JPS63232422A - 半導体ウエハの熱処理装置 - Google Patents
半導体ウエハの熱処理装置Info
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- JPS63232422A JPS63232422A JP6626287A JP6626287A JPS63232422A JP S63232422 A JPS63232422 A JP S63232422A JP 6626287 A JP6626287 A JP 6626287A JP 6626287 A JP6626287 A JP 6626287A JP S63232422 A JPS63232422 A JP S63232422A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、拡散装置、ＣＶＤ装置など半導体ウェハの熱
処理装置に係り、特に半導体ウェハを均一に熱処理する
のに好適な半導体ウェハの熱処理装置に関する。
処理装置に係り、特に半導体ウェハを均一に熱処理する
のに好適な半導体ウェハの熱処理装置に関する。
従来、縦形円筒形状の高温炉内で半導体ウェハを熱処理
する熱処理装置は、例えば特開昭６０＝１７１７２３号
公轢に記載されているように、高温炉内壁の側面部に設
けたヒータにより加熱空間である熱処理室を形成し、該
熱処理室の下方に形成した半導体ウェハの搬入出口より
半導体ウェハを熱処理室内に挿入し、熱処理後、搬入出
口から取出す構造になっている。
する熱処理装置は、例えば特開昭６０＝１７１７２３号
公轢に記載されているように、高温炉内壁の側面部に設
けたヒータにより加熱空間である熱処理室を形成し、該
熱処理室の下方に形成した半導体ウェハの搬入出口より
半導体ウェハを熱処理室内に挿入し、熱処理後、搬入出
口から取出す構造になっている。
しかし、上記従来技術では、高温炉内壁の側面部にしか
、ヒータを設けていないため、直径が大きい半導体ウェ
ハを熱処理する場合、熱処理室内に挿入された半導体ウ
ェハの温度上昇時に、半導体ウェハの周囲が高温で、中
央部が低温となり、すなわち、半導体ウェハ面内の温度
分布が不均一となり、これにより半導体ウェハの特性に
ばらつきが生ずるという問題があった。この問題は大形
の高温炉を使用すると解決するが、この場合、外部への
放熱量が大きくなるという問題があった。
、ヒータを設けていないため、直径が大きい半導体ウェ
ハを熱処理する場合、熱処理室内に挿入された半導体ウ
ェハの温度上昇時に、半導体ウェハの周囲が高温で、中
央部が低温となり、すなわち、半導体ウェハ面内の温度
分布が不均一となり、これにより半導体ウェハの特性に
ばらつきが生ずるという問題があった。この問題は大形
の高温炉を使用すると解決するが、この場合、外部への
放熱量が大きくなるという問題があった。
本発明の目的は、高温炉内に半導体ウェハを挿入して熱
処理する場合、半導体ウェハ全体を均一に加熱できるよ
うにした半導体ウェハの熱処理装置を提供することであ
る。
処理する場合、半導体ウェハ全体を均一に加熱できるよ
うにした半導体ウェハの熱処理装置を提供することであ
る。
かかる目的達成のため１本発明は、高温炉内に半導体ウ
ェハを挿入して熱処理する半導体ウェハの熱処理装置に
おいて、前記高温炉の下部に前記半導体ウェハの搬入出
口を設け、かつ前記高温炉内壁の天井部に半径方向に複
数分割された螺線状の天井ヒータ、あるいはつづらおり
状の天井ヒータを設け、かつ前記高温炉内壁の側面部に
複数分割されたコイル状の側面ヒータ、あるいはつづら
おり状の側面ヒータを設けたものである。
ェハを挿入して熱処理する半導体ウェハの熱処理装置に
おいて、前記高温炉の下部に前記半導体ウェハの搬入出
口を設け、かつ前記高温炉内壁の天井部に半径方向に複
数分割された螺線状の天井ヒータ、あるいはつづらおり
状の天井ヒータを設け、かつ前記高温炉内壁の側面部に
複数分割されたコイル状の側面ヒータ、あるいはつづら
おり状の側面ヒータを設けたものである。
上述の構成によれば、高温炉内に半導体ウェハを挿入し
て熱処理を行なう場合、側面ヒータにより半導体ウェハ
の周囲が主に加熱され、天井ヒータにより半導体ウェハ
の中央部が主に加熱される。
て熱処理を行なう場合、側面ヒータにより半導体ウェハ
の周囲が主に加熱され、天井ヒータにより半導体ウェハ
の中央部が主に加熱される。
また各ヒータの発熱量を制御することにより、半導体ウ
ェハ面内の温度分布が均一となり、良好な熱処理が行な
われる。
ェハ面内の温度分布が均一となり、良好な熱処理が行な
