JPS6362316A - 半導体基板の支持具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は炉芯管を用いて半導体基板の熱処理を行う拡散
炉や気相成長装置などの装置に使用される半導体基板の
支持具に関する。

〔従来の技術〕

従来、拡散炉あるいは気相成長装置において使用される
半導体基板の支持具には、以下のようなものが知られて
いる。

すなわち、第６図に示すように、平行に並んだ２本の石
英棒にそれぞれ半導体基板を支持する為の溝１４を持つ
石英ボード１３と、この石英ボード１３を保持する石英
ボード保持具１５とにより構成されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体基板の支持具は、炉芯管内への大
気の流入を防止する遮蔽物が備えられておらず、半導体
基板の人出炉時の炉芯管内への大気の流入を押えられな
い。即ち、半導体基板は大気の混入し死界囲気中で熱処
理を受けるため、大気中の酸素による酸化、不純物によ
る汚染を受けることになる。また、−男手導体基板の人
出炉時に半導体基板の支持具と炉芯管との摩擦によシ発
生するごみは、炉芯管内への大気の流入によシ巻き上げ
られ、半導体基板へごみが付着する。この炉芯管内への
大６気の流入を防止するため、通常は処理を行う半゛導
体基板の前に、大気流入防止のために遮蔽物としてダミ
ーの半導体基板を装填している。しかしながら、これは
装置の処理能力ダウンにつながる。また、大気の流入防
止用の遮蔽物と炉芯管との間隙は、小さければ小さいほ
ど大気の流入防止には効果が大きいが、この大気流入防
止のための遮蔽物としての半導体基板は、半導体基板の
支持具に装填するため、特に現在よく使用されている第
６図のような石英ボートと石英ボート保持具とからなる
２段構造の支持具を使用する場合、炉芯管と大気流入防
止のための遮蔽物としての半導体基板との間には、大き
なすきまを生じさせてしまい、大気の炉芯管内への流入
量が非常に大きくなってしまうという欠点があった。

このように、半導体基板の人出炉時に大気が炉芯管内へ
流入すると、半導体基板は大気の混入した雰囲気中で熱
処理されることになシ、半導体基板の大気中酸素による
酸化、大気中不純物による半導体基板の汚染、大気流入
によって巻い上ったごみの半導体基板への付着を引き起
し、特性の劣化０歩留低下の原因となる。

このようＫ、従来の半導体基板の支持具は、大気の炉芯
管内への侵入を防止できないという欠点を有する。

本発明の目的は、前記した従来の半導体基板の支持具の
欠点をなくし、炉芯管へ大気の流入の少なく、清浄度の
高い処理を行うことのできるようにした半導体基板の支
持具を提供することＫある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の構成は、炉芯管を用いて、複数の半導体基板を
石英ボード上に配置してこれら半導体基板の熱処理を行
う装置にて使用される半導体基板の支持具において、前
記炉芯管内への大気の流入を防止するように１前記石英
ボードの間に遮蔽板を付加したことを特徴てする。

〔実施例〕

次に本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例の半導体基板の支持具を示す
斜視図、第２図は第１図の正面図である。

これら図に示すように、本実施例の半導体基板の支持具
は、複数の溝１の切られた一対の石英棒を有する複数の
石英ボート２と、この石英ボート２を保持する石英ボー
ト保持具３とを含み、構成される。石英ボート保持具３
には、大気の炉芯管５内への流入防止用の円板状遮蔽板
４が客石英ボートのウェリー保持位置よシ、炉芯管５の
開孔部寄りの位置に取付けられている。

ここで、第２図に示すように、円板状遮蔽板４は、半導
体基板６よシ大きく、炉芯管５との間隙７は、小さけれ
ば小さいほど大気の炉芯管５内への侵入防止の効果は大
きい。

