリア１８２（たとえば、受渡エリア１８２ａ，１８２ｂ）の両方に補充部５０を備えていてもよい。
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。図９に示すように、第４の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｃは、２つの受渡エリア１８２のうち、乾燥ユニット１８Ｂに最初に搬送されるウェハＷの搬送先となる受渡エリア１８２（ここでは、受渡エリア１８２ａ）を囲う箱体５１を備える。箱体５１は、受渡エリア１８２ａに配置される蓋体３２ａ、保持部３３ａおよびウェハＷを収容可能である。また、第４の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｃは、箱体５１の内部にＩＰＡ雰囲気を供給する雰囲気供給部５２を備える。
第４の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｃによれば、雰囲気供給部５２を用いて箱体５１の内部にＩＰＡ雰囲気を供給することにより、ウェハＷの上面に形成されたＩＰＡ液体の液膜の揮発を抑制することができる。したがって、２枚のウェハＷの液膜の厚さに差が生じることを抑制することができる。
なお、乾燥ユニット１８Ｃは、２つの受渡エリア１８２（たとえば、受渡エリア１８２ａ，１８２ｂ）の両方に箱体５１および雰囲気供給部５２を備えていてもよい。
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。図１０に示すように、第５の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｄは、処理容器３１Ｄと、２つの蓋体３２Ｄａ，３２Ｄｂと、４つの保持部３３ｅ～３３ｈを備える。
蓋体３２Ｄａ，３２Ｄｂは、４つの保持部３３ｅ～３３ｈのうち２つを支持する。具体的には、蓋体３２Ｄａは、保持部３３ｅ，３３ｆを支持し、蓋体３２Ｄｂは、保持部３３ｇ，３３ｈを支持する。
処理空間３１１の内部において、４つの保持部３３ｅ～３３ｈは、Ｘ軸正方向側の蓋体３２Ｄａに支持された保持部３３ｅ，３３ｆと、Ｘ軸負方向側の蓋体３２Ｄｂに支持された保持部３３ｇ、３３ｈとが互い違いに配列される。
このように、乾燥ユニット１８Ｄは、３つ以上の保持部３３ｅ～３３ｈを備える構成であってもよい。この場合、一方の蓋体３２Ｄａに支持される保持部３３ｅ，３３ｆと他方の蓋体３２Ｄｂに支持される保持部３３ｇ，３３ｈとを互い違いに配列することで、１つの蓋体３２Ｄａ，３２Ｄｂに支持される複数の保持部３３ｅ～３３ｈの間隔を広くすることができる。したがって、搬送装置１６によるウェハＷの受け渡しが容易である。また、一方の蓋体３２Ｄａ，３２Ｄｂに支持される保持部３３ｅ～３３ｈと他方の蓋体３２Ｄｂに支持される保持部３３ｅ～３３ｈとを互い違いに配列することで、各ウェハＷの上面を最上段から順に流れる処理流体の流れを処理空間３１１の内部に形成することができる。
第５の実施形態において、各処理ブロック５には、４つの液処理ユニット１７が設けられてもよい。
また、ここでは、一方の蓋体３２Ｄａと他方の蓋体３２Ｄｂとに同数の保持部が設けられる場合の例を示したが、一方の蓋体３２Ｄａに設けられる保持部の数と他方の蓋体３２Ｄｂに設けられる保持部の数とは異なっていてもよい。
（第６の実施形態）
図１１は、第６の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。図１１に示すように、第６の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｅは、１つの開口３１２Ｅを有する処理容器３１Ｅと、１つの蓋体３２Ｅと、複数の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃとを備える。複数（ここでは、３つ）の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃは、１つの蓋体３２Ｅに設けられる。
また、乾燥ユニット１８Ｅは、複数（ここでは、３つ）の供給部３５Ｅａ～３５Ｅｃを備える。複数の供給部３５Ｅａ～３５Ｅｃは、処理容器３１Ｅの開口３１２Ｅが設けられる側面と対向する側面に設けられる。
複数の供給部３５Ｅａ～３５Ｅｃの各々は、複数の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃによって保持された複数のウェハＷの各々に対応する。具体的には、３つの供給部３５Ｅａ～３５Ｅｃのうち上段の供給部３５Ｅａは、３つの保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃのうち上段の保持部３３Ｅａに保持されたウェハＷの上面と処理空間３１１Ｅの天井面との間の高さ位置に配置される。同様に、中段の供給部３５Ｅｂは中段の保持部３３Ｅｂに保持されたウェハＷの上面と上段のウェハＷの下面との間の高さ位置に配置され、下段の供給部３５Ｅｃは下段の保持部３３Ｅｃに保持されたウェハＷの上面と中段のウェハＷの下面との間の高さ位置に配置される。
