JPH04329629A - 半導体ウェーハの拡散処理用ボート - Google Patents
半導体ウェーハの拡散処理用ボートInfo
- Publication number
- JPH04329629A JPH04329629A JP12871791A JP12871791A JPH04329629A JP H04329629 A JPH04329629 A JP H04329629A JP 12871791 A JP12871791 A JP 12871791A JP 12871791 A JP12871791 A JP 12871791A JP H04329629 A JPH04329629 A JP H04329629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- core tube
- furnace core
- semiconductor wafer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 17
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに不純
物を拡散する際に用いられるボートに関する。
物を拡散する際に用いられるボートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体ウェーハの拡散処
理用ボートにおいては、不純物拡散用ガスが直接半導体
ウェーハに当たらないようにするため、図５、図６に示
すように、多数の半導体ウェーハ１１を載置したボート
１２の両端部に、半導体ウェーハ１１と同径のダミーウ
ェーハ１３を数枚ずつ同時に載置していた。なお、ダミ
ーウェーハ１３の代わりに、石英製や炭化けい素（Ｓｉ
Ｃ）製の遮蔽板を用いることもある。
理用ボートにおいては、不純物拡散用ガスが直接半導体
ウェーハに当たらないようにするため、図５、図６に示
すように、多数の半導体ウェーハ１１を載置したボート
１２の両端部に、半導体ウェーハ１１と同径のダミーウ
ェーハ１３を数枚ずつ同時に載置していた。なお、ダミ
ーウェーハ１３の代わりに、石英製や炭化けい素（Ｓｉ
Ｃ）製の遮蔽板を用いることもある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の拡散処理用ボート１２では、半導体ウェーハ１１等
を載置して炉芯管１４に挿入した場合、炉芯管１４の内
周と半導体ウェーハ１１及び遮蔽板１３の外周の上部と
の間隙が、これらの外周の側部及び下部との間隙より大
きくなるため、半導体ウェーハ１１等の上方を流れる拡
散不純物を含んだガスの流量が側方及び下方の流量より
多くなる。このため、半導体ウェーハ面内の不純物拡散
量は、炉芯管１４内において上部に位置する部分ほど多
くなって、半導体ウェーハ１１面内で不純物拡散量にバ
ラツキを生じる問題がある。
来の拡散処理用ボート１２では、半導体ウェーハ１１等
を載置して炉芯管１４に挿入した場合、炉芯管１４の内
周と半導体ウェーハ１１及び遮蔽板１３の外周の上部と
の間隙が、これらの外周の側部及び下部との間隙より大
きくなるため、半導体ウェーハ１１等の上方を流れる拡
散不純物を含んだガスの流量が側方及び下方の流量より
多くなる。このため、半導体ウェーハ面内の不純物拡散
量は、炉芯管１４内において上部に位置する部分ほど多
くなって、半導体ウェーハ１１面内で不純物拡散量にバ
ラツキを生じる問題がある。
【０００４】そこで、本発明は、半導体ウェーハに対す
る不純物の拡散を均一になし得る半導体ウェーハの拡散
処理用ボートの提供を目的とする。
る不純物の拡散を均一になし得る半導体ウェーハの拡散
処理用ボートの提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
、本発明の半導体ウェーハの拡散処理用ボートは、ボー
トの両端部及び中間部に、このボートに載置される半導
体ウェーハより大径のガス遮蔽板を、ボートが炉芯管に
挿入された場合に炉芯管と同心状をなすように設けたも
のである。
、本発明の半導体ウェーハの拡散処理用ボートは、ボー
トの両端部及び中間部に、このボートに載置される半導
体ウェーハより大径のガス遮蔽板を、ボートが炉芯管に
挿入された場合に炉芯管と同心状をなすように設けたも
のである。
【０００６】
【作用】上記手段においては、ガス遮蔽板の外周と炉芯
管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均一となって、ガ
ス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用ガスの流量が全
周に及んでほぼ均一となる。
管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均一となって、ガ
ス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用ガスの流量が全
周に及んでほぼ均一となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図１、図２は炉芯管に挿入された本発明に係る
ボートの正面図、端面図で、このボート１は、石英ガラ
ス等からなる平行な２本の支持棒２を適宜に連結すると
共に、支持棒２の相対する位置に半導体ウェーハ３を載
置する多数の溝４を設け、かつその両端部及び中間部の
所要個所に、上記半導体ウェーハ３より大径の石英ガラ
スからなるガス遮蔽板５を、ボート１が炉芯管６に挿入
された場合に炉芯管６と同心状をなすように固着して構
成されている。
明する。図１、図２は炉芯管に挿入された本発明に係る
ボートの正面図、端面図で、このボート１は、石英ガラ
