JPH05299367A

JPH05299367A - 熱処理装置

Info

Publication number: JPH05299367A
Application number: JP12668892A
Authority: JP
Inventors: Wataru Okase; 亘大加瀬
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd
Priority date: 1992-04-21
Filing date: 1992-04-21
Publication date: 1993-11-12

Abstract

(57)【要約】【目的】簡単な構成によって、熱処理容器に供給され
るプロセスガスを適当な高さの安定した温度状態に保つ
ことができ、良好な熱処理を達成することのできる熱処
理装置を提供すること。【構成】被処理体が配置される熱処理容器と、この熱
処理容器内にプロセスガスを供給するためのプロセスガ
ス供給路と、このプロセスガス供給路における熱を受け
る個所に配設された、化学的に不活性な物質より成る繊
維状体とを有して成ることを特徴とする。繊維状体は、
不純物濃度が１００ｐｐｍ以下の石英または炭化ケイ素
により構成され得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハなどの被
処理体を熱処理するための熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、半導体ウエハを熱処理する各種の工程が含ま
れ、具体的には、例えば、酸化拡散処理、減圧酸化拡散
処理などがある。そして、例えば半導体ウエハの酸化拡
散処理に使用される縦型のバッチ処理型熱処理装置の一
例においては、被処理体である複数の半導体ウエハが配
置される処理容器と、この処理容器の外周に配置された
発熱源と、この発熱源の外側において処理容器を取囲む
よう配置された断熱層とにより構成される。

【０００３】また、例えば半導体ウエハの熱処理は、多
くの場合に、目的に応じた種類のプロセスガスが熱処理
容器に供給された状態で行われ、例えば半導体ウエハの
酸化処理の一例においては、外部燃焼装置において水素
ガスを酸素ガスと燃焼させて生成する水蒸気がプロセス
ガスとして熱処理容器に供給される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の熱処理
装置においては、熱処理容器に供給されるプロセスガス
については厳密な温度制御を行うことが困難であってそ
の温度状態が安定しておらず、このため、熱処理容器内
の半導体ウエハの温度が不安定となって良好な熱処理を
達成することができないという問題があった。

【０００５】本発明の目的は、簡単な構成によって、熱
処理容器に供給されるプロセスガスを適当な高さの安定
した温度状態に保つことができ、良好な熱処理を達成す
ることのできる熱処理装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の熱処理装置は、被処理体が配置される熱処
理容器と、この熱処理容器内にプロセスガスを供給する
ためのプロセスガス供給路と、このプロセスガス供給路
における熱を受ける個所に配設された、化学的に不活性
な物質より成る繊維状体とを有して成ることを特徴とす
る。そして、前記繊維状体としては、不純物濃度が１０
０ｐｐｍ以下の石英または炭化ケイ素より成るものが好
ましく用いられる。

【０００７】

【作用】本発明においては、熱処理容器内にプロセスガ
スを供給するためのプロセスガス供給路における熱を受
ける個所に、化学的に不活性な物質より成る繊維状体が
配設されているため当該繊維状体自体が加熱されて高温
となり、プロセスガスがこの繊維状体に接触しながら流
過して熱処理容器内に導入されるため、当該プロセスガ
スの温度状態がきわめて安定したものとなり、その結
果、被処理体に対して均一で良好な熱処理を達成するこ
とができる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、以
下の実施例は被処理体として半導体ウエハを使用した例
であるが、本発明では半導体ウエハに限定されることは
なく、例えばＬＣＤ等のようにその他の被処理体を用い
ることもできる。

【０００９】〔実施例１〕図１は本発明の一実施例に係
る熱処理装置の概略断面図を示す。この熱処理装置は、
その軸が上下方向に伸びるよう設けられた円筒状の石英
より成る熱処理容器１０を有し、その上部壁にはプロセ
スガス供給管１２が接続されている。このプロセスガス
供給管１２の上端には、シール部１３を介して伸縮自在
のベローズ１５の一端が連結され、またこのベローズ１
５の他端にはシール部１４を介してプロセスガス給送管
１８が接続され、このプロセスガス給送管１８に、プロ
セスガス源として、この例では水素ガスが酸素ガスと燃
焼されて水蒸気を発生する水蒸気発生装置１７が設けら
れている。１９はシールコネクタである。

