JPH1154447A - ウェハ支持治具およびそれを用いた熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的に単純構造かつ安価で、ウェハ搬送時
のトラブルが少なく、かつ大口径の半導体ウェハを積載
して熱処理を行ってもスリップの発生を抑えることがで
きるウェハ支持治具およびそれを用いた熱処理装置を提
供する。 【解決手段】 シリコンウェハを熱処理する際に、この
シリコンウェハを水平状態に支持する複数のウェハ支持
治具からなる縦型ボートであって、一対の天板間に設け
られた支柱２にそれぞれ対応して配置される複数のウェ
ハ支持治具３は、耐熱性・耐腐食性が高く、高純度で加
工精度の高い、かつシリコンウェハ５の熱膨張係数と近
く、このシリコンウェハ５よりも弾性定数の小さい材質
の石英、シリコンなどからなり、その先端の支持部４は
シリコンウェハ５の荷重を最も均等に分散でき、自重応
力が低減できるように、シリコンウェハ５の中心から半
径×（0.５５〜0.９５）程度の範囲内で３点の位置に配
置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの熱
処理を行う縦型半導体拡散装置用などの治具に関し、複
数の半導体ウェハを積載し、水平状態に支持するために
用いられるウェハ支持治具およびそれを用いた熱処理装
置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、本発明者が検討した技術とし
て、半導体デバイスの製造プロセスの一つとして、酸化
膜の形成やドーパントの拡散を行うために高温下で熱処
理を行うプロセスが考えられる。このような熱処理を行
うための装置は、横型の酸化・拡散装置に代わり、近年
は縦型酸化・拡散装置が主流となってきている。この場
合、半導体ウェハは水平に保持された状態で熱処理が行
われる。

【０００３】なお、このような縦型酸化・拡散装置など
の半導体ウェハのプロセス技術に関しては、たとえば昭
和５９年１１月３０日、社団法人電子通信学会編、株式
会社オーム社発行の「ＬＳＩハンドブック」Ｐ２５３〜
Ｐ３６４などに記載される技術などが挙げられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
な縦型酸化・拡散装置などにおいて、半導体ウェハは縦
型ボートに水平状態で所定の枚数だけ積載され、この縦
型ボートは熱処理室内へ導入され、縦型ボートに積載さ
れた複数枚のバッチサイズで熱処理が行われる。以下
は、本発明者が縦型ボートについて検討した内容であ
り、この縦型ボートを示す図８，図９に基づいて説明す
る。

【０００５】図８は、縦型ボートの構成を示すもので、
上下それぞれ対向して配置された円形の天板１ｂの間に
４本の支柱２ｂが配列されている。これらの支柱２ｂの
内側には機械研削加工によって、たとえば１００個以上
の溝９が４〜７ｍｍ程度の間隔で形成され、これらの溝
９にシリコンウェハ５を積載する。このシリコンウェハ
５は、水平方向に移動することによって縦型ボートに挿
入あるいはボートから取り出すことができる。たとえ
ば、１０００℃以下の熱処理に用いられる縦型ボート
は、主に耐熱性に優れた高純度炭化珪素製のものが用い
られている。

【０００６】ところで、この縦型ボートを用いてシリコ
ンウェハ５に１１００〜１２００℃程度の高温熱処理工
程を施すと、自重応力によるスリップと呼ばれる結晶欠
陥が発生する。スリップの長さは、ウェハ周辺からウェ
ハ中心に向かって数ｃｍにわたる。このスリップの発生
は、半導体デバイスの歩留まりを著しく低下させる原因
となるため、この点の解決が望まれている。

【０００７】図９に示すように、縦型ボートはシリコン
ウェハ５が支柱２ｂの溝９に水平方向に沿って着脱され
ることになるので、支柱２ｂはシリコンウェハ５に対す
る挿入着脱口を形成するように配置する必要がある。こ
のため、シリコンウェハ５に対して支持位置が不均等に
配置されることになり、その結果、シリコンウェハ５の
挿入方向Ｘに対して手前側の２点の支持点にかかる荷重
が大きくなる。スリップは、シリコンウェハ５の支持位
置で加わる自重応力によって発生するものと考えられて
いる。

