JPH02294023A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH02294023A JPH02294023A JP11571789A JP11571789A JPH02294023A JP H02294023 A JPH02294023 A JP H02294023A JP 11571789 A JP11571789 A JP 11571789A JP 11571789 A JP11571789 A JP 11571789A JP H02294023 A JPH02294023 A JP H02294023A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fins
- semiconductor substrate
- core tube
- tube
- inside wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製遣装置に関し、特にガス導入
部と開放部とを有する炉心管を備える半導体基板の処理
装宜に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体基板表面に例えば酸化膜を形成したり、半
導体基板に不純物を拡散させたりする半導体基板の熱処
理に用いる炉心管を備えた熱処理装置は、半畳体基板面
を炉心管内のガスの流れ方向に対しほぼ垂直方向に位置
させ、複数の半導体基板を４〜６龍という狭い間隔で配
置して熱処理を行なっていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の熱処理装置では、炉心管内部のガスの流
れに対し半導体基板面をほぼ垂直方向に位置づけている
ことおよび半導体基板間隔が４〜６ ＠ＩＩと狭いこと
によりガス中に含まれる反応種が半導体基板面内中心部
に達しないため、形成される酸化膜厚または不純物拡散
量が半導体基板面内でバラつき、半導体製品の品質不良
や低下を招く要因となっていた． したがって本発明の目的は、半導体基板表面を均一に熱
処理できる炉心管を備えた製造装置を提供することにあ
る． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置の製造装置は炉心管内壁面に複数の
フィンを有することを特徴とする。
部と開放部とを有する炉心管を備える半導体基板の処理
装宜に関する． 〔従来の技術〕 従来、半導体基板表面に例えば酸化膜を形成したり、半
導体基板に不純物を拡散させたりする半導体基板の熱処
理に用いる炉心管を備えた熱処理装置は、半畳体基板面
を炉心管内のガスの流れ方向に対しほぼ垂直方向に位置
させ、複数の半導体基板を４〜６龍という狭い間隔で配
置して熱処理を行なっていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の熱処理装置では、炉心管内部のガスの流
れに対し半導体基板面をほぼ垂直方向に位置づけている
ことおよび半導体基板間隔が４〜６ ＠ＩＩと狭いこと
によりガス中に含まれる反応種が半導体基板面内中心部
に達しないため、形成される酸化膜厚または不純物拡散
量が半導体基板面内でバラつき、半導体製品の品質不良
や低下を招く要因となっていた． したがって本発明の目的は、半導体基板表面を均一に熱
処理できる炉心管を備えた製造装置を提供することにあ
る． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体装置の製造装置は炉心管内壁面に複数の
フィンを有することを特徴とする。
このフィンは好ましくは炉心管の材料と同じ材料から作
られ、ガスの流入する方向に対して９０゜よりは大きく
１８０゜よりは小さい角とするように配置されるのが好
ましい。
られ、ガスの流入する方向に対して９０゜よりは大きく
１８０゜よりは小さい角とするように配置されるのが好
ましい。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図乃至第３図を参照すると、本発明の一実施例は石
英製の炉心管１の内壁面に石英製の複数のフィン２を設
けたものである。炉心管１は一端（第１図では左）が開
口した開放部となって多数の半導体基板３を載せたボー
ト４を出し入れできるようになっており他端（右）は閉
口してカスの導入部になっている円筒型のもので、フィ
ン２は炉心管１の長さ方向に一定間隔をおいて収り付け
られた円弧状の板であり、ガスの導入方向（炉心管の長
さ方向）に対し９０゜〜１８０゜の間の一定の角度を有
している． 上記のようなフィン２を設けることにより、反応種を含
んだガスの流れを半導体基板３の表面内の中心部に向う
ように変えることにより反応種と半導体基板面内中心部
との接触を向上させることができる。
英製の炉心管１の内壁面に石英製の複数のフィン２を設
けたものである。炉心管１は一端（第１図では左）が開
口した開放部となって多数の半導体基板３を載せたボー
ト４を出し入れできるようになっており他端（右）は閉
口してカスの導入部になっている円筒型のもので、フィ
ン２は炉心管１の長さ方向に一定間隔をおいて収り付け
られた円弧状の板であり、ガスの導入方向（炉心管の長
さ方向）に対し９０゜〜１８０゜の間の一定の角度を有
している． 上記のようなフィン２を設けることにより、反応種を含
んだガスの流れを半導体基板３の表面内の中心部に向う
ように変えることにより反応種と半導体基板面内中心部
との接触を向上させることができる。
第４図，第５図を参照すると、本発明の他の実施例では
、炉心管１の内壁而に取り付ける複数のフィン１２をガ
スの流れ方向に対し取り付け面に角度を付けることによ
りガスの流れを螺旋状にすることができ、炉心管内の全
半導体基板間に均一にガスを流れ込ませることができる
ため、酸化膜厚や不純物拡＃１景の半導体基板面内及び
半導体基板同士のバラツキを低減させることができる。
、炉心管１の内壁而に取り付ける複数のフィン１２をガ
スの流れ方向に対し取り付け面に角度を付けることによ
りガスの流れを螺旋状にすることができ、炉心管内の全
半導体基板間に均一にガスを流れ込ませることができる
ため、酸化膜厚や不純物拡＃１景の半導体基板面内及び
半導体基板同士のバラツキを低減させることができる。
以上説明したように、本発明によれば炉心管の内壁面に