ス等からなる平行な２本の支持棒２を適宜に連結すると
共に、支持棒２の相対する位置に半導体ウェーハ３を載
置する多数の溝４を設け、かつその両端部及び中間部の
所要個所に、上記半導体ウェーハ３より大径の石英ガラ
スからなるガス遮蔽板５を、ボート１が炉芯管６に挿入
された場合に炉芯管６と同心状をなすように固着して構
成されている。
【０００８】なお、ガス遮蔽板５は、ボート１に固着す
る場合に限らず、ボート１に設けた所要の溝に載置する
ようにしてもよく、又、石英ガラス製に限らず、ガス遮
蔽板５と同径の半導体ウェーハを用いてもよい。
る場合に限らず、ボート１に設けた所要の溝に載置する
ようにしてもよく、又、石英ガラス製に限らず、ガス遮
蔽板５と同径の半導体ウェーハを用いてもよい。
【０００９】ここで、直径１２５ｍｍの半導体ウェーハ
を載置するボートの両端部及び、ボートの長さの１ ／
４、２／４、３／４の個所に直径１５０ｍｍのガス遮蔽
板を設け、このボートを直径１９２ｍｍの炉芯管に挿入
して半導体ウェーハに不純物の気相拡散処理を施したと
ころ、各半導体ウェーハのウェーハ面内不純物拡散量を
示すシート抵抗（ρｓ ）は、図３に示すようになり、
ガス遮蔽板を設けない従来のボートを用いて同様の処理
を施したところ、シート抵抗は、図４に示すようになっ
た。
を載置するボートの両端部及び、ボートの長さの１ ／
４、２／４、３／４の個所に直径１５０ｍｍのガス遮蔽
板を設け、このボートを直径１９２ｍｍの炉芯管に挿入
して半導体ウェーハに不純物の気相拡散処理を施したと
ころ、各半導体ウェーハのウェーハ面内不純物拡散量を
示すシート抵抗（ρｓ ）は、図３に示すようになり、
ガス遮蔽板を設けない従来のボートを用いて同様の処理
を施したところ、シート抵抗は、図４に示すようになっ
た。
【００１０】又、これらの処理を施した際のウェーハ面
内のシート抵抗（Δρｓ ）のバラツキ及び炉芯管内の
シート抵抗（Δρｓ ）も表１に示すようになった。
内のシート抵抗（Δρｓ ）のバラツキ及び炉芯管内の
シート抵抗（Δρｓ ）も表１に示すようになった。
【００１１】
【表１】
【００１２】したがって、本発明に係るボートを用いて
不純物を気相拡散させた場合、半導体ウェハーの炉芯管
内上部に位置するシート抵抗値の低下があまりなくなり
、従来のボートを用いた場合に比し、ウェーハ面内不純
物拡散量を一層均一にし得ることがわかり、又、ウェー
ハ面内シート抵抗のバラツキの減少ばかりでなく、炉芯
管内のシート抵抗も減少していることがわかる。
不純物を気相拡散させた場合、半導体ウェハーの炉芯管
内上部に位置するシート抵抗値の低下があまりなくなり
、従来のボートを用いた場合に比し、ウェーハ面内不純
物拡散量を一層均一にし得ることがわかり、又、ウェー
ハ面内シート抵抗のバラツキの減少ばかりでなく、炉芯
管内のシート抵抗も減少していることがわかる。
【００１３】なお、上述した実施例においては、炉芯管
を水平に置く横形炉の場合について述べたが、炉芯管を
垂直に置く縦形炉の場合にも適用できる。
を水平に置く横形炉の場合について述べたが、炉芯管を
垂直に置く縦形炉の場合にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガス遮蔽
板の外周と炉芯管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均
一となって、ガス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用
ガスの流量が全周に及んでほぼ均一になるので、ガス遮
蔽板の外周を通過したガスが各半導体ウェーハの外周か
らほぼ均一に廻り込んで、半導体ウェーハ面内における
不純物拡散量をほぼ均一にすることができる。
板の外周と炉芯管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均
一となって、ガス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用
ガスの流量が全周に及んでほぼ均一になるので、ガス遮
蔽板の外周を通過したガスが各半導体ウェーハの外周か
らほぼ均一に廻り込んで、半導体ウェーハ面内における
不純物拡散量をほぼ均一にすることができる。
【図１】炉芯管に挿入された本発明に係るボートの一実
施例の正面図である。
施例の正面図である。
【図２】炉芯管に挿入された本発明に係るボートの一実
施例の端面図である。
施例の端面図である。
【図３】本発明に係るボートを用いて不純物の気相拡散
処理が施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗
との関係を示す説明図である。
処理が施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗
との関係を示す説明図である。
【図４】従来のボートを用いて不純物の気相拡散処理が
施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗との関
係を示す説明図である。
施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗との関
係を示す説明図である。
【図５】炉芯管に挿入された従来のボートの正面図であ
る。
る。
【図６】炉芯管に挿入された従来のボートの端面図であ
る。
る。
１ ボート
３ 半導体ウェーハ
５ ガス遮蔽板
６ 炉芯管
Claims (1)
- 【請求項１】 ボートの両端部及び中間部に、このボ
ートに載置される半導体ウェーハより大径のガス遮蔽板
を、ボートが炉芯管に挿入された場合に炉芯管と同心状
をなすように設けたことを特徴とする半導体ウェーハの
