JPH0362516A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に関し、特にソフトラディング
ローダー機構を有する横型熱処理炉に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の熱処理炉では、第５図（ａ〉。

（ｂ）の正面図及び斜視図に示すように、ウェハー５を
載せたボート２及びマザーボート３からなる石英ボート
をフォーク４で持ち上げ、石英炉芯管１内ヘロードする
機構であるため、大口径の炉芯管を用いていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の熱処理炉は、大口径の炉芯管を用いるた
め、大気の回り込みによりウェハー上に形成される酸化
膜厚の面内均一性が悪くなるという欠点と、大口径化に
伴ない、均一な酸化膜厚を得るためにガス流量を多くし
なければならないという欠点がある。

上述した従来の熱処理炉に対し、本発明は、ウェハー径
とほぼ同等内径の炉芯管に、フォークが人出炉するため
の溝を設けた構造にすることにより、ウェハーと炉芯管
とのすき間を極力少なくするようにしたものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、ウェハーを搭載したボートを炉芯管内にソフ
トランディングさせるローダ機構を有する横型熱処理炉
を備えた半導体製造装置において、前記ボートを移動さ
せるフォークが入る溝を前記炉芯管内の底部に沿って設
けた半導体製造装置である。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の正面図、斜視
図である。ウェハー５をセットしたボート２をマザーボ
ート３に搭載し、フォーク４で持ち上げ、炉芯管１内に
ロードする構造で、炉芯管５内の底部に沿ってフォーク
４が移動する渭６を有している。この実施例では、マザ
ーボート３は従来のものをそのまま用いている。

従来はマザーボート３と炉芯管１が接触しない様に、大
口径の円筒炉芯管を用いていたため、ウェハー５と炉芯
管１のすき間が多くなるのに比べ、本実施例の構造にす
ることによりすき間を少なくでき、大気の回り込みによ
る炉内フロント側での酸化膜厚のばらつきを低減できる
。

第２図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例の正面
図、斜視図である。構成は第１の実施例と同じであるが
、本実施例はウェハー５をセットしたボート２を搭載す
るマザーボート３の足を短かくすることにより、第１の
実施例に比べ、溝６の深さを更に浅くしたものである。

第３図は実施例１，２及び従来の炉芯管を用い、Ｎ２３
０　Ｊ　／ｗｉｎを流した状態で炉芯管内の０□濃度分
布を測定したもので、従来に比べ本発明の方がＮ２領域
が多く、大気の回り込みが少ない事がわかる。第４図は
実際に実施例１．２及び従来の炉にウェハーをロードし
、９５０℃Ｈ２０□雰囲気で酸化した場合の酸化膜厚ば
らつき炉内分布である。従来に比べ、実施例の方がフロ
ント側での膜厚のばらつきが少ない。

又、第２の実施例においては、ガス流量をＨ２１０２＝
４５／　３０　（！２７ｍ１ｎ）から３０／２０（、Ｒ
／ａ＋ｉｎ）に少なくした水準でも、大流量の時と同等
の酸化膜厚均一性が得られており、ガス流量低減の効果
が確認できた。

〔発明の効果〕

以上説明した様に本発明は、ソフトランディングローダ
−機構を有する横型熱処理炉で用いる炉芯管において、
フォークが移動する溝を有する構造にすることにより、
大気の回り込みを少なくし、酸化膜厚のばらつきを低減
できる効果があると同時にガス使用量を低減できる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の正面図
及び斜視図、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実
施例の正面図及び斜視図、第３図及び第４図は本実施例
の効果を確認するために行なった実験の結果を示すグラ
フ、第５図（ａ）。 （ｂ）は従来の熱処理炉の正面図及び斜視図である。 １・・・炉芯管、２・・・ボート、３・・・マザーボー
ト、４・・・フォーク、５・・・ウェハー　６・・・溝
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ウェハーを搭載したボートを炉芯管内にソフトランディ
   ングさせるローダ機構を有する横型熱処理炉を備えた半
   導体製造装置において、前記ボートを移動させるフォー
   クが入る溝を前記炉芯管内の底部に沿って設けたことを
   特徴とする半導体製造装置。