【００１０】熱処理容器１０の開放された下端には、マ
ニホルド部２０が一体的に形成されており、このマニホ
ルド部２０にはプロセスガス排出口２１が例えば周方向
に離間した複数個所、例えば３〜６個所に設けられてい
る。このマニホルド部２０の内周には、プロセスガス排
出口２１より下方のレベルにおいて、各々内方に突出す
るよう鍔状部分２２，２３が上下に離間して形成され、
マニホルド部２０の下部開口を塞ぐシャッター板２８の
外周縁部が鍔状部分２２，２３内に挿入されている。

【００１１】マニホルド部２０の下方には処理予備室３
０が設けられており、この処理予備室３０の両側には、
ゲートバルブＧＢを有する２つの真空予備室３１，３２
がそれぞれ隣接して設けられており、その各々にはウエ
ハ移載手段３３，３４が設けられている。

【００１２】２５はウエハ保持具であって、処理される
べき半導体ウエハＷを水平に保持するためのウエハ載置
部２５Ａと、このウエハ載置部２５Ａから下方に伸びる
支持管部２５Ｂとにより構成されている。そして、支持
管部２５Ｂは、前記シャッター板２８を貫通し、処理予
備室３０の底壁の貫通孔３６を通ってその下端が昇降機
構４０に保持されている。このウエハ保持具２５は、例
えば高純度炭化ケイ素（ＳｉＣ）、石英（ＳｉＯ₂）な
どの耐熱性が大きくて汚染の少ない材料により構成され
るが、高純度炭化ケイ素は石英よりも耐熱性が優れてお
り、約１２００℃の高温にも十分に耐えることができる
ので好ましい。

【００１３】図示の昇降機構４０は、モータ４１に連結
されたスクリュー軸４２に駆動アーム４３の基部４４が
螺合されて構成され、この駆動アーム４３の先端にウエ
ハ保持具２５の支持管部２５Ｂの下端が固定されてお
り、この昇降機構４０により、ウエハ保持具２５のウエ
ハ載置部２５Ａは、熱処理容器１０内の上部位置と処理
予備室３０内の位置間において、上昇および下降され
る。処理予備室３０の底壁と駆動アーム４３の先端との
間には、貫通孔３６を包囲した状態で伸縮自在のベロー
ズ４５が接続されており、これにより、熱処理容器１０
内および処理予備室３０が外部空間から気密に遮断され
ている。

【００１４】熱処理容器１０の上部および外周には断熱
層５０が設けられており、この断熱層５０の上部内面に
は、前記プロセスガス供給管１２の下端に接近したレベ
ルにおいて、ヒータ５２が半導体ウエハＷの処理面（図
の例では上面）と対向するよう設けられている。ヒータ
５２は、この例では３つのリング状のヒータエレメント
５２Ａ，５２Ｂおよび５２Ｃが内方からこの順に外方に
位置されて構成されている。

【００１５】ヒータ５２は、例えば二ケイ化モリブデン
（ＭｏＳｉ₂）、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）とアルミ
ニウム（Ａｌ）の合金線であるカンタル（商品名）線な
どの抵抗発熱体を面状に配置することにより構成するこ
とができる。そして、二ケイ化モリブデンは、単線とし
て使用することができ、カンタル線はコイルとして使用
することができる。特に、二ケイ化モリブデンは約１８
００℃の高温にも十分に耐えることができるので、好適
である。

【００１６】ヒータ５２の外径は半導体ウエハＷの外径
の２倍以上であることが好ましく、このような条件を満
たすことにより、半導体ウエハＷの中央部と周辺部との
間の温度差を十分に小さくすることができ、半導体ウエ
ハＷの処理面の全面を均一な温度で熱処理することがで
きる。また、ヒータ５２の発熱面は、全体が一様な平面
であってもよいし、周辺部が半導体ウエハＷに接近する
方向に湾曲していてもよい。

【００１７】ヒータエレメント５２Ａ，５２Ｂおよび５
２Ｃは、通常、半導体ウエハＷの最高使用温度よりも１
００〜３００℃高い温度に制御されるので、その各々が
個別に加熱制御部（図示省略）により駆動されることが
好ましく、具体的には、ヒータ５２Ａ，５２Ｂおよび５
２Ｃの適宜の位置に熱電対などの温度センサー（図示省
略）が配置され、これよりの検出信号に基づいてその発
熱状態が制御されるようになっている。

