JP2008085206A - 半導体ウェーハ熱処理用ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リング状の支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートでありながら、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハ熱処理用ボートを提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートであって、このリング状の半導体ウェーハ支持部の半導体ウェーハ支持面が、半導体ウェーハが接触する上段面と、この上段面に対しリング状の半導体ウェーハ支持部のリング中心側に位置し半導体ウェーハが接触しない少なくとも一つの下段面からなる段差形状となっていることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボートおよびこれを用いた熱処理方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェーハを高温熱処理する際に用いられる半導体ウェーハ熱処理用ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法に関する。

近年、半導体製造プロセスにおける酸化、拡散、ＣＶＤ等の高温熱処理では、従来の横型炉にかえて、縦型炉が多用されるようになっている。この縦型炉では、シリコンウェーハ（以下、特に断らない限り、ウェーハともいう）が半導体ウェーハ熱処理用ボート（以下、単にボートともいう）に水平、平行且つ等間隔に積載され処理される。この処理の際、従来、ウェーハ外周の数点でウェーハを支える構造（点支持タイプ）の支持部を有するボートが使用されていた。

もっとも、上記高温熱処理の処理温度は、数百度〜千度以上である。このため、ウェーハ外周の数点のみで、ウェーハを支える構造のボートでは、ウェーハと支持部の間に生ずる熱膨張差に起因する摩擦や、ウェーハの自重による変形等に伴う応力のため、支持部とウェーハの接触部近傍にスリップ転位が発生する場合がある。近年、半導体デバイスの製造に用いられるシリコンウェーハは直径２００ｍｍ（８インチ）や３００ｍｍ（１２インチ）が主流となり、さらには直径４００ｍｍ（１６インチ）化が検討されるなど、大口径化が進行している。この大口径化によりウェーハの自重も増加し、ウェーハ支持部での応力も大きくなるため、上述のスリップ転位発生がより顕著になってきた。そして、スリップ転位は、半導体デバイスの歩留まり低下につながる恐れがある。そのため、スリップ転位を抑制する手段が必要とされている。

そこで、このスリップ転位を抑制する一つの手段として、リング状の半導体ウェーハ支持部を有するボートを使用することが試みられている（例えば、特許文献１参照。）。このようなボートによれば、ウェーハを点ではなく、面で支持することになるため、ウェーハと支持部の摩擦や、ウェーハ支持部での応力が小さくなりスリップ転位の発生が抑制される。
特開２００５−２６４６３号公報

このように、リング状の半導体ウェーハ支持部を有するボートを用いることによって、スリップ転位の発生は抑制されるが、別の問題として、ウェーハと支持部材料の溶着に起因する問題が深刻になる。

一般に、処理温度が、数百度〜千度以上という高温になること、また、ウェーハへの不純物汚染抑制の要請があることから、ウェーハ支持部の部材としては、耐熱性があり純度の高いシリコンや炭化珪素が用いられる。しかしながら、シリコンや炭化珪素は熱処理中にシリコンウェーハと反応して溶着が生じやすい。そして、溶着により発生したウェーハ裏面突起物は、ウェーハをリソグラフィー工程でステッパにチャックした際に、チャックステージと干渉して局所的にフラットネスを悪化させる。そのため、デフォーカスが生じ、不良デバイスが発生する原因となる。

そして、点ではなく面でウェーハを支持するリング状の支持部を用いると、接触面積が大きくなる分、溶着の生じうる面積も必然的に拡大するため、ウェーハと支持部材料の溶着に起因する問題が一層深刻になる。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、リング状の支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートでありながら、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハ熱処理用ボートを提供することを目的とする。
また、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハの熱処理方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の半導体ウェーハ熱処理ボートは、
複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートであって、
前記リング状の半導体ウェーハ支持部の半導体ウェーハ支持面が、前記半導体ウェーハが接触する上段面と、前記上段面に対し前記リング状の半導体ウェーハ支持部のリング中心側に位置し前記半導体ウェーハが接触しない少なくとも一つの下段面からなる段差形状となっていることを特徴とする。

