JPS6085538A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
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- JPS6085538A JPS6085538A JP19461083A JP19461083A JPS6085538A JP S6085538 A JPS6085538 A JP S6085538A JP 19461083 A JP19461083 A JP 19461083A JP 19461083 A JP19461083 A JP 19461083A JP S6085538 A JPS6085538 A JP S6085538A
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- boats
- wafer
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明は半導体ウェーハを２枚背面合わせで重ねて熱
処理する製造工程に利用される。
処理する製造工程に利用される。
口、従来技術
半導体ウェーへの不純物拡散工程や減圧ＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）工
程等の熱処理方法に例えば第１図及び第２図に示すよう
な石英製ポート（１）上に複数の半導体ウェーハ（以下
ウェーハと称す）（２）（２＞−を２枚ずつ背面（裏面
）合わせで重ねて定ピツチで植立保持させたものを炉芯
管（図示せず）内に搬入して加熱し、炉芯管内に必要な
ガスを供給して熱処理を行う方法がある。これを具体的
にウェーハ（２）にＮＰＮ型トランジスタ製造用のもの
を用いてウェーハ（２）にＰ型不純物を選択拡散する工
程において説明する。
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）工
程等の熱処理方法に例えば第１図及び第２図に示すよう
な石英製ポート（１）上に複数の半導体ウェーハ（以下
ウェーハと称す）（２）（２＞−を２枚ずつ背面（裏面
）合わせで重ねて定ピツチで植立保持させたものを炉芯
管（図示せず）内に搬入して加熱し、炉芯管内に必要な
ガスを供給して熱処理を行う方法がある。これを具体的
にウェーハ（２）にＮＰＮ型トランジスタ製造用のもの
を用いてウェーハ（２）にＰ型不純物を選択拡散する工
程において説明する。
上述ウェーハ（２）は第３図に示すようには型サブスト
レート（２ａ）上にＮ 型エピタキシャル成長層（２ｂ
）を形成してエピタキシャル成長層（２ｂ）上の絶縁膜
（２ｃ）を選択的に窓開けしたもので、上記工程は絶縁
膜（２ｃ）の窓孔（２ｄ）からエピタキシャル成長層（
２ｂ）にＰ型不純物を選択拡散してＰ型ベース領域（２
ｅ）を形成する工程を示す。この時、２枚のウェーハ（
２） （２）は各々のサブストレート（２ａ）（２ａ）
の裏面でもって背面合わせされる。この背面合わせの理
由は１つのボート（１）上に多くのウェーハ（２）（２
）・−を植立できて量産性が上がることの他に、仮に各
ウェーハ（２）（２） −を離して熱処理するとサブス
トレート（２ａ） （２ａ）−内の高濃度のＮ型不純物
の一部がウェーハ裏面より外方拡散してウェーハ自身、
又は他のウェーハ（２）（２）−のベース領域（２ｅ）
（２ｅ）−・・・に拡散するオートドーピング現像が
生じて品質劣下を招くことがある。尚、このオートドー
ピング現像の防止手段として各ウェーハ（２） （２）
−の裏面に酸化膜を形成したりしてウェーハ（２）（２
１−を１枚ずつ離して熱処理することが行われているが
、これではウェーハ裏面に酸化膜を残すために熱処理前
の窓開は時のワックス塗布や窓開は後にワックスを除去
する煩雑な処理を必要とし、この理由からも２枚のウェ
ーハ（２）（２）を背面合わせで重ねて熱処理すること
が望ましい。
レート（２ａ）上にＮ 型エピタキシャル成長層（２ｂ
）を形成してエピタキシャル成長層（２ｂ）上の絶縁膜
（２ｃ）を選択的に窓開けしたもので、上記工程は絶縁
膜（２ｃ）の窓孔（２ｄ）からエピタキシャル成長層（
