JPH075630Y2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JPH075630Y2 JPH075630Y2 JP1986163988U JP16398886U JPH075630Y2 JP H075630 Y2 JPH075630 Y2 JP H075630Y2 JP 1986163988 U JP1986163988 U JP 1986163988U JP 16398886 U JP16398886 U JP 16398886U JP H075630 Y2 JPH075630 Y2 JP H075630Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- process tube
- cap
- heat treatment
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 （技術分野） 本考案は、半導体装置の製造プロセスで使用される拡散
炉やCVD装置などの熱処理装置に関し、特に縦型の熱処
理装置に関するものである。
炉やCVD装置などの熱処理装置に関し、特に縦型の熱処
理装置に関するものである。
（従来技術） 拡散炉やCVD装置で縦型のものは一般に容量が小さく、
一度に処理できるウエハの枚数が少ないという問題があ
る。
一度に処理できるウエハの枚数が少ないという問題があ
る。
そこで、プロセスチューブの直径を大きくして一度に処
理できるウエハの枚数を多くしようとした場合、プロセ
スチューブ内での温度プロファイルの調整が難しくな
る。また、スセスチューブの上端からプロセスガスが導
入されるが、プロセスチューブが大きくなるとウエハ設
置場所によるガス濃度が不均一になるので、ウエハに形
成される膜の均一性が悪くなるという問題が生じてく
る。
理できるウエハの枚数を多くしようとした場合、プロセ
スチューブ内での温度プロファイルの調整が難しくな
る。また、スセスチューブの上端からプロセスガスが導
入されるが、プロセスチューブが大きくなるとウエハ設
置場所によるガス濃度が不均一になるので、ウエハに形
成される膜の均一性が悪くなるという問題が生じてく
る。
本考案は、一度に処理できるウエハ処理量を多くすると
ともに、形成される膜の質の均一性も向上させることの
できる熱処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
ともに、形成される膜の質の均一性も向上させることの
できる熱処理装置を提供することを目的とするものであ
る。
（構成） 本考案の熱処理装置では、一端にガス導入口をもち、他
端が開口している縦型プロセスチューブ内の前記ガス導
入口に対向して多数の孔をもつガス拡散板を設け、この
プロセスチューブの中心部には垂直方向に延びるヒータ
を設け、このプロセスチューブの外側側面には垂直方向
に延びる一重の円筒状ヒータを設け、回転可能に支持さ
れたキャップをこのプロセスチューブの前記他端開口部
に着脱可能に設けるとともに、このキャップを回転させ
る第１の回転機構を設け、このキャップにはウエハを水
平方向に支持して垂直方向に配列する複数のウエハ支持
台を前記ヒータの間の空間に挿入されるように位置決め
して取りつけ、前記ウエハが水平面内で自転するように
前記各ウエハ支持台を自転させる第２の回転機構を設け
た。
端が開口している縦型プロセスチューブ内の前記ガス導
入口に対向して多数の孔をもつガス拡散板を設け、この
プロセスチューブの中心部には垂直方向に延びるヒータ
を設け、このプロセスチューブの外側側面には垂直方向
に延びる一重の円筒状ヒータを設け、回転可能に支持さ
れたキャップをこのプロセスチューブの前記他端開口部
に着脱可能に設けるとともに、このキャップを回転させ
る第１の回転機構を設け、このキャップにはウエハを水
平方向に支持して垂直方向に配列する複数のウエハ支持
台を前記ヒータの間の空間に挿入されるように位置決め
して取りつけ、前記ウエハが水平面内で自転するように
前記各ウエハ支持台を自転させる第２の回転機構を設け
た。
以下、実施例について具体的に説明する。
第１図はプロセスチューブとキャップを分離した状態を
示す縦断面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ線位置での断面
図、第３図は第１図中のＣ−Ｄ線位置から見たキャップ
部分の上面図である。
示す縦断面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ線位置での断面
図、第３図は第１図中のＣ−Ｄ線位置から見たキャップ
部分の上面図である。
２は石英製の円筒状のプロセスチューブであり、その上
端にはノズル状のガス導入口４が設けられ、下端６は開
口している。プロセスチューブ２は中心軸が垂直方向を
向くように設置される縦型である。プロセスチューブ２
の直径は従来使用されているプロセスチューブに比べて
大きい。
端にはノズル状のガス導入口４が設けられ、下端６は開
口している。プロセスチューブ２は中心軸が垂直方向を
向くように設置される縦型である。プロセスチューブ２
の直径は従来使用されているプロセスチューブに比べて
大きい。
８は多数の孔をもつ円板状のガス拡散板であり、ガス拡
散板８はプロセスチューブ２内にあって、ガス導入口４
の下方でガス導入口４に対向して設けられている。
散板８はプロセスチューブ２内にあって、ガス導入口４