この時、前記上段面と前記半導体ウェーハとの接触部の最内周側位置が、前記半導体ウェーハのウェーハエッジより前記半導体ウェーハ中心に向かって０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることが望ましい。

前記リング状の半導体ウェーハ支持部は、シリコン、炭化珪素または石英からなることが望ましい。

本発明の一態様の半導体ウェーハ熱処理方法は、
複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートを用いた半導体ウェーハの熱処理方法であって、
前記半導体ウェーハ支持部と前記半導体ウェーハとの接触部の最内周側位置が、前記半導体ウェーハのウェーハエッジより前記半導体ウェーハ中心に向かって０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲とすることを特徴とする。

本発明の一態様の半導体ウェーハ熱処理方法は、
複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートを用いた半導体ウェーハの熱処理方法であって、
前記半導体ウェーハ支持部と前記半導体ウェーハを前記半導体ウェーハのべベル部のみで接触させることを特徴とする。

本発明の半導体ウェーハ熱処理ボートを適用することにより、リング状の支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートでありながら、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハ熱処理用ボートを提供することが可能となる。
また、本発明の半導体ウェーハ熱処理方法を適用することにより、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハの熱処理方法を提供することが可能となる。

以下、本発明に係る半導体ウェーハ熱処理用ボート（ウェーハ熱処理ボートとも言う。）および半導体ウェーハの熱処理方法の実施の形態を、シリコンウェーハを例にして、図面に沿って説明する。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１のウェーハ熱処理用ボートは、シリコンウェーハを積載するためのリング状のウェーハ支持部が、シリコンウェーハが接触する上段面と、シリコンウェーハが接触しない下段面を有する段差形状となっていることを特徴とする。また、本実施の形態のシリコンウェーハの熱処理方法は、上記ウェーハ熱処理用ボートを用いてシリコンウェーハを熱処理することを特徴とする。

（熱処理用ボート）
図１は、本発明の実施の形態のウェーハ熱処理用ボートを示す図である。
図１（ａ）は、本実施の形態のウェーハ熱処理用ボートの外観を示す図である。
図１（ａ）では、ウェーハ熱処理用ボート１００は、例えばシリコンからなるリング形状を有する上板１０２及びリング形状を有する下板１０３が、上下板間に配設された３本の例えばシリコンからなるからなる支柱１０４により固定されている。各支柱１０４には、シリコンウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状のウェーハ支持部１１０が支柱１０４に着脱可能に設けられている。そして、ウェーハ支持部１１０の上面が、シリコンウェーハ保持面とされる。

図１（ｂ）は、ウェーハ支持部１１０の上面図である。シリコンウェーハ支持部１１０は、内部が開口したリング形状をしており、上述のように各支柱１０４に着脱可能に設けられている。このウェーハ支持部１１０の部材としては、耐熱性があり、純度を高くできるためウェーハへの不純物汚染を抑制することが可能なシリコン、炭化珪素あるいは石英であることが望ましい。

図１（ｃ）は、シリコンウェーハ１２０を積載したウェーハ支持部１１０のＡ−Ａ’（図１（ｂ））における断面図である。支柱１０４に載置されたウェーハ支持部１１０は、シリコンウェーハが接触する上段面１１４と、シリコンウェーハが接触しない下段面１１６を有する２段の段差形状になっている。上段面１１４と下段面１１６との段差については、ウェーハリングの径、材質、ウェーハの厚み、ウェーハの重さやプロセス温度等を考慮して、熱処理時に確実にシリコンウェーハ１２０が下段面１１４に接触しないように設計される。