２ｂ）にＰ型不純物を選択拡散してＰ型ベース領域（２
ｅ）を形成する工程を示す。この時、２枚のウェーハ（
２） （２）は各々のサブストレート（２ａ）（２ａ）
の裏面でもって背面合わせされる。この背面合わせの理
由は１つのボート（１）上に多くのウェーハ（２）（２
）・−を植立できて量産性が上がることの他に、仮に各
ウェーハ（２）（２） −を離して熱処理するとサブス
トレート（２ａ） （２ａ）−内の高濃度のＮ型不純物
の一部がウェーハ裏面より外方拡散してウェーハ自身、
又は他のウェーハ（２）（２）−のベース領域（２ｅ）
（２ｅ）−・・・に拡散するオートドーピング現像が
生じて品質劣下を招くことがある。尚、このオートドー
ピング現像の防止手段として各ウェーハ（２） （２）
−の裏面に酸化膜を形成したりしてウェーハ（２）（２
１−を１枚ずつ離して熱処理することが行われているが
、これではウェーハ裏面に酸化膜を残すために熱処理前
の窓開は時のワックス塗布や窓開は後にワックスを除去
する煩雑な処理を必要とし、この理由からも２枚のウェ
ーハ（２）（２）を背面合わせで重ねて熱処理すること
が望ましい。
ハ１発明が解決しようとする問題点
ところで、ボート（１）上にウェーハ（２）を２枚ずつ
重ねて植立させる作業を従来はウェーハ（２）を１枚ず
つピンセントで挟んでボート（１）上へと運ぶ手作業で
行っている。そのため作業能率が極めて悪く、而もピン
セントでウェーハ（２）を傷付けたり、ウェーハ（２）
が汚染されたりする問題があった。
重ねて植立させる作業を従来はウェーハ（２）を１枚ず
つピンセントで挟んでボート（１）上へと運ぶ手作業で
行っている。そのため作業能率が極めて悪く、而もピン
セントでウェーハ（２）を傷付けたり、ウェーハ（２）
が汚染されたりする問題があった。
二０問題点を解決するための手段
本発明は上記ウェーハ２枚重ね上の問題点に８監みてな
されたもので、ウェーハ２枚重ねの自動化及び２枚重ね
のウェーハの離脱の自動化を簡単な治具でもって実現さ
せて半導体製造の能率向上を図ることを目的とし、この
目的の達成手段として次の製造工程を有することを特徴
とする。
されたもので、ウェーハ２枚重ねの自動化及び２枚重ね
のウェーハの離脱の自動化を簡単な治具でもって実現さ
せて半導体製造の能率向上を図ることを目的とし、この
目的の達成手段として次の製造工程を有することを特徴
とする。
先ず第１、第２ポート上の夫々に複数のウェーハを１枚
ずつ定ピツチで平行に植立する工程を有する。この工程
での特徴はウェーハの特定の主面を一定方向に向けかつ
その外周のストレートなオリエンテーションフラット部
（以下ＯＦ部と称す）を一方向に揃えて第１、第２ボー
トより露出させることである。この工程の第１、第２ボ
ートへのウェーハの植立作業はウェーハを定ピツチで整
列収納した既製品の治具（キャリア）を使うことにより
複数枚一括して自動的に行える。
ずつ定ピツチで平行に植立する工程を有する。この工程
での特徴はウェーハの特定の主面を一定方向に向けかつ
その外周のストレートなオリエンテーションフラット部
（以下ＯＦ部と称す）を一方向に揃えて第１、第２ボー
トより露出させることである。この工程の第１、第２ボ
ートへのウェーハの植立作業はウェーハを定ピツチで整
列収納した既製品の治具（キャリア）を使うことにより
複数枚一括して自動的に行える。
次に上記第１、第２ボートを一方のボート上のウェーハ
が他方のボート上のウェーハ間に同一主面同志が対向す
るように入り、且つ一方のボート上のウェーハのＯＦ部
が他方のボート上に接触するよう互いに傾けて並列配置
する工程を有する。この工程は第１、第２ボートを並列
に保持する１つのポートホルダを使えば簡単に且つ正確
に行える。
が他方のボート上のウェーハ間に同一主面同志が対向す
るように入り、且つ一方のボート上のウェーハのＯＦ部
が他方のボート上に接触するよう互いに傾けて並列配置
する工程を有する。この工程は第１、第２ボートを並列
に保持する１つのポートホルダを使えば簡単に且つ正確
に行える。
最後に所定に並列配置された第１、第２ボートを両ボー
ト上のウェーハが２枚ずつ重なるよう相対移動させる工
程を有する。この工程で各ウェーハは２つの第１、第２