複数のフィンを収りつけることにより半導体基板面に対
し垂直なガスの流れを炉心管内の全半導体基板面内の中
心部に向けることができ、結果として半導体基板間への
ガスの流れ込みが多くなりガス中の反応種と半導体基板
面内中心部の接触が向上し、半導体基板面周辺部と中心
部との酸化膜厚や不純物拡散量のバラツキが減少する．
さらに半導体基板の直径を大きくしても、また半導体基
板の処理量を従来技術の炉心管における半導体基板の処
理量と同等かあるいは増加しても上記と同じ効果を得る
ことができるため半導体装置の生産性を向上させること
ができる．
複数のフィンを収りつけることにより半導体基板面に対
し垂直なガスの流れを炉心管内の全半導体基板面内の中
心部に向けることができ、結果として半導体基板間への
ガスの流れ込みが多くなりガス中の反応種と半導体基板
面内中心部の接触が向上し、半導体基板面周辺部と中心
部との酸化膜厚や不純物拡散量のバラツキが減少する．
さらに半導体基板の直径を大きくしても、また半導体基
板の処理量を従来技術の炉心管における半導体基板の処
理量と同等かあるいは増加しても上記と同じ効果を得る
ことができるため半導体装置の生産性を向上させること
ができる．
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第２図のＢ−Ｂ’線
断面図である． 第４図は本発明の他の実施例を示す平面図、第５図は第
４図の縦断面図である． １・・・円筒型炉心管、２．１２・・・フィン、３・・
・半導体基板、４・・・半導体基板支持台．呆 ２ テ
１図のＡ−Ａ’線断面図、第３図は第２図のＢ−Ｂ’線
断面図である． 第４図は本発明の他の実施例を示す平面図、第５図は第
４図の縦断面図である． １・・・円筒型炉心管、２．１２・・・フィン、３・・
・半導体基板、４・・・半導体基板支持台．呆 ２ テ
Claims (1)
- ガス導入部と開放部とを有する炉心管を備え、炉心管
内のガスの流れに対向するような位置に複数の半導体基
板を設置したボートを炉心管内へ搬送して前記半導体基
板への処理を行う半導体装置の製造装置において、前記
炉心管の内壁面に複数個のフィンを有することを特徴と
する半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571789A JPH02294023A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571789A JPH02294023A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294023A true JPH02294023A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14669417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11571789A Pending JPH02294023A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02294023A (ja) |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11571789A patent/JPH02294023A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5001327A (en) | Apparatus and method for performing heat treatment on semiconductor wafers | |
| JPH05166741A (ja) | 熱処理装置用基板支持具 | |
| JPH07335630A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS633446B2 (ja) | ||
| JPH02294023A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JP3023977B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3082559B2 (ja) | 成膜用基板保持具とそれを用いた気相成長装置 | |
| JPS6020510A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPH11150077A (ja) | 半導体ウエハの熱拡散装置 | |
| JPS6244525Y2 (ja) | ||
| JPH0332020A (ja) | 縦型拡散炉 | |
| JP2693465B2 (ja) | 半導体ウェハの処理装置 | |
| JPS5824437Y2 (ja) | 半導体熱処理容器 | |
| JPH0143857Y2 (ja) | ||
| JPS6134934A (ja) | シリコンウエハの装填方法 | |
| JPH09260363A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5941842A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH04329629A (ja) | 半導体ウェーハの拡散処理用ボート | |
| JPH08316156A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH04246176A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPS622524A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5922114Y2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2002170865A (ja) | シリコンウェーハ熱処理用３点支持具の配置方法 | |
| JPH02205017A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH02184025A (ja) | 熱処理装置 |