JPS62142770A - タングステンシリサイドフィルムをデポジションする方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低圧化学蒸着（ＣＶＤ）用の方法に関し、特に
タングステン　シリサイドの低圧ＣＶＤに関する。

集積回路装置の微細化とともに、微細加工技術およびそ
の材料についての改良が急がれている。

現在の処理技術では、Ｉ乃至１．５マイクロ　メータ程
度の微細化は達成されている。しかし、これ以上の微細
化が望まれている。ドライエチソングおよびリトグラフ
ィの改良によって、高密度ＶＬＳ１回路の寸法において
は、この問題が顕在化している。ＬＳＩ−ＭＯＳの分野
で現在使用されているほとんどの共通のゲート電極およ
び層間接続材料としての、多結晶シリコン（以下ポリシ
リコンと云う）の使用は大きな問題をかかえている。

ポリシリコンは種々の利点をもっており、例えば、エツ
チング、酸化特性、高温での機械的安定性、ステップ、
カバレンジおよび接着性が非常に優れている。しかし、
比較的高抵抗であることが大きな欠点となっている。多
くの場合、シート抵抗は２０〜３０Ω／スクエアであり
、この値は良くドーピングされたポリシリコンの５００
０人の層厚のシート抵抗であり、回路設計上問題とはな
らない。

ＶＬＳ　ｌの場合、この抵抗値は問題となる。つまり、
大型のＶＬＳ　１回路では、長く細い綿が必要であり、
このためＲＣ時間が受は入れがたいものとなり、これが
微細寸法装置の高速性を阻害している。この点で、ＭＯ
３回路の分野では配線技術のより一層の進歩が望まれて
いる。

ポリシリコン配線に換わるものとしては、耐火金属およ
び耐火金属シリサイドがあり、この材料は目下盛んに研
究されている。一般に、耐火金属はポリシリコンよりも
バルク抵抗が低いが、酸化特性およびアニール後の付着
性に問題がある。このため、現在、おれはあまり受は入
れられていない。一方、シリサイドは耐火金属よりもバ
ルク抵抗が高いが、酸化抵抗が優れており、またＩＣウ
ェーハ処理に適合する種々の特性を持っている。

例えば、ＩＣウェーハ処理温度について安定性を持って
おり、付着性、化学抵抗およびドライ　エツチングに優
れている。

このシリサイドの形成について種々研究されているが、
いずれも大きな問題に突きあっている。

Ｃ０ＥＶＡＰＯＲＡＴ　ＩＯＮによれば、周縁ステップ
、カバレンジを持ったフィルムを形成しやすく、またア
ニール中に大きな収縮を与えがちである。この収縮は付
着性に問題を与える。Ｃ０５ＰｔｌＴＴ！！ＲＩＮＧで
形成されたフィルムはステップ、カバレンジが優れてい
るが、多量のアルゴンを含み、アニール中に大きな収縮
をもたらす。加圧シリサイド　ターゲットから得られた
フィルムはこの収縮性の問題を解決しているが、酸素、
炭素、アルゴンの汚染物を含み、これがアニール後にバ
ルク抵抗が１００μΩ（至）を越えるといったフィルム
の特性劣化をもたらすＣＶＤ法は、プラズマ強化ＣＶＤ
を除いて、これらの問題を解決すると患われるが、その
成功例はむしろ少ない。報告されている例の場合、その
表面は粗く、柱状、結合、モジュラ−構造を持っている
か、あるいは粉体粒子状になっている。

（これについては　“Ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｗｘ
Ｓｉｔ−ｘ　ｂｙｐｌａｓｍａ　ｃｈｅｎ＋１ｃａｌ　
　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｔｔｊｏｎ”　Ａｐｐｌ、　
　Ｐｈｙｓ。

Ｌｅｆｔ、　　３９（５）、　　Ｉ　Ｓｅｐｔｅｍｂｅ
ｒ　１９８１．　　ｂｙ　Ｋ、　　＾ｋｉｍｏｔ。

ａｎｄに、　Ｗａｔａｎａｂｅを参照されたい。）特定
のタングステン　シリサイドの場合、デポジションは石
英もしくはバイコール反射管のシランでのタングステン
　ヘキサフルオリドの還元によって行われた。一般に、
基質材料上の反射は次のように行われたと考えられる。

