JPH0590392A - 縦型拡散炉用ウエハボート - Google Patents
縦型拡散炉用ウエハボートInfo
- Publication number
- JPH0590392A JPH0590392A JP27484491A JP27484491A JPH0590392A JP H0590392 A JPH0590392 A JP H0590392A JP 27484491 A JP27484491 A JP 27484491A JP 27484491 A JP27484491 A JP 27484491A JP H0590392 A JPH0590392 A JP H0590392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- diffusion furnace
- vertical diffusion
- rear surface
- wafer boat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 縦型拡散炉用ウェハボートにおいて、プレデ
ポジションを、後の工程でオートドーピングが生じない
ように行う。 【構成】 複数のウェハ支持平板を水平の向きで縦方向
に離間して配設する。 【効果】 半導体ウェハを、その裏面がウェハ支持平板
に接した状態で支持できるので、ウェハ裏面へのプレデ
ポジションを防止でき、延いてはオートドーピングを回
避できる。
ポジションを、後の工程でオートドーピングが生じない
ように行う。 【構成】 複数のウェハ支持平板を水平の向きで縦方向
に離間して配設する。 【効果】 半導体ウェハを、その裏面がウェハ支持平板
に接した状態で支持できるので、ウェハ裏面へのプレデ
ポジションを防止でき、延いてはオートドーピングを回
避できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縦型拡散炉用ウェハボ
ート、特に半導体ウェハに対して後で裏面からの不純物
のオートドーピングの虞れが生じないようにプレデポジ
ションすることができる縦型拡散炉用ウェハボートに関
する。
ート、特に半導体ウェハに対して後で裏面からの不純物
のオートドーピングの虞れが生じないようにプレデポジ
ションすることができる縦型拡散炉用ウェハボートに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においてプレデポジシ
ョン法が良く用いられる。というのは、ＣＶＤやイオン
打込みに比較して拡散層や多結晶シリコン層の不純物濃
度を高くすることができ、比抵抗や配線抵抗を低くする
ことができるためである。
ョン法が良く用いられる。というのは、ＣＶＤやイオン
打込みに比較して拡散層や多結晶シリコン層の不純物濃
度を高くすることができ、比抵抗や配線抵抗を低くする
ことができるためである。
【０００３】そして、従来においてプレデポジション
は、横型拡散炉を用いて行われることが多かった。プレ
デポジションを横型拡散炉を用いて行う場合には、多数
の半導体ウェハを支持治具により垂直に支持して行う。
は、横型拡散炉を用いて行われることが多かった。プレ
デポジションを横型拡散炉を用いて行う場合には、多数
の半導体ウェハを支持治具により垂直に支持して行う。
【０００４】また、最近においては、縦型拡散炉を用い
てプレデポジションを行う場合もある。というのは、横
型拡散炉を用いると半導体ウェハの大口径化に伴ってエ
アーの巻き込み、対流により自然酸化膜が厚く成長する
という弊害が多いのに対して縦型拡散炉にはそのような
弊害が少なく、縦型拡散炉の使用頻度が増える傾向にあ
るからである。
てプレデポジションを行う場合もある。というのは、横
型拡散炉を用いると半導体ウェハの大口径化に伴ってエ
アーの巻き込み、対流により自然酸化膜が厚く成長する
という弊害が多いのに対して縦型拡散炉にはそのような
弊害が少なく、縦型拡散炉の使用頻度が増える傾向にあ
るからである。
【０００５】図２は縦型拡散炉によりプレデポジション
を行う場合に従来用いられた縦型拡散炉用ウェハボート
を示す。図面において、１、１、１は石英からなる支持
棒で、略等間隔に支持溝２、２、…が形成されている。
そして、この従来の縦型拡散炉用ウェハボートは、この
３本の支持棒１、１、１により支持溝２、２、…にて半
導体ウェハ３、３、…を三点支持するようにしてなる。
を行う場合に従来用いられた縦型拡散炉用ウェハボート
を示す。図面において、１、１、１は石英からなる支持
棒で、略等間隔に支持溝２、２、…が形成されている。
そして、この従来の縦型拡散炉用ウェハボートは、この
３本の支持棒１、１、１により支持溝２、２、…にて半
導体ウェハ３、３、…を三点支持するようにしてなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プレデポジ
ションを、横型拡散炉により行った場合でも、図２に示
すウェハボートにより半導体ウェハを支持して縦型拡散
炉により行った場合でも半導体ウェハの表裏両面に対し
てプレデポジションが為されてしまうという問題があっ
た。即ち、プレデポジションは半導体ウェハの表側の面
（以後単に「表面」という）に対して行われれば充分で
あるが、従来においては半導体ウェハ裏面へもプレデポ
ジションが為される状態でプレデポジションが行われて
いた。
ションを、横型拡散炉により行った場合でも、図２に示
すウェハボートにより半導体ウェハを支持して縦型拡散
炉により行った場合でも半導体ウェハの表裏両面に対し
てプレデポジションが為されてしまうという問題があっ
た。即ち、プレデポジションは半導体ウェハの表側の面
（以後単に「表面」という）に対して行われれば充分で
あるが、従来においては半導体ウェハ裏面へもプレデポ
ジションが為される状態でプレデポジションが行われて
いた。
【０００７】そして、半導体ウェハ裏面にもプレデポジ
ションが為されると、それより後の工程で、半導体ウェ
ハ裏面の不純物が半導体ウェハ表面にドーピングされ特
性の変動等が生じるというオートドーピングが起る虞れ
がある。特に、バイポーラ半導体装置の場合、オートド
ーピングが大きな問題となる。
ションが為されると、それより後の工程で、半導体ウェ
ハ裏面の不純物が半導体ウェハ表面にドーピングされ特
性の変動等が生じるというオートドーピングが起る虞れ
がある。特に、バイポーラ半導体装置の場合、オートド
ーピングが大きな問題となる。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体ウェハに対して後で裏面から
の不純物のオートドーピングの虞れが生じないようにプ
レデポジションすることができる縦型拡散炉用ウェハボ
ートを提供することを目的とする。
されたものであり、半導体ウェハに対して後で裏面から
の不純物のオートドーピングの虞れが生じないようにプ
レデポジションすることができる縦型拡散炉用ウェハボ
