JPH01106422A - ウエハ塔載用ボート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体基板の熱処理に使用する治工具に関
するものである。

〔従来の技術〕

第４図は従来の半導体基板（以下ウェハという）搭載用
ポートを示す斜視図であり、図において、１はポート本
体、２はウェハ支持溝、３はウェハである。次に第５図
は熱処理炉に入った状態を示す説明図であり、図におい
て、４は炉心管、５はポート挿入並びに引出用のパドル
である。なお矢印Ａは反応ガスの流れを示す。

次に動作について説明する。ウェハ搭載用ポート１上、
にウェハ３を並べて載置し、パドル５によりポート１を
炉心管４内へ挿入し、所定のガスを流し、処理を行う。

この時このガスの流れは矢印Ｂで示したように主にウェ
ハ３の外を流れ、ウニ　−ハとウェハの間は拡散によっ
てガスが入って（るのみである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のウェハ搭載用ポートは以上のように構成されてい
るので、ウニへ間の距離を短くすると、ガスが入りにく
くなって処理後ウニへの特性値の画面均一性が悪くなる
。また、均一性を良くするためにウェハ間隔を広くする
と、ポートに搭載できるウニへの数が少な（なり、１回
当りの処理数が減るなどの問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、処理ウニへの特性値の画面均一性を良くする
とともに、１回当りの処理能力をも向上し得るウェハ搭
載用ポートを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るウェハ搭載用ポートは、ウェハを交互に
ずらして並べることができるようにウニへの支持溝を縦
、横にずらして配設したものである。

〔作用〕

この発明におけるウェハ搭載用ポートは、ウェハを交互
にずらして並べであるため、ガスは直接つ°エバに当り
ながらウェハ間を流れていくので各ウェハとも均一性良
く処理ができるようになる。

〔実施例〕

以下この発明の一実施例を図について説明する。

第１図において、１はウェハ搭載用ポート、２は従来と
同様にポート上に直接切り込まれたウニ／Ｎ支持溝、６
はこの支持溝２の間に交互に配設され縦方向に突出した
凸状支持溝である。

以上のように、ウェハ支持溝２−と突出したウェハ支持
溝６が交互に配設されているので、ガスの流れは第２図
に示すように直接ウェハ間を流れるガスと、拡散により
ウェハ間に入ってくるガスの２種類でき、処理ガスはど
のウェハへも均等かつ十分に供給されるようになる。

なお上記実施例では、ウェハ支持溝が縦方向に変化した
ものを示したが、第３図に示す様に横方向へずらすタイ
プでもよい。さらに図示しないが縦方向、横方向の変化
を組合せたタイプでもよい。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ウェハ支持溝の配置を
変えて処理ガスがウェハに十分供給されるようにしたの
で、ウニへの処理数が従来よりも多くできるようになり
、極めて効率的である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施明によるウェハ搭載用ポート
を示すもので、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は側面図、（Ｃ
）は平面図であり、第２図はこの発明のウェハ搭載用ポ
ートで熱処理中のガスの流れを示す説明図、第３図（Ａ
）　（Ｂ）　（Ｃ）はこの発明の他の実施例を示す正面
図と側面図と平面図、第４図は従来のウェハ搭載用ポー
トを示す斜視図、第５図は従来のウェハ搭載用ポートで
熱処理中のガスの流れを示す説明図である。 図中、１はウェハ搭載用ポート、２は支持溝、３はウェ
ハ、６は凸状支持溝である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ウェハの支持溝が縦または横に交互にずらして配
   設されていることを特徴とするウェハ搭載用ポート。
2. （２）ウェハを交互にずらす方向が縦方向と横方向を組
   合せたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のウェハ搭載用ポート。