５ｉｌ１４　　→　Ｓｔ　　＋　　４１）ＷＦｂ　　＋
　　６１）　−　　Ｗ　　＋　　６１ＦＦおよび Ｗ　　＋　　Ｓｉ　　−＋ｗｓｔ。

７ｗ　　＋３ＷＳｉｚ　　→２Ｗ５Ｓｔ。

上記式の詳細については（”Ａ　ＣＶＤ　５ｔｕｄｙ　
ｏｆ　ｔｈｅＴｕｎｇｓｔｅｎ−５ｉｌｉｃｏｎ　Ｓｙ
ｓｔｅｍ”＋　ｂｙ　Ｊｙｈ−５ｈｕｅｙ　Ｌｏ、　ｅ
ｔａｌ、　Ｐｒｏｃ、ｏｆ　ｔｈｅ　４ｔｈ　Ｉｎｔｅ
ｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎ　ＣＶ
Ｄ、　ｐｐ、７４−８３）に記載されている。ｃｌとん
どのホット−ウオール系では、気相反応は同様に行われ
るかと思われる。この反応によって非常に有害な結果が
もたらされ、特に粉体粒子の形成はウェーハを汚す。熱
駆動処理システムでシリサイドをデポジットする場合の
問題の一部は、タングステン　ヘキサフルオリドのシラ
ンのその反応性に由来するものであり、この問題により
表面反応速度が非常に早まる。さらに、形成された化合
物の化学量がタングステンでは大きくなり、このため次
の処理環境に入ると不安定となる。反応速度は非常に早
くデポジション温度は低くなる。この結果層厚とその均
一性の制御が困難となる。さらに、反応室においてはそ
のデポジションが所望の表面では行われず、利用面の反
対面で行われる。この結果、制御がさらに困難となり、
結果としてデポジションの行われるウェーハを汚すこと
となる。

本発明の好ましい実施例によれば、低圧ＣＶＤシステム
が提供される。このシステムはデポジション期間中基質
材料を保持し加熱するために使用されるタレット組立体
を備える冷却した真空ハウジングで構成されている。ハ
ウジングとタレット組立体の部分の温度はこれらに対す
るデポジションを実質的に排除するに充分な程度に低く
保持される。

また排出マニホルドが用いられ、このマニホルドは均一
な排出を行うための真空ハウジングに対して延在してい
る。真空ハウジング自身において構成反応ガスを混合す
ると云うよりも、これらのガスは混合チャンバで混合さ
れ、ついで、気相反応を避けるため低圧でハウジングに
拡散される。

この拡散は複数の位置で行われ、ハウジング内で反応ガ
スの均一な分布を確保する。タレット組立体はデポジシ
ョン期間中回転可能であり、この回転によって各基質材
料の均一な露出を確保し、さらに各基質材料に対するそ
の一貫性を確保する。

これら素子の組合せによって、非常に高品質なフィルム
、特にシリコンを多量に含んだタングステン　シリサイ
ドのフィルムを製造できる。これは次の理由による。つ
まり、排出／ガス流システムとの関連で、ハウジング及
びタレット組立体の温度が下がったことにより、デポジ
ション　プロセスの行われている間非常に正確な質量の
輸送の制御が可能であり、これによって所望の化学量と
均一性が得られるからである。この制御の一部が達成さ
れるのは、デボジンヨン　プロセスがガス中あるいはシ
ステムの他の部分で行われるのではなく、基質材料表面
のほぼ全体にわたり行われるからである。この結果、パ
ラメータの変化はデポジション特性の変化に直接に関連
してくる。

タングステン　シリサイドの高品質フィルムをデポジシ
ョンする特定のプロセスは装置の形状と緊密に関連する
。だが、この種のシステムの作動パラメータはシランの
流量がタングステン　ヘキサフルオリドのそれの２０乃
至８０倍の時、デポジションが約３５０℃の基質材温度
を与えることである。高品質のタングステン　シリサイ
ド　フィルムを得るためのタングステン　ヘキサフルオ
リドの最適流量は非常に低く、デポジション中の各基質
材料に対して一般に約１．７ｃｃ／ｍｉｎ乃至２．０ｃ
ｃ／ｍｉｎである。

