JPS58154227A - 半導体基板の拡散処理方法 - Google Patents
半導体基板の拡散処理方法Info
- Publication number
- JPS58154227A JPS58154227A JP3777282A JP3777282A JPS58154227A JP S58154227 A JPS58154227 A JP S58154227A JP 3777282 A JP3777282 A JP 3777282A JP 3777282 A JP3777282 A JP 3777282A JP S58154227 A JPS58154227 A JP S58154227A
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- JP
- Japan
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- diffusion
- boat
- furnace
- gas
- core tube
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板の拡散処理方法に関するものであシ
、主として、不純物濃度とその分布の精密制御が重要で
ある、例えば可変容量ダイオードの製造において不純物
拡散を高精度かつ大量に行なえるように、複数の半導体
基板を一拡散単位で処理する際、拡散炉への出し入れの
時に生じる基板間における拡散時間の差を無くする製造
方法を提供することを目的としたものである。
、主として、不純物濃度とその分布の精密制御が重要で
ある、例えば可変容量ダイオードの製造において不純物
拡散を高精度かつ大量に行なえるように、複数の半導体
基板を一拡散単位で処理する際、拡散炉への出し入れの
時に生じる基板間における拡散時間の差を無くする製造
方法を提供することを目的としたものである。
町変芥量ダイオード、特に超段階接合構造を持つ可変容
量夕“イオードの製造方法は、始めに、Ｎ−のエピタキ
シャル層にＨの浅い拡散を行なって不純物濃度が急激に
変化するＮ＋層を作シ、次にｐ＋＋層を前記Ｎ＋内の所
定の深さに接合を高精度に形成する方法を実施している
。かかる拡散処理に用いる拡散炉は、通常、同拡散炉の
一端から他端へガスを導入しつつ、被処理体を一方の側
から出し入れず・る構造である。ところが、上述の一方
の側よシ出し入れ全行なう従来の拡散炉においては、拡
散炉の長手方向均熱長ｉ２Ｌ、半導体の被処理体を載置
するボートの長さを２１１ボートの出し入れの際の移動
速度１ｖとすれば、前記ボートの中央を拡散炉の均熱部
の中央に置くとして、同ボートの出し入れ移動中に均熱
部に置かれる時トの移動に伴う拡散時間がボートの位１
ぼによｐ異なってくる。このように、一方の側から出し
入れを行なう拡散炉では、−拡散単位内にあっても、拡
散時間が必然的に前記ボート上の複数基板の各基板間で
ばらつく。例えば、均熱部の長さが２００ｍ１ボートの
長さが６０ＣＩＲ１ボートの移動速度を３０帰分とすれ
ば、拡散が終了した時点で拡散単位内基板間で拡散時間
が最大４分程度の差が出る。
量夕“イオードの製造方法は、始めに、Ｎ−のエピタキ
シャル層にＨの浅い拡散を行なって不純物濃度が急激に
変化するＮ＋層を作シ、次にｐ＋＋層を前記Ｎ＋内の所
定の深さに接合を高精度に形成する方法を実施している
。かかる拡散処理に用いる拡散炉は、通常、同拡散炉の
一端から他端へガスを導入しつつ、被処理体を一方の側
から出し入れず・る構造である。ところが、上述の一方
の側よシ出し入れ全行なう従来の拡散炉においては、拡
散炉の長手方向均熱長ｉ２Ｌ、半導体の被処理体を載置
するボートの長さを２１１ボートの出し入れの際の移動
速度１ｖとすれば、前記ボートの中央を拡散炉の均熱部
の中央に置くとして、同ボートの出し入れ移動中に均熱
部に置かれる時トの移動に伴う拡散時間がボートの位１
ぼによｐ異なってくる。このように、一方の側から出し
入れを行なう拡散炉では、−拡散単位内にあっても、拡
散時間が必然的に前記ボート上の複数基板の各基板間で
ばらつく。例えば、均熱部の長さが２００ｍ１ボートの
長さが６０ＣＩＲ１ボートの移動速度を３０帰分とすれ
ば、拡散が終了した時点で拡散単位内基板間で拡散時間
が最大４分程度の差が出る。
このような従来構造の拡散炉を用いて、上述の超段階接
合ダイオードを造ると、前記のＮ＋層の拡散において上
述のように数分程度の拡散時間差があると、次のＰ＋＋
層の拡散を同じ時間桁なっても可変容量ダイオードの最
高容量値や電圧−容量曲線などの特性が半導体基板間で
大きく異なってくる。
合ダイオードを造ると、前記のＮ＋層の拡散において上
述のように数分程度の拡散時間差があると、次のＰ＋＋
層の拡散を同じ時間桁なっても可変容量ダイオードの最
高容量値や電圧−容量曲線などの特性が半導体基板間で
大きく異なってくる。
そこで従来は同一特性を得るためには、容量を測定しな
がら一枚ごとに拡散時間を調整する必要があった。
がら一枚ごとに拡散時間を調整する必要があった。
本発明は、上述のような従来の拡散処理工程にみられる
不都合を解消するものである。すなわち、本発明は拡散
炉の長手方向均熱部中央の位置からガス導入し、前記ガ
スを両端綿から排出し、複数の半導体基板を装填したホ
ートラ前記拡散炉の一端から挿入して、同他端から取シ
出すことを特徴とする。
不都合を解消するものである。すなわち、本発明は拡散
炉の長手方向均熱部中央の位置からガス導入し、前記ガ
スを両端綿から排出し、複数の半導体基板を装填したホ
ートラ前記拡散炉の一端から挿入して、同他端から取シ
出すことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施に用いる拡散炉の主要部である炉
心管の管長方向の断面構造の一例を示す。
心管の管長方向の断面構造の一例を示す。
拡散炉の炉心管１の中央部にガス導入管２の管口を設け
、この管口からガスを流せるようにし、炉心管１の両端
には取シはずしができるガス排出［コを設けたふた３お
よび同４を取シつける。不純物拡散時には、第２図に示
すように、多数の半導体基板５を装填したボート６を前
記炉心管１の一端、たとえば、前記ふだ３の側シ・ら入
れ、前記ホートロの取シ出し時には同炉心管１の他端、
たとえば、前記ふた４の側から取シ出すようにする。
、この管口からガスを流せるようにし、炉心管１の両端
には取シはずしができるガス排出［コを設けたふた３お
よび同４を取シつける。不純物拡散時には、第２図に示
すように、多数の半導体基板５を装填したボート６を前
記炉心管１の一端、たとえば、前記ふだ３の側シ・ら入
れ、前記ホートロの取シ出し時には同炉心管１の他端、
たとえば、前記ふた４の側から取シ出すようにする。
なお、第１図中、７は加熱炉を用いると、ボートの移動
過程において各半導体基板が均熱部に置かれる時間は、
