JPH118251A - 膜の形成方法及び形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子用の単結晶膜及びゲッタリング用の多結
晶膜を基板の両面に迅速且つ安価に形成する方法及び装
置を提供する。 【解決手段】 露出孔３ｈ１を塞ぐようにしてサセプタ
３上にウェーハ１０を載置し、ウェーハ１０の上面及び
下面側にそれぞれ位置する成長室Ｒ１，Ｒ２をサセプタ
３及びウェーハ１０によって区切る。まず、導入口ＩＮ
１，ＩＮ２からそれぞれ不活性ガス及びシラン系ガスを
それぞれ成長室Ｒ１，Ｒ２へと導入して熱処理を行い、
ウェーハ１０の下面に多結晶のポリシリコン層１０ａを
ＣＶＤ成長にて形成する。ウェーハ１０の上面にＨＣｌ
等を用いるベークを行った後に、今度は逆に成長室Ｒ
１，Ｒ２にそれぞれシラン系ガス及び不活性ガスを供給
してより高温にて熱処理を行い、上面に単結晶のエピタ
キシャル層１０ｂを形成する。以上のようにして、ウェ
ーハ１０はサセプタ３上に載置されたまま両面に膜を形
成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置に使
用される半導体基板の表面に素子用の膜及びゲッタリン
グ用の膜を形成する方法と、この方法が為される形成装
置とに関する。

【０００２】

【従来の技術】図１４〜図１８は、従来技術に従う、エ
ピタキシャル層及びポリシリコンバックシール（ＰＢ
Ｓ）をそれぞれ表面及び裏面に有するウェーハの製造方
法を工程順に示す断面図である。まず、スライス、ラッ
ピング及びエッチングを施し、図１４に示されるウェー
ハ５０を得る。次に、図１５に示されるようにウェーハ
５０の全面に、ＣＶＤ法によってポリシリコンを堆積し
て多結晶のポリシリコン膜５０ａを形成する。

【０００３】ウェーハ５０がボロン及びリン等のドーパ
ントが高濃度に添加されたハイドープウェーハである場
合には、オートドープを防止する必要が生ずる。このた
めに、図１６に示されるように、０．３μｍ程度の酸化
膜５０ｂをＣＶＤ法によって形成する。

【０００４】次に、図１７に示されるようにウェーハ５
０を片面のみ鏡面研磨する。そして図１８に示されるよ
うに、研磨された面にエピタキシャル層５０ｄを成長さ
せる。尚、エピタキシャル層５０ｄの成長前には通常、
自然酸化膜又は不純物の除去を目的として、Ｈ₂（水
素）又はＨＣｌ（塩化水素）を用いるベークが行われ
る。

【０００５】図１９は、エピタキシャル層の形成に用い
られる、通常の枚葉式の成長炉の構造を示す断面図であ
る。エピタキシャル層が形成される８インチ以上の大口
径のウェーハの殆どは、エピタキシャル層の均質性を保
持するために枚葉式の成長炉内にて製造される。

【０００６】図１７に示される状態のウェーハ５０は、
図１９に示されるようにポリシリコン５０ａ及び酸化膜
５０ｂをサセプタ３００側として成長炉内にセットされ
る。サセプタ３００は支持体２００によって回転可能に
支持されており、装置は容器１００によって外界との遮
断を行われている。ウェーハ５０は、研磨された面にシ
ラン系のガスを供給され、熱処理によってエピタキシャ
ル層５０ｄを図１９に図示されるように形成される（こ
の処理によって、図１８の状態のウェーハ５０が得られ
る）。残存する酸化膜５０ｂによって、熱処理時に生ず
るオートドープが回避される。上述の一連の工程によっ
て、エピタキシャル層を片面に有するウェーハが得られ
る。以下、このようなウェーハを、エピウェーハとして
略称する。