われる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基いて説明する。
第１図から第４図は本発明の第１実施例に係り、半導体
ウェハの熱処理装置１は、高温炉２と、挿入治具３と、
ロード治具５と、アンロード治具６とを備えている。
ウェハの熱処理装置１は、高温炉２と、挿入治具３と、
ロード治具５と、アンロード治具６とを備えている。
高温炉２は、縦形円筒状に形成され、ケーシング８と１
反応管９と、均熱管１０と、天井ヒータ１１と、側面ヒ
ータ１２とからなっている。ケーシング８は、断熱材か
らなる上面を閉じた円筒体で、その下端が、ステンレス
製のフランジ部材１３上に載置された耐火レンガ１４に
より支持されており、内部に断面円形の中空室１５が形
成さている。
反応管９と、均熱管１０と、天井ヒータ１１と、側面ヒ
ータ１２とからなっている。ケーシング８は、断熱材か
らなる上面を閉じた円筒体で、その下端が、ステンレス
製のフランジ部材１３上に載置された耐火レンガ１４に
より支持されており、内部に断面円形の中空室１５が形
成さている。
反応管９は、石英からなる上面を閉じた円筒体で、その
中心線が、中空室１５の中心線と一致するように該中空
室１５内に収納されており、下端がフランジ部材１３上
に載置されている。均熱管１０は、シリコンカーバイト
などからなる上面を閉じた円筒体で、その中心線が、中
空室１５の中心線と一致するように中空室１５内壁と反
応管９の外周面との間に配置され、下端が耐火レンガ１
４上に載置されている。耐火レンガ１４は複数のレンガ
で組み合ねされているため、保守時には均熱管１０を耐
火レンガ１４の１部と共にケーシング８から取り出すこ
とができるようになっている。
中心線が、中空室１５の中心線と一致するように該中空
室１５内に収納されており、下端がフランジ部材１３上
に載置されている。均熱管１０は、シリコンカーバイト
などからなる上面を閉じた円筒体で、その中心線が、中
空室１５の中心線と一致するように中空室１５内壁と反
応管９の外周面との間に配置され、下端が耐火レンガ１
４上に載置されている。耐火レンガ１４は複数のレンガ
で組み合ねされているため、保守時には均熱管１０を耐
火レンガ１４の１部と共にケーシング８から取り出すこ
とができるようになっている。
天井ヒータ１１は螺線状に巻かれた抵抗発熱線で形成さ
れた円板状のもので、半径方向に複数に分割されている
０例えば２個の大径の第１天井ヒータ１１Ａと小径の第
２天井ヒータＩＩＢとからなっており、各中心を中空室
１５の中心線上に一致させて中空室１５内壁の天井部１
５ａに配置されている。また第１、第２天井ヒータ１１
Ａ。
れた円板状のもので、半径方向に複数に分割されている
０例えば２個の大径の第１天井ヒータ１１Ａと小径の第
２天井ヒータＩＩＢとからなっており、各中心を中空室
１５の中心線上に一致させて中空室１５内壁の天井部１
５ａに配置されている。また第１、第２天井ヒータ１１
Ａ。
１１Ｂ近傍のケーシング８には、温度センサ１８Ａ、１
８Ｂがそれぞれ埋設されており、この温度センサ１８Ａ
、１８Ｂにより、第１．第２天井ヒータ１１Ａ、ＩＩＢ
の発熱量が制御される。
８Ｂがそれぞれ埋設されており、この温度センサ１８Ａ
、１８Ｂにより、第１．第２天井ヒータ１１Ａ、ＩＩＢ
の発熱量が制御される。
側面ヒータ１２は、コイル状に巻かれた抵抗発熱線で形
成され、例えば上下方向に２分割された２個の第１側面
ヒータ１２Ａと第２側面ヒータ１２Ｂとからなっており
、中空室１５内壁の側面部１５ｂに均熱管１０の外周面
と対向して配置されている。第１．第２側面ヒータ１２
Ａ、１２Ｂ近傍のケーシング８には、温度センサ１６Ａ
。
成され、例えば上下方向に２分割された２個の第１側面
ヒータ１２Ａと第２側面ヒータ１２Ｂとからなっており
、中空室１５内壁の側面部１５ｂに均熱管１０の外周面
と対向して配置されている。第１．第２側面ヒータ１２
Ａ、１２Ｂ近傍のケーシング８には、温度センサ１６Ａ
。
１６Ｂがそれぞれ埋設されおり、この温度センサ１６Ａ
、１６Ｂにより第１、第２側面ヒータ１２Ａ、１２Ｂの
発熱量が制御される。また第１側面ヒータ１２Ａの上端
と第１、第２天井ヒータ１１Ａ、ＩＩＢ外周面との間に
は図示しないヒータ支持具が配置されており、このヒー
タ支持具により第１、第２天井ヒータＩＩＡ、ＩＩＢは
天井部１５ａに保持されている。そして、第１、第２天
井ヒータＩＩＡ、ＩＩＢおよび第１．第２側面ヒータ１
２Ａ、１２Ｂにより反応管９の内周面に形成された加熱
空間である熱処理室１９内が加熱制御される。
、１６Ｂにより第１、第２側面ヒータ１２Ａ、１２Ｂの
発熱量が制御される。また第１側面ヒータ１２Ａの上端