【００１８】ヒータ５２と半導体ウエハＷとの間には、
半導体ウエハＷの処理面に対向するよう板状の均熱部材
５５が配置されている。この均熱部材５５は、ヒータ５
２によって生ずる発熱ムラを解消して半導体ウエハＷに
向かう放射熱を十分に垂直方向に制御するものである。
この均熱部材５５は、例えば高純度炭化ケイ素、石英な
どにより構成され、その外径は半導体ウエハＷの外径の
２倍以上であることが好ましい。

【００１９】更に、プロセスガス供給管１２の外周を包
囲するよう、円筒状ヒータ５３が断熱層５０の内側に設
けられている。この円筒状ヒータ５３は、ヒータ５２と
同様の材料により構成することができ、独立してその発
熱状態が制御されるものであることが好ましい。

【００２０】断熱層５０は、例えばアルミナセラミック
スから構成され、熱処理容器１０の外周を空間を介して
包囲すると共に、ヒータ５２および円筒状ヒータ５３の
外面を覆っている。この断熱層５０の内径は、半導体ウ
エハＷの処理温度を考慮して定めることが好ましいが、
例えば半導体ウエハＷが８インチの場合には、その２倍
程度の４００〜５００ｍｍ程度とされる。

【００２１】前記プロセスガス供給管１２における円筒
状ヒータ５３に包囲された部分内には、繊維状体充填部
Ｆが設けられている。この繊維状体充填部Ｆは、具体的
には繊維状体保持部材とこれに保持された繊維状体とに
より構成される。図２は繊維状体保持部材７０の一例の
斜視図であって、この繊維状体保持部材７０は、図３に
示すようにプロセスガス供給管１２のシール部１３を構
成するフランジ部１２Ａによって保持されるフランジ状
リング部７１と、このリング部７１の径方向に伸びる支
持杆部７２と、この支持杆部７２の中央から下方に伸び
るロッド部７３と、このロッド部７３に上下方向に離間
した複数の位置において、各々水平面内に延びるよう固
定された支持棚板部７４とより成り、その全体が例えば
石英により一体的に形成されている。

【００２２】支持棚板部７４は、プロセスガス供給管１
２の内径より小さい外形を有する円形板であってこの例
では４枚設けられており、各支持棚板部７４は、その中
心から外れた位置においてロッド部７３が貫通する状態
となるよう固定され、これにより、順次の支持棚板部７
４が、プロセスガス供給管１２内において交互に左右に
変位してプロセスガス供給管１２の内壁との間に空隙Ｇ
が形成された状態とされている。

【００２３】このような構成の繊維状体保持部材７０に
より、図３に示すように、プロセスガス供給管１２内に
繊維状体８０が適宜の通気性を有する状態に充填され保
持されて繊維状体充填部Ｆが構成される。ここに繊維状
体８０は、特にプロセスガスに対して化学的に不活性な
物質より成るものであることが必要である。具体的に
は、不純物濃度が１００ｐｐｍ以下、すなわち純度が９
９．９９９％以上の石英または炭化ケイ素のファイバー
より成るものが繊維状体８０として好適に用いられる。

【００２４】繊維状体充填部Ｆを構成する繊維状体８０
の形態は特に限定されるものではなく、ロービング、ヤ
ーン、チョップドストランド、ヤーンを用いた編体、織
布状体、不織布状体、その他の形態のものを用いること
ができる。そして、繊維状体８０の充填状態は、例えば
プロセスガスの下流に向かうに従って充填密度が高くな
る状態とすることが好ましい。

【００２５】以上のような構成の熱処理装置は次のよう
に動作して半導体ウエハＷの熱処理が行われる。すなわ
ち、プロセスガス給送管１８よりのプロセスガスは、ベ
ローズ１５およびプロセスガス供給管１２を通って熱処
理容器１０に供給されるが、プロセスガス供給管１２に
おいてプロセスガスは繊維状体充填部Ｆを通過すること
となる。