【０００７】Ｃｚ（チョクラルスキ）法によって得られ
る鏡面ウェーハにおいては、デバイス形成領域における
酸素析出物による欠陥又はＣｚ結晶成長中に導入される
微小な結晶欠陥が問題となっている。一方、上述の如く
製造されるエピウェーハは、酸素等の混入を抑制できる
ため、欠陥が少なくなる。従って、Ｃｚ法に特有の欠陥
によって生ずる不都合を、エピウェーハを用いることに
よって回避することができる。このような特徴から特
に、エピウェーハを用いることによって、ＭＯＳデバイ
スにおけるゲート酸化膜の信頼性を好適に向上させるこ
とができる。

【０００８】また、ＰＢＳを形成する方法（ＰＢＳ法）
は、比較的デバイスプロセス条件（特に熱処理条件）に
左右されることなく、ゲッタリングの手法として有効で
ある。更に、サンドブラスト法のような発塵もなく、効
果の持続性も良い。従って、ＰＢＳ法を施したエピウェ
ーハをデバイス製造に用いることによって、酸化膜耐圧
を劣化させる結晶欠陥の影響が無く、また高いゲッタリ
ング効果によってデバイス製造のプロセスにおける汚染
の影響を回避できるためゲート酸化膜の信頼性の良好な
半導体デバイスの製造が可能となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エピウ
ェーハは、鏡面を形成するための研磨が施されているだ
けの通常のウェーハと比較した場合に、エピタキシャル
層を成長させる工程が必要である分だけ高価となる。Ｐ
ＢＳを付加する場合にはさらに工程数が増加し、更に製
造コストが増大するという問題点がある。

【００１０】更に、従来のＰＢＳ付きのエピウェーハの
製造方法においては、ＣＶＤ法を用いるＰＢＳの形成の
後にＣＶＤ装置からウェーハを取り出して別の装置にお
いて鏡面研磨を施し、更に枚葉式の装置にてエピタキシ
ャル層の形成を行わなければならない。ウェーハを様々
な装置に移動させる必要から、ＰＢＳ付きのエピウェー
ハの製造に要するコストが高くなり、時間がかかってし
まうという問題点がある。

【００１１】本発明は以上の問題点に鑑み、半導体基板
の第１及び第２の主面にそれぞれ素子用の膜及びゲッタ
リング用の膜を迅速且つ安価に形成する方法、及びこれ
に用いられる形成装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の膜の形
成方法は、(a)第１及び第２の処理室を互いに区切る載
置板上に半導体基板を載置し、該載置板に穿たれた開口
を塞ぐ工程と、(b)前記第１の処理室へと第１の膜生成
用ガスを供給し、前記半導体基板の表面のうち該第１の
処理室側の部分である第１の主面に、素子用の第１の膜
を形成する工程と、(c)前記第２の処理室へと第２の膜
生成用ガスを供給し、前記半導体基板の前記表面のうち
該第２の処理室側の部分である第２の主面に、ゲッタリ
ング用の第２の膜を形成する工程とを備える。

【００１３】請求項２に記載の膜の形成方法は、請求項
１に記載の膜の形成方法であって、前記半導体基板は、
前記第１の膜よりも不純物の濃度が高く、前記工程(b)
において、前記第１の処理室の圧力は前記第２の処理室
の圧力よりも高い。

【００１４】請求項３に記載の膜の形成方法は、請求項
１または請求項２に記載の膜の形成方法であって、前記
第１及び第２の膜生成用ガスはシラン系のガスを含み、
前記工程(c)は、熱処理によって前記第２の膜を多結晶
質に形成する工程であり、前記工程(b)は前記工程(c)と
は別個に為される工程であり、前記工程(c)よりも高温
の熱処理によって前記第１の膜を単結晶質に形成する工
程である。

【００１５】請求項４に記載の膜の形成方法は、請求項
１または請求項２に記載の膜の形成方法であって、前記
第１及び第２の膜生成用ガスはシラン系のガスを含み、
前記工程(b)は、熱処理によって単結晶膜を形成する工
程であり、前記工程(c)は、(c-1)前記工程(b)よりも前
に為される、前記第２の主面上に多結晶化用の予備膜を
形成する工程と、(c-2)前記工程(b)の前記熱処理と並行
して為される、前記予備膜を核として多結晶膜を成長さ
せる工程とを有する。

