JPWO2007037233A1 - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するように前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室に供給される前記ガスの種類数と同じ数の圧力測定部であって、前記処理室内の圧力を測定するため、それぞれが開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される前記圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理室内の圧力測定の際、前記圧力測定部のそれぞれが、前記少なくとも2種類のガスのうち対応するガス専用に用いられるよう、前記それぞれの開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置が提供される。
基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するよう前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室内の圧力を測定するため、開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記圧力測定部が前記少なくとも2種類のガスのうち一方のガスが前記処理室に対して供給または排出される時の前記処理室内の圧力測定の際に用いられるよう、前記開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置が提供される。
本発明の好ましい実施例では、ある膜種を構成する主原料と主原料を酸化または窒化等の反応性ガスとを交互にウエハ上へ照射するALD(atomic layer deposition)成膜を可能とする半導体製造装置において、ダイヤフラムセンサで構成される圧力制御モニタを用いるとき、主原料用のダイヤフラムセンサと、主原料を酸化または窒化等の反応性ガス用のダイヤフラムセンサを有し、主原料を流すときには、主原料用のダイヤフラムセンサを使用し、反応性ガスを流さずかつ反応性ガス用のダイヤフラムセンサは使用しない。また、反応性ガスを流すときには反応性ガス用のダイヤフラムセンサを使用し、主原料を流さずかつ主原料用のダイヤフラムセンサは使用しないシーケンスを用いる。
本発明の好ましい実施例に係る半導体製造装置は、縦型減圧装置において主原料としてトリメチルアルミニウム(TMA)を使用し、酸化種としてオゾン(O3)を使用するALD成膜装置である。処理室内に、TMAとO3とを交互に供給することにより成膜が進行する。
なお、本実施例では、不活性ガスとして、N2を使用し、TMAのキャリアガスとしてN2を使用する。
ステップ1では、TMAガスを流す。TMAは常温で液体であり、処理室201に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法、キャリアガスと呼ばれる窒素や希ガスなどの不活性ガスをTMA容器260の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理炉へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。キャリアガスとしてはN2を用いる。
ステップ2では、バルブ250aを閉めてTMAの供給を止める。また、ガス排気管231の第4のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留TMAを処理室201から排除する。また、この時には、N2等の不活性ガスを、TMA供給ラインである第2のガス供給管232bおよびO3供給ラインである第1のガス供給管232aからそれぞれ処理室201に供給すると、残留TMAを排除する効果が更に高まる。
ステップ3では、O3ガスを流す。まず第1のガス供給管232aに設けた第1のバルブ243a、及びガス排気管231に設けた第4のバルブ243dを共に開けて、第1のガス供給管232aから第1のマスフローコントローラ243aにより流量調整されたO3ガスをノズル233のガス供給孔248bから処理室201に供給しつつガス排気管231から排気する。O3ガスを流すときは、第4のバルブ243dを適正に調節して処理室201内圧力を10〜100Paの範囲であって、例えば100Paに維持する。第1のマスフローコントローラ241aで制御するO3の供給流量は1〜10slmの範囲であって、例えば5slmで供給される。O3にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207温度はウエハの温度が250〜450℃の範囲であって、例えば400℃になるよう設定してある。
ステップ4では、第1のガス供給管232aの第1のバルブ243aを閉めて、O3の供給を止める。また、ガス排気管231の第4のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留O3を処理室201から排除する。また、この時には、N2等の不活性ガスを、O3供給ラインである第1のガス供給管232aおよびTMA供給ラインである第2のガス供給管232bからそれぞれ処理室201に供給すると、残留O3を排除する効果が更に高まる。
本発明の好ましい一実施例において、基板処理装置は、一例として、半導体装置の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。図5は、本実施例の基板処理装置を説明するための概略斜透視図である。
カセット110がカセットステージ114に供給されるに先立って、カセット搬入搬出口(図示せず)がフロントシャッタ(図示せず)によって開放される。その後、カセット110はカセット搬入搬出口(図示せず)から搬入され、カセットステージ114の上にウエハ200が垂直姿勢であって、カセット110のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット110は、カセットステージ114によって、カセット110内のウエハ200が水平姿勢となり、カセット110のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向90°回転させられる。
基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するように前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室に供給される前記ガスの種類数と同じ数の圧力測定部であって、前記処理室内の圧力を測定するため、それぞれが開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される前記圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理室内の圧力測定の際、前記圧力測定部のそれぞれが、前記少なくとも2種類のガスのうち対応するガス専用に用いられるよう、前記それぞれの開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置が提供される。