ボートの中央部では挿入時、取シ出ψ、取り出し時は甲
となシ、結局ボートの移動過程において半導体基板が均
熱部に置かれＬ る時間は、ボートのどの位置でも＝「と同一になシ、し
かも炉心管１の中央部から不純物ガス導入をしていので
、本実施例の様な拡散炉を使用し拡散を行なうと拡散炉
への影響が拡散単位内の前後、すなわち出口側と入シロ
側で全く同一になシ拡散単位内で均一に拡散される。
過程において各半導体基板が均熱部に置かれる時間は、
ボートの中央部では挿入時、取シ出ψ、取り出し時は甲
となシ、結局ボートの移動過程において半導体基板が均
熱部に置かれＬ る時間は、ボートのどの位置でも＝「と同一になシ、し
かも炉心管１の中央部から不純物ガス導入をしていので
、本実施例の様な拡散炉を使用し拡散を行なうと拡散炉
への影響が拡散単位内の前後、すなわち出口側と入シロ
側で全く同一になシ拡散単位内で均一に拡散される。
以−トのように本発明によれば、拡散炉への出し入れに
よる一拡散単位内の拡散のばらつきが無視できる様にな
シ、特に可変容量ダイオードの特性に大きな影響を及ぼ
すｎ＋層の拡散を、ばらつきなしに、大量に実施でき、
しかもＰ 層の拡散も本発明の拡散炉で実施すれば、拡
散単位内で均一に拡散できるのでＰ 層の拡散も同時に
大量に実施でき、したがって、従来にみられたような、
一枚ごとに容量を測定しながら何度も拡散を追加すると
いう必要が全く無くなシ可変容量ダイオードの製造が非
常に容易になる。
よる一拡散単位内の拡散のばらつきが無視できる様にな
シ、特に可変容量ダイオードの特性に大きな影響を及ぼ
すｎ＋層の拡散を、ばらつきなしに、大量に実施でき、
しかもＰ 層の拡散も本発明の拡散炉で実施すれば、拡
散単位内で均一に拡散できるのでＰ 層の拡散も同時に
大量に実施でき、したがって、従来にみられたような、
一枚ごとに容量を測定しながら何度も拡散を追加すると
いう必要が全く無くなシ可変容量ダイオードの製造が非
常に容易になる。
第１図は本発明を実施するだめの拡散炉炉心管を示す概
略図、第２図はボートの挿入、取シ出しを示す状態図で
ある。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・ガス導入管、３
，４・・・・・・ふた、６・・・・・・半導体基板、６
・・・・・・ボート、７・・・・・・加熱炉体。
略図、第２図はボートの挿入、取シ出しを示す状態図で
ある。 １・・・・・・炉心管、２・・・・・・ガス導入管、３
，４・・・・・・ふた、６・・・・・・半導体基板、６
・・・・・・ボート、７・・・・・・加熱炉体。
Claims (1)
- 拡散炉の長手方向均熱部中央部の位置からガス導入し、
前記ガスを両端部から排出した状態で、複数の半導体基
板を装填したボートを前記拡散炉の一方の端部から挿入
して、他の端部から取シ出すことを特徴とする半導体基
板の拡散処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3777282A JPS58154227A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基板の拡散処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3777282A JPS58154227A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基板の拡散処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154227A true JPS58154227A (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=12506757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3777282A Pending JPS58154227A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | 半導体基板の拡散処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370143U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-11 | ||
| WO2011152510A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 信越化学工業株式会社 | 熱処理炉 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP3777282A patent/JPS58154227A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6370143U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-11 | ||
| WO2011152510A1 (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | 信越化学工業株式会社 | 熱処理炉 |
| JP2012015501A (ja) * | 2010-06-04 | 2012-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱処理炉 |
| CN103038865A (zh) * | 2010-06-04 | 2013-04-10 | 信越化学工业株式会社 | 热处理炉 |
| US20130161313A1 (en) * | 2010-06-04 | 2013-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-treatment furnace |
| AU2011259931B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-treatment furnace |
| RU2573059C2 (ru) * | 2010-06-04 | 2016-01-20 | Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. | Печь термообработки |
| US9799535B2 (en) | 2010-06-04 | 2017-10-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-treatment furnace |
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