JPS6022314A - 半導体基板用ボ−ト - Google Patents
半導体基板用ボ−トInfo
- Publication number
- JPS6022314A JPS6022314A JP13031183A JP13031183A JPS6022314A JP S6022314 A JPS6022314 A JP S6022314A JP 13031183 A JP13031183 A JP 13031183A JP 13031183 A JP13031183 A JP 13031183A JP S6022314 A JPS6022314 A JP S6022314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- semiconductor substrate
- boat
- parallel
- grooves
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体基板用ボートの構造に係９、特に半導
体基板に酸化膜を形成する工程、不純物を拡散する工程
などで複数の半導体基板を互いに平行に立て整列させて
支持するためのボートの改良構造に関する。
体基板に酸化膜を形成する工程、不純物を拡散する工程
などで複数の半導体基板を互いに平行に立て整列させて
支持するためのボートの改良構造に関する。
半導体基板に酸化膜形成、ＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａ
ｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、不純物拡散等
の加熱を伴なう処理工程で加熱容器中に半導体基板を並
立させて支持し装入するのに半導体基板用ボート（以降
ボートと略称する）が用いられている。
ｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、不純物拡散等
の加熱を伴なう処理工程で加熱容器中に半導体基板を並
立させて支持し装入するのに半導体基板用ボート（以降
ボートと略称する）が用いられている。
第１図には叙上を説明するための加熱処理装置の要部を
示し、図の（１）は石英管で形成された加熱容器で、加
熱部（２）で包囲され半導体基板（３１、（３）・・・
を載せたボート（４）を内装し、この容器内を所定の雰
囲気に維持して（雰囲気形成装置は図示省略）加熱し処
理が施されるようになっている。
示し、図の（１）は石英管で形成された加熱容器で、加
熱部（２）で包囲され半導体基板（３１、（３）・・・
を載せたボート（４）を内装し、この容器内を所定の雰
囲気に維持して（雰囲気形成装置は図示省略）加熱し処
理が施されるようになっている。
上記従来のボート（４）は第２図および第３図に示され
るように、半導体基板（３）の直径（Ｄ）よシも小なる
間隔（ｄ）で平行に配置された１対の石英管（５ａ）
。
るように、半導体基板（３）の直径（Ｄ）よシも小なる
間隔（ｄ）で平行に配置された１対の石英管（５ａ）
。
（５ｂ）が各端部を石英ロッド（６ａ） 、 （６ｂ）
に融着固定されている。また、上記石英管にはこれらが
占める平面の一側（図示の石英管の上側）に管軸に直角
で、かつ両石英管について対の溝（７ａ）、（７ａ）・
・・。
に融着固定されている。また、上記石英管にはこれらが
占める平面の一側（図示の石英管の上側）に管軸に直角
で、かつ両石英管について対の溝（７ａ）、（７ａ）・
・・。
（７ｂ）、（７ｂ）・・・が多数刻設されておυ、これ
らの溝は支持される半導体基板の厚さよシも若干広く、
すなわち、半導体基板の挿入が容易であるとともに挿入
されたのちに隣シの半導体基板に接触しない寸法に形成
される。上記の一例は一方の石英管における溝間距離（
溝のセンターセンタ間）が３／１６インチで、溝幅が０
．６５ ｍｍに、また、石英管は径２０龍、平行の間隔
は外側間で７０順のものが一般に用いられている。
らの溝は支持される半導体基板の厚さよシも若干広く、
すなわち、半導体基板の挿入が容易であるとともに挿入
されたのちに隣シの半導体基板に接触しない寸法に形成
される。上記の一例は一方の石英管における溝間距離（
溝のセンターセンタ間）が３／１６インチで、溝幅が０
．６５ ｍｍに、また、石英管は径２０龍、平行の間隔
は外側間で７０順のものが一般に用いられている。
最近、半導゛体基板に径大のものが用いられる傾向が＄
、９．９０ｎ＋から１２５ｊＩ１ｍのものが用いられて
いる。これに対し、溝幅を変更することによシ半導体基
板を装入させることはできるが、大径の為隣シ合う半導
体基板同士が接触し、半導体基板に施こされる処理が不
均一になる。すなわち、接触部においては拡散不純物濃
度が零に近く、その周縁に段階状に低濃度域が発生する
。また、ＣＶＤ工程においては成長層厚さにばらつきを
生じ、所望厚さに満たない領域が生ずるなどの重大な欠
点がある。
、９．９０ｎ＋から１２５ｊＩ１ｍのものが用いられて
いる。これに対し、溝幅を変更することによシ半導体基
板を装入させることはできるが、大径の為隣シ合う半導
体基板同士が接触し、半導体基板に施こされる処理が不
均一になる。すなわち、接触部においては拡散不純物濃
度が零に近く、その周縁に段階状に低濃度域が発生する