【００２６】具体的には、図３に示されているように、
リング部７１の中央開口から流入するプロセスガスは、
繊維状体保持部材７０に支持された繊維状体８０を通過
し、空隙Ｇにおいて支持棚板部７４を通過する。このと
き、繊維状体８０は円筒状ヒータ５３によって加熱され
ているためプロセスガスが加熱または保温され、これと
同時に繊維状体８０を通過することによって均一な流れ
となる。その後、プロセスガスは熱処理容器１０内に流
入して半導体ウエハＷの保持領域を通過し、マニホルド
部２０のプロセスガス排出口２１より排出される。

【００２７】以上のようにプロセスガスが供給されると
共にヒータ５２が作動された状態において、半導体ウエ
ハＷを保持したウエハ保持具２５が、昇降機構４０によ
りヒータ５２に向けて急速に上昇移動させられ、所定の
時間保持されて半導体ウエハＷについて所期の熱処理が
なされ、その後急速に下降移動させられる。ここに、ヒ
ータ５２は、図示しない電力制御装置によって、目的と
する熱処理の種類に応じた発熱温度に制御される。ま
た、ウエハ保持具２５の上昇速度または下降速度は、モ
ータ４１の回転状態を制御することにより適宜調整する
ことができるが、例えば５０〜２００ｍｍ／ｓｅｃ以上
であることが好ましい。半導体ウエハＷの熱処理中は、
例えばモータによる回転機構（図示省略）により、半導
体ウエハＷをその中心を軸として回転させることが好ま
しい。

【００２８】処理予備室３０では、半導体ウエハＷの出
し入れが行われる。すなわち、昇降機構４０が下降した
状態で熱処理済みの半導体ウエハＷが、移載手段３３ま
たは３４によりウエハ保持具２５から真空予備室３１ま
たは３２を介して外部に配置される収納容器（図示省
略）に移載され、次いで、次に処理すべき別の半導体ウ
エハＷが、移載手段３３または３４により収納容器（図
示省略）から真空予備室３１または３２を介して処理予
備室３０に移送されてウエハ保持具２５のウエハ載置部
２５Ａ上にセットされる。

【００２９】以上において、ウエハ保持具２５の支持管
部２５Ｂにおける内部空間を利用して、光または熱電対
により半導体ウエハＷの温度を監視することができ、ま
た窒素ガスなどのパージガスを流入させることができ
る。また、外部から直接、あるいはベローズ４５の内部
を介して処理予備室３０にパージガスを供給し、これに
より、熱処理容器１０の内部空間に連通する処理予備室
３０内の空間を不活性雰囲気に維持することができる。
このパージガスは、例えばシャッター板２８と鍔状部分
２２，２３との間を流過してマニホルド部２０内に至
り、プロセスガス排出口２１から排出される。

【００３０】以上の実施例によれば以下の作用効果が得
られる。（１）プロセスガス供給管１２における繊維状体充填部
Ｆの繊維状体８０は、円筒状ヒータ５３により加熱され
た状態となっており、しかも繊維状体８０は非常に大き
い表面積を有するため、この繊維状体充填部Ｆを通過す
ることにより、プロセスガスは高い効率で加熱されある
いは保温状態に保たれ、その結果、きわめて安定な温度
状態となる。従って、例えばプロセスガスが水蒸気であ
る酸化熱処理装置において、仮に水蒸気の温度が低くな
って結露するような場合にも、繊維状体８０によって加
熱されることによって再蒸発するようになる。そして、
このような温度状態が安定したプロセスガスが熱処理容
器１０内に供給されるため、半導体ウエハＷの被処理面
に対して、所期の熱処理を安定にしかも高い均一性をも
って行うことができる。繊維状体８０は、不純物濃度が
１００ｐｐｍ以下の石英または炭化ケイ素より成るもの
であれば、プロセスガスに対して不純物が混入されるお
それはない。

