JP2004119800A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の製造に於いて、ウェーハの面内温度均一性を向上し、膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板10を処理する処理室4と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具17と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニット20とを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部27b,28b,29b,30b,31bを具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】基板10を処理する処理室4と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具17と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニット20とを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部27b,28b,29b,30b,31bを具備する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置及び半導体装置の製造方法、特に基板を処理室内に水平姿勢で多段に保持して処理する縦型炉を具備する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
CVD法によりシリコンウェーハ等の基板に薄膜を生成し、基板表面に不純物の拡散を行い、或はエッチング等を行い半導体装置を製造するものとして基板処理装置がある。
【0003】
図3により、従来の基板処理装置について説明する。図3は基板処理装置の縦型炉部分を示している。
【0004】
ヒータベース(図示せず)等の構造部材に支持された炉口フランジ1に石英製等の材質から成るアウタチューブ2が気密に立設され、該アウタチューブ2の内部に該アウタチューブ2と同心に配設されたインナチューブ3が前記炉口フランジ1に立設されている。
【0005】
前記アウタチューブ2は石英製等の材質から成る有天筒状であり、前記インナチューブ3は石英製等の材質から成る円筒状であり、該インナチューブ3の内部に処理室4が画成され、該処理室4に連通する様にガス導入ノズル5が前記炉口フランジ1に設けられ、前記アウタチューブ2とインナチューブ3とが成す円筒状の空間6には排気管7が連通されている。
【0006】
前記アウタチューブ2の周囲を囲繞する様に有天筒状のヒータユニット8が設けられている。該ヒータユニット8は軸心方向に沿って複数に分割されている。図示では、L(Lower)ゾーン8a、CL(Center Lower)ゾーン8b、CU(Center Upper)ゾーン8c、U(Upper)ゾーン8dに分割されている。各ゾーンは円筒状の断熱部材の内面に沿って抵抗発熱体であるヒータ素線9a,9b,9c,9dが螺旋状に設けられ、該各ヒータ素線9a,9b,9c,9dは個々にサイリスタ11に接続され、個別に給電制御可能となっている。
【0007】
又、前記インナチューブ3の内筒面に沿って垂直に棒状の温度検出器12が設けられ、該温度検出器12の内部には熱電対等の温度検出センサが複数内設されており、前記ゾーン8a,8b,8c,8d毎に対応する位置の温度が検出され、検出された温度は温度コントローラ13に入力され、該温度コントローラ13によって前記サイリスタ11が制御され、前記ヒータ素線9a,9b,9c,9dへの給電状態が調整される様になっている。図中、14は電源を示している。
【0008】
上記構成の縦型炉15の下方には図示しないボートエレベータが配設されており、該ボートエレベータにシールキャップ16が昇降可能に支持され、該シールキャップ16に基板支持具であるボート17が載置される。該ボート17にウェーハ10が水平姿勢で多段に装填され、前記ボート17が前記ボートエレベータによって前記縦型炉15内に装入される様になっている。
【0009】
前記ボート17が前記縦型炉15に装入されると前記シールキャップ16により前記処理室4が気密に閉塞され、前記ヒータユニット8によりウェーハ10が加熱され、前記ガス導入ノズル5より反応ガスが導入され、ウェーハ10の表面に薄膜の生成等基板処理がなされる。又、反応後のガスは前記排気管7より排気される。
【0010】
前記基板処理の過程で、ウェーハ10に均一に処理が行われる様、前記温度検出器12によりゾーン8a,8b,8c,8d毎の温度が検出され、検出された温度に基づき前記ウェーハ10の加熱状態が前記温度コントローラ13により制御されている。
【0011】
尚、前記ヒータユニット8が分割され、分割されたブロック毎にゾーン温度制御されることは、特許文献1に示されている。
【0012】
【特許文献1】