と第１、第２天井ヒータ１１Ａ、ＩＩＢ外周面との間に
は図示しないヒータ支持具が配置されており、このヒー
タ支持具により第１、第２天井ヒータＩＩＡ、ＩＩＢは
天井部１５ａに保持されている。そして、第１、第２天
井ヒータＩＩＡ、ＩＩＢおよび第１．第２側面ヒータ１
２Ａ、１２Ｂにより反応管９の内周面に形成された加熱
空間である熱処理室１９内が加熱制御される。
挿入治具３は耐熱性を有し、かつ熱や電場に対して不活
性な材料、例えば石英ガラスからなり。
性な材料、例えば石英ガラスからなり。
内部に石英ウールなどの断熱材を充填した石英ガラスか
らなるキャップ２０に取付けられており、フランジ部材
１３に形成された半導体ウェハ搬入出口２１から熱処理
室１９内に臨むように設定されている。挿入治具３の上
部に形成されたコの字状の膨出部３ａには、半導体ウェ
ハ２２を載置する水平方向の溝、例えば２条の溝３ｂ、
３ｃが対向する壁部にそれぞれ形成されている。また挿
入治具３は、下端に固着された支持部材２３に装着され
た図示しない制御装置で制御されるモータ等の駆動装置
２５Ａにより矢印Ａ−Ｂの方向に上下運動できるように
構成されている。
らなるキャップ２０に取付けられており、フランジ部材
１３に形成された半導体ウェハ搬入出口２１から熱処理
室１９内に臨むように設定されている。挿入治具３の上
部に形成されたコの字状の膨出部３ａには、半導体ウェ
ハ２２を載置する水平方向の溝、例えば２条の溝３ｂ、
３ｃが対向する壁部にそれぞれ形成されている。また挿
入治具３は、下端に固着された支持部材２３に装着され
た図示しない制御装置で制御されるモータ等の駆動装置
２５Ａにより矢印Ａ−Ｂの方向に上下運動できるように
構成されている。
ロード治具５は、高温炉２の下方に配置され、制御装置
で制御される駆動装置２５Ｂにより矢印Ｅ−Ｆの方向に
水平運動できるるように構成されており、上面に半導体
ウェハ２２を載置する凸部５ａが形成されている。アン
ロード治具６は、挿入治具３を挾んで高温炉２の下方に
ロード治具５と対向して配置され、制御装置で制御され
る駆動袋［２５Ｃにより矢印Ｇ−Ｈの方向に水平運動で
きるように構成されており、上面に半導体ウェハ２２を
載置する凸部６ａが形成されている。
で制御される駆動装置２５Ｂにより矢印Ｅ−Ｆの方向に
水平運動できるるように構成されており、上面に半導体
ウェハ２２を載置する凸部５ａが形成されている。アン
ロード治具６は、挿入治具３を挾んで高温炉２の下方に
ロード治具５と対向して配置され、制御装置で制御され
る駆動袋［２５Ｃにより矢印Ｇ−Ｈの方向に水平運動で
きるように構成されており、上面に半導体ウェハ２２を
載置する凸部６ａが形成されている。
なお、熱処理室１９内には、使用条件に応じて、窒素、
アルゴン、酸素、水蒸気などの反応ガスが図示しない反
応ガス供給管により供給され、反応ガス排気管から排出
されるようになっている。
アルゴン、酸素、水蒸気などの反応ガスが図示しない反
応ガス供給管により供給され、反応ガス排気管から排出
されるようになっている。
つぎに、本発明の第１実施例の作用を説明する。
第４図に示すように、１枚の半導体ウェハ２２を凸部５
ａに載置したロード治具５は、駆動装置２５Ｂにより矢
印Ｅの方向に最下点近傍にある挿入治具３の膨出部３ａ
内に達する位置まで前進する。これによって半導体ウェ
ハ２２は、下方の溝３ｃに移し変えられる。その後、ロ
ード治具５は、駆動装置２５Ｂにより矢印Ｆの方向に後
退し、新しく半導体ウェハ２２を凸部５ａに載置し、前
述と同様の作用により駆動装置２５Ａにより最下点まで
下降した挿入治具３の上方の溝３ｂに半導体ウェハ２２
を移し変える。その後、前述と同様にロード治具５は矢
印Ｆの方向に後退する。
ａに載置したロード治具５は、駆動装置２５Ｂにより矢
印Ｅの方向に最下点近傍にある挿入治具３の膨出部３ａ
内に達する位置まで前進する。これによって半導体ウェ
ハ２２は、下方の溝３ｃに移し変えられる。その後、ロ
ード治具５は、駆動装置２５Ｂにより矢印Ｆの方向に後
退し、新しく半導体ウェハ２２を凸部５ａに載置し、前
述と同様の作用により駆動装置２５Ａにより最下点まで
下降した挿入治具３の上方の溝３ｂに半導体ウェハ２２
を移し変える。その後、前述と同様にロード治具５は矢
印Ｆの方向に後退する。
このように、２枚の半導体ウェハ２２を載置した挿入治
具３は、駆動装置２５Ａにより矢印Ａの方向に熱処理室
１９内の所定位置に達するまで上昇する。そして、半導
体ウェハ２２は熱処理室１９内で高温（約１０００℃）
で加熱処理される。
具３は、駆動装置２５Ａにより矢印Ａの方向に熱処理室
１９内の所定位置に達するまで上昇する。そして、半導