の下方でガス導入口４に対向して設けられている。
プロセスチューブ２の中心部には、中心軸に沿ってヒー
タ10が設けられ、プロセスチューブ２の外側には側面を
取り囲んでヒータ12が設けられている。
タ10が設けられ、プロセスチューブ２の外側には側面を
取り囲んでヒータ12が設けられている。
14はプロセスチューブ２の下端開口６に取りつけられる
キャップである。キャップ14は支持棒16に固定された中
心部分18と、同じく支持棒16に固定された外枠20と、中
心部18と外枠20の間にあって矢印24の方向に回転するこ
とのできるドーナツ状の回転部分22とからなっている。
回転部分22の下部には、回転部分22を回転させる第１の
回転機構25が設けられている。
キャップである。キャップ14は支持棒16に固定された中
心部分18と、同じく支持棒16に固定された外枠20と、中
心部18と外枠20の間にあって矢印24の方向に回転するこ
とのできるドーナツ状の回転部分22とからなっている。
回転部分22の下部には、回転部分22を回転させる第１の
回転機構25が設けられている。
キャップ14の回転部分22には、４個のウエハ支持台26−
１〜26−４が回転可能に取りつけられている。各ウエハ
支持台26−１〜26−４には各ウエハ支持台26−１〜26−
４を自転させる第２の回転機構28−１〜28−４が設けら
れている。
１〜26−４が回転可能に取りつけられている。各ウエハ
支持台26−１〜26−４には各ウエハ支持台26−１〜26−
４を自転させる第２の回転機構28−１〜28−４が設けら
れている。
各ウエハ支持台26−１〜26−４には、ウエハ30が水平方
向に支持されて垂直方向に配列される。
向に支持されて垂直方向に配列される。
キャップ14をプロセスチューブ２の下端開口６に取りつ
けたとき、ウエハ30を支持したウエハ支持台26−１〜26
−４はプロセスチューブ２の中心部のヒータ10の周りの
空間に嵌め込まれる。
けたとき、ウエハ30を支持したウエハ支持台26−１〜26
−４はプロセスチューブ２の中心部のヒータ10の周りの
空間に嵌め込まれる。
キャップ14とウエハ支持台26−１〜26−４の間には十分
な隙間があり、キャップ14をプロセスチューブ２の下端
開口６に取りつけ、ガス導入口４からプロセスガスを導
入したとき、導入されたプロセスガスはキャップ14の隙
間から排出される。
な隙間があり、キャップ14をプロセスチューブ２の下端
開口６に取りつけ、ガス導入口４からプロセスガスを導
入したとき、導入されたプロセスガスはキャップ14の隙
間から排出される。
本実施例において、ウエハ支持台26−１〜26−４にウエ
ハ30を装着し、キャップ14をプロセスチューブ２の下端
開口６に取りつける。キャップ14の回転部分22を第１の
回転機構25によって矢印24の方向に回転させるととも
に、ウエハ支持台26−１〜26−４をそれぞれの第２の回
転機構28−１〜28−４によって回転部分22の回転方向24
と反対方向に回転させる。そしてプロセスチューブ２の
上端のガス導入口４からプロセスガスを導入し、ヒータ
10,12に通電して加熱を行なう。
ハ30を装着し、キャップ14をプロセスチューブ２の下端
開口６に取りつける。キャップ14の回転部分22を第１の
回転機構25によって矢印24の方向に回転させるととも
に、ウエハ支持台26−１〜26−４をそれぞれの第２の回
転機構28−１〜28−４によって回転部分22の回転方向24
と反対方向に回転させる。そしてプロセスチューブ２の
上端のガス導入口４からプロセスガスを導入し、ヒータ
10,12に通電して加熱を行なう。
ガス導入口４から導入されたプロセスガスは、ガス拡散
板８によってプロセスチューブ２内にガス濃度が均一に
なるように拡散され、ウエハ30に当った後キャップ14の
隙間から排出されていく。
板８によってプロセスチューブ２内にガス濃度が均一に
なるように拡散され、ウエハ30に当った後キャップ14の
隙間から排出されていく。
（効果） 本考案の熱処理装置では、ウエハが配置される空間の中
心部と外側の両方にヒータを設けたので、プロセスチュ
ーブが大型化した場合でもプロセスチューブ内の温度プ
ロファイルを調整するのが容易になる。
心部と外側の両方にヒータを設けたので、プロセスチュ
ーブが大型化した場合でもプロセスチューブ内の温度プ
ロファイルを調整するのが容易になる。
そして、複数のウエハ支持台を設けるが、ウエハ支持台
を両ヒータ間の空間で移動させるとともに、ウエハが水
平面内で自転するようにウエハ支持台を自転させるよう
にしたので、異なるウエハ支持台のウエハ間において
も、各ウエハの面内においても温度条件が均一になる。
を両ヒータ間の空間で移動させるとともに、ウエハが水
平面内で自転するようにウエハ支持台を自転させるよう
にしたので、異なるウエハ支持台のウエハ間において
も、各ウエハの面内においても温度条件が均一になる。
また、プロセスチューブの一端側のガス導入口に対向し
てガス拡散板を設け、プロセスチューブ他端側に取りつ
けられるキャップのうちウエハ支持台が取りつけられる
部分を回転させるとともに、ウエハ支持台自体も自転す
るようにしたので、各ウエハに供給されるプロセスガス
の濃度が均一になる。
てガス拡散板を設け、プロセスチューブ他端側に取りつ
けられるキャップのうちウエハ支持台が取りつけられる
部分を回転させるとともに、ウエハ支持台自体も自転す
るようにしたので、各ウエハに供給されるプロセスガス