ボート上に２枚ずつ重なったウェーハが定ピツチで並び
、所望の熱処理可能な状態になる。熱処理が完了すると
第１、第２ボートを上述と逆方向に相対移動させれば重
なったウェーハが離れる。
ト上のウェーハが２枚ずつ重なるよう相対移動させる工
程を有する。この工程で各ウェーハは２つの第１、第２
ボート上に２枚ずつ重なったウェーハが定ピツチで並び
、所望の熱処理可能な状態になる。熱処理が完了すると
第１、第２ボートを上述と逆方向に相対移動させれば重
なったウェーハが離れる。
ホ、実施例
本発明の方法で使用する上記第１、第２ボートの具体例
を第４図乃至第７図から説明する。
を第４図乃至第７図から説明する。
第４図及び第５図は第１ボート（３）を示し、これは石
英製の長尺な矩形板で、フラットな上面の一側部に１枚
のウェーハ（２）の周縁一部が嵌る溝（４）が第１ボー
ト（３）の長手方向に直交する方向で複数個が定ピツチ
Ｐで形成される。この第１ボート（３）は枠状の石英製
ボートホルダ（５）上に固定される。ポートボルダ（５
）は例えば３本の平行な縦棒（５ａ） （５ｂ）（５ｃ
）の両端を内角θが鈍角のく字状の横棒（５ｅ） （５
ｅ）の中央と両端で連結した枠体で、中央の縦棒（５ａ
）と−側端の縦棒（５ｂ）上に第１ボート（３）が溝（
４）（４）・−・を内側にして固定される。第６図及び
第７図は第２ボート（７）を示し、これは第１ボート（
３）と同様な厚さの長尺な矩形板で、フラットな上面の
一例部に１枚のウェーハ（２）の周縁一部が嵌る溝（８
）が第２ボート（７）の長手方向と直交する方向で複数
個が定ピツチＰで形成される。
英製の長尺な矩形板で、フラットな上面の一側部に１枚
のウェーハ（２）の周縁一部が嵌る溝（４）が第１ボー
ト（３）の長手方向に直交する方向で複数個が定ピツチ
Ｐで形成される。この第１ボート（３）は枠状の石英製
ボートホルダ（５）上に固定される。ポートボルダ（５
）は例えば３本の平行な縦棒（５ａ） （５ｂ）（５ｃ
）の両端を内角θが鈍角のく字状の横棒（５ｅ） （５
ｅ）の中央と両端で連結した枠体で、中央の縦棒（５ａ
）と−側端の縦棒（５ｂ）上に第１ボート（３）が溝（
４）（４）・−・を内側にして固定される。第６図及び
第７図は第２ボート（７）を示し、これは第１ボート（
３）と同様な厚さの長尺な矩形板で、フラットな上面の
一例部に１枚のウェーハ（２）の周縁一部が嵌る溝（８
）が第２ボート（７）の長手方向と直交する方向で複数
個が定ピツチＰで形成される。
第２ボート（７）はボートホルダ（５）の中央の縦棒（
５ａ）と残りの一側端の縦棒（５ｃ）上に溝（８）（８
）・−を内側にして長平方向スライド可能に適宜載置さ
れる。
５ａ）と残りの一側端の縦棒（５ｃ）上に溝（８）（８
）・−を内側にして長平方向スライド可能に適宜載置さ
れる。
上記第１、第２ボート（３）、（７）を用いて本発明は
次の各工程でウェーハ熱処理を行う。
次の各工程でウェーハ熱処理を行う。
先ず第１ボート（３）と第２ボート（７）の各港（４）
（４）−・・、（８）（８）・−に１枚ずつ’７エーハ
（２）（２）−・−を第５図と第７ｖ７Ａノ鎖線で示す
如く各ウェーハ（２）（２）−・−のＯＦ部（２”）（
２’）−・が対応する第１、第２ボート（３）（７）の
内側端を境に外に露出するように揃えて植立させる。こ
のＯＦ部（２”） （２’）−・−と第１、第２ボート
（３）（７）の上面との角度はポートホルダ（５）の内
角θに等しく設定される。またこのよう−なウェーッ＼
植立作業は例えば次のように行えばよい。第１２図と第
１３図に示すような一般的な既製のキャリア（９）内に
複数のウェーハ（２）（２）−を等間隔で整・列収納し
たものを用意する。このキャリア（９）は上下開口の枠
体でウェー／Ｓ洗浄や乾燥工程に利用される。本発明の
場合はキャリア（９）に収納したウェーハ（２）（２）
−にキャリア（９）の下部開口から挿入した１本の丸棒
状回転体（１０）を同軸方向で接触させて回転体（１０
）を回転させ、この時の接触抵抗にてウェー７１（２）
（２）−をキャリア（９）内で回転させる。するとウェ
ーハ（２） （２）−のＯＦ部（２’） （２’）・−
が回転体（１０）のある下部にくると回転体（１０）と