体ウェハ２２は熱処理室１９内で高温（約１０００℃）
で加熱処理される。
この場合、上方の第１側面ヒータ１２Ａは、２枚の半導
体ウェハ２２の周辺部を特に加熱し、第１、第２天井ヒ
ータＩＩＡ、 １１Ｂは、上方の半導体ウェハ２２の中
央部を特に加熱し、下方の第２側面ヒータ１２Ｂは、下
方の半導体ウェハ２２の中央部を加熱する。
体ウェハ２２の周辺部を特に加熱し、第１、第２天井ヒ
ータＩＩＡ、 １１Ｂは、上方の半導体ウェハ２２の中
央部を特に加熱し、下方の第２側面ヒータ１２Ｂは、下
方の半導体ウェハ２２の中央部を加熱する。
ところで、各ヒータの温度と半導体ウェハ２２の各部の
温度との対応は、あらかじめ設定されており、これによ
って、半導体ウェハ２２面内の温度分布が均一になるよ
うに各ヒータの発熱量が制御される。また、この制御は
、各ヒータの近傍に設けられた温度センサ１６Ａ、１６
Ｂ、１８Ａ。
温度との対応は、あらかじめ設定されており、これによ
って、半導体ウェハ２２面内の温度分布が均一になるよ
うに各ヒータの発熱量が制御される。また、この制御は
、各ヒータの近傍に設けられた温度センサ１６Ａ、１６
Ｂ、１８Ａ。
１８Ｂにより容易に行なわれる。
天井ヒータ１１の外周面と第１側面ヒータ１２Ａ上端と
の間に配置されたヒータ支持具は、低温のため、半導体
ウェハ２２面内の温度分布を不均一にさせる傾向にある
。このヒータ支持具の影響は、外側の第１天井ヒータ１
１Ａの発熱量を内側の第２天井ヒータ１１Ｂの発熱量よ
り大きくすることによって減少し、この結果、半導体ウ
ェハ２２面内の温度分布が均一となる。また半導体つエ
バ２２の熱処理時には、第１図に示すように、断熱材の
キャップ２０により搬入出口２１が閉塞されており、放
熱量を小さくするこができる。
の間に配置されたヒータ支持具は、低温のため、半導体
ウェハ２２面内の温度分布を不均一にさせる傾向にある
。このヒータ支持具の影響は、外側の第１天井ヒータ１
１Ａの発熱量を内側の第２天井ヒータ１１Ｂの発熱量よ
り大きくすることによって減少し、この結果、半導体ウ
ェハ２２面内の温度分布が均一となる。また半導体つエ
バ２２の熱処理時には、第１図に示すように、断熱材の
キャップ２０により搬入出口２１が閉塞されており、放
熱量を小さくするこができる。
熱処理された半導体ウェハ２２を外部に取出すには、ま
ず挿入治具３を駆動装置２５Ａにより最下点近傍まで下
降させる。つぎに、アンロード治具６を駆動袋［２５Ｇ
により矢印Ｇの方向に挿入治具３の膨出部３ａ内に達す
る位置まで前進させる。これによって下方の半導体ウェ
ハ２２は、アンロード治具６の凸部６ａに移し変えられ
る。その後、アンロード治具６を駆動装置２５Ｇにより
矢印Ｈの方向に後退させることによって、半導体ウェハ
２２は外に搬出される。上方の半導体ウェハ２２を外部
に取出すときには、挿入治具３を駆動装置２５Ａにより
最下点まで下降させ、上述と同じ作用により行なう。
ず挿入治具３を駆動装置２５Ａにより最下点近傍まで下
降させる。つぎに、アンロード治具６を駆動袋［２５Ｇ
により矢印Ｇの方向に挿入治具３の膨出部３ａ内に達す
る位置まで前進させる。これによって下方の半導体ウェ
ハ２２は、アンロード治具６の凸部６ａに移し変えられ
る。その後、アンロード治具６を駆動装置２５Ｇにより
矢印Ｈの方向に後退させることによって、半導体ウェハ
２２は外に搬出される。上方の半導体ウェハ２２を外部
に取出すときには、挿入治具３を駆動装置２５Ａにより
最下点まで下降させ、上述と同じ作用により行なう。
なお、上記第１実施例では、側面ヒータ１２を２分割し
た場合を示したが、側面ヒータ１２を３分割以上にすれ
ば、半導体ウェハ２２面内の温度分布をさらに精度よく
均一にすることができるもので、例えば側面ヒータ１２
を３分割した場合について説明する。
た場合を示したが、側面ヒータ１２を３分割以上にすれ
ば、半導体ウェハ２２面内の温度分布をさらに精度よく
均一にすることができるもので、例えば側面ヒータ１２
を３分割した場合について説明する。
低温の半導体ウェハ２２．を熱処理室１９内に挿入した
場合、半導体ウェハ２２の温度上昇速度は、キャップ２
０の温度上昇速度と異なる。この場合、中央部の側面ヒ
ータ１２は、半導体ウェハ２２の温度上昇速度に合わせ
て発熱量を制御し、最下部の側面ヒータ１２は、キャッ
プ２０の温度上昇速度に合わせて発熱量を制御すること
により、過渡時における半導体ウェハ２２面内の温度分
布をさらに均一に保つことができる。
場合、半導体ウェハ２２の温度上昇速度は、キャップ２
０の温度上昇速度と異なる。この場合、中央部の側面ヒ
ータ１２は、半導体ウェハ２２の温度上昇速度に合わせ