の濃度が均一になる。
以上の結果、本考案の熱処理装置では、一度に処理でき
るウエハの処理量を増大させることができるとともに、
ウエハ間においても、各ウエハの面内においても、形成
される膜の質の均一性を向上させることができる。
るウエハの処理量を増大させることができるとともに、
ウエハ間においても、各ウエハの面内においても、形成
される膜の質の均一性を向上させることができる。
第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図におけるＡ−Ｂ線位置での断面図、第３図は第１図
中のＣ−Ｄ線位置から見たキャップ部分の上面図であ
る。 ２……プロセスチューブ、４……ガス導入口、６……下
端開口、８……ガス拡散板、10,12……ヒータ、14……
キャップ、25……第１の回転機構、26−１〜26−４……
ウエハ支持台、28−１〜28−４……第２の回転機構、30
……ウエハ。
１図におけるＡ−Ｂ線位置での断面図、第３図は第１図
中のＣ−Ｄ線位置から見たキャップ部分の上面図であ
る。 ２……プロセスチューブ、４……ガス導入口、６……下
端開口、８……ガス拡散板、10,12……ヒータ、14……
キャップ、25……第１の回転機構、26−１〜26−４……
ウエハ支持台、28−１〜28−４……第２の回転機構、30
……ウエハ。
Claims (1)
- 【請求項１】一端にガス導入口をもち、他端が開口して
いる縦型プロセスチューブ内の前記ガス導入口に対向し
て多数の孔をもつガス拡散板を設け、このプロセスチュ
ーブの中心部には垂直方向に延びるヒータを設け、この
プロセスチューブの外側側面には垂直方向に延びる一重
の円筒状ヒータを設け、回転可能に支持されたキャップ
をこのプロセスチューブの前記他端開口部に着脱可能に
設けるとともに、このキャップを回転させる第１の回転
機構を設け、このキャップにはウエハを水平方向に支持
して垂直方向に配列する複数のウエハ支持台を前記ヒー
タの間の空間に挿入されるように位置決めして取りつ
け、前記ウエハが水平面内で自転するように前記各ウエ
ハ支持台を自転させる第２の回転機構を設けた熱処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986163988U JPH075630Y2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986163988U JPH075630Y2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370142U JPS6370142U (ja) | 1988-05-11 |
| JPH075630Y2 true JPH075630Y2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=31092694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986163988U Expired - Lifetime JPH075630Y2 (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH075630Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101445562B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2014-09-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2992576B2 (ja) * | 1990-03-31 | 1999-12-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787055U (ja) * | 1980-11-13 | 1982-05-28 | ||
| JPS6025143U (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体熱処理炉 |
| JPS61212014A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Tokyo Erekutoron Kk | 化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置 |
| JPS61214512A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP1986163988U patent/JPH075630Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101445562B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2014-09-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 종형 열처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6370142U (ja) | 1988-05-11 |
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