前記ガスは、少なくとも第1のガスと第2のガスを含み、
前記圧力測定部は、前記第1のガス用として用いられる第1の圧力測定部と、前記第2のガス用として用いられる第2の圧力測定部とを含み、
前記制御部は、
前記第1のガスを前記処理室へ供給する第1の供給工程と、
前記処理室内に残留する前記第1のガスを前記処理室から排出する第1の排出工程と、
前記第2のガスを前記処理室へ供給する第2の供給工程と、
前記処理室内に残留する前記第2のガスを前記処理室から排出する第2の排出工程とを、所定回数繰り返すため、前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御し、
更に前記制御部は、
前記第1の供給工程と第1の排出工程では、前記第1の圧力測定部を用いて前記処理室内の圧力を測定し、
前記第2の供給工程と第2の排出工程では、前記第2の圧力測定部を用いて前記処理室内の圧力を測定させるため、
前記開閉弁を制御する。
基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するよう前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室内の圧力を測定するため、開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記圧力測定部が前記少なくとも2種類のガスのうち一方のガスが前記処理室に対して供給または排出される時の前記処理室内の圧力測定の際に用いられるよう、前記開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置が提供される。
その結果、本発明は、シリコンウエハ上にALD法により成膜を行う基板処理装置に特に好適に利用できる。
Claims (7)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するように前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室に供給される前記ガスの種類数と同じ数の圧力測定部であって、前記処理室内の圧力を測定するため、それぞれが開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される前記圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理室内の圧力測定の際、前記圧力測定部のそれぞれが、前記少なくとも2種類のガスのうち対応するガス専用に用いられるよう、前記それぞれの開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置。 - 前記ガスは、少なくとも第1のガスと第2のガスを含み、
前記圧力測定部は、前記第1のガス用として用いられる第1の圧力測定部と、前記第2のガス用として用いられる第2の圧力測定部とを含み、
前記制御部は、
前記第1のガスを前記処理室へ供給する第1の供給工程と、
前記処理室内に残留する前記第1のガスを前記処理室から排出する第1の排出工程と、
前記第2のガスを前記処理室へ供給する第2の供給工程と、
前記処理室内に残留する前記第2のガスを前記処理室から排出する第2の排出工程とを、所定回数繰り返すため、前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御し、
更に前記制御部は、
前記第1の供給工程と第1の排出工程では、前記第1の圧力測定部を用いて前記処理室内の圧力を測定し、
前記第2の供給工程と第2の排出工程では、前記第2の圧力測定部を用いて前記処理室内の圧力を測定させるため、
前記開閉弁を制御する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記圧力測定対象空間は、前記処理室に接続されたガス排気管内の空間である請求項1に記載基板処理装置。
- 前記圧力測定部はダイヤフラムセンサである請求項3記載の基板処理装置。
- 前記少なくとも2種類のガスは、互いに反応することで膜を生成するガスである請求項1記載の基板処理装置。
- 前記少なくとも2種類のガスは、トリメチルアルミニウムとオゾンのガスであって、前記基板上に生成される前記薄膜は酸化アルミニウムである請求項5記載の基板処理装置。
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室へ少なくとも2種類のガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排出するガス排出部と、
前記少なくとも2種類のガスを交互に所定回数繰り返して、前記処理室内に供給、排出するよう前記ガス供給部および前記ガス排出部を制御する制御部と、
前記処理室内の圧力を測定するため、開閉弁を介して圧力測定対象空間に連通される圧力測定部と、
を備え、
前記制御部は、前記圧力測定部が前記少なくとも2種類のガスのうち一方のガスが前記処理室に対して供給または排出される時の前記処理室内の圧力測定の際に用いられるよう、前記開閉弁の開閉を制御して、前記基板上に所望の薄膜を生成する基板処理装置。
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPH0645256A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 |
JP2000082673A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Telecommunication Advancement Organization Of Japan | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2003059918A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Toshiba Corp | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2004183096A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置 |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPH0645256A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-18 | Rikagaku Kenkyusho | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 |
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