本発明の方法を実施するための装置を添付図面にしたが
って詳細に説明する。まず、第１Ａ図及び第１Ｂ図を参
照する。検量の低圧ＣＶＤ反応システムは円筒の真空チ
ャンバ、即ちハウジング１）を備えている。ハウジング
１）はデポジションを行っている間ウェーハを保持する
基板タレット組立体１３をその中央部に有している。ハ
ウジング１）の直径は約６０ｃｍあり、その高さは約３
０ｃｍあり、約１．５ｃｍの厚さを持つアルミニウムで
できている。アルミニウムは熱伝導性が良く、特定の反
応ガス中での対腐食性が良いので選ばれた。ハウジング
１）はシステムにウェーハを導入するためのロック可能
な真空密閉可能なドア１２を備え、さらにタレット組立
体を収容するためにその床部分に円形の穴を有している
。

ハウジング１）は代表的には冷却コイル１４で水冷され
、ハウジング内壁に顕著なデポジションが発生しないよ
うな温度まで下げられる。一般に、ハウジングの温度は
デポジションの行われる特定の材料に依存して変化する
が、タングステン　シリサイドについては、約１００°
Ｃのハウジング温度で、内壁の不必要なデポジションが
大幅に減少される。壁温を約８０℃以下、さらに好まし
くは、約６０°Ｃ以下に下げるとその効果は著しい。こ
れら後者の温度ではハウジング壁でのデポジションはほ
ぼ解消される。この理由として、まず壁面での反応物の
解離を起こすエネルギが減少したことが挙げられる。次
に、−ａに、化学反応が下げられた温度ではゆっくりと
した速度で進むことが考えられる。６０℃では、チャン
バー壁でのデポジションは最低となり、測定が非常に困
難となる。

大まかに見ると、壁にデポジションしたタングステン　
シリサイドのウェーハにデポジションした厚さに対する
比は、せいぜい１：１０００で、恐らくはこれよりもも
っと低いと考えられる。

排気用マニホルド１５がチャンバーの排気用にハウジン
グ１）に取り付けられており、さらに真空／排気システ
ム１７にも取り付けられている。

この真空／排気システム１７は１０ｍＴ以下にシステム
をポンピング可能である。排気用マニホルド１５はその
直径が約１０ｃｍ（４”）であり、ハウジングの下に吊
り下げられた半円形のアルミニウム性の排気プレナムと
、さらに直径約５ｃｍ（２’）の二本の接続パイプ１９
を有している。この接続パイプはマニホルドの周囲に均
一に離隔して配置されている。これらの接続パイプはハ
ウジング１）に向けて延長しており、その距離は約２５
ｃｍである。

接続パイプはハウジング壁と良好に熱接触しており、こ
の結果このパイプも比較的低い温度に保たれる。各接続
パイプ１９はその頂部にキャップを設けており、さらに
２つの開口１６を有している。

開口の直径は約１．８ｃｍ（３／４インチ）である。開
口の１つはパイプの頂部ちかくにあり、他は底部のちか
くにある。このようにして、ハウジングはその周囲に合
計８本の排気口を備えている。この構成によって非常に
均一な排気が可能であり、デポジション処理中制御を大
幅に助ける。真空／排気シムテム１７は真空スロットル
弁と制御器、精密なマノメータ、回転羽ポンプ、ルーツ
　ブロワ−とを備えている。このルーツ　ブロワ−はポ
ンプダウン中、真空状態において羽ポンプを駆動する。

真空圧はプログラム可能であり、その制御はマイクロプ
ロセッサによって制御可能である。　反応ガスは代表的
には２つの貯蔵所に貯蔵される。第１のバンク２５には
ヘリウムとシランが、そして第２のバンク２７にはヘリ
ウム　キャリアとタングステン　シリサイドが貯えられ
る。ガスはハウジング１）の壁に取り付けられた混合チ
ャンバー２８の中で低圧状態の下で混合されて拡散され
る。

これによって、反応ガス混合物が形成される。ついで、
この混合物はウェーハに直接に対向するハ。

ウジングに導入される。混合チャンバー２８の詳細は第
２Ａ図と第２Ｂ図に示されている。混合チャンバーは代
表的には断面が円形であり、一般に１２乃至１２．５ｃ
ｍ　（４乃至５インチ）の直径を有している。混合チャ
ンバーは中央ポスト２６を備え、ポストは円形バッフル
３０を有し、このバッフルはウェーハに均一にガスを分
布させる。直径１０ｃｍの混合チャンバーの場合、バッ
フル３０の適切な一直径および厚さは約７．５Ｃ１ｆｉ
（３インチ）と約２．８ｃｍ（１〜１／８インチ）であ
り、中央ポスト２６の長さは約７．５ｃｍ（３インチ）
である。反応ガスは代表的にはバンク２５と２７から二
本の２．５ｃｍパイプを介してチャンバー２８の近辺に
運ばれる。