て発熱量を制御し、最下部の側面ヒータ１２は、キャッ
プ２０の温度上昇速度に合わせて発熱量を制御すること
により、過渡時における半導体ウェハ２２面内の温度分
布をさらに均一に保つことができる。
なお、上記第１実施例では、天井ヒータ１１を２分割し
た場合を示したが、３分割以上にすれば。
た場合を示したが、３分割以上にすれば。
半導体ウェハ２２面内の温度分布をさらに精度よく均一
にすることができるものである。また、天井ヒータ１１
を複数に分割せず１体の場合でも。
にすることができるものである。また、天井ヒータ１１
を複数に分割せず１体の場合でも。
精度が低下するが、天井ヒータを設けていない従来の高
温炉に比較して飛躍的に、半導体ウェハ２２面内の温度
分布を均一にすることができる。
温炉に比較して飛躍的に、半導体ウェハ２２面内の温度
分布を均一にすることができる。
また、天井ヒータ１１を第５図に示すようにつづらおり
状の天井ヒータにしても効果は同じである。
状の天井ヒータにしても効果は同じである。
第６図は本発明の第２実施例に係り、第１実施例と異な
るところは、高温炉２の下方にロード治具５およびアン
ロード治具６を挾んで配置された断熱材３０に形成され
た貫通孔３０ａに挿入治具３の軸部３ｄを嵌挿させるよ
うにした点である。
るところは、高温炉２の下方にロード治具５およびアン
ロード治具６を挾んで配置された断熱材３０に形成され
た貫通孔３０ａに挿入治具３の軸部３ｄを嵌挿させるよ
うにした点である。
第２実施例によれば、高温炉２の下方を開放することが
ないため、高温炉２内の温度変動が小さく。
ないため、高温炉２内の温度変動が小さく。
その結果、半導体ウェハ２２をさらに均一な温度で熱処
理することができる。その他の構成および作用は、第１
実施例に示すものと同様である。
理することができる。その他の構成および作用は、第１
実施例に示すものと同様である。
上述のとおり、本発明によれば、低温の半導体ウェハを
熱処理室内に挿入して温度上昇させる過渡時および半導
体ウェハを一定温度まで上昇させた定常時において、半
導体ウェハ面内の温度分布を均一に保ちながら熱処理す
ることができるので。
熱処理室内に挿入して温度上昇させる過渡時および半導
体ウェハを一定温度まで上昇させた定常時において、半
導体ウェハ面内の温度分布を均一に保ちながら熱処理す
ることができるので。
半導体ウェハの品質を向上させることができ、この結果
、半導体ウェハから大集積回路を加工する際の不良率を
大幅に減少させることができる。また半導体ウェハの大
径化や配線パターンの薄膜微細化に必要な高精度の熱処
理を行なうことができる。さらに、高温炉内壁の天井部
に天井ヒータを設けたことにより半導体ウェハと天井部
との間隔を小さくすることができるので、高温炉を小形
にすることができ、かつ電力消費量を少なくすることが
できる。
、半導体ウェハから大集積回路を加工する際の不良率を
大幅に減少させることができる。また半導体ウェハの大
径化や配線パターンの薄膜微細化に必要な高精度の熱処
理を行なうことができる。さらに、高温炉内壁の天井部
に天井ヒータを設けたことにより半導体ウェハと天井部
との間隔を小さくすることができるので、高温炉を小形
にすることができ、かつ電力消費量を少なくすることが
できる。
第１図から第４図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は熱処理室内に挿入治具を挿入した状態における半導体
ウェハの熱処理装置の縦断面図、第２図は挿入治具の部
分斜視図、第３図は第１および第２天井ヒータの平面図
、第４図は下死点近傍まで挿入治具が下降した状態にお
ける半導体ウェハの熱処理装置の縦断面図、第５図は本
発明の天井ヒータに関する他の実施例の平面図、第６図
は本発明の第２実施例に係り、熱処理室内に挿入治具を
挿入した状態における半導体ウェハの熱処理装置の縦断
面図である。 １・・・半導体ウェハの熱処理装置、 ２・・・高温炉、 １１・・・天井ヒータ、１１
Ａ・・・第１天井ヒータ、 １１Ｂ・・・第２天井ヒータ、 １２・・・側面ヒータ、 １２Ａ・・・第１側面ヒータ
。 １２Ｂ・・・第２側面ヒータ、 １５ａ・・・天井部、 １５ｂ・・・側面部、２１・
・・半導体ウェハ搬入出口。 ２２・・・半導体ウェハ。
は熱処理室内に挿入治具を挿入した状態における半導体
ウェハの熱処理装置の縦断面図、第２図は挿入治具の部
分斜視図、第３図は第１および第２天井ヒータの平面図
、第４図は下死点近傍まで挿入治具が下降した状態にお
ける半導体ウェハの熱処理装置の縦断面図、第５図は本
発明の天井ヒータに関する他の実施例の平面図、第６図
は本発明の第２実施例に係り、熱処理室内に挿入治具を