【０００８】このような自重応力を低減し、スリップの
発生を抑える案として、シリコンウェハ５の周辺を円弧
状あるいは円環状の支持板で支持して荷重を分散させる
方法が特開平６−１６３４４０号、特開平６−１６８９
０３号、特開平６−２６０４３８号公報で提案されてい
る。これらの方法を用いれば、スリップの発生をかなり
抑えることができるが、炭化珪素製のボートを精度よく
加工するのが困難であるため、ボートが高価になる。さ
らに、ボートの構造が複雑なためにシリコンウェハ５の
搬送トラブルが多く、前記図８の支持方法に比べてウェ
ハ間隔を広くせざるを得ない。その結果、バッチサイズ
が小さくなり、生産性の低下につながるという欠点があ
る。

【０００９】また、支持位置をシリコンウェハ５の中心
寄りにすることで、シリコンウェハ５の自重応力を低減
した支持方法が特開平６−１６８９０２号公報で提案さ
れている。しかし、実際にはこの方法においても、スリ
ップの発生は避けられない。しかも、シリコンウェハ５
の内側の領域でスリップが発生するため、ウェハ周辺か
ら発生した場合に比べてさらなる不良チップの増加をも
たらす。

【００１０】たとえば、８インチウェハを図９に示すよ
うに周辺の４点で支えた場合、シリコンウェハ５の自重
応力の最大値は約0.５ＭＰａである。この値は１２００
℃程度の温度におけるシリコン結晶の降伏応力（約2.５
ＰＭａ）に比べてもかなり小さい。ところが、スリップ
の発生したシリコンウェハ５を詳細に調べると、シリコ
ンウェハ５とボートの治具とが接触した場所でシリコン
ウェハ５に損傷が生じており、スリップはそこから発生
していることが分かる。

【００１１】また、１０００℃以上程度の熱処理には炭
化珪素製の縦型ボートを用いているが、炭化珪素はシリ
コンよりも硬いため、シリコンウェハ５の積載時にこの
シリコンウェハ５に損傷が生じると考えられる。このこ
とから、スリップは自重応力の下でシリコンウェハ５の
損傷から発生すると考えられる。しかし、もし損傷がな
ければ、自重応力自体はシリコンの降伏応力以下である
ので、スリップは発生しないであろう。従って、スリッ
プの発生を抑えるにはシリコンウェハ５の損傷を防止す
ることが重要である。

【００１２】そこで、本発明の目的は、比較的に単純構
造かつ安価で、ウェハ搬送時のトラブルが少なく、かつ
大口径の半導体ウェハを積載して熱処理を行ってもスリ
ップの発生を抑えることができるウェハ支持治具および
それを用いた熱処理装置を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明によるウェハ支持治具お
よびそれを用いた熱処理装置は、半導体ウェハを水平状
態に支持して熱処理を行うための治具に適用されるもの
であり、特にスリップと呼ばれる結晶欠陥が発生しない
ように、半導体ウェハの荷重を分散させ、かつ自重応力
を最小にし得るように、半導体ウェハ内の所定領域に対
応する３点の位置に支持部を有するものである。

【００１６】具体的には、上下に配置される円形の天板
と、これらの天板の間に配置される支柱とを有する縦型
拡散装置用などの治具本体に、半導体ウェハを水平に支
持するための支持部を３点に設け、特にシリコンウェハ
の支持部として石英、あるいはシリコン、二酸化珪素、
炭化珪素などからなる突起を滑らかでかつ点接触するよ
うに取り付け、さらにこの突起を半導体ウェハの中心か
ら、半径×（0.５５〜0.９５）程度の範囲内に設けるよ
うにしたものである。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一の部材には同一の符号を付
し、その繰り返しの説明は省略する。