ついで、ガスは接続管２５２，２７２を介してポスト２
６の対向側のチャンバーに入る。ガスはハウジング１）
の内部に入る前にここで混合される。

ガスの均一な、導入を計るため、チャンバー２８のよう
な８つのチャンバーがハウジングの周囲に等間隔で配置
されている。（第１Ｂ図）。接続管２５２と２７２の直
径はパイプ２５２と２７１に比して小さく、約０．１５
６ｃｍ（１／１６インチ）である。

これは各チャンバーでのガス圧はぼ等圧にするためであ
る。ガス流は精密な始動と流れ特性を確保するように設
計された熱質量の流れ制御装置によりマイクロプロセッ
サ２９で制御される。（例えば、Ｕｎｉｔ　Ｉｎｓｔｒ
ｕｍｅｎｔ　Ｉｎｃ、　Ｍａｓｓ　Ｆｌｏｗ　Ｃｏｎｔ
ｒｏｌｌｅｒｔｌＦｃ−１０００）。

一般に、タレット組立体１３はハウジング１）の底で電
気的に絶縁された、回転する真空シール４７上に配置さ
れている。第１Ｂ図に示すように、タレット組立体１３
は水平断面図から見るとほぼ八角形をしており、この形
状の各面でウェーハを保持するためにウェーハ　プラテ
ン１５のようなウェーハ　プラテンまたはチャックを有
している。

各ウェーハ　プラテンは約１．２５ｃｍの厚みを持つモ
ネル　シート　ストックより台形状に切断される。

このとき、各プラテンの頂部は約１２．５ｃｍ（５イン
チ）の幅を有し、その底は約１５ＣＪｌ（６インチ）の
幅を有している。また、台形の高さは約１５国（６イン
チ）である。第１Ｂ図と第３図に示すように、一般に、
プラテンは、その縁部で、頂部の八角形リング３４と底
部の八角形リング３２に対して、−緒に接合される。キ
ャップ３１は、約５ｃｍ（２インチ）の高さと、その頂
部で約２６．２５　ｃｍ（１０〜１／２インチ）を有し
ている。ベース３５は、約７．５ｃｍ（３インチ）の深
さとその底部の直径が２６．５ｃｍ　（１０＝１／２イ
ンチ）となっている。キー？　−／プ３１とベース３５
は、頂部と底部の八角形リングにそれぞれ溶接されてい
る。全体の組立体チャック　リング　ベース３６に取り
付けられている。

コノリング３６は、ハウジング１）の底部の真空シール
４７と接触しているとき、真空密閉システムを構成する
。キャップ３１とベース３５とは、代表的には、０．１
７ｃｍ　（１／１６インチ）の厚みをもつモネルで構成
されている。各ウェーハ　プラテンの表面には、ピン２
０．２１といった２つのピンがあり、これらピンは、ウ
ェーハをそれぞれのプラテン上の所定位置に案内し、プ
ラテンを支持する。一方、この状態に基づいて、ウェー
ハをデポジションする。

この処理中、タレット組立体１３はモータによってゆっ
くりした一定速度で回転される。この速度は、代表的に
は、ＩＲＰＭであり、これによってデポジションの均一
性を向上させる。第３図及び第４図の切断された図に図
示されているように、タレット組立体１３は固定された
三列のランプ、例えばランプ２４によって、内側より加
熱される。

各列は、ソリッド　ステート整流器で制御される８本の
５００Ｗ石英ランプで構成されている。

代表的には、タレット組立体１３の全体はモネルで構成
される。モネルを用いる理由は、対腐食性及び耐高温性
に優れているからである。プラテンは、背面からウェー
ハを配置している全面にかけて熱を通す。

また、ウェーハ表面の均一な加熱を確保し、さらに、ラ
ンプからの放熱の吸収を向上させるため、ランプに隣接
したプラテンの側面が厚さ約０．９４ｃｏ＋（３／８イ
ンチ）の鋼製の層で被覆されている。