各供給部３５Ｅａ～３５Ｅｃは、対応するウェハＷの上面に沿って処理流体を供給する。したがって、第６の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｅによれば、複数のウェハＷに対して処理流体を均一に供給することができる。
また、第６の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｅは、１つの蓋体３２Ｅに対して複数の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃを設けた構成を有する。かかる構成とすることで、受渡エリア１８２の数を１つにすることができることから、フットプリントの増大を抑制することができる。
図１２は、第６の実施形態における保持部３３Ｅａの構成を示す模式平面図である。なお、保持部３３Ｅｂ，３３Ｅｃも保持部３３Ｅａと同様の構成を有するため、ここでの説明は省略する。
図１２に示すように、保持部３３Ｅａは、ウェハＷの受け渡しの際に搬送装置１６と干渉する部分を切り欠いた平面視鉤状の形状を有する。具体的には、保持部３３Ｅａは、第１支持部３３１と、第２支持部３３２と、第３支持部３３３とを有する。第１支持部３３１は、Ｙ軸方向に沿って延在し、ウェハＷにおけるＸ軸負方向側の外周部を支持する。第２支持部３３２は、第１支持部３３１のＹ軸正方向側の端部からＸ軸方向に沿って延在し、ウェハＷにおけるＹ軸正方向側の外周部を支持する。第３支持部３３３は、第２支持部３３２は、第２支持部３３２のＸ軸正方向側の端部からＹ軸方向に沿って延在し、ウェハＷにおけるＸ軸正方向側の外周部を支持する。保持部３３Ｅａは、これら第１支持部３３１、第２支持部３３２および第３支持部３３３によりウェハＷを３点で支持する。
１つの蓋体３２Ｅに対して複数の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃを設ける場合、保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃ間の間隔が狭くなることで、搬送装置１６によるウェハＷの受け渡しが困難となるおそれがある。これに対し、保持部３３Ｅの上記形状とすることで、複数の保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃ間の間隔が狭い場合であっても、搬送装置１６と保持部３３Ｅａ～３３Ｅｃとの干渉を抑制することができる。
（第７の実施形態）
図１３は、第７の実施形態に係る乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。図１３に示すように、第７の実施形態に係る乾燥ユニット１８Ｆは、処理容器３１Ｆと、蓋体３２Ｆと、複数の保持部３３Ｆとを備える。
処理容器３１Ｆは、上部に開口３１２Ｆを有する。蓋体３２Ｆは、処理容器３１Ｆの上方に配置され、移動機構３２１Ｆによって鉛直方向に沿って移動する。
処理空間３１１Ｆの天井面となる蓋体３２Ｆの下面には、鉛直方向に延在する支持部材３９を介して複数の保持部３３Ｆが設けられる。複数の保持部３３Ｆは、鉛直方向に間隔を開けて配列される。
乾燥ユニット１８Ｆは、移動機構３２１Ｆを用いて蓋体３２Ｆを下方に移動させる。これにより、蓋体３２Ｆに設けられた複数の保持部３３Ｆが処理容器３１Ｆの処理空間３１１Ｆに収容されるとともに、蓋体３２Ｆによって処理空間３１１Ｆが密閉された状態となる。
処理容器３１Ｆには、供給部３５Ｆが設けられており、供給部３５Ｆを介して処理空間３１１Ｆ内に処理流体が供給される。また、処理容器３１Ｆには、排出部３７Ｆが設けられており、排出部３７Ｆを介して処理空間３１１Ｆから処理流体が排出される。ここでは、供給部３５Ｆおよび排出部３７Ｆが処理空間３１１Ｆの底面に設けられる場合の例を示したが、供給部３５Ｆおよび排出部３７Ｆは、処理空間３１１Ｆの側面に設けられてもよい。この場合、乾燥ユニット１８Ｆは、各ウェハＷの上面に沿って処理流体を供給する複数の供給部を備えていればよく、具体的には、ウェハＷと同数の供給部を備えていることが好ましい。なお、複数の保持部によって保持される複数のウェハＷの各々に対応し、対応するウェハＷの上面に沿って処理流体を供給する複数の供給部を備える構成は、他の実施形態に係る乾燥ユニットにも適用可能である。
このように、複数の保持部３３Ｆは、上部が開放された処理容器３１Ｆを開閉可能な蓋体３２Ｆに設けられてもよい。
（その他の実施形態）
第１～４の実施形態では、処理容器３１が有する複数の側面のうち互いに対向する２つの側面にそれぞれ開口３１２を１つずつ設け、一方のウェハＷを一方の開口３１２から、他方のウェハＷを反対側の開口３１２から搬入することとした。これに限らず、２つの開口３１２は、処理容器３１が有する複数の側面のうち互いに直交する２つの側面にそれぞれ設けられてもよい。たとえば、処理容器３１が有する複数の側面のうち、Ｘ軸負方向側の側面とＹ軸負方向側の側面とに開口３１２が設けられてもよい。第５の実施形態に係る蓋体３２Ｄについても同様である。