【００１８】図１は本発明の一実施の形態であるウェハ
支持治具からなる縦型ボートを示す構成図、図２は図１
のII−II’線に沿った切断断面図、図３は半導体ウェハ
の変形例を示す平面図、図４はウェハ支持治具の加工お
よび縦型ボートの支柱への組み込み方法を示す断面図、
図５はウェハ支持治具の変形例を示す断面図、図６は表
面酸化処理の温度サイクルを示す説明図、図７は半導体
ウェハの表面酸化処理を示す断面図である。

【００１９】まず、図１および図２により本実施の形態
のウェハ支持治具からなる縦型ボートの構成を説明す
る。

【００２０】本実施の形態の縦型ボートは、半導体ウェ
ハとして、たとえばシリコンウェハを熱処理する際に、
このシリコンウェハを水平状態に支持する複数のウェハ
支持治具からなる縦型ボートとされ、上下に配置される
一対の円形の天板１と、これらの天板１の間に配置され
る３本の支柱２と、これらの支柱２にそれぞれ対応して
配置される複数のウェハ支持治具３とから構成されてい
る。

【００２１】天板１および支柱２の材質は、耐熱性・耐
腐食性が高く、高純度で加工精度がよいものが望まし
く、炭化珪素、シリコン含浸炭化珪素、単結晶シリコ
ン、多結晶シリコンなどが挙げられる。支柱２の縦方向
に沿って、所定の間隔（たとえば６ｍｍ程度）で複数の
ウェハ支持治具３が組み込まれている。

【００２２】ウェハ支持治具３は、耐熱性・耐腐食性が
高く、高純度で加工精度の高い、かつシリコンウェハの
熱膨張係数と近く、このシリコンウェハよりも弾性定数
の小さい材質、たとえば石英からなる。この石英は１１
００℃以上の高温では強度がやや落ちるが、縦型ボート
の寿命は主に支柱２の強度によって決まるため、ウェハ
接触部のみに石英を使えば１１００℃以上の温度でも使
用に十分耐える。

【００２３】このウェハ支持治具３は、その先端の支持
部４がシリコンウェハにダメージを与えないように研磨
により滑らかに形成され、この支持部４にシリコンウェ
ハ５が水平状態で積載される。なお、このウェハ支持治
具３の材質は、石英の他に、たとえばシリコン、二酸化
珪素、炭化珪素などの、特にシリコンウェハ５の熱膨張
係数と近い材質のものが望ましい。

【００２４】また、ウェハ支持治具３の支持部４は、材
料力学の計算によれば、図２に示すように中心角が１２
０°程度の角度で３点の配置にすれば、シリコンウェハ
５の荷重を最も均等に分散でき、自重応力を低減するこ
とができる。よって、シリコンウェハ５内の３点の支持
部４の位置は、シリコンウェハ５の半径をＲとした場合
に、シリコンウェハ５の中心からＲ×（0.５５〜0.９
５）程度の範囲内に配置されるように設定されている。

【００２５】なお、図２においては、結晶方向の判別や
位置合わせを容易にするための印として、外周にフラッ
トな面を有するオリフラ型のシリコンウェハ５を例に図
示したが、たとえば図３に示すように、外周に切り欠き
を有するノッチ型のシリコンウェハ５ａについても適用
可能であることはいうまでもない。

【００２６】以上のように構成される縦型ボートに対し
て、シリコンウェハ５は図２に示す挿入方向Ｘに沿って
水平に移動することによって、シリコンウェハ５を縦型
ボートに挿入することができ、あるいは縦型ボートから
取り出すことができる。この際に、シリコンウェハ５の
反りがあったり、ウェハ支持治具３の支持部４の高さ位
置に若干の不揃いがあってもシリコンウェハ５を３点で
バランスよく支持できる。このため、前記のような４点
で支持する縦型ボートに比べてシリコンウェハ５への応
力集中が少ない。

【００２７】次に、ウェハ支持治具３の加工例および縦
型ボートの支柱２への組み込み方法の一例を図４を用い
て説明する。

【００２８】たとえば、ウェハ支持治具３は、長さが１
０〜５０ｍｍ程度、断面の一辺が３〜５ｍｍ程度の四角
柱などからなり、この先端のシリコンウェハ５が載る支
持部４は滑らかに研磨加工が施されている。８インチウ
ェハ用のウェハ支持治具３では、支持部４の長さは３〜
５ｍｍ程度が適当である。この支持部４のウェハ接触面
は、正方形となっている。