【００１６】請求項５に記載の膜の形成方法は、請求項
４に記載の膜の形成方法であって、前記予備膜は酸化シ
リコンを含む。

【００１７】請求項６に記載の膜の形成装置は、開口を
有する載置板によって互いに区切られている第１及び第
２の処理室と、前記第１及び第２の処理室の内部を加熱
する加熱手段とを備える膜の形成装置であって、前記載
置板は、前記開口上にわたって半導体基板が載置され、
回転自在であり、前記第１及び第２の処理室は、互いに
独立に膜生成用の反応ガスを供給され得る。

【００１８】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、本実施の形態に従う膜形成装置
の構造を例示する断面図である。同図に示されるよう
に、本実施の形態に従う膜形成装置は、図１９に例示さ
れる、エピタキシャル層の形成に用いられる従来の枚葉
式の成長炉を改造したものである。従来技術と同一の構
成、構造には同一の参照符号を付してある。

【００１９】図２〜図５は、本実施の形態に従う膜形成
の方法を工程順に例示する断面図である。まず、図２に
例示されるように、図１の膜形成装置に備わるサセプタ
３上にシリコンウェーハ１０（以下はウェーハ１０と略
す）を載置する。サセプタ３にはウェーハ１０の直径よ
りも若干小さい露出孔３ｈ１が開けられており、エピタ
キシャル層が形成される面に既に鏡面研磨を施されてい
るウェーハ１０は、この露出孔３ｈ１を塞ぐようにサセ
プタ３上に載置される。

【００２０】図１に例示されるように膜形成装置は、サ
セプタ３を境界として、エピタキシャル層を形成するた
めの第１の成長室Ｒ１及びＰＢＳを形成するための第２
の成長室Ｒ２に区分けされている。膜形成装置は、容器
１によって成長室Ｒ１，Ｒ２と外界との隔離を行われて
いる。ウェーハ１０の表面のうち図面に向かって上側の
主面（上面）は第１の成長室Ｒ１内に存在する気体に晒
される。一方、下側の主面（下面）のうち露出孔３ｈ１
によって露出されている部分は、第２の成長室Ｒ２に存
在する気体に晒される。

【００２１】次に、導入口ＩＮ１，ＩＮ２からそれぞれ
成長室Ｒ１，Ｒ２へと、不活性ガス（Ｎ₂等）及びシラ
ン系ガスを導入する。尚、不活性ガスはＨ₂ガスでも良
い。そして、膜形成装置の周辺部に備わる加熱ランプ４
によって、容器１の内部を６００〜７００度程度に加熱
する。導入孔ＩＮ２からサセプタ３を支持する支持体２
に設けられている多数の導通孔２ｈを介して成長室Ｒ２
に供給され上記温度に加熱されているシラン系ガスは、
ウェーハ１０の下面に接触する。このようにしてウェー
ハ１０の下面にはシラン系ガスを用いるＣＶＤ成長が施
され、図３に例示されるように、多結晶のポリシリコン
層１０ａが形成される。尚、指示体２に多数の導通孔２
ａを設けて指示体２内部の気体の入排出を滞りなく行う
構成の他に、例えばサセプタ３を回転可能な枠体によっ
て支持させても良い。この場合にも、枠体を構成する枠
（骨組み）の間から気体の出入りが円滑に行われる。

【００２２】図１に図示されている支持体２は、ポリシ
リコン層１０ａが形成されている最中回転する。これに
よって、ポリシリコン層１０ａは、ウェーハ１０の下面
のうち露出されている部分の全面にわたって均一とな
る。多結晶のポリシリコン層１０ａは、ゲッタリングの
ためのＰＢＳとして機能する。