拡散処理用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128717A JP3143712B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体ウェーハの拡散処理用ボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03128717A JP3143712B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体ウェーハの拡散処理用ボート |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329629A true JPH04329629A (ja) | 1992-11-18 |
| JP3143712B2 JP3143712B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=14991690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03128717A Expired - Fee Related JP3143712B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体ウェーハの拡散処理用ボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143712B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018910A (ja) * | 2010-07-30 | 2011-01-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び被処理基板ホルダ |
| WO2021246024A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社Sumco | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP03128717A patent/JP3143712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018910A (ja) * | 2010-07-30 | 2011-01-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置、半導体製造方法及び被処理基板ホルダ |
| WO2021246024A1 (ja) * | 2020-06-04 | 2021-12-09 | 株式会社Sumco | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3143712B2 (ja) | 2001-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5431561A (en) | Method and apparatus for heat treating | |
| JPH04329629A (ja) | 半導体ウェーハの拡散処理用ボート | |
| JPH07161654A (ja) | 熱処理用ボート | |
| JPH08316158A (ja) | 半導体ウエーハボート | |
| JPH08316156A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0332020A (ja) | 縦型拡散炉 | |
| JPH09181008A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61166023A (ja) | 半導体ウエハの熱処理方法 | |
| JPH0547685A (ja) | 半導体ウエハへの不純物拡散方法 | |
| JPH02909Y2 (ja) | ||
| JPS6134934A (ja) | シリコンウエハの装填方法 | |
| JPH06326079A (ja) | 半導体製造装置の二重反応管 | |
| JP2992576B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2967593B2 (ja) | 開管式プレデポジション拡散方法 | |
| JPH11150077A (ja) | 半導体ウエハの熱拡散装置 | |
| JPH02119219A (ja) | 不純物拡散装置 | |
| JPS6367729A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPS605511A (ja) | 半導体用拡散装置 | |
| JP2001118803A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH04321220A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JP2000188294A (ja) | ウェーハ熱処理炉 | |
| JPS63310112A (ja) | 半導体集積回路装置の製造装置 | |
| JPH01225314A (ja) | 炉芯管 | |
| JPH0517872A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH02294023A (ja) | 半導体装置の製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |