JPS6146016A - 半導体基板とそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体基板とそれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6146016A JPS6146016A JP16746584A JP16746584A JPS6146016A JP S6146016 A JPS6146016 A JP S6146016A JP 16746584 A JP16746584 A JP 16746584A JP 16746584 A JP16746584 A JP 16746584A JP S6146016 A JPS6146016 A JP S6146016A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- opening
- occuring
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、酸化、不純物拡散、フォトエツチング、成長
などの各種処理工程を経てその面上にトランジスタなど
の能動素子を含む電気回路を形成するのに用いる半導体
単結晶基板、およびこの基板による半導体装置の製造方
法に関する。
などの各種処理工程を経てその面上にトランジスタなど
の能動素子を含む電気回路を形成するのに用いる半導体
単結晶基板、およびこの基板による半導体装置の製造方
法に関する。
ａ、従来の技術
半導体集積回路やトランジスタなどの半導体装置を夷遺
するには、第３図に示すような、方向性を示す切込み２
ａを有する円盤状の半導体単結晶基板（以下ウェーハと
いう）２に対し、酸化、拡散、フォトエツチング、成長
等種々の処理、加工を行って、最終的に該ウェーハにト
ランジスタなどの能動素子を含む電気回路を形成する０
ところが、この製造工程途中で、薄いウエーノ・上例多
層に熱膨張率の異なる酸化膜、成長膜を形成し、さらに
１０００℃付近の高温に置かれるため、第４図に示すよ
うにウェーハ周辺から中央部に熱歪による応力Ｓが集中
蓄積し、その結果、ウエーノ１にそシを生じて、ホトリ
ソグラフィの露光時に位置ずれを起すこ、とや、ウェー
Ｉ・割れを起す他に、応力が存在するままで高温熱処理
を受けることにより結晶欠陥を誘起して、装置の電気特
性を損なっていた。この不良現象は峙にウエーノ・が大
形になるに従って顕著に現われている。
するには、第３図に示すような、方向性を示す切込み２
ａを有する円盤状の半導体単結晶基板（以下ウェーハと
いう）２に対し、酸化、拡散、フォトエツチング、成長
等種々の処理、加工を行って、最終的に該ウェーハにト
ランジスタなどの能動素子を含む電気回路を形成する０
ところが、この製造工程途中で、薄いウエーノ・上例多
層に熱膨張率の異なる酸化膜、成長膜を形成し、さらに
１０００℃付近の高温に置かれるため、第４図に示すよ
うにウェーハ周辺から中央部に熱歪による応力Ｓが集中
蓄積し、その結果、ウエーノ１にそシを生じて、ホトリ
ソグラフィの露光時に位置ずれを起すこ、とや、ウェー
Ｉ・割れを起す他に、応力が存在するままで高温熱処理
を受けることにより結晶欠陥を誘起して、装置の電気特
性を損なっていた。この不良現象は峙にウエーノ・が大
形になるに従って顕著に現われている。
また、従来、上述の酸化、拡散、フォトエツチングなど
の各種の製造工程の処理装置内にウェーハを設置し、ま
た装置間を移動させる罠は、第５図に示すビンセット３
によるもの、第６図に示す真空吸引管４によるもの、第
７図に示す、溝５ａのある溝付き容器５によるもの、拡
散炉内にウェーハを設置する場合に用いられる第８図に
示す切り込み溝６ａのある台枠６によるものなどがある
が、しかし、第５図に示すピンセットおよび第６図の真
空吸引によるものは、支持している面積が小さく、特に
、最近のように生産効率向上のためウェーハの大口径化
、それによるウェーノ・重量増加に伴なって、支持部の
欠け、ウェーノ・落下を引起す。第７図の溝付き容器に
よるものは、溝５ａの内面とウェーハ２の周辺が摩擦す
ることで、ウェーハ周辺に傷をつける０第８図の切シ込
溝付き台枠では、切シ込み溝６ａでの摩擦で傷が付く欠
点がある。
の各種の製造工程の処理装置内にウェーハを設置し、ま
た装置間を移動させる罠は、第５図に示すビンセット３
によるもの、第６図に示す真空吸引管４によるもの、第
７図に示す、溝５ａのある溝付き容器５によるもの、拡
散炉内にウェーハを設置する場合に用いられる第８図に
示す切り込み溝６ａのある台枠６によるものなどがある
が、しかし、第５図に示すピンセットおよび第６図の真
空吸引によるものは、支持している面積が小さく、特に
、最近のように生産効率向上のためウェーハの大口径化
、それによるウェーノ・重量増加に伴なって、支持部の
欠け、ウェーノ・落下を引起す。第７図の溝付き容器に
よるものは、溝５ａの内面とウェーハ２の周辺が摩擦す
ることで、ウェーハ周辺に傷をつける０第８図の切シ込
溝付き台枠では、切シ込み溝６ａでの摩擦で傷が付く欠
点がある。
ハ９発明が解決しようとする問題点
上述のように、従来技術におけるウェーノーの熱歪によ
る諸々の障害の発生および、処理装置内へのウェーハの
設置、処理装置間の移動の際の事故の発生が至急解決を
要する問題点として挙げられる〇 二９問題点を解決するための技術手段 上記問題点に対し、本発明では、ウェーＩ・のほぼ中央
に穴あけを行うこと、および前記穴に支持棒を通して、
前記ウェーノ・への各種処理工程の際の移動、処理装置
内への設置を行う０ 本０作用 本発明による穴のおけられたウェーノ・では、穴のない
場合に集中する熱歪に基く応力の集中が、穴によシ穴周