また、各処理ブロック５に配置される液処理ユニット１７の数は、必ずしも乾燥ユニット１８，１８Ａ～１８Ｆで同時に処理されるウェハＷの数と同一であることを要しない。たとえば、第１の実施形態に係る基板処理システム１において、処理ブロック５に配置される液処理ユニット１７の数は１つであってもよい。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８，１８Ａ～１８Ｆ）は、超臨界状態の処理流体を用いて基板（一例として、ウェハＷ）を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置である。実施形態に係る基板処理装置は、処理容器（一例として、処理容器３１，３１Ｄ～３１Ｆ）と、複数の保持部（一例として、保持部３３，３３Ｅ，３３Ｆ）とを備える。処理容器は、乾燥処理が行われる容器である。複数の保持部は、処理容器の内部においてそれぞれ異なる基板を保持する。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、超臨界乾燥処理の効率化を図ることができる。
複数の保持部（一例として、保持部３３，３３Ｅ，３３Ｆ）は、処理容器の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列されてもよい。これにより、たとえば処理容器のフットプリントの増大を抑えることができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８，１８Ａ～１８Ｄ）は、第１の蓋体（一例として、Ｘ軸負方向側に配置された蓋体３２，３２Ｄ）と、第２の蓋体（一例として、Ｘ軸正方向側に配置された蓋体３２，３２Ｄ）とを備えていてもよい。第１の蓋体は、処理容器（一例として、処理容器３１，３１Ｄ）の第１の側面（一例として、Ｘ軸負方向側の側面）に設けられた第１の開口（一例として、Ｘ軸負方向側の開口３１２）を開閉可能である。第２の蓋体は、処理容器の第２の側面（一例として、Ｘ軸正方向側の側面）に設けられた第２の開口（一例として、Ｘ軸正方向側の開口３１２）を開閉可能である。この場合、複数の保持部のうち一部の保持部（一例として、Ｘ軸負方向側に配置された一または複数の保持部３３）は、第１の蓋体に設けられてもよい。また、複数の保持部のうち他の一部の保持部（一例として、Ｘ軸正方向側に配置された一または複数の保持部３３）は、第２の蓋体に設けられてもよい。このように、複数の開口をそれぞれ処理容器の異なる側面に設けることで、処理容器の耐圧性の確保が容易となる。
複数の保持部（一例として、乾燥ユニット１８Ｄが備える複数の保持部３３）は、処理容器（一例として、処理容器３１Ｄ）の内部において、一部の保持部（一例として、Ｘ軸負方向側に配置された複数の保持部３３）と他の一部の保持部（一例として、Ｘ軸正方向側に配置された複数の保持部３３）とが互い違いに配列されてもよい。これにより、１つの蓋体に支持される複数の保持部の間隔を広くすることができるため、搬送装置による基板の受け渡しが容易となる。
第２の側面（一例として、Ｘ軸正方向側の側面）は、処理容器（一例として、処理容器３１，３１Ｄ）が有する複数の側面のうち第１の側面（一例として、Ｘ軸負方向側の側面）と対向する位置に配置されてもよい。これにより、たとえば、第１の側面と第２の側面とを基板処理システム１の長手方向に沿って配置することで、基板処理システム１の短手方向の幅の増加を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ｅ）は、処理容器（一例として、処理容器３１Ｅ）の側面に設けられた開口（一例として開口３１２Ｅ）を開閉可能な蓋体（一例として、蓋体３２Ｅ）をさらに備えていてもよい。この場合、複数の保持部（一例として、保持部３３Ｅ）は、蓋体（一例として、蓋体３２Ｅ）に設けられてもよい。これにより、受渡エリア１８２の数を１つにすることができることから、フットプリントの増大を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ｆ）は、上部が開放された処理容器（一例として、処理容器３１Ｆ）を開閉可能な蓋体（一例として、蓋体３２Ｆ）をさらに備えていてもよい。この場合、複数の保持部（一例として、保持部３３Ｆ）は、蓋体（一例として、蓋体３２Ｆ）に設けられてもよい。これにより、フットプリントの増大を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８，１８Ａ～１８Ｄ）は、供給部３５と、排出部３７とを備えていてもよい。供給部３５は、処理容器（一例として、処理容器３１，３１Ｄ）の内部において、複数の保持部（一例として、保持部３３）のうち最上段の保持部に保持された基板よりも上方に配置され、処理容器の内部に処理流体を供給する。排出部３７は、処理容器の内部において、複数の保持部のうち最下段の保持部に保持された基板よりも下方に配置され、処理容器の内部から処理流体を排出する。