の接触が無くなりウェーッ＼（２）（２）−の回転が止
まる。これによりウェーハ（２）（２）−はキャリア（
９）内でＯＦ部（２’） （２’）−・が同一方向に揃
えられる。而してキャリア（９）内のウェーッ＼（２）
（２）−のＯＦ部（２″）（２°）−・を適当な方向
に移動させてから対応する第１ボート（３）又番よ第２
ボート（７）へと一括して移し替える。又はキャリア（
９）からウェーッ＼（２）（２）、−を別のボート上に
移し替えて、更にこのボートから第１ボート（３）又は
第２ホード（７）へ移し替える。尚、第１ボートく３）
と第２ボート（７）上のウェーハ（２）（２）−・−の
表裏面の方向は作業内容にもよるが、同一方向に揃え、
以下この表裏面を揃えた例でもって説明を続行する。
（４）−・・、（８）（８）・−に１枚ずつ’７エーハ
（２）（２）−・−を第５図と第７ｖ７Ａノ鎖線で示す
如く各ウェーハ（２）（２）−・−のＯＦ部（２”）（
２’）−・が対応する第１、第２ボート（３）（７）の
内側端を境に外に露出するように揃えて植立させる。こ
のＯＦ部（２”） （２’）−・−と第１、第２ボート
（３）（７）の上面との角度はポートホルダ（５）の内
角θに等しく設定される。またこのよう−なウェーッ＼
植立作業は例えば次のように行えばよい。第１２図と第
１３図に示すような一般的な既製のキャリア（９）内に
複数のウェーハ（２）（２）−を等間隔で整・列収納し
たものを用意する。このキャリア（９）は上下開口の枠
体でウェー／Ｓ洗浄や乾燥工程に利用される。本発明の
場合はキャリア（９）に収納したウェーハ（２）（２）
−にキャリア（９）の下部開口から挿入した１本の丸棒
状回転体（１０）を同軸方向で接触させて回転体（１０
）を回転させ、この時の接触抵抗にてウェー７１（２）
（２）−をキャリア（９）内で回転させる。するとウェ
ーハ（２） （２）−のＯＦ部（２’） （２’）・−
が回転体（１０）のある下部にくると回転体（１０）と
の接触が無くなりウェーッ＼（２）（２）−の回転が止
まる。これによりウェーハ（２）（２）−はキャリア（
９）内でＯＦ部（２’） （２’）−・が同一方向に揃
えられる。而してキャリア（９）内のウェーッ＼（２）
（２）−のＯＦ部（２″）（２°）−・を適当な方向
に移動させてから対応する第１ボート（３）又番よ第２
ボート（７）へと一括して移し替える。又はキャリア（
９）からウェーッ＼（２）（２）、−を別のボート上に
移し替えて、更にこのボートから第１ボート（３）又は
第２ホード（７）へ移し替える。尚、第１ボートく３）
と第２ボート（７）上のウェーハ（２）（２）−・−の
表裏面の方向は作業内容にもよるが、同一方向に揃え、
以下この表裏面を揃えた例でもって説明を続行する。
次にポートホルダ（５）上に第２ボート（７）を第８図
乃至第１０図に示すように第１引ξ−ト（３）と並列に
なるよう位置決め載置する。この載置は第１ボート（３
）上のウェーッＸ（２）（２）−の間に第２ボート（７
）上のウェーッ＼（２）（２）−・が１枚ずつ入り込む
ように、且つ第２ボート（７）上のウェーッ＼（２）（
２）−のＯＦ部（２’） （２’）−が第１ボート（３
）上に接触するようにして行われる。この場合、第１ボ
ート（３）上のウェーハ（２）（２）−・−の裏面に第
２ボート（７）上のウェーッ＼（２）（２：ｌ−ｍ−の
裏面が対向するよう第２ボート（７）の方向を決めて行
う。
乃至第１０図に示すように第１引ξ−ト（３）と並列に
なるよう位置決め載置する。この載置は第１ボート（３
）上のウェーッＸ（２）（２）−の間に第２ボート（７
）上のウェーッ＼（２）（２）−・が１枚ずつ入り込む
ように、且つ第２ボート（７）上のウェーッ＼（２）（
２）−のＯＦ部（２’） （２’）−が第１ボート（３
）上に接触するようにして行われる。この場合、第１ボ
ート（３）上のウェーハ（２）（２）−・−の裏面に第
２ボート（７）上のウェーッ＼（２）（２：ｌ−ｍ−の
裏面が対向するよう第２ボート（７）の方向を決めて行
う。
而る後各ウェーハ（２）（２１−のＯＦ部（２”） （
２’）−を相手側ボート上にスライドさせることにより
第２ボート（７）を第１１図に示すように長手方向に少