プラテンの外表面の温度はプログラム可能であり、マイ
クロプロセッサ２９で制御される。この温度は３５０℃
〜１７０℃、好ましくは、３５０°Ｃ〜５０℃の範囲に
制御される。マイクロプロセッサ２９の温度情報はフィ
ードバックは、タレット組立体１３の内側を見る固定し
た赤外線センサを介し行われている。タレット組立体１
３の回転により、センサがこのタレット組立体１３の周
囲の温度を測定する。

プラテンとウェーハ以外のタレット組立体１３の領域の
デポジションを避けるため、タレット組立体１３は、代
表的に、キャップ３１とベース３５に冷却システムを備
えている。冷却は、約０．６３ｃ＋ｎ（１）４インチ）
の水パイプ３７によって行われる。

このパイプは良好な熱接触を保ちながらキャップとベー
スの両者の周囲を横断している。パイプ３７は、配水用
マニホルド３９に取り付けられている。

マニホルド３８はキャンプに永久的に溶接されている。

水は、マニホルド３９の管理のもとに水冷システム３９
よりマニホルド３９に供給される。

この配水は、二重壁のパイプ４１によって行われる。こ
のパイプは、水の流入チャンネルを定める内壁４２と、
その流出チャンネルを定める外壁４３とを有している。

パイプ４１は、代表的には、上方にさらにマニホルド３
９あ内側に延在している。

内壁４２は外壁４３よりも特に延びている。また、マニ
ホル゛ド３９とパイプ４１の間の接続は適切な密封手段
で水密とされている。キャップ３１を除いたタレット組
立体１３の上面に対応する第３図と第４図から理解され
るように、マニホルド３９を離れたパイプ３７は、まず
、その周辺をキャップ３１の頂部に沿って進み、キャッ
プ３１と良好な熱接触を行いながら、その周囲にほぼ完
全な円を形成する。さらに、パイプ４１で示すように、
下方に回り、ベース３５の周囲にほぼ完全な円を形成す
る。ついで、後方に返し、マニホルド３９をパイプ４１
の外部に出る。キャップとベースの温度は８０℃以下に
、好まししくは、６０℃以下に保持される。これは、ハ
ウジング壁に対してなされたのと同様に、これらの部分
に大きなデポジションがなされるのを避けるためであり
、さらに、シール４７を冷却しておくためである。だが
、キャップとベースの全表面が、加熱されたプラテンと
パイプ３７の周辺の接触部との間の温度傾斜のために、
この後者の温度に保持できないことに留意されたい。結
局は、ある種の累積は、冷却された表面にさえ発生し、
さらに、重要なことには、プラテン自身が実質的なデポ
ジションをもたらす。

このため、２ＫＷのＲＦ発生器４９がタレット組立体１
３に取り付けられてきた。これはＮ　Ｆ　ｓのようなエ
ッチャントガスを加えて、折々行われるクリーニングに
使用出来る。

本装置の好適な実施例で高品質のフィルムを作るため、
特別なステップが用いられる。代表的には、チャンバー
を窒素で清浄する。ついて、ウェーハを入れ、ハウジン
グ１）を１０〜２０ｍＴのベース圧力にポンプダウンす
る。一般にタングステン　ヘキサフルオリドのライン２
７１とシランのライン２５１の両者で、まずヘリウムを
出発させる。

これは、ガス・ライン間での相互汚染を防ぐためと、そ
の間で不所望の反応の発生を防ぐためである。ついで、
シランが出発する。代表的な流量は、ヘリウムの場合１
００ｃｃ／ｍｉｎであり、シランの場合１０００ｃｃ／
ｍｉｎである。ついで、チャンバー圧力が２００ｍＴに
設定され、そして、タングステンヘキサフルオリドが約
１４ｃｃ／ｍｉｎの流量で所望のデポジション時間だけ
ターンオンされる。タングステン　ヘキサフルオリドの
流出の初期において大きなオーバシュート（２０％未満
）を避けるために、事前の措置をとる必要がある。（一
般に、シランの流量は、タングステン　ヘキサフルオリ
ドのそれの２０〜８０倍必要である。もっとも、これは
、デポジション時間とシリサイドの所望の化学量に依存
する。また、タングステン　ヘキサフルオリドの最少最
適流量は、ウェーハ当たり約１．７〜２．０ｃｃ／ｍｉ
ｎの間にあることが見い出されている。）デポジション
の終りにガスが停止され、ガスの開始とは逆の手順で、
このシステムを窒素で浄化し、ウェーハをはずす。代表
的なデポジション速度は、ガスの流れ、温度およびチャ
ンバー圧力に依存して約１００〜１０，０００人ｃｃ／
ｍｉｎの間で可能である。上記の装置と方法を使用した
フィルムの品質は非常に優れている。