これにより、各基板の上面を最上段から順に流れる処理流体の流れを処理空間の内部に形成することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ａ）は、処理容器（一例として、処理容器３１）の内部において、鉛直方向に隣接する２つの保持部の間に配置される仕切板３８をさらに備えていてもよい。これにより、鉛直方向に隣接する２つの保持部のうち下段の保持部の上方の空間を狭くすることができ、下段の保持部に保持された基板に対して処理流体をより効率的に接触させることができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ａ）において、鉛直方向に隣接する２つの保持部３３ａ，３３ｂのうち上段の保持部３３ｂは、複数の保持部３３ａ，３３ｂのうち最上段の保持部であってもよい。この場合、仕切板３８は、鉛直方向に隣接する２つの保持部３３ａ，３３ｂのうち下段の保持部３３ａに保持された基板の上面と仕切板３８の下面との間の距離Ｄ１が、鉛直方向に隣接する２つの保持部３３ａ，３３ｂのうち上段の保持部３３ｂに保持された基板の上面と処理容器３１の天井面との間の距離Ｄ２と同一となる位置に配置されてもよい。これにより、複数の基板に対する超臨乾燥処理の処理均一性を向上させることができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ｅ）は、処理容器（一例として処理空間３１１Ｅ）の内部において、複数の保持部（一例として、保持部３３Ｅ）によって保持された複数の基板のうち対応する基板の上面に沿って処理流体を供給する複数の供給部（一例として、供給部３５Ｅ）をさらに備えていてもよい。これにより、処理容器に収容された複数の基板に対して処理流体を均一に供給することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ｂ）は、処理容器に隣接する受渡エリア（一例として、受渡エリア１８２）に配置され、上面に液体（一例として、ＩＰＡ）の膜が形成された基板の上面に液体を補充する補充部５０をさらに備えていてもよい。これにより、複数の基板間で液膜の厚さに差が生じることを抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置（一例として、乾燥ユニット１８Ｃ）は、箱体５１と、雰囲気供給部５２とを備えていてもよい。箱体５１は、処理容器に隣接する受渡エリア（一例として、受渡エリア１８２）を囲う箱体であって、上面に液体（一例として、ＩＰＡ）の膜が形成された基板を収容可能である。雰囲気供給部５２は、箱体５１の内部に液体の雰囲気を供給する。これにより、複数の基板間で液膜の厚さに差が生じることを抑制することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
１６ 搬送装置
１７ 液処理ユニット
１８ 乾燥ユニット
３１ 処理容器
３２ 蓋体
３３ 保持部
３５ 供給部
３７ 排出部
４２ ロック部材
４３ 昇降機構
１８１ 処理エリア
１８２ 受渡エリア
３１１ 処理空間
３１２ 開口
３２１ 移動機構

Claims (11)

  1. 超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であって、
    前記乾燥処理が行われる処理容器と、
    前記処理容器の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列され、前記処理容器の内部においてそれぞれ異なる前記基板を保持する複数の保持部と、
    前記処理容器の第１の側面に設けられた第１の開口を開閉可能な第１の蓋体と、
    前記処理容器の第２の側面に設けられた第２の開口を開閉可能な第２の蓋体と
    を備え、
    前記複数の保持部のうち一部の前記保持部は、前記第１の蓋体に設けられ、
    前記複数の保持部のうち他の一部の前記保持部は、前記第２の蓋体に設けられる、基板処理装置。
  2. 前記複数の保持部は、
    前記処理容器の内部において、前記一部の前記保持部と前記他の一部の前記保持部とが互い違いに配列される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２の側面は、
    前記処理容器が有する複数の側面のうち前記第１の側面と対向する位置に配置される、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記処理容器の内部において、前記複数の保持部によって保持された複数の前記基板のうち対応する前記基板の上面に沿って前記処理流体を供給する複数の供給部
    をさらに備える、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であって、
    前記乾燥処理が行われる処理容器と、
