JP2006185992A

JP2006185992A - プラズマ成膜装置のクリーニング方法

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Publication number: JP2006185992A
Application number: JP2004375682A
Authority: JP
Inventors: Masanori Watanabe; 正則渡邉; Yasuo Suzuki; 泰雄鈴木
Original assignee: Plasma Ion Assist Co Ltd
Current assignee: Plasma Ion Assist Co Ltd
Priority date: 2004-12-27
Filing date: 2004-12-27
Publication date: 2006-07-13

Abstract

【課題】本発明は、薄膜形成に用いるプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の成膜時に防着板の内壁及び基板支持手段等の表面に付着、堆積した薄膜や微粒子などの副生成物を確実に、かつ簡易に除去することを課題としている。
【解決手段】真空容器の内壁面の要部を覆うように電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して、防着板の内壁面及び基板支持手段等の表面に付着した堆積物をエッチング除去する。
【選択図】図２

Description

本発明は、プラズマ成膜装置等の内壁面に成膜時に付着する薄膜を、放電プラズマを用いて除去するクリーニング方法に関する。

半導体デバイス、表示デバイス、記録デバイス等の製造工程、或いはＭＥＭＳ等の基材表面に機能性表面を形成する工程において、薄膜形成は不可欠なプロセスである。これらの薄膜形成にはプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等が一般に用いられている。このような成膜装置をデバイスの製造に使用する場合、成膜時に発生する薄膜や微粒子などの副生成物が真空容器の内壁に堆積、付着し、使用し続けると膜剥離を起こし、塵埃の発生原因となる。その結果、成膜する基材への異物の付着による膜欠陥、或いは吸着ガスの増加による排気時間の増大など好ましくない影響がでる。定期的に真空装置内のクリーニングが必要となる。半導体デバイスの配線の細線化や表示デバイスの画素サイズの微細化、機能性表面の無欠陥化等を考えた場合、真空容器内のクリーニングは不可欠である。また、生産性の向上を図るためにも効率よくクリーニングを行うことが強く要望されている。

このような要望に対して、従来、成膜時に真空容器の内壁に堆積、付着した薄膜や微粒子などの副生成物を除去する方法として、真空容器内に所定の反応ガスを導入し、反応性プラズマを発生させて、エッチング除去する方法が一般に採用されている。例えば、特許文献１では、真空容器の内壁の要部を全覆するように防着板を設け、該防着板を容器内壁と電気的に分離し、防着板及び対向電極に高周波電力を印加して、或いは防着板及び基材電極に負の直流電圧を印加してプラズマを発生させ、防着板及び基材電極表面に堆積、付着した薄膜や微粒子などの副生成物を除去するクリーニング方法が開示されている。

しかし、特許文献１に開示される技術において、防着板及び対向電極に高周波電力を印加して反応性ガスプラズマを発生させる場合、成膜時とインピーダンスが著しく変化するため、その都度、整合器を調整する煩雑さがあるだけでなく、プラズマの発生が困難であり、また不安定になるなどの課題があった。この様な場合、基板電極を防着板と同様に接地し、対向電極板のみに高周波電力を印加するように、スイッチング手段で切り換えて、主に電極付近をプラズマエッチングさせる工程と、逆に対向電極を接地し、防着板に高周波電圧を印加して主に防着板をプラズマエッチングさせる工程の両工程を交互に行う等の煩雑さがあった。

また、防着板及び基材電極に負の直流電圧を印加して反応性ガスプラズマを発生させる場合、装置が大型になるとディメンジョン等の関係でプラズマが発生し難くなる、或いは反応性ガスプラズマの濃度が不均一になるなどの課題があった。この様な場合、スイッチング手段により防着板は接地し、基板電極のみに負の直流電圧を印加した状態でプラズマエッチングさせる工程と、逆に基板電極を接地し、防着板に電圧を印加してプラズマエッチングさせる工程を交互に行う等の煩雑さがあった。
特開平９−２７２９７９号公報