特開平1−155194号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の基板処理装置及び半導体装置の製造方法では、前記ヒータ素線9a,9b,9c,9dが円筒面に設けられ、前記ウェーハ10は円筒面に対して垂直となっている為、該ウェーハ10の加熱は周縁部が熱せられ、熱伝導により中心部に熱移動するという加熱態様となっている。この為、ウェーハ10の面内温度分布は周縁部が高く中心部が低くなっている。更に、反応ガスも周辺から中心に向う拡散現象であるので、膜厚分布も周辺部が厚く中心に向って薄くなる傾向を有している。
【0014】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの面内温度均一性を向上し、膜厚の均一性を向上させるものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備する基板処理装置に係り、又前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されている基板処理装置に係り、更に又複数枚の基板を基板保持具に装填する工程と、基板保持具を処理室に装入する工程と、処理室内の基板を斜方発熱部を含むヒータユニットにより加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図1は本実施の形態に係る基板処理装置の縦型炉部分を示している。又、図中、図3中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【0018】
ヒータベース19等の構造部材に支持された炉口フランジ1に石英製等の材質から成るアウタチューブ2が気密に立設され、該アウタチューブ2の内部に該アウタチューブ2と同心に配設されたインナチューブ3が前記炉口フランジ1に立設されている。
【0019】
前記アウタチューブ2は石英製等の材質から成る有天筒状であり、前記インナチューブ3は石英製等の材質から成る円筒状であり、該インナチューブ3の内部に処理室4が画成され、該処理室4に連通する様にガス導入ノズル5が前記炉口フランジ1に設けられ、前記アウタチューブ2とインナチューブ3とが成す円筒状の空間6には排気管7が連通されている。
【0020】
前記アウタチューブ2の周囲を囲繞する様に有天筒状のヒータユニット20が設けられている。該ヒータユニット20は軸心方向に沿って複数に分割されている。図示では、L(Lower)ゾーン21、CL(Center Lower)ゾーン22、C(Center)ゾーン23、CU(Center Upper)ゾーン24、U(Upper)ゾーン25、UU(Upper Upper)ゾーン26に分割されている。
【0021】
各ゾーンはブロック化されており、外側の断熱部、内側のヒータ支持部、及び該ヒータ支持部に支持されるヒータ素線から構成されている。ブロックを積上げることで前記ヒータユニット20が形成される様になっている。
【0022】
例えば、Lゾーン21について説明すると、断熱部21aはガラス繊維等の断熱材から構成され、ヒータ支持部21bはセラミック等を材質とする成型品であり、上半部は中心に向って庇状に迫出す形状をしており、下半部内面は円筒面、上半部内面は上方に向って小径となる逆円錐曲面となっている。
【0023】
前記ヒータ支持部21bの内面の円筒面部に沿って垂直部ヒータ素線(垂直発熱部)27a、逆円錐曲面部に沿って斜方部ヒータ素線(斜方発熱部)27bがそれぞれ螺旋状に設けられている。前記垂直部ヒータ素線27a、前記斜方部ヒータ素線27bは個別にサイリスタ11、電源14等から成る電力供給部35に接続されている。前記逆円錐曲面部の母線とウェーハ面とのなす角度は、ウェーハの直径、ウェーハの間隔等を考慮して決定され、例えば30°〜60°の範囲で選択される。
【0024】
前記CLゾーン22、Cゾーン23、CUゾーン24、Uゾーン25も、前記Lゾーン21と同様な構成であり、前記CLゾーン22は垂直部ヒータ素線28a、斜方部ヒータ素線28b、前記Cゾーン23は垂直部ヒータ素線29a、斜方部ヒータ素線29b、前記CUゾーン24は垂直部ヒータ素線30a、斜方部ヒータ素線30b、前記Uゾーン25は垂直部ヒータ素線31a、斜方部ヒータ素線31bを具備している。
【0025】
又、前記UUゾーン26は垂直部のみによって構成され、垂直部ヒータ素線32を具備している。
【0026】
前記垂直部ヒータ素線28a、前記斜方部ヒータ素線28b、前記垂直部ヒータ素線29a、前記斜方部ヒータ素線29b、前記垂直部ヒータ素線30a、前記斜方部ヒータ素線30b、前記垂直部ヒータ素線31a、前記斜方部ヒータ素線31b、前記垂直部ヒータ素線32はそれぞれ個別に前記電力供給部35に接続され、各ヒータ素線27a,27b,28a,28b,29a,29b,30a,30b,31a,31b,32は独立して電力の供給、即ち発熱量が制御される様になっている。
【0027】
前記インナチューブ3内面に沿って立設された温度検出器12内部の温度検出センサは前記ゾーン21,22,23,24,25,26毎の温度を検出する様になっており、検出結果は前記温度コントローラ13に入力され、該温度コントローラ13は検出温度に基づき各ヒータ素線27,28,29,30,31,32への電力の供給を調整する様にしている。
【0028】
以下、作動について説明する。
【0029】