辺に涜って分散させられる０また、支持棒による支持で
は、支持棒と接する穴の内周の僅かの部分に傷がつくだ
けで１、ウェーノへ表面に傷を付けないし、また、支持
棒から外れて落下する危険もない。
る諸々の障害の発生および、処理装置内へのウェーハの
設置、処理装置間の移動の際の事故の発生が至急解決を
要する問題点として挙げられる〇 二９問題点を解決するための技術手段 上記問題点に対し、本発明では、ウェーＩ・のほぼ中央
に穴あけを行うこと、および前記穴に支持棒を通して、
前記ウェーノ・への各種処理工程の際の移動、処理装置
内への設置を行う０ 本０作用 本発明による穴のおけられたウェーノ・では、穴のない
場合に集中する熱歪に基く応力の集中が、穴によシ穴周
辺に涜って分散させられる０また、支持棒による支持で
は、支持棒と接する穴の内周の僅かの部分に傷がつくだ
けで１、ウェーノへ表面に傷を付けないし、また、支持
棒から外れて落下する危険もない。
へ、実施例
つぎに本発明を実施例によシ説明する０第１図は本発明
の一実施例の半導体単結晶基板の平面図である０第１図
において、半導体単結晶基板ｌの各種処理工程に入る前
に、そのほぼ中央部に、機械加工または超音波加工によ
り、例えばウェーハ径の５％以上の丸穴ＩＣがあけられ
ている。この場合、インゴットの状態で穴をあけてから
各薄板にスライスしてもよい０ 第２図は１本発明の製造方法に係るウェーＩ・の支持方
法を説明するための斜視図である。第２図において、ウ
ェー／％、ｌの中央の穴Ｉ Ｇ Ｋ支［１８が通され、
ウェーハｌの穴内縁は支持棒８に設けられた係止用の切
込み８ａにはまシ固定される。
の一実施例の半導体単結晶基板の平面図である０第１図
において、半導体単結晶基板ｌの各種処理工程に入る前
に、そのほぼ中央部に、機械加工または超音波加工によ
り、例えばウェーハ径の５％以上の丸穴ＩＣがあけられ
ている。この場合、インゴットの状態で穴をあけてから
各薄板にスライスしてもよい０ 第２図は１本発明の製造方法に係るウェーＩ・の支持方
法を説明するための斜視図である。第２図において、ウ
ェー／％、ｌの中央の穴Ｉ Ｇ Ｋ支［１８が通され、
ウェーハｌの穴内縁は支持棒８に設けられた係止用の切
込み８ａにはまシ固定される。
そして、支持棒把手８ｂを持って、この支持棒に支持さ
せた１個または複数個のウェーノ・を持上げ工程毎の処
理装置間を移動させ、または、支持棒受台９の受け＃９
ａに支持棒８をはめ込み固定設置、あるいは受台９ごと
移動する０ ト１発明の効果 上述のとお夛、本発明の半導体単結晶基板は、中央に穴
があけられていることによシ、この基板面上にトランジ
スタ素子などを含む電気回路を形成する製造工程で、基
板に発生する応力の悪影響を除き、特性の優れた半導体
装置を得ることができる。さらに、前記基板中央の穴に
支持棒を通すことにより基板を支持し、工程中の処理装
置間への多数の基板の設置、処理装置間の移動に際し、
基板に傷を付けるとか、また％基板を落下するというこ
とが防止され、安全確実に搬送および設置が行われる０
せた１個または複数個のウェーノ・を持上げ工程毎の処
理装置間を移動させ、または、支持棒受台９の受け＃９
ａに支持棒８をはめ込み固定設置、あるいは受台９ごと
移動する０ ト１発明の効果 上述のとお夛、本発明の半導体単結晶基板は、中央に穴
があけられていることによシ、この基板面上にトランジ
スタ素子などを含む電気回路を形成する製造工程で、基
板に発生する応力の悪影響を除き、特性の優れた半導体
装置を得ることができる。さらに、前記基板中央の穴に
支持棒を通すことにより基板を支持し、工程中の処理装
置間への多数の基板の設置、処理装置間の移動に際し、
基板に傷を付けるとか、また％基板を落下するというこ
とが防止され、安全確実に搬送および設置が行われる０
第１図は本発明の一実施例の半導体基板の平面図、第２
図は本発明の製造方法の実施例に係る半導体基板を支持
する方法を説明するための斜視図、第３図は従来の半導
体基数の平面図、第４図は第３図の基板の熱歪による応
力を示す平面図、第５図はビンセットによる基板支持を
示す平面図、第６図は真空吸引管による基板支持を示す
平面図、第７図は溝付き容器に基板を収納した状態を示
す斜視図、第８図は切込溝付き台枠に基板を載置した状
態を示す斜視図である０ １．２・・・・・・半導体基板、ｌａ＋２ａ・・・・・
・基板方向を示す切り込み、ＩＣ・・・・・・基板中央
の穴、３・・・・・・ピンセット、４・・・・・・真空
吸引管、５・・・・・・溝付き容器、６・・・・・溝付
き台枠、８・・・・・・支持棒、８ａ・・・・・・支持
棒のウエーノ・係止切込み、８ｂ・・・・・・支持棒把
手、９・・・・・・支持棒受は台、９ａ・・・・・支持
棒挿入溝０ 事 ！ 図 −Ｖ−２図 業 ３ 凹 井 ５ 図 第７ ＴＭ 茅４ 回 第６ 図 一一一′ 羊 β 面
図は本発明の製造方法の実施例に係る半導体基板を支持
する方法を説明するための斜視図、第３図は従来の半導
体基数の平面図、第４図は第３図の基板の熱歪による応
力を示す平面図、第５図はビンセットによる基板支持を
示す平面図、第６図は真空吸引管による基板支持を示す
平面図、第７図は溝付き容器に基板を収納した状態を示
す斜視図、第８図は切込溝付き台枠に基板を載置した状
態を示す斜視図である０ １．２・・・・・・半導体基板、ｌａ＋２ａ・・・・・
・基板方向を示す切り込み、ＩＣ・・・・・・基板中央
の穴、３・・・・・・ピンセット、４・・・・・・真空
吸引管、５・・・・・・溝付き容器、６・・・・・溝付
き台枠、８・・・・・・支持棒、８ａ・・・・・・支持
棒のウエーノ・係止切込み、８ｂ・・・・・・支持棒把
手、９・・・・・・支持棒受は台、９ａ・・・・・支持