本発明は、薄膜形成に用いるプラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の成膜時に基板支持手段及び防着板の内壁等の表面に付着、堆積した薄膜や微粒子などの副生成物を確実に、かつ簡易に除去することを課題としている。また、半導体デバイス等の基板表面に機能性表面を形成する工程において、プラズマ成膜装置やプラズマイオン注入（ＰＢＩＩ）装置等の内壁面をクリーニングすることによって、塵埃等の付着に起因する不良率を低減し、量産性を向上することを課題としている。

真空容器の内壁面の要部を遮蔽するように電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して前記基板支持手段及び防着板の内壁面等の表面に付着した堆積物をエッチング除去する。

前記高周波電力として出力０．３〜２ｋＷ、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波を使用することができる。本発明では、成膜時とほぼ同じ電極構成で運転されるため、即ち成膜時と同様に高周波電力が基板支持手段に印加されるため、成膜時に整合器を一度調整すれば、エッチング除去するときに再調整する必要がなく、操作が極めて簡素化される。云うまでもなく、高周波電力は前記周波数及び出力に限定されるものではない。

本発明によれば、前記防着板に直流バイアス電圧として１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖの負の直流バイアス電圧を印加することによって、防着板表面にイオンシースを形成することができる。印加したバイアス電圧の大部分はこのイオンシースの両端に加わり、該防着板表面に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができ、また高エネルギーイオンや活性分子等の衝突により防着板表面に付着した堆積物を容易にエッチング除去することができる。

また、必要に応じて、正の直流バイアス電圧を印加することによって、基板支持手段表面にイオンシースを形成することができる。従って、基板支持手段表面に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができ、基板支持手段表面に付着した堆積物をエッチング除去することができる。

本発明によれば、前記防着板に正又は負のパルス電圧を印加することができる。該パルス電圧の波高値は１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖである。負のパルス電圧を前記防着板に印加することによって、防着板表面にイオンシースを形成することができる。印加したパルス電圧の大部分はこのイオンシースの両端に加わり、該防着板表面に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができ、防着板表面に付着した堆積物をエッチング除去することができる。

また、必要に応じて、正のパルス電圧を印加することによって、基板支持手段表面にイオンシースを形成することができる。従って、基板支持手段表面に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができ、基板支持手段表面に付着した堆積物をエッチング除去することができる。

本発明では、印加する正又は負のパルス電圧の周期及びパルス幅は特に限定されるものではないが、エッチング除去速度はパルス電圧のパルス幅の増加によって増加する。パルス幅はイオンシースが定常になるまでの時間以上であることが望ましく、反応性ガスプラズマの密度にもよるが、数μｓ以上であることが望ましい。従って、印加するパルス電圧の繰り返し周期は数μｓ以上、好ましくは１０μｓ以上である。

更に、本発明によれば、前記防着板に正又は負のパルス電圧として周期が１０μｓ以上の矩形波電圧を印加することができる。防着板に矩形波電圧を印加することによって、防着板表面と基板支持手段表面に交互に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができる。印加する矩形波電圧の波高値は１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖである。また、必要に応じて、矩形波電圧の正波形と負波形の時間比率又は電圧比率を変えることができる。また、正又は負のパルス電圧として周波数が１００ｋＨｚ以下の正弦波電圧、三角波電圧等を印加することによって、堆積物をエッチング除去することができる。

更に、本発明の他の実施方法として、前記基板支持手段を多角形柱状又は多角形筒状とし、該基板支持手段を囲むように多角形筒状又は円筒状の防着板を設け、該防着板を接地し、前記基板支持手段に間歇的に発振するバースト状高周波電力を繰り返し印加して反応性ガスプラズマを発生させ、該バースト状高周波電力の休止時間中に正負一対又は複数対のパルス電圧（以下、正負パルス電圧対と記す）を印加して、前記基板支持手段の表面及び前記防着板等の表面に付着した堆積物を除去する。

前記基板支持手段に印加する前記正負パルス電圧対の波高値が１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖである。また、バースト状高周波電力及び正負パルス電圧対の繰り返し周期が１００μｓ以上であることが望ましい。また、必要に応じて、正負パルス電圧対の正波形と負波形の時間比率又は電圧比率を変えることができる。