【００３１】（２）プロセスガスは、繊維状体８０を通
過することにより、その流れが均一なものとなるので、
この点からも半導体ウエハＷの熱処理の均一性を高くす
ることができる。（３）熱処理容器１０よりの放射熱が繊維状体充填部Ｆ
により遮断されるため、プロセスガス供給管１２におけ
る繊維状体充填部Ｆより外部側における放射熱による悪
影響が防止される。（４）円筒状ヒータ５３の発熱状態を制御することによ
り繊維状体８０の温度を制御することができ、従って熱
処理容器１０内に供給されるプロセスガスの温度を制御
することができ、この点からも熱処理の均一性を高いも
のとすることができる。（５）ヒータ５２が個別に制御可能なヒータエレメント
によって構成されることにより、半導体ウエハＷの被処
理面を、所期の温度で高い均一性をもって熱処理するこ
とが可能となる。

【００３２】〔変形例〕以上において、繊維状体保持部
材は、繊維状体８０をプロセスガス供給管１２に保持す
ることができるものであればよく、具体的な構成は任意
である。例えば図４に示すように、プロセスガス供給管
１２のフランジ部１２Ａによって保持されるフランジ部
８１を有する円筒状容器８２であって、その底壁８４に
多数の貫通孔８３が形成されたものより成る繊維状体保
持部材８５を用い、円筒状容器８２の内部に繊維状体８
０を充填するようにしてもよい。あるいは、図５に示す
ように、プロセスガス供給管１２に、その内部空間を塞
ぐよう隔壁８７を設けてこれに多数の貫通孔８８を形成
し、この隔壁８７上の空間内に繊維状体８０を充填する
ようにしてもよい。

【００３３】また、繊維状体充填部Ｆの繊維状体８０
は、プロセスガス供給管１２の内部空間を介して熱処理
容器１０に係るヒータ５２による熱を受けて高温となる
ので、円筒状ヒータ５３は必ずしも必須のものではな
い。このように、繊維状体充填部Ｆは、その繊維状体８
０がいずれかのヒータからの熱を受ける個所に形成され
れば十分である。

【００３４】〔実施例２〕図６は本発明の他の実施例を
示す。この例の熱処理装置は、上端が閉塞された例えば
石英より成る円筒状の熱処理容器１００を備え、その開
放された下部にはマニホルド部１０１が設けられてい
る。熱処理容器１００の外周面および上面を覆うよう、
外面にステンレス鋼などよりなる外匣材１０２を有する
断熱層１０３が設けられ、この断熱層１０３の内周には
ヒータ１０４が配設されている。

【００３５】熱処理容器１００内には、上端が開放され
た例えば石英より成る内筒１１０がその下端がマニホル
ド部１０１に接続して設けられ、この内筒１１０と熱処
理容器１００との間に筒状空間１１１が形成され、この
筒状空間１１１はその上部において熱処理容器１００内
の空間と連通している。マニホルド部１０１には、筒状
空間１１１と連通するプロセスガス導入口１１２が形成
されると共に、熱処理容器１００内空間と連通するプロ
セスガス排出口１１３が形成されている。

【００３６】１１５はマニホルド部１０１の下端開口を
気密に塞ぐキャップであり、これを気密に貫通して伸び
る回転軸１１６上に設けられた保温筒１１７上には、熱
処理容器１００内に位置されるよう石英より成るウエハ
ーボート１１８が支持され、このウエハーボート１１８
に熱処理されるべき多数の半導体ウエハＷが各々水平と
なり、かつ互いに上下方向に離間した状態に保持されて
いる。

【００３７】そして、熱処理容器１００の内周面と内筒
１１０の外周面とによって区画されている筒状空間１１
１に、その全周に伸びるよう繊維状体充填部Ｆが設けら
れている。この繊維状体充填部Ｆは、既述の例における
と同様に、繊維状体８０が充填されてなるものである。

【００３８】繊維状体充填部Ｆは、ウエハーボート１１
８が位置されるレベルより下方の位置であることが好ま
しい。また、繊維状体充填部Ｆが位置する部分の外方に
はヒータ１０４の一部が存在することが好ましいが、必
須のことではない。

【００３９】このような構成の熱処理装置によれば、プ
ロセスガス導入口１１２からのプロセスガスは、筒状空
間１１１により、繊維状体充填部Ｆを通過して内筒１１
０内に流入するので、ウエハーボート１１８上に保持さ
れた半導体ウエハＷに対し、プロセスガスが作用された
状態で、ヒータ１０４の熱により、バッチ的に熱処理が
行われる。

