JP3143712B2 - 半導体ウェーハの拡散処理用ボート - Google Patents

半導体ウェーハの拡散処理用ボート

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JP3143712B2
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康 西本
隆弘 桐生
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東芝セラミックス株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハに不純
物を拡散する際に用いられるボートに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体ウェーハの拡散処
理用ボートにおいては、不純物拡散用ガスが直接半導体
ウェーハに当たらないようにするため、図5、図6に示
すように、多数の半導体ウェーハ11を載置したボート
12の両端部に、半導体ウェーハ11と同径のダミーウ
ェーハ13を枚数ずつ同時に載置していた。なお、ダミ
ーウェーハ13の代わりに、石英製や炭化けい素(Si
C)製の遮蔽板を用いることもある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の拡散処理用ボート12では、半導体ウェーハ11等
を載置して炉芯管14に挿入した場合、炉芯管14の内
周と半導体ウェーハ11及び遮蔽板13の外周の上部と
の間隙が、これらの外周の側部及び下部との間隙より大
きくなるため、半導体ウェーハ11等の上方を流れる拡
散不純物を含んだガスの流量が側方及び下方の流量より
多くなる。このため、半導体ウェーハ面内の不純物拡散
量は、炉芯管14内において上部に位置する部分ほど多
くなって、半導体ウェーハ11面内で不純物拡散量にバ
ラツキを生じる問題がある。
【0004】そこで、本発明は、半導体ウェーハに対す
る不純物の拡散を均一になし得る半導体ウェーハの拡散
処理用ボートの提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体ウェーハの拡散処理用ボートは、
行な2本の支持棒を有し、水平な炉芯管に上記支持棒を
内接させて挿入されるボートの両端部及び中間部に、こ
のボートに載置される半導体ウェーハより大径のガス遮
蔽板を、隣り合うガス遮蔽板間に複数の半導体ウェーハ
を介在させるようにし、かつ、ボートが炉芯管に挿入さ
れた場合に炉芯管と同心状をなすように設けたものであ
る。
【0006】
【作用】上記手段においては、ガス遮蔽板の外周と炉芯
管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均一となって、ガ
ス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用ガスの流量が全
周に及んでほぼ均一となる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1、図2は炉芯管に挿入された本発明に係る
ボートの正面図、端面図で、このボート1は、石英ガラ
ス等からなる平行な2本の支持棒2を適宜に連結すると
共に、支持棒2の相対する位置に半導体ウェーハ3を載
置する多数の溝4を設け、かつその両端部及び中間部の
所要個所に、上記半導体ウェーハ3より大径の石英ガラ
スからなるガス遮蔽板5を、隣り合うガス遮蔽板5に複
数(図1においては5枚)の半導体ウェーハ3を介在さ
せるようにし、かつ、ボート1が平行な2本の支持棒2
炉芯管6に内接させてそれに挿入された場合に炉芯管
6と同心状をなすように固着して構成されている。
【0008】なお、ガス遮蔽板5は、ボート1に固着す
る場合に限らず、ボート1に設けた所要の溝に載置する
ようにしてもよく、又、石英ガラス製に限らず、ガス遮
蔽板5と同径の半導体ウェーハを用いてもよい。
【0009】ここで、直径125mmの半導体ウェーハを
載置するボートの両端部及び、ボートの長さの1/4、
2/4、3/4の個所に直径150mmのガス遮蔽板を設
け、このボートを直径192mmの炉芯管に挿入して半導
体ウェーハに不純物の気相拡散処理を施したところ、各
半導体ウェーハのウェーハ面内不純物拡散量を示すシー
ト抵抗(ρs)は、図3に示すようになり、ガス遮蔽板
を設けない従来のボートを用いて同様の処理を施したと
ころ、シート抵抗は、図4に示すようになった。
【0010】又、これらの処理を施した際のウェーハ面
内のシート抵抗(Δρs)のバラツキ及び炉芯管内のシ
ート抵抗(Δρs)も表1に示すようになった。
【0011】
【表1】
【0012】したがって、本発明に係るボートを用いて
不純物を気相拡散させた場合、半導体ウェーハの炉芯管
内上部に位置するシート抵抗値の低下があまりなくな
り、従来のボートを用いた場合に比し、ウェーハ面内不
純物拡散量を一層均一にし得ることがわかり、又、ウェ
ーハ面内シート抵抗のバラツキの減少ばかりでなく、炉
芯管内のシート抵抗も減少していることがわかる。
【0013】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ガス遮蔽
板の外周と炉芯管の内周との間隙が全周に及んでほぼ均
一となって、ガス遮蔽板の外周を通過する不純物拡散用
ガスの流量が全周に及んでほぼ均一になるので、ガス遮
蔽板の外周を通過したガスが複数の半導体ウェーハの外
周からほぼ均一に廻り込んで、効率よく半導体ウェーハ
面内における不純物拡散量をほぼ均一にすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】炉芯管に挿入された本発明に係るボートの一実
施例の正面図である。
【図2】炉芯管に挿入された本発明に係るボートの一実
施例の端面図である。
【図3】本発明に係るボートを用いて不純物の気相拡散
処理が施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗
との関係を示す説明図である。
【図4】従来のボートを用いて不純物の気相拡散処理が
施された各半導体ウェーハの各部位とシート抵抗との関
係を示す説明図である。
【図5】炉芯管に挿入された従来のボートの正面図であ
る。
【図6】炉芯管に挿入された従来のボートの端面図であ
る。
【符号の説明】
1 ボート2 支持棒 3 半導体ウェーハ 5 ガス遮蔽板 6 炉芯管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/205 H01L 21/22 - 21/24 H01L 21/31 H01L 21/365 H01L 21/38 - 21/40 H01L 21/469 H01L 21/86

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平行な2本の支持棒を有し、水平な炉芯
    管に上記支持棒を内接させて挿入されるボートの両端部
    及び中間部に、このボートに載置される半導体ウェーハ
    より大径のガス遮蔽板を、隣り合うガス遮蔽板間に複数
    の半導体ウェーハを介在させるようにし、かつ、ボート
    が炉芯管に挿入された場合に炉芯管と同心状をなすよう
    に設けたことを特徴とする半導体ウェーハの拡散処理用
    ボート。
JP03128717A 1991-05-01 1991-05-01 半導体ウェーハの拡散処理用ボート Expired - Fee Related JP3143712B2 (ja)

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JP5060600B2 (ja) * 2010-07-30 2012-10-31 株式会社日立国際電気 被処理基板の処理装置、半導体製造方法、被処理基板ホルダ及び被処理基板の処理方法
JP7380872B2 (ja) * 2020-06-04 2023-11-15 株式会社Sumco 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法

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