前記基板支持手段と前記防着板の間隔は、導入する反応性ガスの圧力、反応性ガスプラズマの密度、パルス電圧等によって最適値が決まるが、５ｃｍ乃至３０ｃｍ、好ましくは１０ｃｍ乃至２０ｃｍである。

以下のとおりである。

本実施例は防着板に直流バイアス電圧を印加した場合の実施例である。高周波放電プラズマを用いたプラズマ成膜装置の内壁面に厚さ数μｍのダイヤモンドライクカーボン（以下ＤＬＣと略す）膜が付着したプラズマ成膜装置のクリーニング方法について図１を参照しながら説明する。図１に本発明による高周波放電プラズマを用いたプラズマ成膜装置のクリーニング方法の一実施形態を示す。なお、図１には便宜上、本発明の一実施例として要部構成を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１において、１１は内径８０ｃｍ、高さ１２０ｃｍの真空容器である。真空容器１１は電気的に接地されている。真空容器１１内には、電気的に絶縁された防着板１２及び基板支持手段１３が設けられている。防着板１２はガス導入口１４及び排気口１５近辺等を除く真空容器内壁面の大部分を覆うように設置されている。本実施例では、基板支持手段１３は整合器１８を介して高周波電源１６に接続され、コイル１９を介して接地されている。前記防着板は直流バイアス電源１７に接続されている。

本実施例では、直径５０ｃｍの円板状基板支持手段２枚と直径７０ｃｍ、高さ８０ｃｍの円筒状防着板を使用した。高周波電源１６は防着板１２内に放電プラズマを生起するための高周波電源で、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力０．３ｋＷ〜２ｋＷを有する。高周波出力は基板支持手段１３の構造、表面積、放電条件等によって所定の出力に調整される。本実施例では、０．４〜０．５ｋＷに調整した。ドーナツ板状の基板支持手段１３の内側端部から高周波電力を印加した。

真空容器内を予め高真空に排気して十分ガス出しした後、ガス導入口１４から酸素ガス９０％と水素ガス１０％の混合ガスを導入して、圧力０．５２パスカルに調整した。基板支持手段１３と防着板１２間に０．４ｋＷの高周波電力を印加して放電プラズマを発生させ、前記防着板に電圧６００Ｖの正又は負の直流バイアス電圧を印加して防着板内壁面及び基板支持手段表面に付着したＤＬＣ膜をエッチング除去した。

本実施例では、直流バイアス電圧として前記防着板に６００Ｖの正又は負の電圧を印加したが、直流バイアス電圧は１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖである。負の直流バイアス電圧を印加することによって、防着板表面にイオンシースが形成される。印加したバイアス電圧の大部分はこのイオンシースの両端に加わり、防着板表面に高エネルギーイオンを含む反応性ガスプラズマを発生させることができる。本実施例の場合、バイアス電圧によって加速された酸素イオン及び活性化された酸素原子や分子が防着板内表面のＤＬＣ膜に衝突するため、表面の炭素−炭素結合が切断されて活性化され、表面での化学反応が促進されてＤＬＣ膜や炭化物副生成膜が容易にエッチング除去される。

また、必要に応じて、正の直流バイアス電圧を防着板に印加することによって、基板支持手段表面にイオンシースを形成することができる。従って、基板支持手段表面に高エネルギーの反応性ガスイオンを照射することができ、基板支持手段表面に付着した堆積物をエッチング除去することができる。

本装置では、基板支持手段１３に基板を係止し、アセチレンガス５０％とトルエンガス５０％の混合ガスをガス導入口１４から導入し、圧力を１パルカル以下に調整して高周波電力を基板支持手段１３に印加して基板支持手段１３と防着板１２間に放電プラズマを発生させ、正のパルス電圧を防着板に印加してＤＬＣ膜が形成される。防着板等に堆積したＤＬＣ膜をエッチング除去する場合は、導入するガスを反応性ガスに切り替えるだけで、成膜時とほぼ同じ運転条件でＤＬＣ膜や炭素副生成膜を容易にエッチング除去することができる。従って、従来技術のように成膜時とエッチング除去時とで高周波電力に対するインピーダンスが変化しないため、その都度、整合器を調整する煩雑さや放電プラズマの不安定性等の課題が解消され、生産性が著しく向上する。

本実施例は防着板にパルス電圧を印加した場合の実施例である。高周波放電プラズマを用いたプラズマ成膜装置の内壁面に厚さ数μｍの多結晶シリコン膜が付着したプラズマ成膜装置のクリーニング方法について図２を用いて説明する。実施例１と同一装置で、２１は内径８０ｃｍ、高さ１２０ｃｍの真空容器である。真空容器２１は電気的に接地されている。該真空容器内に電気的に絶縁された多角形柱状又は多角形筒状の基板支持手段２３及び該基板支持手段を囲む多角形筒状の防着板２２が設けられている。本実施例では、前記基板支持手段２３は整合器２８を介して高周波電源２６に接続されている。また、コイル２９を介して接地されている。防着板２２はパルス電源２７に接続されている。基板支持手段２３と防着板２２との間隔は１０ｃｍである。

本実施例では、対角線の長さ５０ｃｍ、高さ６０ｃｍの６角形筒状基板支持手段２３と直径７０ｃｍ、高さ８０ｃｍの円筒状防着板２２を同心円状に設置した。真空容器内を予め高真空に排気して十分ガス出しした後、ガス導入口２４からフッ化炭素ガス４０％と酸素ガス６０％の混合ガスを導入して、圧力１．３パスカルに調整した。基板支持手段２３と防着板２２間に０．５ｋＷの高周波電力を印加して放電プラズマを発生させ、防着板に正又は／及び負のパルス電圧を印加して防着板内壁面及び基板支持手段表面に付着した多結晶シリコン膜をエッチング除去した。

バイアス電源２７は正及び負のパルス電圧を発生できるパルス電源であって、パルス幅１０μｓ以上、振幅１００〜３０００Ｖの出力を有する。本実施例では、基板支持手段２３に０．５ｋＷの高周波電力を印加して放電プラズマを発生させ、振幅８００Ｖ、パルス幅３００μｓ、周波数１ｋＨｚの負のパルス電圧を防着板２２に印加した。約１０分間の運転で防着板表面に付着した厚さ約５μｍの多結晶シリコン及びその副生成物を完全にエッチング除去することができた。

実施例１の場合と同様に、高周波電力を基板支持手段２３に印加することによって、基板支持手段と防着板間にほぼ一様な放電プラズマが生成する。防着板２２に負のパルス電圧を印加することによって、防着板２２の内表面にイオンシースを形成することができ、防着板内表面に高エネルギーイオンを含むフッ化炭素ガスと酸素ガスの混合プラズマを形成できる。フッ素イオンや酸素イオン及び活性フッ素化合物分子や酸素分子等が防着板内表面へ衝突することによって防着板表面の多結晶シリコン膜が容易にエッチング除去される。

また、同様に、高周波電力を基板支持手段２３に印加して、防着板内に放電プラズマを生成し、防着板２２に正のパルス電圧を印加することによって、基板支持手段２３表面に高エネルギーイオンを含むフッ素及び酸素プラズマを形成でき、フッ素イオンや酸素イオン及び活性分子の衝突によって基板支持手段表面に付着、堆積した多結晶シリコン膜を容易にエッチング除去することができる。

本発明によると、印加するパルス電圧の周期及びパルス幅は特に限定されるものではないが、エッチング除去速度はパルス電圧の印加時間の増加によって増加する。パルス幅はイオンシースが定常になるまでの時間以上であることが望ましく、反応性ガスプラズマの密度にもよるが、数μｓ以上であることが望ましい。従って、パルス電圧の周期は数μｓ、好ましくは１０μｓ以上である。