。また、ＣＶＤ工程においては成長層厚さにばらつきを
生じ、所望厚さに満たない領域が生ずるなどの重大な欠
点がある。
なお、上記において溝間距離（ピッチ）を大にすれば問
題は解消できることは明らかであるが、生産性が悪く、
自動化された工程では前後の他の工程に用いている半導
体基板の支持具との間で半導体基板の移し替えを同一ピ
ッチ行なう必要があるたΔ めピッチを変えることは他の工程へも影響を及ぼし、変
更は極めて、困難である。
題は解消できることは明らかであるが、生産性が悪く、
自動化された工程では前後の他の工程に用いている半導
体基板の支持具との間で半導体基板の移し替えを同一ピ
ッチ行なう必要があるたΔ めピッチを変えることは他の工程へも影響を及ぼし、変
更は極めて、困難である。
この発明は斜上の従来の問題点を改良するもので、半導
体基板用ボートの改良構造を提供する。
体基板用ボートの改良構造を提供する。
この発明にかかる半導体基板用ボートは、半導体基板の
直径よりも小さい間隔の平行な上部と、上部よシも間隔
の狭い下部の２段の管状耐熱部材を半導体基板の半径よ
シも小さい間隔で平行に配置し、前記各耐熱部材に多数
刻設されたほぼ等間隔の溝を設けて、６溝に半導体基板
の周縁部を挿通させることによシ、＃１は平行に整列さ
せて支持できるようにしたものである。
直径よりも小さい間隔の平行な上部と、上部よシも間隔
の狭い下部の２段の管状耐熱部材を半導体基板の半径よ
シも小さい間隔で平行に配置し、前記各耐熱部材に多数
刻設されたほぼ等間隔の溝を設けて、６溝に半導体基板
の周縁部を挿通させることによシ、＃１は平行に整列さ
せて支持できるようにしたものである。
次にこの発明を１実施例につき図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第４図および第５図に示すように、従来と同じ対の下部
石英管（５ａ）、（５ｂ）の配置の上方で半導体基板の
半径よシ小なる高さに半導体基板の直径よシ小さく上記
下部石英管（５ａ）、（５ｂ）の間隔よシ大きい間隔に
配置された対の上部石英管（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）を備
える。上記上部石英管は下部石英管の上面に刻設された
溝（７ａ）、（７ａ）−、（７ｂ）、（７ｂ）−・・と
同じ寸法の溝（１２ａ）、（１２ａ） −、（１２ｂ）
、（１２ｂ） ・−が対向側面ないしこれよシも僅かに
上面にかけて刻設されており、上部および下部の石英管
の対応する６溝（７ａ）、（７ｂ）、（１２ａ）、（１
２ｂ）によって１枚の半導体基板の周縁部を支持するよ
うになっている。
石英管（５ａ）、（５ｂ）の配置の上方で半導体基板の
半径よシ小なる高さに半導体基板の直径よシ小さく上記
下部石英管（５ａ）、（５ｂ）の間隔よシ大きい間隔に
配置された対の上部石英管（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）を備
える。上記上部石英管は下部石英管の上面に刻設された
溝（７ａ）、（７ａ）−、（７ｂ）、（７ｂ）−・・と
同じ寸法の溝（１２ａ）、（１２ａ） −、（１２ｂ）
、（１２ｂ） ・−が対向側面ないしこれよシも僅かに
上面にかけて刻設されており、上部および下部の石英管
の対応する６溝（７ａ）、（７ｂ）、（１２ａ）、（１
２ｂ）によって１枚の半導体基板の周縁部を支持するよ
うになっている。
なお、溝間の距離（ピッチ）は既に述べたように３／１
６インチと変わらず、上部石英管は半導体基板に与える
熱的な影響を低減するために石英管を加工し、しかも径
１０顛、肉厚２ ｍｍのものを用い、溝深さは一例とし
て５露に加工した。なお、−例の寸法を第５図によって
示した。また、溝数は前後の半導体基板の支持具、例え
ばカセット１個の収容数に合わせて２５個にした。
６インチと変わらず、上部石英管は半導体基板に与える
熱的な影響を低減するために石英管を加工し、しかも径
１０顛、肉厚２ ｍｍのものを用い、溝深さは一例とし
て５露に加工した。なお、−例の寸法を第５図によって
示した。また、溝数は前後の半導体基板の支持具、例え
ばカセット１個の収容数に合わせて２５個にした。
なお、このボートはＣＶＤにも適用できる。
この発明によれば半導体基板の周縁部を４個所で支持す
るので、ボート上で脚シ合う半導体基板同士の接触は完
全に防止され、生成されるシ、リコン化合物の膜厚、、
あるいは拡散不純物濃度等にばらつき等を生じないとい
う顕著な利点がある。
るので、ボート上で脚シ合う半導体基板同士の接触は完
全に防止され、生成されるシ、リコン化合物の膜厚、、
あるいは拡散不純物濃度等にばらつき等を生じないとい
う顕著な利点がある。
また、半導体基板の大径化に対して溝間距離（ピッチ）
を大にすることなく対応でき、斜上の効果を収める。
を大にすることなく対応でき、斜上の効果を収める。
さらに、溝間距離（ピッチ）が変わらないので、前後の
工程で用いられる半導体基板支持具、例えばカセット等
との間に半導体基板の移し替えが容易で、工程の自動化
に効果がある。
工程で用いられる半導体基板支持具、例えばカセット等
との間に半導体基板の移し替えが容易で、工程の自動化
に効果がある。
次に、この発明は上部の半導体基板支持部材に石英管を
用い、しかも下部のそれよりも細いものにしているので
