JPS6134934A - シリコンウエハの装填方法 - Google Patents

シリコンウエハの装填方法

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Publication number
JPS6134934A
JPS6134934A JP15514284A JP15514284A JPS6134934A JP S6134934 A JPS6134934 A JP S6134934A JP 15514284 A JP15514284 A JP 15514284A JP 15514284 A JP15514284 A JP 15514284A JP S6134934 A JPS6134934 A JP S6134934A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
core tube
furnace core
center
boat
Prior art date
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Pending
Application number
JP15514284A
Other languages
English (en)
Inventor
Michiaki Okuno
奥野 美智明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd, Miyazaki Oki Electric Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPS6134934A publication Critical patent/JPS6134934A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置製造工程の酸化・拡散等の熱処
理工程における炉芯管へのシリコンウェハの装填方法に
関するものであり、特にシリコンウェハに均一な熱処理
を施すことができるようにしたシリコンウェハの装填方
法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置製造工程の酸化・拡散等の熱処理工程
における炉芯管へのシリコンウェハの装填方法を第4図
に示す。
第4図は炉芯管1内にシリコンウェハ(以下単にウェハ
という)2を装填した状態番示しており、前記ウェハ2
をボート3上に立載した後、該ボート3を前記炉芯管1
内に導入することにより、前記炉芯管1内に前記ウェハ
2を装填するものである。
このとき前記ウェハ2の中心は前記炉芯管1の長手方向
からみた中心とほぼ一致するように装填される。
これは、前記炉芯管1の中心に前記ウェハ2を装填すれ
ば均一な熱処理が行えるという考え方によるものである
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、ウェハの大口径化にともなって、このよ
うな構成では必ずしも炉芯管内のガスの流れが均一とな
らず、むしろ均一性が悪くなるという問題点がでてきた
これを第6図を用いて説明する。図において、縦軸はウ
ェハを酸化したときの酸化膜厚を、横軸ば炉芯管の長手
方向のウェハ装填位置を示し、A。
B、C点は図に示すようにそれぞれ長手方向からみた前
記炉芯管内の上側、中心、下側の位置を示し、a、b、
cはそれぞれ前記A、B、C点における値を示す。
第6図でわかるように、前記炉芯管の炉口側に位置する
ウェハは前記A点とB点との酸化膜厚差が大きい。該酸
化膜厚差は炉奥側に向かうに従って減少してはいるもの
の、炉口側1/3程度の位置においては前記酸化膜厚差
はかなり大きく、ウェハ内酸化膜均−性が悪い。
これは第5図にしめすように、ガスの大部分が炉芯管1
上部をながれてしまい、全てのウェハ2に均一にガスが
まわり込まないためである。
これでは、このような装置を用いた大口径ウェハの大量
処理は不可能となってくる。
〔問題点を解決するための手段〕 この発明は、上記問題点を解決するため、ボートにウェ
ハを立載して前記ボートを炉芯管内に導入するようにし
たシリコンウェハの装填方法において、前記炉芯管の長
手方向からみた中心より前記ウェハの中心が上方に位置
するように、該ウェハを前記ボートに立載するようにし
たものである。
〔作 用〕
この発明では、炉芯管の長手方向からみた中心よりウェ
ハの中心が上方に位置しているので、該ウェハ自体によ
り、炉芯管上部を流れるガスを前記ウェハ間にまわり込
ませることとなり、ガスが均一に分布することとなる。
これにより、ウェハ内膜厚均一性が向上するものである
〔実施例〕
この発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図は炉芯管1内にウェハ2を装填した状態を示して
おり、前記ウェハ2をボート4上に立載した後、該ボー
ト4を前記炉芯管1内に導入することにより、前記炉芯
管1内に前記ウェハ2を装填することば従来(第4図)
と同様であるが、前記ボート4は前記ウェハ2を高い位
置(この例では1〜2cm程度)に支持するよう形成さ
れている。
したがって、前記炉芯管1内において前記ウェハ2の中
心は前記炉芯管1の中心より1〜2cm高い位置をとる
ことなる。
このため第2図に示すように、前記ウェハ2自体がガス
の流れを炉芯管1内で均一にさせる言わばバッフル板の
ように作用する。
この作用により第3図に示すように、ウェハ内膜厚均一
性が、特に炉芯管1゛の炉口側において大幅に向上する
。なお、この第3図においては、縦軸はシリコンウェハ
を酸化したときの酸化膜厚を、横軸は炉芯管の長手方向
のウェハ装填位置を示し、A、B、C点は図に示すよう
にそれぞれ長手方向からみた前記炉芯管内の上側、中心
、下側の位置を示し、a、、b、cはそれぞれ前記A、
B、C点における値を示す。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明では、炉芯管の長手方向
からみた中心よりウェハの中心を上方に位置させている
ので、炉芯管上部を流れるガスが前記ウェハ間にまわり
込み、均一に分布するのて、ウェハ内膜厚均一性が、特
に炉芯管の炉口側において大幅に向上するという効果が
ある。
また該効果により、特に薄い厚さの膜(ゲート酸化膜等
)の形成の大量処理を行う場合など大いに有利であると
共に、ウニへの大口径化にともない非常に有効なものと
なるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は発明の一実施例を示す断面図、第2図は発明の
一実施例の作用の説明用断面図、第3図は発明の効果を
示す図、第4図、第5図、第6図は従来技術を示す図で
ある。 1:炉芯管、2:ウェハ、4:ボート、A−B・C点:
それぞれ炉芯管内の上側・中心・下側の点、a −b 
−c: それぞれA−B−C点の値を示すグラフ線。 特許出願人  沖電気工業株式会社 第3図 炉に管上1則 □太F’ff頂す                力
四にイ則 □第4図 1I6図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ボートにウェハを立載して前記ボートを炉芯管内に導入
    するようにしたシリコンウェハの装填方法において、前
    記炉芯管の長手方向からみた中心より前記ウェハの中心
    が上方に位置するように、該ウェハを前記ボートに立載
    するようにしたことを特徴とするシリコンウェハの装填
    方法。
JP15514284A 1984-07-27 1984-07-27 シリコンウエハの装填方法 Pending JPS6134934A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02186107A (ja) * 1989-01-09 1990-07-20 T Echi K Kk リニアアクチュエータ
US5011300A (en) * 1988-08-16 1991-04-30 Thk Co., Ltd. Linear sliding bearing

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