バルク抵抗はウェーハを１０００℃で１０分間アニール
したとき、７５μΩｃｍであり、１，１００°Ｃで１０
分間アニールしたときは、５０μΩｃｍ以下である。

アニール後のシート抵抗のばらつきは、±５％でり、ラ
ンツーラン抵抗のばらつきは、±１０％である。ウェー
ハ上の厚みのばらつきは、±５％でり、ランツーランで
は、±１０％である。また、デポジション表面は非常に
滑らかである。さらに、製造速度は早く、平均２．５０
０人のフィルムの厚さで、時間当たり約６０ウエーハで
ある。

かかる高品質のフィルムが得られた理由の１つは、発生
器壁とタングステン　ヘキサフルオリドの一部の温度が
下げられたことを、混合チャンバーと真空マニホルドで
達成されたガス流の均一性によって、デポジション材料
の化学量と均一性とに関して、デポジション　プロセス
全体にわたって精密な制御が行えたことにある。このよ
うな制御の行われた理由は、デポジション　プロセスに
おいて質量の輸送速度が制限されたこと、並びに気相反
応が除去されたことによると考えられる。

それ故に、デポジションは、システムの他の部分でなく
、ホットなウェーハ表面でほぼ全体にわたって行われる
。結果として、処理パラメータの変化は、ウェーハ表面
のデポジション特性の変化に直接に関係する。これは、
従来のホット、ウオール　システムとは非常に異なって
いる。従来システムでは、非常に小さな割合のデポジシ
ョンされたタングステン　ヘキサフルオリドのみがウェ
ーハ表面で柊ってよく、この結果デポジション特性の変
化を小さくするため、非常に大きな変化が処理パラメー
タにしばしば必要とされる。さらに、これらの変化さえ
その予測はしばしば容易ではない。また、一般に、ホッ
ト　ウオール　システムは、質量の輸送制御が不充分で
あり、この結果、各ロードのウェーハごとの反応ガス比
は、大きく変えることができる。さらに、気相反応は、
非常に発生しやすく、これによって欠陥頻度が高まる。

本発明の利点は、ウェーハ以外の表面がデポジションさ
れ、材料の過剰な累積により生ずる微粒子によるウェー
ハの汚れを実質的に除去している。

さらに、本システムは、高価な反応ガスの使用のいて非
常に効果的である。何故なら、デポジションされた材料
が、他の部分でなくウェーハの表面で終了するからであ
る。

本発明の他の利点は、製造されたタングステンヘキサフ
ルオリド　フィルムは、従来の方法のように、タングス
テンが多いのではなく、シリコンが多い。この結果得ら
れるフィルムはＷＳｉｇとして表わされる。ここで、８
は２．０乃至４．０の範囲で、最適には、２．４乃至２
．７の範囲で可能である。この結果を得るための精密な
機構を十全に理解する必要はないが、基質材料表面で発
生すると考えられる種々の化学反応に注目することによ
り、一般概念を引き出すことができる。

１、　２ＷＦ、＋３Ｓｉ　　→２　Ｗ　＋　３　Ｓ　ｉ
Ｆ　ａ２）ＳｉＨ４→Ｓｉ＋２Ｈｚ ３、　　ＷＦｈ＋Ｓ　１ｚＨｈ−４Ｗ３　ｉ、＋６ＨＦ
４、　　ＷＦｈ　＋３Ｈｔ　　　→Ｗ＋６ＨＦ５、　　
Ｗ　Ｆ　＆　＋　６　Ｓ　ｉ　Ｈ４→Ｗ＋　３　Ｓ　ｉ
　ｚ■Ｉｂ　＋　６　ＨＦ６、　５ｉｉＨ＆　　　　→
２　Ｓ　ｉ　＋　　３　Ｈｚ低圧でのシランの分解が５
５０℃以上の温度、すなわち、本システムで使用されて
いるよりも非常に高い温度で発生すること、並びに上記
式を考慮すると、シランの触媒分解が表面で盛んに行わ
れるものと考えられる。