【００２３】ポリシリコン層１０ａが形成されている
間、ウェーハ１０の上面は不活性ガスに晒されているた
め、上面にはポリシリコン層は形成されない。図１に例
示される導通孔３ｈ２を介して回り込んできたシラン系
ガスによってウェーハ１０の上面にポリシリコン層が形
成されないように、不活性ガスの圧力はシラン系ガスの
圧力よりも高くしておくことが望ましい。

【００２４】次に、図４に例示されるように、ＨＣｌ又
はＨ₂ガスを成長室Ｒ１へと導入する。そして、ウェー
ハ１０の上面にベークを施し、自然酸化膜又は不純物を
除去する。このとき、ベーク用のＨＣｌ又はＨ₂ガスは
図１に例示される導通孔３ｈ２を介して成長室Ｒ２へと
与えられ、図３に例示される工程において用いられたシ
ラン系ガスはパージされる。また、成長室Ｒ２へと不活
性ガスを供給しても良い。図３に例示される工程にて用
いられたシラン系ガス及び不活性ガスは、それぞれ図１
に例示される排出口ＥＸ２，ＥＸ１から排出される。

【００２５】次に、図５に例示されるように、成長室Ｒ
１，Ｒ２にそれぞれシラン系ガス及び不活性ガスを供給
する。そして、これらのガスを図１に例示される加熱ラ
ンプ４によって１０００度程度に加熱する。すると、図
５に例示されるようにシラン系ガスに接触しているウェ
ーハ１０の上面には、単結晶の層であるエピタキシャル
層１０ｂが形成される。エピタキシャル層１０ｂの均一
性を確保するために、図１に例示される支持体は回転さ
せておく。以上のようにして、図１に例示されるよう
に、多結晶のポリシリコン層１０ａ及び単結晶のエピタ
キシャル層１０ｂが、ウェーハ１０の下面及び上面にそ
れぞれ形成される。

【００２６】図３に例示される多結晶のポリシリコン層
１０ａを形成する工程と図５に例示される単結晶のエピ
タキシャル層１０ｂを形成する工程とを別々に行うの
は、熱処理の際の温度の違いによって単結晶化及び多結
晶化が決定される為である。例えば、ウェーハ１０の下
面及び上面にそれぞれ多結晶のポリシリコン層１０ａと
単結晶のエピタキシャル層１０ｂとを同時に形成しよう
としてシラン系ガスを成長室Ｒ１，Ｒ２に同時に充満さ
せても、成長室Ｒ１，Ｒ２内部の温度を独立に設定する
のは不可能であるため、ウェーハ１０の両面に形成され
るのは多結晶の層及び単結晶の層のうちのいずれか一方
である。従って、本実施の形態においては工程を別々に
行うことによって、温度条件の違いによって形成が決定
される多結晶の層及び単結晶の層をウェーハの両面にそ
れぞれ形成するのである。

【００２７】一般に、ウェーハ１０はエピタキシャル層
１０ｂよりも高濃度にリン又はボロン等の不純物が添加
されている、低抵抗基板である。従って、エピタキシャ
ル層１０ｂの形成の為の熱処理時には、不純物がウェー
ハ１０からエピタキシャル層１０ｂに外方拡散によって
移動するオートドープを回避しなければならない。そこ
で、エピタキシャル層１０ｂを形成する図５の工程にお
いては、成長室Ｒ１側のシラン系ガスの圧力を成長室Ｒ
２側の不活性ガスの圧力よりも高く設定しておく。この
圧力差によって不純物の移動が抑制され、オートドープ
が低減される。

【００２８】従来の膜形成方法においては、図１８にお
けるエピタキシャル層５０ｄの形成の際のオートドープ
の回避のために、図１６に例示されるようにＣＶＤ法に
よってシリコンの酸化膜５０ｂを形成していた。しか
し、本実施の形態の方法においては圧力差によってオー
トドープを回避するために、酸化膜の形成は必要ではな
くなる。従って、酸化膜の形成に要する工程の分だけ、
本実施の形態の方法は従来の方法よりも迅速に、両面に
膜が形成された半導体基板を得ることが可能となる。

