JPH0621246Y2 - ウエハ支持装置 - Google Patents
ウエハ支持装置Info
- Publication number
- JPH0621246Y2 JPH0621246Y2 JP1987175823U JP17582387U JPH0621246Y2 JP H0621246 Y2 JPH0621246 Y2 JP H0621246Y2 JP 1987175823 U JP1987175823 U JP 1987175823U JP 17582387 U JP17582387 U JP 17582387U JP H0621246 Y2 JPH0621246 Y2 JP H0621246Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- groove
- boat
- heat treatment
- grooves
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- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この考案は、半導体装置の製造における縦型熱処理炉に
収容されるウエハ支持装置に関する。
収容されるウエハ支持装置に関する。
<従来の技術> 半導体装置の製造に用いられる熱処理炉では、複数のウ
エハを同時に熱処理し、生産性を上げるようにしたウエ
ハ支持装置(以下ボートという)が用いられている。
エハを同時に熱処理し、生産性を上げるようにしたウエ
ハ支持装置(以下ボートという)が用いられている。
このボートは、従来、第2図に示すように、ほぼ垂直に
立設した復数本の円柱状の支持部材(以下支柱という)
1の上下両端に円盤状に形成された天板2と台板3から
構成されるもので、支柱1の上下端間の所定箇所には、
第3図に示すようにウエハ4を保持するための溝6がそ
の下側端が各支柱1で同一レベルになるように所定数形
成されている。
立設した復数本の円柱状の支持部材(以下支柱という)
1の上下両端に円盤状に形成された天板2と台板3から
構成されるもので、支柱1の上下端間の所定箇所には、
第3図に示すようにウエハ4を保持するための溝6がそ
の下側端が各支柱1で同一レベルになるように所定数形
成されている。
支柱1は、一般に、他の部材によって支持などされるこ
となく、それ自身のみによって、前記したように、天板
2と台板3とをその両端にて固着している。そして、熱
処理時には、支柱1をほぼ垂直に立て、第2図(c)に示
すように、前記溝6内にウエハ4の直線部分を有する端
部(以下オリフラという)5を手前に揃えるようにして
挿入保持し、その状態を保ったまま、ボート10′を熱処
理炉に収容して熱処理を施す。
となく、それ自身のみによって、前記したように、天板
2と台板3とをその両端にて固着している。そして、熱
処理時には、支柱1をほぼ垂直に立て、第2図(c)に示
すように、前記溝6内にウエハ4の直線部分を有する端
部(以下オリフラという)5を手前に揃えるようにして
挿入保持し、その状態を保ったまま、ボート10′を熱処
理炉に収容して熱処理を施す。
なお、このボートの材料としては、主として石英ガラス
が用いられるのが一般的である。
が用いられるのが一般的である。
<考案が解決しようとする問題点> しかしながら、上記したようなボート10′を用いる場合
は、ウエハ4のオリフラ5を揃えて溝6に挿入保持する
構造となっているため、熱処理時のウエハ4上に形成さ
れる皮膜の膜厚がオリフラ5の部分で厚くなり、また不
純物導入時の不純物分布がオリフラ5の部分で高くな
る。
は、ウエハ4のオリフラ5を揃えて溝6に挿入保持する
構造となっているため、熱処理時のウエハ4上に形成さ
れる皮膜の膜厚がオリフラ5の部分で厚くなり、また不
純物導入時の不純物分布がオリフラ5の部分で高くな
る。
このようなオリフラ5の部分における熱処理むらが発生
する原因は、いまのところ明確ではないが、オリフラ5
の部分はウエハ4の他の部分と対称性が異なるため、ボ
ート10′内におけるガスの流れが乱れてウエハ4へのガ
スの供給速度が増加するためと推定される。
する原因は、いまのところ明確ではないが、オリフラ5
の部分はウエハ4の他の部分と対称性が異なるため、ボ
ート10′内におけるガスの流れが乱れてウエハ4へのガ
スの供給速度が増加するためと推定される。
いずれにしろ、このような熱処理むらは、後工程に非常
に悪い影響を与えるので問題である。
に悪い影響を与えるので問題である。
この考案は、上記のような問題を解決すべくなされたも
のであって、ウエハに均一な皮膜および不純物導入を施
すのに好適なウエハ支持装置を提供することを目的とす
る。
のであって、ウエハに均一な皮膜および不純物導入を施
すのに好適なウエハ支持装置を提供することを目的とす
る。