正及び負のパルス電圧はパルス振幅が高いほど、また、デューティ比が大きいほどエッチング除去速度は速くなるが、パルス波高が３０００Ｖを越えると異常放電が起こる可能性があり、２００Ｖ乃至１５００Ｖであることが好ましい。

更に、本発明によれば、前記防着板２２にバイアス電圧として周波数が１００ｋＨｚ以下の矩形波電圧を印加することができる。防着板に矩形波電圧を印加することによって、防着板表面と基板支持手段表面に交互に高濃度の反応性ガスプラズマを発生させることができる。印加する矩形波電圧の振幅は１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖである。また、必要に応じて、矩形波電圧の正波形と負波形の時間比率又は電圧比率を変えることができる。また、バイアス電圧として周波数が１００ｋＨｚ以下の正弦波電圧、三角波電圧等を印加することによって、堆積物をエッチング除去することができる。

前記基板支持手段２３と前記防着板２２との間隔はパルス電圧を印加したときのイオンシースの厚さ以上であることが望ましい。イオンシースの厚さは、導入する反応性ガスの圧力、反応性ガスプラズマの密度、パルス電圧等によって決まるが、５ｃｍ乃至３０ｃｍ、好ましくは１０ｃｍ乃至２０ｃｍである。

本発明の他の実施例について図３を参照して説明する。本実施例では、高周波放電プラズマを用いたプラズマ成膜装置の防着板内壁面に厚さ数μｍのＤＬＣ膜が付着したプラズマ成膜装置のクリーニング方法について説明する。図３に本発明による高周波放電プラズマを用いたプラズマ成膜装置のクリーニング方法の一実施形態を示す。

図３において、３１は内径８０ｃｍ、高さ１２０ｃｍの真空容器である。真空容器３１は電気的に接地されている。該真空容器内に電気的に絶縁された多角形柱状又は多角形筒状の基板支持手段３３及び該基板支持手段を囲む多角形筒状の防着板３２が設けられている。本実施例では、前記基板支持手段３３は重畳装置３９及び整合器３８を介して高周波電源３６に接続されている。また、重畳装置３９を介して正負パルス電源３７に接続されている。前記防着板３２は抵抗器４０を介して接地されている。

高周波電源３６は基板支持手段３３と防着板３２間に放電プラズマを生起するための高周波電源で、周波数１３．５６ＭＨｚ、０．３ｋＷ〜２ｋＷの出力を有する。高周波出力は基板支持手段３３のサイズ、放電条件等によって所定の出力に調整される。本実施例では、０．４〜０．５ｋＷに調整した。高周波電力として、図４に示すように所定周期で所定時間持続するバースト状の高周波電力４１を間歇的に基板支持手段３３に印加し、該バースト状の高周波電力４１の休止時間内に重畳装置３９を介して少なくとも一対の正負パルス電圧４２を印加することができる。

本実施例では、真空容器内を予め高真空に排気して十分ガス出しした後、ガス導入口３４から酸素ガスを導入して、圧力０．５２パスカルに調整した。基板支持手段３３と防着板３２間に出力０．５ｋＷ、高周波バーストの持続時間３００μｓ、周期８００μｓの高周波電力を印加して放電プラズマを発生させ、前記基板支持手段に振幅１０００Ｖ、パルス幅３００μｓの正負一対のパルス電圧を前記高周波バーストと同期して印加し、基板支持手段表面及び防着板内面に付着したＤＬＣ膜及び炭化物をエッチング除去した。

バースト状高周波電力４１の持続時間は所定濃度のプラズマ密度を維持するために必要な時間、１００〜５００μｓが好ましく、高周波電力の休止時間は必要なプラズマ密度、或いは活性原子や活性分子の密度が保持される時間、例えば５０〜３００μｓであることが望ましい。

本発明によれば、ＤＬＣ膜を形成する運転条件とほぼ同じ運転条件で反応性ガスプラズマを発生することができる。必要数量のＤＬＣ膜を形成した後、エッチング除去するための反応性ガスに切り替えて運転することによって、ＤＬＣ膜や炭素副生成膜を容易にエッチング除去することができる。従って、従来技術のように成膜時とエッチング除去時とで高周波電力に対するインピーダンスが変化しないため、その都度、整合器３８を調整する煩雑さや放電プラズマの不安定性等の課題が解消され、生産性が著しく向上する。

本実施例の場合、正負パルス電圧の印加によって加速された酸素イオン及び活性化された酸素原子や分子が防着板内表面のＤＬＣ膜に衝突するため、表面での化学反応が促進され、ＤＬＣ膜や炭素副生成膜が容易にエッチング除去される。本実施例では、基板支持手段表面及び防着板内面に付着したＤＬＣ膜や炭素副生成物のエッチング除去方法について開示したが、本実施例に限られるものではない。

直流バイアス電圧を用いたプラズマ成膜装置のクリーニング方法の一実施形態を示す要部断面図である。パルス電圧を用いたプラズマ成膜装置のクリーニング方法の一実施形態を示す要部断面図である。正負パルス電圧を用いたクプラズマ成膜装置のリーニング方法の一実施形態を示す要部断面図である。高周波バーストと正負パルス電圧の印加時間関係を示す図面である。

符号の説明

１１・・・真空容器、１２・・・防着板、１３・・・基板支持手段、１４・・・ガス導入口、１５・・・排気口、１６・・・高周波電源、１７・・・バイアス電源、１８・・・整合器、１９・・・コイル、２１・・・真空容器、２２・・・防着板、２３・・・基板支持手段、２４・・・ガス導入口、２５・・・排気口、２６・・・高周波電源、２７・・・バイアス電源、２８・・・整合器、２９・・・コイル、３１・・・真空容器、３２・・・防着板、３３・・・基板支持手段、３４・・・ガス導入口、３５・・・排気口、３６・・・高周波電源、３７・・・正負パルス電源、３８・・・整合器、３９・・・重畳装置、４０・・・抵抗器、４１・・・高周波バースト、４２・・・正負パルス電圧

Claims

真空容器の内壁の要部を遮蔽するように、電気的に絶縁された防着板を設け、該防着板で囲まれた真空容器内部に基板支持手段を有するプラズマ成膜装置において、所定の反応性ガスを導入し、前記基板支持手段に高周波電力を印加して防着板内に前記所定の反応性ガスの放電プラズマを発生させ、前記防着板に正又は負のバイアス電圧を印加して防着板の内壁面及び基板支持手段等の表面に付着した堆積物を除去することを特徴とするプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記防着板に印加する正又は負のバイアス電圧が１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記防着板に印加する正又は負のバイアス電圧がパルス電圧であって、該パルス電圧の周期が１０μｓ以上であることを特徴とする請求項１及び２に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記基板支持手段が多角形柱状又は多角形筒状であって、該基板支持手段を囲む防着板が多角形筒状又は円筒状であることを特徴とする請求項１から３に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記基板支持手段と前記防着板の間隔が５ｃｍ乃至３０ｃｍ、好ましくは１０ｃｍ乃至２０ｃｍであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
真空容器内に基板支持手段と該基板支持手段を囲む防着板を有するプラズマ成膜装置において、前記真空容器内部に所定の反応性ガスを導入し、前記防着板を接地し、前記基板支持手段に間歇的に発振するバースト状高周波電力を印加して反応性ガスプラズマを発生させ、該バースト状高周波電力の休止時間中に正負パルス電圧対を印加して、前記基板支持手段の表面及び前記対向電極等の表面に付着した堆積物を除去することを特徴とするプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記間歇的に発振するバースト状高周波電力の繰り返し周期が１０μｓ以上であることを特長とする請求項６に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記基板支持手段に印加する正負パルス電圧対の波高値が１００Ｖ乃至３０００Ｖ、好ましくは２００Ｖ乃至１５００Ｖであることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
前記基板支持手段と前記防着板の間隔が５ｃｍ乃至３０ｃｍ、好ましくは１０ｃｍ乃至２０ｃｍであることを特徴とする請求項６から８に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。