前記ヒータユニット20のゾーン21,22,23,24,25,26に対応させて、ウェーハ10をボート17にロット単位(カセット単位)で装填する。又、ゾーンとロットの対応は、縦型炉15のゾーンの長さ、前記ボート17が保持するウェーハ10の間隔によって異なるが、1ゾーンに対して1ロット、複数ゾーンに対して1ロット、或は1ゾーンに対して複数ロットとし、ロットとゾーンの関係が明確になる様な組合わせとする。
【0030】
前記ウェーハ10が装填されたボート17を前記処理室4に装入し、前記電力供給部35により前記垂直部ヒータ素線27a、前記斜方部ヒータ素線27b、前記垂直部ヒータ素線28a、前記斜方部ヒータ素線28b、前記垂直部ヒータ素線29a、前記斜方部ヒータ素線29b、前記垂直部ヒータ素線30a、前記斜方部ヒータ素線30b、前記垂直部ヒータ素線31a、前記斜方部ヒータ素線31b、前記垂直部ヒータ素線32に電力を供給して、前記ウェーハ10を加熱する。又、前記ガス導入ノズル5より反応ガスを供給し、又反応後のガスを前記排気管7より排気して前記ウェーハ10に所要の膜を生成する。
【0031】
該ウェーハ10はヒータ素線27,28,29,30,31,32から輻射熱によって加熱される。前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bはウェーハ面に対して傾斜しているので、前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bからの輻射熱は、前記ウェーハ10とウェーハ10との間隙を通って直接ウェーハ10の中心部を加熱する。従って、斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの発熱量を大きくすると、ウェーハ10中心部への輻射熱の到達量を大きくでき、ウェーハ10中心部の温度を上昇させることができる。而して、前記垂直部ヒータ素線27a,28a,29a,30a,31a,32の発熱量と、前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの発熱量を調整することで、前記ウェーハ10面内の温度分布を調整することができる。
【0032】
各ゾーン毎のウェーハ面内の温度分布調整は、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比を調整することで行われ、例えば垂直部ヒータ素線の発熱量を基準として、斜方部ヒータ素線の出力を決定する。又、出力比の決定は、ウェーハ面内の温度差Δtを何℃にするかで決定され、出力比と温度差Δtとの関係は、事前にウェーハに温度センサを設け、出力比を変えた場合の温度差Δtと出力比との関係を求めデータベース化しておき、前記温度コントローラ13の記憶装置(図示せず)に設定入力しておく。
【0033】
前記温度コントローラ13は各ゾーン21,22,23,24,25,26の温度制御を行う場合、前記温度検出器12からの検出温度を基に前記垂直部ヒータ素線27a,28a,29a,30a,31a,32の電力供給量を調整すると共に目標温度差Δtに基づき前記データベースから出力比を求め、垂直部ヒータ素線に対する斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの出力を決定する。
【0034】
図2は、前記温度検出器12によって検出される炉内温度が、600℃、700℃、800℃の場合の、ウェーハ10面内での温度差(周縁部と中央部との温度差)Δtと垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比との関係を示している。
【0035】
図2に於いて、Δtが正の値の方向に大きくなると、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比は増大する。例えば、炉内温度が700℃で、図中ウェーハ面内での温度差がΔt1 の場合、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比はRとなり、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比がRとなる様に、前記斜方部ヒータ素線の電力供給量を調整する。
【0036】
又、各ゾーン毎に垂直部ヒータ素線と、斜方部ヒータ素線との出力比でウェーハ面内の温度分布を調整可能であるので、ロット毎にウェーハ面内の温度分布が調整できる。又、ロットと処理条件(加熱条件)が明確になり、ロット毎の品質管理が可能となる。
【0037】
【付記】
本発明は、以下の態様を含む。
【0038】
(付記1) 基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備することを特徴とする基板処理装置。
【0039】
(付記2) 前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されている付記1の基板処理装置。
【0040】
(付記3) 複数枚の基板を基板保持具に装填する工程と、基板保持具を処理室に装入する工程と、処理室内の基板を斜方発熱部を含むヒータユニットにより加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【0041】
(付記4) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有する付記1の基板処理装置。