上記装置をタングステン　シリサイドのデポジションに
関連して述べてきたが、その用途は、他の材料のデポジ
ションにも同様に適用可能である。

例えば、耐熱金属及び耐熱金属シリサイドに質量の輸送
制御が望まれる場合、特に適している。もちろん、流量
とガス分解が所望のデポジション材料で変わるように、
ハウジング及びタレット用の冷却温度の精密な範囲が変
わる。さらに、モネルとアルミニウムがそれらの熱伝導
、対腐食性、成形の容易さの特徴により、構造材料とし
て用いられている。他の材料も特定のプロセス及びデポ
ジションされるべき材料に依存して使用可能である。

さらに、フィルム性能及び生産性に関する上述の数値は
シリコン基質材料上のデポジションに関連するが、デポ
ジション用基質材料としてはほとんどの材料が使用可能
である。もっとも、この場合、その材料が必要な温度に
耐え得るものでなければならない。有用と思われる基質
材料としては、種々の酸化物、ポリシリコン、ガリウム
ヒ素、誘電体、金属である。さらに、本発明は六角構造
に限定されない。例えば、本発明は、ｎ折りのシンメト
リを持つタレット組立体に良く適応する。ここで、ｎは
プラテンの数である。さらに、ウェーハ面の反応ガスを
均一に分布するために、他の多くのガス混合／拡散用の
材料寸法及びシステムがあるのは当然である。例えば、
連続的な、あるいは複数のオリフィスをハウジングの周
囲に配置して、ハウジング全体を囲んだ単一の混合チャ
ンバーを使用することが可能である。

【図面の簡単な説明】

図は本発明方法を実施するための装置を示し、第１Ａ図
は真空ハウジングを切った断面図を示し、第１Ｂ図は真
空ハウジングの頂部を除去したその上面を示し、第２Ａ
図は真空ハウジングの内部から見える混合チャンバーの
前面であり、第２Ｂ図は線Ａ−Ａに沿った混合チャンバ
ーの断面図であり、第３図は内部構造を露出するように
一分を切断したタレット組立体を図示し、第４図はタレ
ット組立体の上面を図示し、そのキヤ・ノブが除去され
、冷却パイプのルートを図示し、さらに加熱ランプの位
置を示している。 Ｆｔｔｒ、３ （、−） Ｆｔｂ、　２１３

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）式ＷＳｉ＿ｘとして表わされる成分を有する化学
   蒸着形成されるタングステン　シリサイド　フィルムで
   あって； 前記式中、ｘは２．０乃至２．６の範囲であり、１０分
   あるいはそれ以上、１０００℃あるいはそれ以上の温度
   でアニールされた時に７５μΩｃｍ以下のバルク抵抗を
   有し、アニールの後は±１０％以下のシート抵抗のばら
   つきを有し、アニールの後、±１０％の厚みのばらつき
   を有するタングステン　シリサイド　フィルム。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載の化学蒸着形成される
   タングステン　シリサイド　フィルムに於て、前記式の
   ｘが２．４乃至２．６の範囲であるタングステン　シリ
   サイド　フィルム。
3. （３）低圧化学蒸着装置の真空ハウジング内の基質材料
   上にタングステン　シリサイドをデポジションする方法
   において； 前記真空ハウジングを排気して、該真空ハウジングにシ
   ラン及びタングステン　ヘキサフルオリドの流れを供給
   し、前記基質材料上にタングステン　シリサイドのデポ
   ジションを生じさせるために該基質材料を加熱し、前記
   真空ハウジング自体にタングステン　シリサイドのデポ
   ジションを減少させるために１００℃以下の温度に真空
   ハウジングを冷却する工程からなるタングステン　シリ
   サイドをデポジションする方法。
4. （４）特許請求の範囲第３項記載の方法に於て、前記真
   空ハウジングが８０℃以下に冷却されるようになるタン
   グステン　シリサイドをデポジションする方法。
5. （５）特許請求の範囲第３項記載の方法に於て、前記真
   空ハウジングが６０℃以下に冷却されるようになるタン
   グステン　シリサイドをデポジションする方法。