このように、本実施の形態の熱処理用ボート１００においては、リング状のウェーハ支持部１１０を段差形状にしている。このため、同一内外径のリング状のウェーハ支持部で段差を設けないものを有する熱処理用ボートと比較して、シリコンウェーハ１２０がウェーハ支持部１１０と接触する面積を限定している。そして、接触する面積を限定することにより、熱処理中にシリコンウェーハ１２０とウェーハ支持部１１０の溶着が生じうる面積を減少させ、リソグラフィー工程における溶着に起因するデフォーカス不良を抑制することが可能となる。また、一方で、単にリング状の支持部のリング幅を減少させるのではなく、シリコンウェーハ１２０に接触しない下段面１１６の部分を設けることにより、ウェーハ支持部１１０の機械的強度を保持し、例えば、ウェーハ支持部１１０を移載する場合や、洗浄する場合等の破損、あるいは、熱処理による変形等を防止することが可能となっている。また、ある程度の幅を確保できることにより、自動移載機等での保持も容易となる。

確かに、本実施の形態のようにウェーハ支持部に段差を設けるのではなく、単に、リング幅を維持したまま、リングの径を広げることによって、本実施の形態同様、溶着の問題を抑制しつつ、ウェーハ支持部の機械的強度を保持することも可能である。しかし、この場合は、リング状のウェーハ支持部の径が広がることにより、ボートの径、縦型炉の反応管の径あるいは縦型炉自体のサイズも大きくせざるを得ない。したがって、ボートや縦型炉のコストが上昇したり、ウェーハ支持部やボートのハンドリングが難易になったりする等のあらたな問題が生じるため好ましくない。

なお、本実施の形態において、上段面１１４とシリコンウェーハ１２０の接触部の最内周側位置が、シリコンウェーハのウェーハエッジよりウェーハ中心に向かって０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることが望ましい。また、１．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることがより望ましい。すなわち、図２に示す断面図のシリコンウェーハの接触部の最内周側位置とウェーハエッジの距離ｄが、０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることが望ましく、１．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることがより望ましい。
このように、ｄの上限を３．５ｍｍとすることが望ましい理由は、リソグラフィー装置において、シリコンウェーハを載置するウェーハチャックは、ウェーハ外周から３．５ｍｍの範囲よりサイズが小さく、ウェーハ裏面に接触しないのが一般的だからである。
また、ｄの下限を０．５ｍｍ、より望ましくは１．５ｍｍとする理由は、図３に示すｄ（上段面幅と呼ぶ）と、シリコンウェーハのスリップ長（スリップ転位の長さ）との関係から明らかなように、１．５ｍｍを下回ると、スリップ長が増加を始め、０．５ｍｍを下回ると、スリップ転位のスリップ長が急増し、半導体デバイスの製造歩留まりに与える影響が甚大になる恐れがあるからである。
なお、図３は、φ２００ｍｍのシリコンウェーハを、１００％Ａｒ、１２００℃、１ｈｒで処理した場合のデータである。

また、ウェーハ支持部１１０の材料をシリコンとする場合には、図２に示す下段板厚（下段面の部分の板厚）ｔ２は、０．７ｍｍ以上、より好ましくは１．０ｍｍ以上であることが望ましい。
これは、ｔ２が０．７ｍｍ未満の場合には、図４に示す下段板厚ｔ２とシリコンウェーハのスリップ長の関係から、１．０ｍｍを下回ると、スリップ長が増加を始め、０．７ｍｍを下回ると、スリップ転位のスリップ長が急増し、半導体デバイスの製造歩留まりに与える影響が甚大になる恐れがあるからである。このように、下段板厚が薄くなることにより、スリップ長が増大するのは、リング状であるウェーハ支持部の変形量が大きくなり、リングを支えるボート溝での支持が強調される（リングがない状態に近づく）ことによると考えられる。
なお、図４は、φ２００ｍｍのシリコンウェーハを、１００％Ａｒ、１２００℃、１ｈｒで処理した場合のデータである。

また、ここではウェーハ支持部の下段面は１段のみとしたが、必ずしも１段に限らず複数段の、シリコンウェーハに接触しない下段面を設けても構わない。

以上のように、本実施の形態の半導体ウェーハ熱処理ボートを適用することにより、リング状の支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートでありながら溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハ熱処理用ボートを提供することが可能となる。