【００２９】以上のように、本実施の形態の膜形成の方
法及び装置を用いることによって、同一の装置にウェー
ハ１０を載置したまま両面に多結晶のポリシリコン層１
０ａ及びエピタキシャル層１０ｂを形成することが可能
となる。一方、従来の方法では、まずＣＶＤ炉において
ＰＢＳ用のポリシリコン層５０ａと酸化膜５０ｂとを形
成し（図１６）、ウェーハ５０の片面を鏡面研磨（図１
７）した後に成長炉にてエピタキシャル層５０ｄを形成
する（図１８）というように、ウェーハ５０の移動を逐
一行わなければならなかった。

【００３０】従って、本実施の形態の方法及び装置を用
いることによって膜形成に要する手間が省かれ、安価に
ＰＢＳ付きのエピウェーハを製造することが可能とな
る。また、ＣＶＤ炉を用意する必要もなくなり、ＰＢＳ
付きのエピウェーハを製造する装置を準備及び維持する
ために要する資金も少なく済む。

【００３１】実施の形態２．以下、既に説明の行われた
ものと同一の構成、構造には同一の参照符号を付し、説
明は省略する。図６〜図９は、本実施の形態に従う膜形
成の方法を工程順に例示する断面図である。まず、実施
の形態１の方法と同様にサセプタ３上に、露出孔３ｈ１
を塞ぐようにウェーハ１０を載置する（図６）。

【００３２】次に、図７に例示されるように、成長室Ｒ
１側には不活性ガス、成長室Ｒ２側にはシラン系ガスを
それぞれ供給する。そして、温度６００〜７００度程度
にて、ウェーハ１０の下面に極薄い多結晶のポリシリコ
ン層１０ａ１を形成する。この後に、実施の形態１の図
４に例示される工程と同様にして図８に例示される工程
において、ＨＣｌ又はＨ₂ガスを用いるベークをウェー
ハ１０の上面に施す。

【００３３】ウェーハ１０の上面にベークが施された後
に、図９に例示されるように、成長室Ｒ１，Ｒ２双方に
シラン系ガスを供給する。シラン系ガスは、図１に例示
される加熱ランプ４によって、１０００度程度に加熱さ
れる。すると、ウェーハ１０の上面には、この温度条件
によって単結晶のエピタキシャル層１０ｂが形成され
る。一方、このような温度条件でありながらも、多結晶
のポリシリコン層１０ａ１を核としてＣＶＤ成長すると
いう条件によって、ウェーハ１０の下面には多結晶のポ
リシリコン層１０ａ２が形成される。ポリシリコン層１
０ａ１，１０ａ２は、図５に例示される実施の形態１の
ポリシリコン層１０ａを１体として構成し、ゲッタリン
グという機能を果たす。

【００３４】図９に例示されるようにエピタキシャル層
１０ｂとポリシリコン層１０ａ２とを同時に形成するこ
とによって、図２〜図５に例示される、これらの層を別
々に形成する実施の形態１の方法を用いる場合と比べ、
半導体基板に素子形成用の単結晶の膜及びゲッタリング
用の多結晶の膜を形成する時間は短くなる。勿論、単結
晶の膜と多結晶の膜とを同時に形成する為には、図７に
例示される工程において、多結晶の膜の成長を行わせる
核を予備的に形成しておくことが必須である。

【００３５】実施の形態３．図１０〜図１３は、本実施
の形態に従う膜形成の方法を工程順に例示する断面図で
ある。本実施の形態の膜形成の方法は、図６〜図９に例
示される実施の形態２の方法を更に改良したものであ
る。まず、実施の形態２の図６に例示される工程と同じ
く、図１０に例示される工程においてウェーハ１０をサ
セプタ３上に載置する。

【００３６】次に、本実施の形態に特有の工程として、
図１１に例示されるように成長室Ｒ１に不活性ガスを供
給した状態にて、成長室Ｒ２に酸化膜形成用のガスを供
給する。酸化膜形成用のガスとしては、Ｏ₂，Ｈ₂Ｏ又は
ＳｉＨ₄＋Ｏ₂を用いることが可能である。このようにし
て、実施の形態２の図７に例示される工程において形成
されたポリシリコン層１０ａ１の代わりに、極薄い酸化
膜１０ｃをウェーハ１０の下面に形成する。