また、円板状遮蔽板４は、１つのみでは、大気の回シ込
み防止には十分でなく、各々の石英ボート２に対し一つ
以上、備えられていることが望ましい。

これは、第３図に示すように１半導体基板６が炉芯管５
内へ入炉している時、円板状遮蔽板４が半導体基板支持
具の炉芯管開口部側の端部Ａの位置のみに有る場合、円
板状遮蔽板４はまだ炉芯管開口部を遮蔽しておらず、炉
芯管５内への大気の侵入量が多くなってしまう為である
。この時、炉芯管５のガス導入口８側に装填されている
半導体基板６は、すでに炉内の均熱部近くに到達してお
シ、大気の混入した雰囲気中で熱処理を受けるととにな
る。

例えば、第３図は遮蔽板４が端部Ａの位置に１枚だけあ
る半導体基板支持具を用いた場合１１と、遮蔽板が端部
人の他に各部の位置に４枚ある半導体基板支持具を用い
た場合１２、及び遮蔽板の無い半導体基板支持具を用い
た場合１０において、ガス導入口よシ入れたＮｔ雰囲気
中での熱処理を行なった時に１炉芯管５内へ侵入した大
気中の酸素によシ成長する酸化膜の半導体基板の装填位
置ａ、ｂ、ｃ、ｄによる差を示した分布図である。この
ように、遮蔽板の数が多いほど、大気中酸素による半導
体基板の酸化量は少ない。以上の理由から、処理を行う
すべての半導体基板に対し、大気の炉芯管内への侵入の
影響をなくすためには、装填する半導体基板の間に一定
の間隔ごとに遮蔽板を設ける必要がある。

第５図は本発明の他の実施例の半導体基板の支持具を示
す斜視図である。同図において、本実施例の特徴は、半
導体基板の支持具９と大気流入防止用の遮蔽板１０とが
分離されておシ、遮蔽板１０は半導体基板の支持具９０
半導体基板を支持するための溝１１に装填する構造にな
っている。ここで遮蔽板１０は半導体基板支持具９との
接融部にきりかえ１２を入れることによシ、炉芯管の遮
蔽面積を大きくし大気流入の遮蔽効果を高めている。

本実施例では、遮蔽板１０が半導体基板支持具９と分離
されているため、支持具への半導体基板の装填枚数に応
じて、任意の位置に、任意の数の遮蔽板を半導体基板支
持具に装填することができ、半導体基板の処理枚数、半
導体基板の熱処理条件に応じて、よシ効果な炉芯管内へ
の大気侵入の防止効果を持たせることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、半導体基板の支
持具に遮蔽板を付加することＫよシ、半導体基板の炉芯
管への人出炉時に炉芯管内へ流入する大気は大幅に低減
され、大気中酸素による半導体基板の酸化、大気中不純
物による半導体基板の汚染、及び炉芯管内への大気侵入
によるごみの巻い上げに起因する半導体基板へのごみの
付着等がなく、清浄度の高い熱処理ができる等の効果が
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体基板の支持具を示す
斜視図、第２図は第１図の支持具の使用状態における正
面図、第３図は第１図の支持具の使用状態における断面
図、第４図はＮ、雰囲気中での熱処理時に成長する酸化
膜厚の分布図、第５図は本発明の他の実施例の半導体基
板の支持具を示す斜視図、第６図は従来の半導体基板の
支持具の斜視図である。 １．１１，１４・・・・・・溝、２．１３・・・・・・
石英ボート、３．１５・・・・・・石英ボート保持具、
４．１０・−・・・・遮蔽板、５・・・・・・炉芯管、
６・−・・・・半導体基板、７・旧・・間隙、８・・・
・・・ガス導入口、９・・・・・・半導体基板の支持具
、１２・・・・・・きシかき。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋７．諷゛１、；：１
．、．１．−ミノ 泊３図 ｔｙｌ 第　４　図 第　２　国

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 炉芯管を用いて、複数の半導体基板を石英ボード上に配
   置してこれら半導体基板の熱処理を行う装置にて使用さ
   れる半導体基板の支持具において、前記炉芯管内への大
   気の流入を防止するように、前記石英ボードの間に遮蔽
   板を付加したことを特徴とする半導体基板の支持具。