（熱処理方法）
次に、上記熱処理用ボートを用いたシリコンウェーハの熱処理方法について、シリコンウェーハに酸化膜を形成する場合を例にして記載する。

図５は、本実施の形態の熱処理方法で用いられる縦型炉の内部を、模式的に示した縦断面説明図である。縦型炉２０４は、図５に示したように、その外形を構成するケーシング３０２がベースプレート３０４の上面に固着されて、鉛直方向に設置されている。このケーシング３０２の内周表面には、例えば抵抗発熱体によって構成されたヒーター３０８が設けられている。そして、適宜の温度制御装置（図示せず）によって、反応管２０６内を所定の温度、例えば、８００℃〜１２００℃の間の任意の温度に加熱、維持することが可能なように構成されている。

処理領域を形成する反応管２０６は、上端が閉口している筒状の外管３１０と、この外管３１０の内周に位置する上端が開口した筒状の内管３１２とによって構成された二重構造を有している。そして、これら各外管３１０と内管３１２は、おのおの例えばステンレスからなる管状のマニホールド３１４によって気密に支持されている。また、このマニホールド３１４の下端部には、フランジ３１６が一体形成されている
マニホールド３１４上部側面には、外管３１０と内管３１２との間の空間からガスを排出して、反応管２０６内の処理領域を所定の雰囲気に設定・維持するための例えば真空ポンプ３１８に通ずる排気管３２０が気密に接続されている。

また、マニホールド３１４の下部側面には、例えばシリコン酸化膜形成用処理ガスである例えば、Ｏ_２（酸素）ガス、Ｎ_２（窒素）ガスを、内管３１２内に導入するための第１ガス導入管３２２、第２ガス導入管３２４がそれぞれ気密に接続されている。そして、これら第１ガス導入管３２２、第２ガス導入管３２４のガスノズル３２２ａ、３２４ａは、それぞれ内管３１２内に突出している。これら第１ガス導入管３２２、第２ガス導入管３２４は、それぞれ対応する所定のマスフロー・コントローラ３２６、３２８を介して、処理ガスの所定の供給源（図示せず）に接続されている。

シリコンウェーハ１２０に酸化膜を形成する場合、まず、ヒーター３０８を発熱させて、反応管２０６内の温度を例えば７５０℃まで加熱して置く。そして、本実施の形態の熱処理用ボート１００に、シリコンウェーハ１２０が所定枚数搭載される。次に、ボートエレベータ２１２が上昇し、熱処理用ボート１００を上昇させ、ウェーハ１２０を反応管２０６の内管３１２内にロードさせる。
次いで真空ポンプ３１８によって反応管２０６内部を真空引きし、所定の減圧雰囲気まで減圧した後、反応管２０６内の温度を所定の温度、例えば１０５０℃まで加熱する。その後、例えば、第１ガス導入管３２２からＯ_２（酸素）ガスを、第２導入管３２４からＮ_２（窒素）ガスを内管３１２内に導入させるとシリコンウェーハであるウェーハ１２０表面にシリコン酸化膜が形成される。

本実施の形態の半導体ウェーハ熱処理方法においては、上記本実施の形態の半導体熱処理用ボート１００にウェーハを搭載している。したがって、本実施の形態の半導体ウェーハ熱処理方法を適用することにより、溶着に起因する問題を抑制できる半導体ウェーハの熱処理用方法を提供することが可能となる。

なお、ここでは、シリコンウェーハにシリコン酸化膜形成処理を行う構成について記載したが、シリコンウェーハに熱処理を施す熱処理方法であれば、シリコン酸化膜形成処理でなくとも、例えば窒化膜形成処理等のＣＶＤ処理や、不活性ガス等によるアニール処理を行う場合であっても構わない。

（実施の形態２）
本実施の形態のウェーハ熱処理用ボートは、図６に示すように、リング状のウェーハ支持部１２０の最外周部に、シリコンウェーハ１２０のストッパ１１８が設けられていることを特徴とする。この、ストッパ１１８を設ける以外については実施の形態１と同様であるので記述を省略する。
このストッパ１１８により、シリコンウェーハの接触部の最内周側位置とウェーハエッジの距離ｄをより精度よくコントロールすることが可能となり、溶着に起因する問題を抑制する上で、さらに有効である。