【００４０】そして、内筒１１０内の熱処理空間には、
筒状空間１１１における繊維状体充填部Ｆを通過したプ
ロセスガスが供給されるため、上述の実施例と同様の作
用効果が得られる。更に、この実施例では、筒状空間１
１１の全周にわたる繊維状体充填部Ｆが形成されること
により、その上流側においてプロセスガスが筒状空間１
１１の周方向全域に流れるようになり、その結果、繊維
状体充填部Ｆを通過したプロセスガスは、その全周にお
いて均一な流れとなる効果がある。

【００４１】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明の熱処理装置は常圧のプロセス、減圧プロセ
ス、真空プロセスのいずれにも適用することができ、ま
た酸化処理、拡散処理、アニール処理などの各種の熱処
理に適用することができる。また、被処理体は半導体ウ
エハに限定されず、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、その
他の被処理体であってもよい。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、熱処理
容器に至るプロセスガス供給路における熱を受ける個所
に化学的に不活性な物質より成る繊維状体が配設されて
いて当該繊維状体が加熱された状態となるため、この繊
維状体を通過することにより、プロセスガスは高い効率
で加熱されあるいは保温状態に保たれ、そして、このよ
うに温度状態が安定したプロセスガスが供給されるた
め、熱処理容器内においては、半導体ウエハの被処理面
に対して所期の熱処理を安定にしかも高い均一性をもっ
て行うことができる。そして、繊維状体は、不純物濃度
が１００ｐｐｍ以下の石英または炭化ケイ素より成るも
のであることにより、プロセスガスに対して不純物が混
入されるおそれはない。

【００４３】また、プロセスガスは、繊維状体を通過す
ることにより、プロセスガス供給路の形態によらずにそ
の流れが均一なものとなるので、この点からも半導体ウ
エハＷの熱処理の均一性を高くすることができる。更
に、熱処理容器よりの放射熱が繊維状体充填部により遮
断される利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る熱処理装置の構成を示
す概略断面図である。

【図２】本発明の一実施例における繊維状体保持部材の
一例の斜視図である。

【図３】本発明の一実施例における繊維状体充填部の説
明用断面図である。

【図４】本発明における繊維状体充填部の他の構成を示
す説明用断面図である。

【図５】本発明における繊維状体充填部の更に他の構成
を示す説明用断面図である。

【図６】本発明の他の実施例に係る熱処理装置の構成を
示す概略断面図である。

【符号の説明】

１０熱処理容器１２プロセス
ガス供給管１３，１４シール部１５ベローズ１７水蒸気発生装置１８プロセス
ガス給送管１９シールコネクタ２０マニホル
ド部２１プロセスガス排出口２２，２３鍔
状部分２５ウエハ保持具２５Ａウエハ
載置部２５Ｂ支持管部２８シャッタ
ー板３０処理予備室ＧＢゲートバ
ルブ３１，３２真空予備室３３，３４ウ
エハ移載手段動Ｗ半導体ウエハ３６貫通孔４０昇降機構４１モータ４２スクリュー軸４３駆動アー
ム４４基部４５ベローズ５０断熱層５２ヒータ５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃヒータエレメント５３円筒状ヒータ５５均熱部材Ｆ繊維状体充填部７０繊維状体
保持部材１２Ａフランジ部７１リング部７２支持杆部７３ロッド部７４支持棚板部Ｇ空隙８０繊維状体８１フランジ
部８２円筒状容器８３貫通孔８４底壁８５繊維状体
保持部材８７隔壁８８貫通孔１００熱処理容器１０１マニホ
ルド部１０２外匣材１０３断熱層１０４ヒータ１１０内筒１１１筒状空間１１２プロセ
スガス導入口１１３プロセスガス排出口１１５キャッ
プ１１６回転軸１１７保温筒１１８ウエハーボート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体が配置される熱処理容器と、こ
の熱処理容器内にプロセスガスを供給するためのプロセ
スガス供給路と、このプロセスガス供給路における熱を
受ける個所に配設された、化学的に不活性な物質より成
る繊維状体とを有して成ることを特徴とする熱処理装
置。
【請求項２】前記繊維状体は、不純物濃度が１００ｐ
ｐｍ以下の石英または炭化ケイ素より成る請求項１に記
載の熱処理装置。