し移動させて第２ボート（７）上のウェーハ（２）（２
Ｌ−を第１ボート（３）上のウェーハ（２）（２）−・
−の対向する１枚ずつに重ねる。すると第１、第２ボー
ト（３）（７）上で複数のウェーハ（２）（２）−が２
枚ずつ裏面合わせで重なって定ピ・ノチで並んだものが
得られる。この第１１図の状態でウェーハ（２）（２Ｌ
−は表面のみが所望に熱処理される。そして熱処理が完
了すると、第２ボート（７）を上述と逆方向に少し移動
させれば２枚ずつ重なったウェーハ（２）（２）−・・
バ一括して離れ、第１、第２ボート（３）（７）上ニウ
エーハ（２）（２）・−を植立した状態で第１、第２ボ
ー） （３）（７）を離して外部への取出しが行われる
。
２’）−を相手側ボート上にスライドさせることにより
第２ボート（７）を第１１図に示すように長手方向に少
し移動させて第２ボート（７）上のウェーハ（２）（２
Ｌ−を第１ボート（３）上のウェーハ（２）（２）−・
−の対向する１枚ずつに重ねる。すると第１、第２ボー
ト（３）（７）上で複数のウェーハ（２）（２）−が２
枚ずつ裏面合わせで重なって定ピ・ノチで並んだものが
得られる。この第１１図の状態でウェーハ（２）（２Ｌ
−は表面のみが所望に熱処理される。そして熱処理が完
了すると、第２ボート（７）を上述と逆方向に少し移動
させれば２枚ずつ重なったウェーハ（２）（２）−・・
バ一括して離れ、第１、第２ボート（３）（７）上ニウ
エーハ（２）（２）・−を植立した状態で第１、第２ボ
ー） （３）（７）を離して外部への取出しが行われる
。
本発明で使用する第１、第２ボートの形状は板状に限ら
ず、丸棒を組合せたものなどを使用してもよい。また第
１、第２ボートの一方を固定式にしたが、両方を移動可
能にしてもよい。
ず、丸棒を組合せたものなどを使用してもよい。また第
１、第２ボートの一方を固定式にしたが、両方を移動可
能にしてもよい。
へ０発明の結果
以上の如く、本発明によればウェーハを２枚ずつ重ねて
ボート上に植立保持する作業が容易で且つ作業の自動化
が可能となり、従ってウェーハの割れ、欠け、汚れなど
の心配が無くなり、半導体製造の作業能率、歩留まり改
善が図れる。またウェーハ保持に使用するボートは平板
状等の簡単なものでよく、設備投資的に有利である。
ボート上に植立保持する作業が容易で且つ作業の自動化
が可能となり、従ってウェーハの割れ、欠け、汚れなど
の心配が無くなり、半導体製造の作業能率、歩留まり改
善が図れる。またウェーハ保持に使用するボートは平板
状等の簡単なものでよく、設備投資的に有利である。
第１図及び第２図はこの発明の背景となる半導体製造用
ボートの側面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図は第
１図の一部拡大断面図、第４図及び第５図は本発明で用
いるボートの一例を示す斜視図及びＢ−Ｂ線に沿う断面
図、第６図及び第７図は本発明で用いる他のボートの一
例を示す斜視図及びＣ−Ｃ線に沿う断面図、第８図は第
４図と第６図のボート使用による半導体製造の一過程時
の平面図、第９図は第８図のＤ−Ｄ線に沿う断面図、第
１θ図は第８図のＥ−Ｅ線に沿う断面図、第１１図は第
８図における一動作後の平面図、第１２図及び第１３図
は一般的ウエーハ収納用キャリアの側面図及びＦ−Ｆ線
に沿う断面図である。 （２）−半導体ウェーハ、（２’） −オリエンテーシ
ョンフラット、（３）−第１ホード、（７）−・−第２
ボート。 ｍ６図 節８ ｆｑ 律９図
ボートの側面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図は第
１図の一部拡大断面図、第４図及び第５図は本発明で用
いるボートの一例を示す斜視図及びＢ−Ｂ線に沿う断面
図、第６図及び第７図は本発明で用いる他のボートの一
例を示す斜視図及びＣ−Ｃ線に沿う断面図、第８図は第
４図と第６図のボート使用による半導体製造の一過程時
の平面図、第９図は第８図のＤ−Ｄ線に沿う断面図、第
１θ図は第８図のＥ−Ｅ線に沿う断面図、第１１図は第
８図における一動作後の平面図、第１２図及び第１３図
は一般的ウエーハ収納用キャリアの側面図及びＦ−Ｆ線