【0042】
(付記5) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有し、該垂直発熱部と斜方発熱部はロットに対応して配置されている付記1の基板処理装置。
【0043】
(付記6) 前記垂直発熱部と斜方発熱部は加熱ゾーンを形成し、該加熱ゾーンは複数設けられ、各ゾーンが独立して加熱制御される付記4の基板処理装置。
【0044】
(付記7) 前記垂直発熱部と斜方発熱部は加熱ゾーンを形成し、該垂直発熱部と斜方発熱部が独立して加熱制御される付記4の基板処理装置。
【0045】
(付記8) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有し、該垂直発熱部と斜方発熱部はロットに対応して配置され、ロット毎に加熱制御される付記3の半導体装置の製造方法。
【0046】
(付記9) 前記垂直発熱部と前記斜方発熱部の発熱量を制御して基板の面内温度分布を調整する付記8の半導体製造方法。
【0047】
(付記10) 発熱量の制御は前記垂直発熱部と前記斜方発熱部との出力比を調整することで行われる付記9の半導体製造方法。
【0048】
(付記11) 前記垂直発熱部と前記斜方発熱部との出力比は事前に求めた基板面内の温度差に関連付けられる付記10の半導体製造方法。
【0049】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備するので、基板中央部に到達する熱量が増大し、基板の面内温度分布が改善される。
【0050】
又、前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されているので、ロット単位の品質管理が容易になるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に於ける面内温度差と、垂直発熱部と斜方発熱部との関連を示す線図である。
【図3】従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 炉口フランジ
2 アウタチューブ
3 インナチューブ
4 処理室
10 ウェーハ
11 サイリスタ
12 温度検出器
13 温度コントローラ
15 縦型炉
17 ボート
20 ヒータユニット
27a,28a,29a,30a,31a,32 垂直部ヒータ素線
27b,28b,29b,30b,31b 斜方部ヒータ素線
35 電力供給部
【発明の属する技術分野】
本発明は、多数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置及び半導体装置の製造方法、特に基板を処理室内に水平姿勢で多段に保持して処理する縦型炉を具備する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
CVD法によりシリコンウェーハ等の基板に薄膜を生成し、基板表面に不純物の拡散を行い、或はエッチング等を行い半導体装置を製造するものとして基板処理装置がある。
【0003】
図3により、従来の基板処理装置について説明する。図3は基板処理装置の縦型炉部分を示している。
【0004】
ヒータベース(図示せず)等の構造部材に支持された炉口フランジ1に石英製等の材質から成るアウタチューブ2が気密に立設され、該アウタチューブ2の内部に該アウタチューブ2と同心に配設されたインナチューブ3が前記炉口フランジ1に立設されている。
【0005】
前記アウタチューブ2は石英製等の材質から成る有天筒状であり、前記インナチューブ3は石英製等の材質から成る円筒状であり、該インナチューブ3の内部に処理室4が画成され、該処理室4に連通する様にガス導入ノズル5が前記炉口フランジ1に設けられ、前記アウタチューブ2とインナチューブ3とが成す円筒状の空間6には排気管7が連通されている。
【0006】
前記アウタチューブ2の周囲を囲繞する様に有天筒状のヒータユニット8が設けられている。該ヒータユニット8は軸心方向に沿って複数に分割されている。図示では、L(Lower)ゾーン8a、CL(Center Lower)ゾーン8b、CU(Center Upper)ゾーン8c、U(Upper)ゾーン8dに分割されている。各ゾーンは円筒状の断熱部材の内面に沿って抵抗発熱体であるヒータ素線9a,9b,9c,9dが螺旋状に設けられ、該各ヒータ素線9a,9b,9c,9dは個々にサイリスタ11に接続され、個別に給電制御可能となっている。
【0007】
又、前記インナチューブ3の内筒面に沿って垂直に棒状の温度検出器12が設けられ、該温度検出器12の内部には熱電対等の温度検出センサが複数内設されており、前記ゾーン8a,8b,8c,8d毎に対応する位置の温度が検出され、検出された温度は温度コントローラ13に入力され、該温度コントローラ13によって前記サイリスタ11が制御され、前記ヒータ素線9a,9b,9c,9dへの給電状態が調整される様になっている。図中、14は電源を示している。
【0008】
上記構成の縦型炉15の下方には図示しないボートエレベータが配設されており、該ボートエレベータにシールキャップ16が昇降可能に支持され、該シールキャップ16に基板支持具であるボート17が載置される。該ボート17にウェーハ10が水平姿勢で多段に装填され、前記ボート17が前記ボートエレベータによって前記縦型炉15内に装入される様になっている。