<問題点を解決するための手段> この考案は、ほぼ垂直に立設して所定箇所にウエハ保持
用の溝を設けた復数本の支持部材の上下両端に、天板お
よび台板を固着し、合板前方向からウエハを前記溝内に
挿入してウエハの端部を保持するように構成された縦型
熱処理炉用のウエハ支持装置であって、前記支持部材を
切り込みの深い、かつその先端が鋭角とされる溝を設け
た板状材で構成し、前記ウエハを保持する前記溝間に構
成した突出部はその先端を鋭角とし、かつウエハ裏面と
接触するウエハ載置面を水平とし、さらに前記ウエハ載
置面は各支持部材で同一レベルとしたことを特徴とする
ウエハ支持装置である。
用の溝を設けた復数本の支持部材の上下両端に、天板お
よび台板を固着し、合板前方向からウエハを前記溝内に
挿入してウエハの端部を保持するように構成された縦型
熱処理炉用のウエハ支持装置であって、前記支持部材を
切り込みの深い、かつその先端が鋭角とされる溝を設け
た板状材で構成し、前記ウエハを保持する前記溝間に構
成した突出部はその先端を鋭角とし、かつウエハ裏面と
接触するウエハ載置面を水平とし、さらに前記ウエハ載
置面は各支持部材で同一レベルとしたことを特徴とする
ウエハ支持装置である。
<作用> この考案によれば、ボートを構成する支柱を、板状で形
成するようにして、その支柱に設けられる溝を深い切り
込みとしたので、ボート上に支持されるウエハは、その
オリフラを上下のウエハに対して任意の回転角で載置す
ることができる。それ故、オリフラの部分の位置を不揃
いにすることにより、熱処理炉内のガス分布を均一にす
ることが可能であるから、ウエハの皮膜形成および不純
物導入を均一に施すことが可能である。
成するようにして、その支柱に設けられる溝を深い切り
込みとしたので、ボート上に支持されるウエハは、その
オリフラを上下のウエハに対して任意の回転角で載置す
ることができる。それ故、オリフラの部分の位置を不揃
いにすることにより、熱処理炉内のガス分布を均一にす
ることが可能であるから、ウエハの皮膜形成および不純
物導入を均一に施すことが可能である。
<実施例> 以下に、第1図を用いてこの考案の実施例について詳し
く説明する。
く説明する。
第1図に示すように、ボート10の上下に配置される天板
2と台板3を固着する支柱11は、板状で構成され、所定
の間隔に深い切り込みの溝12が設けられている。
2と台板3を固着する支柱11は、板状で構成され、所定
の間隔に深い切り込みの溝12が設けられている。
この支柱11は、構造物としての強度をもたせるために厚
みを3mm以上とし、またウエハ4のオリフラ5の部分の
支持を可能とするためにその幅を20mm以上とすることが
好ましい。
みを3mm以上とし、またウエハ4のオリフラ5の部分の
支持を可能とするためにその幅を20mm以上とすることが
好ましい。
また、溝12の構造は、ガスが溝の部分まで十分供給され
るように広く開口し、かつウエハ4との接触部分を最小
限にするためにその先端11aを鋭角に形成する。なお、
各支柱11の溝12の下側端は、従来例と同じようにウエハ
4を水平に保持するべく同一レベルとされる。
るように広く開口し、かつウエハ4との接触部分を最小
限にするためにその先端11aを鋭角に形成する。なお、
各支柱11の溝12の下側端は、従来例と同じようにウエハ
4を水平に保持するべく同一レベルとされる。
このようにボート10を構成することによって、支柱11に
よるウエハ4の支持は、上下のウエハに対してオリフラ
5の部分を任意の角度に回転させて載置することが可能
であるから、オリフラ5を不揃いにすることにより、熱
処理炉内のガス分布を均一にすることが可能である。
よるウエハ4の支持は、上下のウエハに対してオリフラ
5の部分を任意の角度に回転させて載置することが可能
であるから、オリフラ5を不揃いにすることにより、熱
処理炉内のガス分布を均一にすることが可能である。
以下に、この考案によるボートを用いて、ウエハの2つ
の熱処理実験を行った結果を説明する。
の熱処理実験を行った結果を説明する。
ここで用いたボートの構造は、支柱の板幅が20mm、その
厚さが3mmである。このボートへのウエハの配置は、そ
のオリフラの位置を上下のウエハのオリフラ位置に対し
て45゜の角度になるように回転させて交互に載置した。
厚さが3mmである。このボートへのウエハの配置は、そ
のオリフラの位置を上下のウエハのオリフラ位置に対し
て45゜の角度になるように回転させて交互に載置した。
第1の実験として、リンドープ実験を行ったが、この実
験は、POCI3をN2ガスでバブリングした混合ガスを用い
て、リンPをウエハ内に拡散させる実験であり、炉内温
度を950℃,ドープ時間を30分とした。
験は、POCI3をN2ガスでバブリングした混合ガスを用い
て、リンPをウエハ内に拡散させる実験であり、炉内温
度を950℃,ドープ時間を30分とした。