に沿う断面図である。 （２）−半導体ウェーハ、（２’） −オリエンテーシ
ョンフラット、（３）−第１ホード、（７）−・−第２
ボート。 ｍ６図 節８ ｆｑ 律９図
Claims (1)
- （１１耐熱製ボート上に複数の半導体ウェーハを２枚ず
つ重ねて平行に定ピツチで植立して所望の熱処理を行う
ものに於いて、第１、第２ボート上の夫々に複数の半導
体ウェーへの表裏を一定方向に向け、その外周のオリエ
ンテーションフラット部を一方向に揃えて露出させて定
ピンチで平行に植立する工程、この第１、第２ボートを
一方のボート上の各半導体ウェーハを他方のボート上の
各半導体ウェーへ間に同一主面同志が対向するように入
れ、且つ両ポート上の各半導体ウェーへのオリエンテー
ションフラット部を相手側のボート上に接触させた状態
で並列配置する工程、並列の第１、第２ボートを両ボー
ト上の各半導体ウェーハが２枚ずつ重なるよう相対移動
させる工程を有することを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19461083A JPS6085538A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19461083A JPS6085538A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085538A true JPS6085538A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16327397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19461083A Pending JPS6085538A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0432422A2 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-19 | Naoetsu Electronics Company | Method and apparatus for mounting slice base on wafer of semiconductor |
| WO2010075841A1 (de) * | 2008-12-16 | 2010-07-08 | Q-Cells Se | Modularer carrier |
| JP2013089820A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱処理用ボート |
| CN106935535A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种石英推拉舟 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP19461083A patent/JPS6085538A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0432422A2 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-19 | Naoetsu Electronics Company | Method and apparatus for mounting slice base on wafer of semiconductor |
| WO2010075841A1 (de) * | 2008-12-16 | 2010-07-08 | Q-Cells Se | Modularer carrier |
| JP2013089820A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱処理用ボート |
| CN106935535A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 一种石英推拉舟 |
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