【0009】
前記ボート17が前記縦型炉15に装入されると前記シールキャップ16により前記処理室4が気密に閉塞され、前記ヒータユニット8によりウェーハ10が加熱され、前記ガス導入ノズル5より反応ガスが導入され、ウェーハ10の表面に薄膜の生成等基板処理がなされる。又、反応後のガスは前記排気管7より排気される。
【0010】
前記基板処理の過程で、ウェーハ10に均一に処理が行われる様、前記温度検出器12によりゾーン8a,8b,8c,8d毎の温度が検出され、検出された温度に基づき前記ウェーハ10の加熱状態が前記温度コントローラ13により制御されている。
【0011】
尚、前記ヒータユニット8が分割され、分割されたブロック毎にゾーン温度制御されることは、特許文献1に示されている。
【0012】
【特許文献1】
特開平1−155194号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の基板処理装置及び半導体装置の製造方法では、前記ヒータ素線9a,9b,9c,9dが円筒面に設けられ、前記ウェーハ10は円筒面に対して垂直となっている為、該ウェーハ10の加熱は周縁部が熱せられ、熱伝導により中心部に熱移動するという加熱態様となっている。この為、ウェーハ10の面内温度分布は周縁部が高く中心部が低くなっている。更に、反応ガスも周辺から中心に向う拡散現象であるので、膜厚分布も周辺部が厚く中心に向って薄くなる傾向を有している。
【0014】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの面内温度均一性を向上し、膜厚の均一性を向上させるものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備する基板処理装置に係り、又前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されている基板処理装置に係り、更に又複数枚の基板を基板保持具に装填する工程と、基板保持具を処理室に装入する工程と、処理室内の基板を斜方発熱部を含むヒータユニットにより加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図1は本実施の形態に係る基板処理装置の縦型炉部分を示している。又、図中、図3中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【0018】
ヒータベース19等の構造部材に支持された炉口フランジ1に石英製等の材質から成るアウタチューブ2が気密に立設され、該アウタチューブ2の内部に該アウタチューブ2と同心に配設されたインナチューブ3が前記炉口フランジ1に立設されている。
【0019】
前記アウタチューブ2は石英製等の材質から成る有天筒状であり、前記インナチューブ3は石英製等の材質から成る円筒状であり、該インナチューブ3の内部に処理室4が画成され、該処理室4に連通する様にガス導入ノズル5が前記炉口フランジ1に設けられ、前記アウタチューブ2とインナチューブ3とが成す円筒状の空間6には排気管7が連通されている。
【0020】
前記アウタチューブ2の周囲を囲繞する様に有天筒状のヒータユニット20が設けられている。該ヒータユニット20は軸心方向に沿って複数に分割されている。図示では、L(Lower)ゾーン21、CL(Center Lower)ゾーン22、C(Center)ゾーン23、CU(Center Upper)ゾーン24、U(Upper)ゾーン25、UU(Upper Upper)ゾーン26に分割されている。
【0021】
各ゾーンはブロック化されており、外側の断熱部、内側のヒータ支持部、及び該ヒータ支持部に支持されるヒータ素線から構成されている。ブロックを積上げることで前記ヒータユニット20が形成される様になっている。
【0022】
例えば、Lゾーン21について説明すると、断熱部21aはガラス繊維等の断熱材から構成され、ヒータ支持部21bはセラミック等を材質とする成型品であり、上半部は中心に向って庇状に迫出す形状をしており、下半部内面は円筒面、上半部内面は上方に向って小径となる逆円錐曲面となっている。
【0023】
前記ヒータ支持部21bの内面の円筒面部に沿って垂直部ヒータ素線(垂直発熱部)27a、逆円錐曲面部に沿って斜方部ヒータ素線(斜方発熱部)27bがそれぞれ螺旋状に設けられている。前記垂直部ヒータ素線27a、前記斜方部ヒータ素線27bは個別にサイリスタ11、電源14等から成る電力供給部35に接続されている。前記逆円錐曲面部の母線とウェーハ面とのなす角度は、ウェーハの直径、ウェーハの間隔等を考慮して決定され、例えば30°〜60°の範囲で選択される。
【0024】
前記CLゾーン22、Cゾーン23、CUゾーン24、Uゾーン25も、前記Lゾーン21と同様な構成であり、前記CLゾーン22は垂直部ヒータ素線28a、斜方部ヒータ素線28b、前記Cゾーン23は垂直部ヒータ素線29a、斜方部ヒータ素線29b、前記CUゾーン24は垂直部ヒータ素線30a、斜方部ヒータ素線30b、前記Uゾーン25は垂直部ヒータ素線31a、斜方部ヒータ素線31bを具備している。
【0025】
又、前記UUゾーン26は垂直部のみによって構成され、垂直部ヒータ素線32を具備している。
【0026】