挿入した状態における半導体ウェハの熱処理装置の縦断
面図である。 １・・・半導体ウェハの熱処理装置、 ２・・・高温炉、 １１・・・天井ヒータ、１１
Ａ・・・第１天井ヒータ、 １１Ｂ・・・第２天井ヒータ、 １２・・・側面ヒータ、 １２Ａ・・・第１側面ヒータ
。 １２Ｂ・・・第２側面ヒータ、 １５ａ・・・天井部、 １５ｂ・・・側面部、２１・
・・半導体ウェハ搬入出口。 ２２・・・半導体ウェハ。
Claims (6)
- （１）高温炉内に半導体ウェハを挿入して熱処理する半
導体ウェハの熱処理装置において、前記高温炉の下部に
前記半導体ウェハの搬入出口を設け、かつ前記高温炉内
壁の天井部および側面部に、天井ヒータおよび側面ヒー
タをそれぞれ設けた半導体ウェハの熱処理装置。 - （２）前記天井ヒータが半径方向に複数分割され、各分
割域でヒータ線が螺線状になっている特許請求の範囲第
１項記載の半導体ウェハの熱処理装置。 - （３）前記天井ヒータが半径方向に複数分割され、各分
割域でヒータ線がつづらおり状になっている特許請求の
範囲第１項記載の半導体ウェハの熱処理装置。 - （４）前記側面ヒータが、上下方向に複数分割され、各
分割域でヒータ線がコイル状になっている特許請求の範
囲第１項記載の半導体ウェハの熱処理装置。 - （５）前記天井ヒータおよび側面ヒータが、それぞれ独
立して発熱量を制御できる特許請求の範囲第１項又は第
４項記載の半導体ウェハの熱処理装置。 - （６）前記高温炉が縦形の円筒形である特許請求の範囲
第１項記載の半導体ウェハの熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066262A JPH0693439B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066262A JPH0693439B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232422A true JPS63232422A (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0693439B2 JPH0693439B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=13310764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066262A Expired - Lifetime JPH0693439B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693439B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418885A (en) * | 1992-12-29 | 1995-05-23 | North Carolina State University | Three-zone rapid thermal processing system utilizing wafer edge heating means |
| US5431700A (en) * | 1994-03-30 | 1995-07-11 | Fsi International, Inc. | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
| US5443648A (en) * | 1993-04-13 | 1995-08-22 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with a rotary holder turning independently of a liner plate |
| US5520742A (en) * | 1993-03-03 | 1996-05-28 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Thermal processing apparatus with heat shielding member |
| US5571010A (en) * | 1993-06-18 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and apparatus |
| US5878191A (en) * | 1994-05-30 | 1999-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat treatment apparatus for semiconductor wafers |