ートを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明縦型拡散炉用ウェ
ハボートは、複数のウェハ支持平板を略水平な向きで縦
方向に離間して配設してなることを特徴とする。
ハボートは、複数のウェハ支持平板を略水平な向きで縦
方向に離間して配設してなることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】以下、本発明縦型拡散炉用ウェハボートを図
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）
は本発明縦型拡散炉用ウェハボートの一つの実施例を示
すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線
視断面図である。１、１、１は石英からなる支持棒で、
等間隔に支持溝２、２、…が形成されている。
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）
は本発明縦型拡散炉用ウェハボートの一つの実施例を示
すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線
視断面図である。１、１、１は石英からなる支持棒で、
等間隔に支持溝２、２、…が形成されている。
【００１１】４、４、…は上記支持棒１、１、１により
支持溝２、２、…にて略水平に三点支持された円板状の
ウェハ支持平板であり、石英からなる。そして、該ウェ
ハ支持平板４、４、…上に半導体ウェハ３、３、…を置
くようになっている。
支持溝２、２、…にて略水平に三点支持された円板状の
ウェハ支持平板であり、石英からなる。そして、該ウェ
ハ支持平板４、４、…上に半導体ウェハ３、３、…を置
くようになっている。
【００１２】このような縦型拡散炉用ウェハボートによ
れば、半導体ウェハ３、３、…の裏面がウェハ支持平板
４、４、…に接するので、縦型拡散炉でプレデポジショ
ンをしたとき裏面にはプレデポジションが為されず、表
面にのみプレデポジションが為される。従って、後の工
程で半導体ウェハ３、３、…の裏面から表面に不純物が
ドーピングされるというオートドーピングの虞れがなく
なる。
れば、半導体ウェハ３、３、…の裏面がウェハ支持平板
４、４、…に接するので、縦型拡散炉でプレデポジショ
ンをしたとき裏面にはプレデポジションが為されず、表
面にのみプレデポジションが為される。従って、後の工
程で半導体ウェハ３、３、…の裏面から表面に不純物が
ドーピングされるというオートドーピングの虞れがなく
なる。
【００１３】尚、ウェハボートの材料は、石英でも良い
が、シリコンカーバイトあるいはシリコン多結晶シリコ
ンでも良い。
が、シリコンカーバイトあるいはシリコン多結晶シリコ
ンでも良い。
【００１４】
【発明の効果】本発明縦型拡散炉用ウェハボートは、複
数の耐熱性ウェハ支持平板を、略水平な向きで縦方向に
離間して配設してなることを特徴とするものである。従
って、本発明縦型拡散炉用ウェハボートによれば、半導
体ウェハの裏面をウェハ支持平板に接しさせた状態でプ
レデポジション等を行うことができ、裏面へのプレデポ
ジション等を防止することができる。
数の耐熱性ウェハ支持平板を、略水平な向きで縦方向に
離間して配設してなることを特徴とするものである。従
って、本発明縦型拡散炉用ウェハボートによれば、半導
体ウェハの裏面をウェハ支持平板に接しさせた状態でプ
レデポジション等を行うことができ、裏面へのプレデポ
ジション等を防止することができる。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明縦型拡散炉用ウェハボ
ートの一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
ートの一つの実施例を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視断面図である。
【図２】縦型拡散炉用ウェハボートの従来例を示す斜視
図である。
図である。
３ 半導体ウェハ ４ ウェハ支持平板
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の耐熱性ウェハ支持平板を、略水平
な向きで縦方向に離間して配設してなることを特徴とす
る縦型拡散炉用ウェハボート
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27484491A JPH0590392A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 縦型拡散炉用ウエハボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27484491A JPH0590392A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 縦型拡散炉用ウエハボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590392A true JPH0590392A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17547375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27484491A Pending JPH0590392A (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 縦型拡散炉用ウエハボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019748A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法 |
| CN102956529A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-03-06 | 阿斯莫国际公司 | 晶舟封装 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP27484491A patent/JPH0590392A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005019748A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの熱処理用治具及び熱処理方法 |
| CN102956529A (zh) * | 2011-08-22 | 2013-03-06 | 阿斯莫国际公司 | 晶舟封装 |
| TWI613133B (zh) * | 2011-08-22 | 2018-02-01 | Ａｓｍ國際股份有限公司 | 晶舟封裝 |
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