棒挿入溝０ 事 ！ 図 −Ｖ−２図 業 ３ 凹 井 ５ 図 第７ ＴＭ 茅４ 回 第６ 図 一一一′ 羊 β 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ほぼ円形の外形を有し、かつ、そのほぼ中央に穴が
あけられていることを特徴とする半導体基板。 ２、ほぼ円形の外形を有し、かつ、そのほぼ中央に穴が
あけられている半導体基板の前記穴に支持棒を通すこと
により前記半導体基板を支持し、この支持状態で、前記
半導体基板に対する半導体装置製造工程の各種の工程間
の移動を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16746584A JPS6146016A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 半導体基板とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16746584A JPS6146016A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 半導体基板とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6146016A true JPS6146016A (ja) | 1986-03-06 |
Family
ID=15850178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16746584A Pending JPS6146016A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 半導体基板とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6146016A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800424A1 (en) * | 1994-11-14 | 1997-10-15 | Yieldup International Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US5988189A (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-23 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16746584A patent/JPS6146016A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0800424A1 (en) * | 1994-11-14 | 1997-10-15 | Yieldup International Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| EP0800424A4 (en) * | 1994-11-14 | 1998-09-09 | Yieldup Int Corp | SEMICONDUCTOR CLEANING IN A VERY LOW PERCENTAGE OF PARTICLES |
| US5868150A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5873947A (en) * | 1994-11-14 | 1999-02-23 | Yieldup International | Ultra-low particle disk cleaner |
| US5878760A (en) * | 1994-11-14 | 1999-03-09 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5891256A (en) * | 1994-11-14 | 1999-04-06 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US5932027A (en) * | 1994-11-14 | 1999-08-03 | Yieldup International | Cleaning and drying photoresist coated wafers |
| US5958146A (en) * | 1994-11-14 | 1999-09-28 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids |
| US5988189A (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-23 | Yieldup International | Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks |
| US6352082B1 (en) | 1994-11-14 | 2002-03-05 | Scd Mountain View | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
| US6491043B2 (en) | 1994-11-14 | 2002-12-10 | Scd Mountain View, Inc. | Ultra-low particle semiconductor cleaner |
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