【００２９】このウェハ支持治具３の形成は、たとえば
四角柱の先端の一側面に支持部４を接合したり、あるい
は一体形の材料から研削して支持部４を作り出すような
加工を施すことも可能である。なお、ウェハ支持治具３
は、四角柱の他に、円柱などで形成することも可能であ
り、また支持部４のウェハ接触面も正方形に限らず、長
方形あるいは正円、楕円などを面取りしたものでもかま
わない。

【００３０】また、ウェハ支持治具３は、図４に示す形
状の代わりに、図５に示すように、シリコンウェハ５と
接する支持部４の接触面が点接触となるように、支持部
４ａが半球状に形成されたウェハ支持治具３ａを使って
もよい。このようなウェハ支持治具３では、特に接触面
は滑らかに研磨しておく必要がある。

【００３１】ウェハ支持治具３の形成後は、縦型ボート
のそれぞれの支柱２に、たとえば６ｍｍ程度の所定の間
隔で貫通孔６をあける。そして、この貫通孔６に対して
ウェハ支持治具３を他端側から差し込み、この他端に治
具固定部材７を溶接あるいは嵌合構造などにより固定す
る。これにより、縦型ボートの支柱２にウェハ支持治具
３を取り付けることができる。

【００３２】次に、本実施の形態の作用について、前記
のような構成による縦型ボートを用いた場合と、本発明
の前提となる前記図８に示した縦型ボートを用いた場合
との評価を、以下に述べるような熱処理実験に基づいて
説明する。

【００３３】まず、本実施の形態による縦型ボートを用
い、ウェハ支持治具３のそれぞれにシリコンウェハ５を
載せ、たとえば１００枚程度のシリコンウェハ５を縦型
ボートに積載する。そして、このシリコンウェハ５が積
載された縦型ボートを、８００℃程度に保持された熱処
理室へ１０ｃｍ／ｍｉｎ程度の速度で挿入する。

【００３４】続いて、熱処理室の温度を１０００℃程度
の温度まで８℃／ｍｉｎ程度の速度で昇温し、さらに５
℃／ｍｉｎ程度の速度で１２００℃程度の温度まで昇温
する。この１２００℃程度の温度で６時間程度の時間だ
け保持した後、８００℃程度の温度まで熱処理室の温度
を−2.５℃／ｍｉｎ程度の速度で下げる。そして、縦型
ボートを熱処理室から引き出す。

【００３５】同様に、本発明の前提となる縦型ボートを
用いて、同じように８００℃程度の温度−１０００℃程
度（５℃／ｍｉｎ程度の速度）−１２００℃程度の温度
（−2.５℃／ｍｉｎ程度の速度）による温度サイクルに
おいてシリコンウェハ５の熱処理を行う。

【００３６】熱処理後、シリコンウェハ５のＸ線トポグ
ラフ像を撮影してスリップの発生状況を調べた。その結
果、本実施の形態の縦型ボートを用いた場合にはスリッ
プはほとんど発生しなかった。一方、本発明の前提とな
る縦型ボートを用いた場合には、ほぼ全数のシリコンウ
ェハ５において、ウェハ支持部の近傍にスリップの発生
が認められた。これによって、本発明の縦型ボートがシ
リコンウェハ５のスリップ発生抑止に効果があることが
確かめられた。

【００３７】次に、半導体デバイスの製造プロセスにお
ける熱処理の一例として、具体的にシリコンウェハ５の
表面に酸化膜を形成する表面酸化処理を例に図６の温度
サイクルに基づいて説明する。

【００３８】この表面酸化処理においては、まずシリコ
ンウェハ５が積載された縦型ボートを、８００〜９００
℃程度に保持された熱処理室へ挿入する。そして、熱処
理室の温度を１０００℃程度の温度まで７〜１０℃／ｍ
ｉｎ程度の速度で昇温し、この１０００℃程度の温度で
保持する。