【００３７】この後には、実施の形態２の図８及び図９
に例示される工程と同じ操作によって、ウェーハ１０の
上面へのベーク（図１２）と、ウェーハ１０の上面上に
おけるエピタキシャル層１０ｂの形成及び酸化膜１０ｃ
上におけるポリシリコン層１０ａ２のＣＶＤ成長（図１
３）とを順に行う。酸化膜１０ｃ上に形成されることに
よって、ポリシリコン層１０ａは多結晶の層として成長
する。

【００３８】上述の説明から明らかであるように、本実
施の形態においては、実施の形態３において多結晶のポ
リシリコン層１０ａ２を成長させるために予備的に形成
されている多結晶のポリシリコン層１０ａ１の代わり
に、同じ機能を果たす酸化膜１０ｃを形成することが特
徴となっている。

【００３９】酸化膜１０ｃを用いることによって特に得
られる効果について説明を行う。図１３に例示されるよ
うに、本実施の形態の製造方法によって製造されたウェ
ーハ１０は、酸化膜１０ｃを下面に介在させたまま多結
晶のポリシリコン層１０ａ２を有することになる。従っ
て、後の半導体装置の製造工程において熱処理等が行わ
れたときには、図９に例示される実施の形態２の、多結
晶のポリシリコン膜１０ａ１を介在させているウェーハ
１０の場合よりも本実施の形態の場合のほうが、多結晶
のポリシリコン膜１０ａ２が単結晶化してしまう危険性
が少なくなる。ポリシリコン膜１０ａ２の単結晶化はゲ
ッタリングの効果の低減を招くものであり、本実施の形
態の方法のほうが、ゲッタリング効果を後々まで好適に
持続できることになる。

【００４０】

【発明の効果】請求項１に記載の構成によれば、第１の
処理室に半導体基板を載置したままの状態でも、開口の
存在によって第１及び第２の膜をそれぞれ第１及び第２
の主面に形成できる。これによって、従来のような第２
の膜の形成、鏡面研磨及び第１の膜の形成という一連の
工程を各々別の場所で行わなければならないという不便
が解消される。素子用の第１の膜及びゲッタリング用の
第２の膜を備える半導体基板は、移動の手間が省かれた
分、生産性が向上され安価になる。

【００４１】請求項２に記載の構成によれば、不純物が
半導体基板から第１の膜へと移動するオートドーピング
が、圧力の差によって低減される。これによって、第１
の膜の不純物の濃度が所望の値よりも高くなってしまう
ことが回避される。

【００４２】請求項３に記載の構成によれば、工程(b)
及び工程(c)を別々に為すことによって、第１及び第２
の膜はそれぞれ単結晶質の膜及び多結晶質の膜として適
切に形成される。

【００４３】請求項４に記載の構成によれば、予め予備
膜を形成しておくことによって、工程(b)及び工程(c-2)
を並行して行っても、第１の膜は単結晶膜に、第２の膜
は多結晶膜にそれぞれなる。工程が並行して為されるこ
とによって、膜の形成が短時間で行われ、生産性が更に
向上される。

【００４４】請求項５に記載の構成によれば、多結晶の
第２の膜と半導体基板との間には、酸化シリコンを含む
予備膜が存在したままになる。第１及び第２の膜が形成
された半導体基板に対して半導体装置の製造のために更
に熱処理を行う場合に、第２の膜は酸化シリコンの存在
によって単結晶化しにくい。これによって、第２の膜に
よるゲッタリングという効果は、消滅することなく確実
に得られる。

【００４５】請求項６に記載の構成によれば、請求項１
〜請求項５に記載の膜の形成方法を適切に行うことがで
きる膜の形成装置が得られる。また、載置板の回転によ
って形成される膜は均質となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１に従う膜形成装置の構造の一例
を示す断面図である。