（実施の形態３）
本実施の形態のウェーハ体熱処理用ボートは、図７に示すように、リング状のウェーハ支持部１２０が支柱１４０と一体成形あるいは固着されていることを特徴とする。一体成形あるいは固着されていること以外については実施の形態１と同様であるので記述を省略する。
実施の形態１では、リング状のウェーハ支持部１２０が支柱と着脱可能である場合について記載したが、本実施の形態のように、リング状のウェーハ支持部１１２が支柱１０４と一体成形あるいは固着されている場合であっても、実施の形態１と同様の作用・効果が得られる。

（実施の形態４）
本実施の形態のウェーハ熱処理用ボートは、図８に示すように、リング状のウェーハ支持部１１２の周方向の一部に切欠きが設けられていることを特徴とする。この切欠きが設けられていること以外は、実施の形態１または実施の形態３と同様であるので記述を省略する。
このような、切欠きを設けた場合、特に実施の形態３のように、リング状のウェーハ支持部１１２が支柱１４０と一体成形あるいは固着されている場合に、ロボットアームによるシリコンウェーハの移載を容易にする上で効果的である。本実施の形態においても、実施の形態１、３と同様の作用・効果が得られることに変わりはない。

（実施の形態５）
本実施の形態のウェーハの熱処理方法は、図９に示すように、リング状のウェーハ支持部１１０とシリコンウェーハ１２０を、シリコンウェーハ１２０のベベル部のみで接触させて処理を行うことを特徴とする。ベベル部のみで接触させていること以外は、実施の形態１の熱処理方法と同様であるので記述を省略する。
このように、ベベル部のみでリング状のウェーハ支持部１１０とシリコンウェーハ１２０を接触させて熱処理を施した場合、例え、ウェーハに溶着が生じても、ベベル部にリソグラフィー装置のウェーハチャックが接触することはありえないため、溶着による半導体デバイスの製造歩留まり低下の問題がまったく生じないという効果がある。

以上、シリコンウェーハを例として、本発明の半導体ウェーハ熱処理用ボートおよび半導体ウェーハの熱処理方法について記載した。しかし、半導体ウェーハであれば、シリコンウェーハに限られることはなく、例えばＧａＡｓウェーハ等の化合物半導体ウェーハであってもよい。
また、縦型炉２０４についても、上述の構造は一例に過ぎず、温度および雰囲気をコントロールすることが可能であれば、いかなる構造であっても適用することが可能である。

上記の実施の形態は一例を記載したものに過ぎず、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない、上記の実施の形態に基づく当業者によるいかなる変形例、変更も本発明の範疇に含まれることは言うまでもない。

（実施例）
本実施例では、図１に示す本発明のシリコンからなる半導体ウェーハ熱処理用ボート１００を用いて、径２００ｍｍ（８インチ）のＣＺシリコンウェーハ（ボロンドープ、抵抗１０Ω・ｃｍ、酸素濃度１．２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）に熱処理を行った。
ボートに設けられたリング状のウェーハ支持部１１０もシリコン製で、上段面１１４は、シリコンウェーハ１２０の接触部の最内周側位置とウェーハエッジの距離ｄが３．０ｍｍとなるように構成した。上段板厚ｔ１（図２参照）は１．３ｍｍ、下段板厚ｔ２（図２参照）は１．０ｍｍ、リング状のウェーハ支持部内径は１４０ｍｍとした。
熱処理は、内管径２６０ｍｍで１１０枚チャージの縦型炉に、１１０枚のウェーハを搭載したボート１００を導入し、Ａｒガス１００％雰囲気、１２００℃、1時間の条件で行なった。
熱処理後のシリコンウェーハ１枚について、発生したスリップをＸ線トポグラフィー法（ラング法）で撮影し、定規で総スリップ長を測定した。Ｘ線トポグラフィー法の装置として「リガク社製Ｘ線トポグラフィー」を使用した。結果を図１０に示す。