【００３９】その後、８００〜９００℃程度の温度まで
熱処理室の温度を−３〜−５℃／ｍｉｎ程度の速度で下
げ、シリコンウェハ５が積載された縦型ボートを熱処理
室から引き出す。これにより、たとえば図７に示すよう
に、シリコンウェハ５の表面に二酸化珪素からなる酸化
膜８を形成することができる。

【００４０】以上のように、本実施の形態による縦型ボ
ートを用いて熱処理を行い、さらに最終的にウェハ処理
工程が終了したシリコンウェハ５においては、本発明の
前提となる縦型ボートを用いた場合に比べて、チップの
欠陥数を５〜１０％程度だけ低減することができる。特
に、シリコンウェハ５が大口径になるほど、熱処理にお
ける欠陥数の低減効果が大きくなる。

【００４１】従って、本実施の形態の縦型ボートによれ
ば、シリコンウェハ５を支持するウェハ支持治具３に石
英、あるいはシリコン、二酸化珪素、炭化珪素などを用
いているので、これらの材料はシリコンよりも軟らかい
か、あるいは同じであるため、シリコンウェハ５と接触
してもシリコンウェハ５に傷が付きにくい。特に、支持
部４の接触面を滑らかに研磨し、さらに点接触となるよ
うに半球状に形成することにより、より一層、シリコン
ウェハ５に傷が付きにくくなる。その結果、多数のシリ
コンウェハ５をまとめて熱処理を行っても、スリップの
発生を抑えることができる。

【００４２】さらに、本実施の形態においては、支柱２
から延びたウェハ支持治具３の支持部４でシリコンウェ
ハ５を３点で支持するため、４点支持方法に比べてバラ
ンスよくシリコンウェハ５を支持することができ、支持
位置での極端な応力集中を避けることができる。また、
円弧状あるいは円環状の支持板で支持する方法と比べて
も、縦型ボートの構造が単純であるため、シリコンウェ
ハ５の搬送トラブルが起こりにくい。その結果、ウェハ
間隔を狭くすることができ、バッチサイズを大きくして
生産性を向上させることができる。

【００４３】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００４４】たとえば、前記実施の形態においては、半
導体ウェハとしてシリコンウェハを例に説明したが、こ
れに限定されるものではなく、ガリウムヒ素などの化合
物半導体材料などからなる他の半導体ウェハについても
適用可能であり、この場合にも半導体ウェハの熱膨張係
数と近い材料をウェハ支持治具の支持部に用いることが
必要となる。

【００４５】また、半導体デバイスの製造プロセスにお
ける熱処理としては、酸化の他に、ＣＶＤ、アニールな
どの他の製造プロセスにおいても同様に適用可能である
ことはいうまでもない。

【００４６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００４７】(1).半導体ウェハを、この半導体ウェハ内
の所定領域に対応する３点の位置に有する支持部で支持
することで、半導体ウェハの荷重を分散させ、かつ自重
応力を低減することができるので、自重応力による半導
体ウェハの損傷を防止して熱処理におけるスリップの発
生を抑えることが可能となる。

【００４８】(2).半導体ウェハを３点の位置で支持する
ことで、半導体ウェハをバランスよく支持することがで
きるので、半導体ウェハに対する支持位置での極端な応
力集中を避けることが可能となる。

【００４９】(3).熱処理のための縦型ボートの構造を単
純にすることができるので、半導体ウェハの搬送トラブ
ルが起こりにくくなり、かつ半導体ウェハのウェハ間隔
を狭くすることができるので、バッチサイズを大きくし
て生産性を向上させることが可能となる。

【００５０】(4).半導体ウェハの中心から、半径×（0.
５５〜0.９５）程度の範囲内で半導体ウェハを支持する
ことで、自重応力を最小にすることができるので、より
一層、半導体ウェハの損傷を防止して熱処理におけるス
リップの発生を抑制することが可能となる。