前記垂直部ヒータ素線28a、前記斜方部ヒータ素線28b、前記垂直部ヒータ素線29a、前記斜方部ヒータ素線29b、前記垂直部ヒータ素線30a、前記斜方部ヒータ素線30b、前記垂直部ヒータ素線31a、前記斜方部ヒータ素線31b、前記垂直部ヒータ素線32はそれぞれ個別に前記電力供給部35に接続され、各ヒータ素線27a,27b,28a,28b,29a,29b,30a,30b,31a,31b,32は独立して電力の供給、即ち発熱量が制御される様になっている。
【0027】
前記インナチューブ3内面に沿って立設された温度検出器12内部の温度検出センサは前記ゾーン21,22,23,24,25,26毎の温度を検出する様になっており、検出結果は前記温度コントローラ13に入力され、該温度コントローラ13は検出温度に基づき各ヒータ素線27,28,29,30,31,32への電力の供給を調整する様にしている。
【0028】
以下、作動について説明する。
【0029】
前記ヒータユニット20のゾーン21,22,23,24,25,26に対応させて、ウェーハ10をボート17にロット単位(カセット単位)で装填する。又、ゾーンとロットの対応は、縦型炉15のゾーンの長さ、前記ボート17が保持するウェーハ10の間隔によって異なるが、1ゾーンに対して1ロット、複数ゾーンに対して1ロット、或は1ゾーンに対して複数ロットとし、ロットとゾーンの関係が明確になる様な組合わせとする。
【0030】
前記ウェーハ10が装填されたボート17を前記処理室4に装入し、前記電力供給部35により前記垂直部ヒータ素線27a、前記斜方部ヒータ素線27b、前記垂直部ヒータ素線28a、前記斜方部ヒータ素線28b、前記垂直部ヒータ素線29a、前記斜方部ヒータ素線29b、前記垂直部ヒータ素線30a、前記斜方部ヒータ素線30b、前記垂直部ヒータ素線31a、前記斜方部ヒータ素線31b、前記垂直部ヒータ素線32に電力を供給して、前記ウェーハ10を加熱する。又、前記ガス導入ノズル5より反応ガスを供給し、又反応後のガスを前記排気管7より排気して前記ウェーハ10に所要の膜を生成する。
【0031】
該ウェーハ10はヒータ素線27,28,29,30,31,32から輻射熱によって加熱される。前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bはウェーハ面に対して傾斜しているので、前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bからの輻射熱は、前記ウェーハ10とウェーハ10との間隙を通って直接ウェーハ10の中心部を加熱する。従って、斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの発熱量を大きくすると、ウェーハ10中心部への輻射熱の到達量を大きくでき、ウェーハ10中心部の温度を上昇させることができる。而して、前記垂直部ヒータ素線27a,28a,29a,30a,31a,32の発熱量と、前記斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの発熱量を調整することで、前記ウェーハ10面内の温度分布を調整することができる。
【0032】
各ゾーン毎のウェーハ面内の温度分布調整は、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比を調整することで行われ、例えば垂直部ヒータ素線の発熱量を基準として、斜方部ヒータ素線の出力を決定する。又、出力比の決定は、ウェーハ面内の温度差Δtを何℃にするかで決定され、出力比と温度差Δtとの関係は、事前にウェーハに温度センサを設け、出力比を変えた場合の温度差Δtと出力比との関係を求めデータベース化しておき、前記温度コントローラ13の記憶装置(図示せず)に設定入力しておく。
【0033】
前記温度コントローラ13は各ゾーン21,22,23,24,25,26の温度制御を行う場合、前記温度検出器12からの検出温度を基に前記垂直部ヒータ素線27a,28a,29a,30a,31a,32の電力供給量を調整すると共に目標温度差Δtに基づき前記データベースから出力比を求め、垂直部ヒータ素線に対する斜方部ヒータ素線27b,28b,29b,30b,31bの出力を決定する。
【0034】
図2は、前記温度検出器12によって検出される炉内温度が、600℃、700℃、800℃の場合の、ウェーハ10面内での温度差(周縁部と中央部との温度差)Δtと垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比との関係を示している。
【0035】
図2に於いて、Δtが正の値の方向に大きくなると、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比は増大する。例えば、炉内温度が700℃で、図中ウェーハ面内での温度差がΔt1 の場合、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比はRとなり、垂直部ヒータ素線と斜方部ヒータ素線の出力比がRとなる様に、前記斜方部ヒータ素線の電力供給量を調整する。
【0036】
又、各ゾーン毎に垂直部ヒータ素線と、斜方部ヒータ素線との出力比でウェーハ面内の温度分布を調整可能であるので、ロット毎にウェーハ面内の温度分布が調整できる。又、ロットと処理条件(加熱条件)が明確になり、ロット毎の品質管理が可能となる。