（比較例１）
従来のシリコンからなるウェーハ熱処理用ボートを用いる以外は実施例と同一の条件で、シリコンウェーハに熱処理を施した。
この熱処理用ボートは、３点支持タイプのウェーハ支持部を有し、シリコンウェーハの接触部の最内周側位置とウェーハエッジの距離が１０．０ｍｍとなるように構成した。
実施例と同様に総スリップ長を評価した結果を図１０に示す。

（比較例２）
シリコンウェーハを積載するためのリング状のウェーハ支持部が、段差形状となっていないウェーハ熱処理用ボートを用いる以外は実施例と同一の条件で、シリコンウェーハに熱処理を施した。
この熱処理用ボートは、面支持タイプのウェーハ支持部を有し、シリコンウェーハの接触部の最内周側位置とウェーハエッジの距離が３０．０ｍｍとなるように構成した。
実施例と同様に総スリップ長を評価した結果を図１０に示す。

図１０に示されるように、比較例１の従来の点支持タイプの熱処理用ボートで処理したシリコンウェーハの総スリップ長は１００ｍｍであった。また、比較例２の面支持タイプの熱処理用ボートで処理したシリコンウェーハの総スリップ長は１０ｍｍであった。これに対し、本発明の場合、総スリップ長１５ｍｍであった。よって、比較例１の従来の点支持タイプに対する実施例の対する優位性が確認された。そして、ウェーハ外周から３０ｍｍを面支持するタイプである比較例２に対しては、わずかに総スリップ長が大きくなるが、ほぼ遜色のない結果を得ることができた。
したがって、本発明によれば、溶着の発生位置を、リソグラフィー工程で影響を受けないウェーハ外周から３．５ｍｍの範囲にとどめ、かつ、スリップの低減も図ることが可能であることが明らかになった。

実施の形態１および実施例のウェーハ熱処理用ボートを示す図である。 実施の形態１のウェーハ熱処理用ボートの断面図である。 上段面幅とスリップ長の関係を示す図である。 下段板厚とスリップ長の関係を示す図である。 実施の形態の縦型炉の模式的縦断面図である。 実施の形態２のウェーハ熱処理用ボートの断面図である。 実施の形態３のウェーハ熱処理用ボートの断面図である。 実施の形態４のウェーハ熱処理用ボートの上面図である。 実施の形態５で用いるウェーハ熱処理用ボートの断面図である。 実施例・比較例の総スリップ長の測定結果を示す図である。

符号の説明

１００ ウェーハ熱処理用ボート
１０４ 支柱
１１０ ウェーハ支持部
１１４ 上段面
１１６ 下段面
１１８ ストッパ
１２０ シリコンウェーハ
２０４ 縦型炉

Claims (5)

1. 複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートであって、
   前記リング状の半導体ウェーハ支持部の半導体ウェーハ支持面が、前記半導体ウェーハが接触する上段面と、前記上段面に対し前記リング状の半導体ウェーハ支持部のリング中心側に位置し前記半導体ウェーハが接触しない少なくとも一つの下段面からなる段差形状となっており、
   前記上段面と前記半導体ウェーハとの接触部の最内周側位置が、前記半導体ウェーハのウェーハエッジより前記半導体ウェーハ中心に向かって０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲にあることを特徴とする半導体ウェーハ熱処理用ボート。
2. 前記リング状の半導体ウェーハ支持部は、シリコン、炭化珪素または石英からなることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ熱処理用ボート。
3. 前記リング状の半導体ウェーハ支持部はシリコンからなり、前記下段面の部分の板厚が０．７ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ熱処理用ボート。
4. 複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートを用いた半導体ウェーハの熱処理方法であって、
   前記半導体ウェーハ支持部と前記半導体ウェーハとの接触部の最内周側位置が、前記半導体ウェーハのウェーハエッジより前記半導体ウェーハ中心に向かって０．５ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲とすることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法。
5. 複数の半導体ウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のリング状の半導体ウェーハ支持部を有する半導体ウェーハ熱処理用ボートを用いた半導体ウェーハの熱処理方法であって、
   前記半導体ウェーハ支持部と前記半導体ウェーハとを前記半導体ウェーハのべベル部のみで接触させることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法。
   

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