特に熱容量が小さくなっている。
用い、しかも下部のそれよりも細いものにしているので
特に熱容量が小さくなっている。
このことは、例えば拡散炉にボートを装入する際に問題
になる炉温降下を低減でき、また、この少ない炉温降下
からの復帰も迅速であるので、良好な拡散特桂が得られ
る効果もある。
になる炉温降下を低減でき、また、この少ない炉温降下
からの復帰も迅速であるので、良好な拡散特桂が得られ
る効果もある。
第１図は加熱処理装置の要部を示す断面図、第２図は背
景技術のボートに半導体基板を載せて示す斜視図、第３
図は第２図の断面図、第４図はこの発明にかかる１実施
例のボートに半導体基板を載せて示す斜視図、第５図は
第４図の断面図である。 １ 加熱容器 ３．３・・・ 半導体基板 ５ａ、５ｂ 下部石英管 ７ａ、７ｂ溝 １１ａ、ｌｌｂ 上部石英管 代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 第 ３ 図 ′７″−□→ 第 ４ＷＩ 第 ５ 図 Ｊ４ａｔｆｆＬ
景技術のボートに半導体基板を載せて示す斜視図、第３
図は第２図の断面図、第４図はこの発明にかかる１実施
例のボートに半導体基板を載せて示す斜視図、第５図は
第４図の断面図である。 １ 加熱容器 ３．３・・・ 半導体基板 ５ａ、５ｂ 下部石英管 ７ａ、７ｂ溝 １１ａ、ｌｌｂ 上部石英管 代理人 弁理士 井 上 −男 第１図 第 ３ 図 ′７″−□→ 第 ４ＷＩ 第 ５ 図 Ｊ４ａｔｆｆＬ
Claims (1)
- 半導体基板の直径よシも小さい間隔が設けられ７’ｃ１
対の平行な上部管状耐熱部材と、前記半導体基板の半径
よシも小さな間隔で前記上部管状耐熱部材と平行に隔た
り、かつ上部管状耐熱部材よりも小さい間隔で平行に配
置された１対の下部前記上部管状耐熱部材より細い管状
耐熱部材と、前記各耐熱部材に多数刻設された等間隔の
溝とを備え、前記６溝に半導体基板の周縁部を挿通させ
複数の半導体基板を互いにほぼ平行に支持することを特
徴とする半導体基板用ボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031183A JPS6022314A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体基板用ボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13031183A JPS6022314A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体基板用ボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022314A true JPS6022314A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15031285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13031183A Pending JPS6022314A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体基板用ボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022314A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268235U (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | ||
| JPH01259528A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置及び半導体ウエハ熱処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688314A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Hitachi Ltd | Wafer holding jig |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13031183A patent/JPS6022314A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688314A (en) * | 1979-12-21 | 1981-07-17 | Hitachi Ltd | Wafer holding jig |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268235U (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-28 | ||
| JPH01259528A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハ熱処理装置のウエハ支持装置及び半導体ウエハ熱処理装置 |
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