【0037】
【付記】
本発明は、以下の態様を含む。
【0038】
(付記1) 基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備することを特徴とする基板処理装置。
【0039】
(付記2) 前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されている付記1の基板処理装置。
【0040】
(付記3) 複数枚の基板を基板保持具に装填する工程と、基板保持具を処理室に装入する工程と、処理室内の基板を斜方発熱部を含むヒータユニットにより加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【0041】
(付記4) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有する付記1の基板処理装置。
【0042】
(付記5) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有し、該垂直発熱部と斜方発熱部はロットに対応して配置されている付記1の基板処理装置。
【0043】
(付記6) 前記垂直発熱部と斜方発熱部は加熱ゾーンを形成し、該加熱ゾーンは複数設けられ、各ゾーンが独立して加熱制御される付記4の基板処理装置。
【0044】
(付記7) 前記垂直発熱部と斜方発熱部は加熱ゾーンを形成し、該垂直発熱部と斜方発熱部が独立して加熱制御される付記4の基板処理装置。
【0045】
(付記8) 前記ヒータユニットは垂直発熱部と斜方発熱部を有し、該垂直発熱部と斜方発熱部はロットに対応して配置され、ロット毎に加熱制御される付記3の半導体装置の製造方法。
【0046】
(付記9) 前記垂直発熱部と前記斜方発熱部の発熱量を制御して基板の面内温度分布を調整する付記8の半導体製造方法。
【0047】
(付記10) 発熱量の制御は前記垂直発熱部と前記斜方発熱部との出力比を調整することで行われる付記9の半導体製造方法。
【0048】
(付記11) 前記垂直発熱部と前記斜方発熱部との出力比は事前に求めた基板面内の温度差に関連付けられる付記10の半導体製造方法。
【0049】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備するので、基板中央部に到達する熱量が増大し、基板の面内温度分布が改善される。
【0050】
又、前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されているので、ロット単位の品質管理が容易になるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施の形態に於ける面内温度差と、垂直発熱部と斜方発熱部との関連を示す線図である。
【図3】従来例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
1 炉口フランジ
2 アウタチューブ
3 インナチューブ
4 処理室
10 ウェーハ
11 サイリスタ
12 温度検出器
13 温度コントローラ
15 縦型炉
17 ボート
20 ヒータユニット
27a,28a,29a,30a,31a,32 垂直部ヒータ素線
27b,28b,29b,30b,31b 斜方部ヒータ素線
35 電力供給部
Claims (3)
- 基板を処理する処理室と、該処理室で基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記処理室を囲繞し前記基板を加熱するヒータユニットとを具備する基板処理装置に於いて、前記ヒータユニットが斜方発熱部を具備することを特徴とする基板処理装置。
- 前記基板保持具に基板がロット毎に保持され、前記斜方発熱部はロットに対応して配置されている請求項1の基板処理装置。
- 複数枚の基板を基板保持具に装填する工程と、基板保持具を処理室に装入する工程と、処理室内の基板を斜方発熱部を含むヒータユニットにより加熱する工程とを有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
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JP2002282938A JP2004119800A (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2007088325A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置 |
JP2016032095A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 力晶科技股▲ふん▼有限公司 | 炉内プロセスのディスパッチ制御方法 |
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2002
- 2002-09-27 JP JP2002282938A patent/JP2004119800A/ja not_active Withdrawn
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