【００５１】(5).支持部の接触面を滑らかでかつ点接触
とすることで、半導体ウェハに対するダメージを少なく
し、かつ接触面積を小さくして半導体ウェハに対して傷
を付きにくくすることができるので、より一層、熱処理
におけるスリップの発生を抑制することが可能となる。

【００５２】(6).支持部を半導体ウェハの熱膨張係数と
近い材料、たとえばシリコンウェハの場合にはシリコン
あるいはその酸化化合物または炭化化合物とすること
で、シリコンウェハなどの半導体ウェハに傷が付きにく
くなるので、より一層、熱処理におけるスリップの発生
を抑制することが可能となる。

【００５３】(7).前記(1) 〜(6) により、比較的に単純
構造かつ安価で、ウェハ搬送時のトラブルが少なく、か
つ大口径の半導体ウェハを多数積載して熱処理を行って
も、スリップの発生を抑えることができるウェハ支持治
具、およびそれを用いた信頼性の高い熱処理が可能な熱
処理装置を提供すること可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるウェハ支持治具か
らなる縦型ボートを示す構成図である。

【図２】本発明の一実施の形態において、図１のII−I
I’線に沿った切断断面図である。

【図３】本発明の一実施の形態において、半導体ウェハ
の変形例を示す平面図である。

【図４】本発明の一実施の形態において、ウェハ支持治
具の加工および縦型ボートの支柱への組み込み方法を示
す断面図である。

【図５】本発明の一実施の形態において、ウェハ支持治
具の変形例を示す断面図である。

【図６】本発明の一実施の形態において、表面酸化処理
の温度サイクルを示す説明図である。

【図７】本発明の一実施の形態において、半導体ウェハ
の表面酸化処理を示す断面図である。

【図８】本発明の前提となる一実施の形態である縦型ボ
ートを示す構成図である。

【図９】本発明の前提となる一実施の形態において、図
８のIX−IX’線に沿った切断断面図である。

【符号の説明】 １，１ｂ 天板 ２，２ｂ 支柱 ３，３ａ ウェハ支持治具 ４，４ａ 支持部 ５，５ａ シリコンウェハ ６ 貫通孔 ７ 治具固定部材 ８ 酸化膜 ９ 溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯前 誠一 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 鈴木 匡 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 簑和 恭子 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 佐藤 友美 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 斎藤 滋晃 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 夏秋 信義 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 川村 雅雄 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハを熱処理する際に、この半
   導体ウェハを水平状態に支持するウェハ支持治具であっ
   て、前記半導体ウェハの荷重を分散させ、かつ自重応力
   を最小にし得るように、前記半導体ウェハ内の所定領域
   に対応する３点の位置に支持部を有することを特徴とす
   るウェハ支持治具。
2. 【請求項２】 請求項１記載のウェハ支持治具であっ
   て、前記支持部が支持する前記半導体ウェハ内の所定領
   域は、この半導体ウェハの中心から、半導体ウェハの半
   径×（0.５５〜0.９５）程度の範囲内にあることを特徴
   とするウェハ支持治具。
3. 【請求項３】 請求項１記載のウェハ支持治具であっ
   て、前記半導体ウェハに対する前記支持部の接触面は、
   滑らかでかつ点接触であることを特徴とするウェハ支持
   治具。
4. 【請求項４】 請求項１記載のウェハ支持治具であっ
   て、前記支持部の材質は、前記半導体ウェハの熱膨張係
   数と近い材料であることを特徴とするウェハ支持治具。
5. 【請求項５】 請求項４記載のウェハ支持治具であっ
   て、前記半導体ウェハがシリコンウェハの場合に、前記
   支持部はシリコンあるいはその化合物であることを特徴
   とするウェハ支持治具。
6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載のウ
   ェハ支持治具を用いた熱処理装置であって、複数の前記
   ウェハ支持治具からなる縦型ボートに前記半導体ウェハ
   をそれぞれ水平状態に積載し、この縦型ボートを熱処理
   室内に導入して、この熱処理室内で複数枚の半導体ウェ
   ハの熱処理を行うことを特徴とする熱処理装置。