    前記処理容器の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列され、前記処理容器の内部においてそれぞれ異なる前記基板を保持する複数の保持部と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の保持部のうち最上段の前記保持部に保持された前記基板よりも上方に配置され、前記処理容器の内部に前記処理流体を供給する供給部と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の保持部のうち最下段の前記保持部に保持された前記基板よりも下方に配置され、前記処理容器の内部から前記処理流体を排出する排出部と、
    前記処理容器の内部において、鉛直方向に隣接する２つの前記保持部の間に配置される仕切板と
    を備える、基板処理装置。
  6. 鉛直方向に隣接する２つの前記保持部のうち上段の保持部は、前記複数の保持部のうち最上段の保持部であり、
    前記仕切板は、
    鉛直方向に隣接する２つの前記保持部のうち下段の保持部に保持された前記基板の上面と前記仕切板の下面との間の距離が、鉛直方向に隣接する２つの前記保持部のうち上段の保持部に保持された前記基板の上面と前記処理容器の天井面との間の距離と同一となる位置に配置される、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記処理容器に隣接する受渡エリアに配置され、上面に液体の膜が形成された前記基板の前記上面に前記液体を補充する補充部
    をさらに備える、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる乾燥処理が行われる基板処理装置であって、
    前記乾燥処理が行われる処理容器と、
    前記処理容器の内部においてそれぞれ異なる前記基板を保持する複数の保持部と、
    前記処理容器に隣接する受渡エリアを囲う箱体であって、上面に液体の膜が形成された前記基板を収容可能な前記箱体と、
    前記箱体の内部に前記液体の雰囲気を供給する雰囲気供給部と
    を備える、基板処理装置。
  9. 基板処理装置が備える処理容器の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列された複数の保持部であって、一部の前記保持部は、前記処理容器の第１の側面に設けられた第１の開口を開閉可能な第１の蓋体に設けられ、他の一部の前記保持部は、前記処理容器の第２の側面に設けられた第２の開口を開閉可能な第２の蓋体に設けられた前記複数の保持部を用いて複数の基板を保持する保持工程と、
    前記処理容器に対し、前記複数の基板を保持した前記複数の保持部を収容する収容工程と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の基板を超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる乾燥工程と
    を含む、基板処理方法。
  10. 基板処理装置が備える処理容器の内部において鉛直方向に間隔をあけて配列された複数の保持部を用いて複数の基板を保持する保持工程と、
    前記処理容器に対し、前記複数の基板を保持した前記複数の保持部を収容する収容工程と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の基板を超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる乾燥工程と
    を含み、
    前記基板処理装置は、
    前記処理容器の内部において、前記複数の保持部のうち最上段の前記保持部に保持された前記基板よりも上方に配置され、前記処理容器の内部に前記処理流体を供給する供給部と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の保持部のうち最下段の前記保持部に保持された前記基板よりも下方に配置され、前記処理容器の内部から前記処理流体を排出する排出部と、
    前記処理容器の内部において、鉛直方向に隣接する２つの前記保持部の間に配置される仕切板と
    を備え、
    前記乾燥工程は、
    前記供給部から前記処理容器の内部に前記処理流体を供給しつつ、前記排出部を用いて前記処理容器の内部から前記処理流体を排出する、基板処理方法。
  11. 基板処理装置が備える複数の保持部を用いて、上面に液体の膜が形成された複数の基板を保持する保持工程と、
    前記基板処理装置が備える処理容器に対し、前記複数の基板を保持した前記複数の保持部を収容する収容工程と、
    前記処理容器の内部において、前記複数の基板を超臨界状態の処理流体を用いて乾燥させる乾燥工程と
    を含み、
    前記保持工程は、前記処理容器に隣接する受渡エリアを囲う箱体であって、前記基板処理装置が備える雰囲気供給部によって内部に前記液体の雰囲気が供給された前記箱体の内部で行われる、基板処理方法。
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