【図２】 実施の形態１に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図３】 実施の形態１に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図４】 実施の形態１に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図５】 実施の形態１に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図６】 実施の形態２に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図７】 実施の形態２に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図８】 実施の形態２に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図９】 実施の形態２に従う膜形成方法の一例を工程
順に示す断面図である。

【図１０】 実施の形態３に従う膜形成方法の一例を工
程順に示す断面図である。

【図１１】 実施の形態３に従う膜形成方法の一例を工
程順に示す断面図である。

【図１２】 実施の形態３に従う膜形成方法の一例を工
程順に示す断面図である。

【図１３】 実施の形態３に従う膜形成方法の一例を工
程順に示す断面図である。

【図１４】 従来の膜形成方法を工程順に示す断面図で
ある。

【図１５】 従来の膜形成方法を工程順に示す断面図で
ある。

【図１６】 従来の膜形成方法を工程順に示す断面図で
ある。

【図１７】 従来の膜形成方法を工程順に示す断面図で
ある。

【図１８】 従来の膜形成方法を工程順に示す断面図で
ある。

【図１９】 従来の膜形成装置の構造を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 容器、２ 支持体、２ｈ，３ｈ２ 導通孔、３ サ
セプタ、３ｈ１ 露出孔、４ 加熱ランプ、１０ シリ
コンウェーハ、１０ａ，１０ａ１，１０ａ２ポリシリコ
ン層、１０ｂ エピタキシャル層、１０ｃ 酸化膜、Ｅ
Ｘ１，ＥＸ２排出口、ＩＮ１，ＩＮ２ 導入口、Ｒ１，
Ｒ２ 成長室。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 (a)第１及び第２の処理室を互いに区切
   る載置板上に半導体基板を載置し、該載置板に穿たれた
   開口を塞ぐ工程と、 (b)前記第１の処理室へと第１の膜生成用ガスを供給
   し、前記半導体基板の表面のうち該第１の処理室側の部
   分である第１の主面に、素子用の第１の膜を形成する工
   程と、 (c)前記第２の処理室へと第２の膜生成用ガスを供給
   し、前記半導体基板の前記表面のうち該第２の処理室側
   の部分である第２の主面に、ゲッタリング用の第２の膜
   を形成する工程とを備える、膜の形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の膜の形成方法であっ
   て、 前記半導体基板は、前記第１の膜よりも不純物の濃度が
   高く、 前記工程(b)において、前記第１の処理室の圧力は前記
   第２の処理室の圧力よりも高い、膜の形成方法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の膜の形
   成方法であって、 前記第１及び第２の膜生成用ガスはシラン系のガスを含
   み、 前記工程(c)は、熱処理によって前記第２の膜を多結晶
   質に形成する工程であり、 前記工程(b)は前記工程(c)とは別個に為される工程であ
   り、前記工程(c)よりも高温の熱処理によって前記第１
   の膜を単結晶質に形成する工程である、膜の形成方法。
4. 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の膜の形
   成方法であって、 前記第１及び第２の膜生成用ガスはシラン系のガスを含
   み、 前記工程(b)は、熱処理によって単結晶膜を形成する工
   程であり、 前記工程(c)は、 (c-1)前記工程(b)よりも前に為される、前記第２の主面
   上に多結晶化用の予備膜を形成する工程と、 (c-2)前記工程(b)の前記熱処理と並行して為される、前
   記予備膜を核として多結晶膜を成長させる工程とを有す
   る、膜の形成方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の膜の形成方法であっ
   て、前記予備膜は酸化シリコンを含む、膜の形成方法。
6. 【請求項６】 開口を有する載置板によって互いに区切
   られている第１及び第２の処理室と、 前記第１及び第２の処理室の内部を加熱する加熱手段と
   を備える膜の形成装置であって、 前記載置板は、前記開口上にわたって半導体基板が載置
   され、回転自在であり、 前記第１及び第２の処理室は、互いに独立に膜生成用の
   反応ガスを供給され得る、膜の形成装置。