第2の実験は、酸化膜形成実験であり、炉内温度を1000
℃,酸素流量を10I/min,熱処理時間を3時間とし
た。
℃,酸素流量を10I/min,熱処理時間を3時間とし
た。
これらの実験をウエハ50枚についてそれぞれ行い、その
結果を第1表に示した。
結果を第1表に示した。
なお、比較のために、円柱状の支柱を有する従来型のボ
ートを用いて同一の条件で実験を行い、その結果を第1
表に併せて示した。
ートを用いて同一の条件で実験を行い、その結果を第1
表に併せて示した。
表中における実験1の結果の抵抗差とは、シート抵抗値
の面内分布差のことであり、5Ω/個以下であれば合格
である。また、実験2の結果の膜厚差とは、酸化膜の面
内分布の差のことであり、100Å以下であれば合格であ
る。
の面内分布差のことであり、5Ω/個以下であれば合格
である。また、実験2の結果の膜厚差とは、酸化膜の面
内分布の差のことであり、100Å以下であれば合格であ
る。
この表から明らかなように、本考案例は、いずれの値も
合格しており、本考案の効果が顕著であることがわか
る。
合格しており、本考案の効果が顕著であることがわか
る。
<考案の効果> 以上説明したように、本考案によれば、ウエハの皮膜形
成および不純物導入が均一に施すことができるから、熱
処理されるウエハの品質向上に寄与する。
成および不純物導入が均一に施すことができるから、熱
処理されるウエハの品質向上に寄与する。
第1図は、本考案の実施例を示す(a)正面図,(b)側面
図,(c)A−A矢視図、第2図は、従来例を示す(a)正面
図,(b)側面図,(c)B−B矢視図、第3図は、従来例の
要部正面図である。 1…支柱(支持部材),2…天板, 3…台板,4…ウエハ,5…オリフラ, 6…溝,10,10′…ボート(ウエハ支持装置), 11…板状支柱,12…溝。
図,(c)A−A矢視図、第2図は、従来例を示す(a)正面
図,(b)側面図,(c)B−B矢視図、第3図は、従来例の
要部正面図である。 1…支柱(支持部材),2…天板, 3…台板,4…ウエハ,5…オリフラ, 6…溝,10,10′…ボート(ウエハ支持装置), 11…板状支柱,12…溝。
Claims (1)
- 【請求項1】ほぼ垂直に立設して所定箇所にウエハ保持
用の溝を設けた復数本の支持部材の上下両端に、天板お
よび台板を固着し、台板前方向からウエハを前記溝内に
挿入してウエハの端部を保持するように構成された縦型
熱処理炉用のウエハ支持装置であって、前記支持部材を
切り込みの深い、かつその先端が鋭角とされる溝を設け
た板状材で構成し、前記ウエハを保持する前記溝間に構
成した突出部はその先端を鋭角とし、かつウエハ裏面と
接触するウエハ載置面を水平とし、さらに前記ウエハ載
置面は各支持部材で同一レベルとしたことを特徴とする
ウエハ支持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987175823U JPH0621246Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | ウエハ支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1987175823U JPH0621246Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | ウエハ支持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0179828U JPH0179828U (ja) | 1989-05-29 |
JPH0621246Y2 true JPH0621246Y2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=31467602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1987175823U Expired - Lifetime JPH0621246Y2 (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | ウエハ支持装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0621246Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP1987175823U patent/JPH0621246Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0179828U (ja) | 1989-05-29 |
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