| JP2013030758A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3084232B2 (ja) * | 1996-06-04 | 2000-09-04 | イートン コーポレーション | 縦型加熱処理装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS508782A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-29 | ||
| JPS5753089A (en) * | 1980-07-22 | 1982-03-29 | Maikuropoa Intern Ltd | Electric radiation heater unit |
| JPS5966095A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-04-14 | エ−・ゲ−・オ−・エレクトロ−ゲレ−テ・ブラン・ウント・フイツシエル | ガラスセラミツク板を加熱する加熱素子 |
| JPS59207587A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-24 | エ−・ゲ−・オ−・エレクトロ−ゲレ−テ・ブラン・ウント・フイツシエル | 調理板、加熱板などを加熱する加熱素子 |
| JPS60245215A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | 縦型炉 |
| JPS6192050U (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066262A patent/JPH0693439B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS508782A (ja) * | 1973-05-28 | 1975-01-29 | ||
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| US5443648A (en) * | 1993-04-13 | 1995-08-22 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vertical heat treatment apparatus with a rotary holder turning independently of a liner plate |
| US5571010A (en) * | 1993-06-18 | 1996-11-05 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and apparatus |
| US5678989A (en) * | 1993-06-18 | 1997-10-21 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treatment method using a vertical processing tube |
| US5431700A (en) * | 1994-03-30 | 1995-07-11 | Fsi International, Inc. | Vertical multi-process bake/chill apparatus |
| US5878191A (en) * | 1994-05-30 | 1999-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heat treatment apparatus for semiconductor wafers |
| JP2013030758A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| US9598792B2 (en) | 2011-06-21 | 2017-03-21 | Nuflare Technology, Inc. | Film-forming apparatus and film-forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693439B2 (ja) | 1994-11-16 |
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