JP3067509B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば石英ボートを備
える熱処理用電気炉のように、半導体基板（ウエハ）を
保持したボートを搬送し、加熱処理する半導体製造装置
に関する。
える熱処理用電気炉のように、半導体基板（ウエハ）を
保持したボートを搬送し、加熱処理する半導体製造装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来の電気炉の構造を示す模式
図である。図中１は、長手方向を鉛直方向とした支柱１
ａを、水平面で半円弧を描くように４本備える石英ボー
トであり、支柱１ａ，１ａ…には水平な切り込み部が夫
々同じ高さに等間隔で設けられており、４個の切り込み
部に支持される態様にて、半導体基板２，２…を保持す
るようになっている。石英ボート１は底部が保温筒３と
連結されており、保温筒３の底部に連結されたキャップ
兼エレベータ４の上下昇降により、石英ボート１上方に
配設された炉芯管５内に挿入脱される。炉芯管５は石英
製の電気炉であり、高温に保持されて、この内部に挿入
された石英ボート１内の半導体基板２，２…を熱処理す
る。
図である。図中１は、長手方向を鉛直方向とした支柱１
ａを、水平面で半円弧を描くように４本備える石英ボー
トであり、支柱１ａ，１ａ…には水平な切り込み部が夫
々同じ高さに等間隔で設けられており、４個の切り込み
部に支持される態様にて、半導体基板２，２…を保持す
るようになっている。石英ボート１は底部が保温筒３と
連結されており、保温筒３の底部に連結されたキャップ
兼エレベータ４の上下昇降により、石英ボート１上方に
配設された炉芯管５内に挿入脱される。炉芯管５は石英
製の電気炉であり、高温に保持されて、この内部に挿入
された石英ボート１内の半導体基板２，２…を熱処理す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような電気炉で半
導体基板を熱処理する場合に、半導体基板の中央部と周
縁部とで温度差が生じ、これによる熱応力が半導体基板
に付加される。例えば半導体基板のサイズが大きい場合
又は短時間で半導体基板を加熱した場合のように、大き
な熱応力が付加されたときには、半導体基板を炉芯管へ
挿入する際又は引き出す際に転位が発生して半導体基板
に反りが生じ易い。
導体基板を熱処理する場合に、半導体基板の中央部と周
縁部とで温度差が生じ、これによる熱応力が半導体基板
に付加される。例えば半導体基板のサイズが大きい場合
又は短時間で半導体基板を加熱した場合のように、大き
な熱応力が付加されたときには、半導体基板を炉芯管へ
挿入する際又は引き出す際に転位が発生して半導体基板
に反りが生じ易い。
【０００４】また、上述の石英ボートは４点支持により
半導体基板を保持している。図９は、このように保持さ
れた半導体基板を上から見た模式図であり、半導体基板
２は支柱１ａ，１ａ…の切り込み部により、周縁の４点
で支持されている。このように、半導体基板の自重は半
導体基板周縁の４点で支持されているので、自重による
応力（支持点が与える力）が半導体基板に不均一に付加
される。この応力は半導体基板のサイズが大きい程大き
な力となり、自重による応力と前記熱応力とにより、半
導体基板に転位又はスリップが発生し易くなる。これ
は、近年多用される大口径８インチφ以上の半導体基板
において、特に顕著な問題であった。
半導体基板を保持している。図９は、このように保持さ
れた半導体基板を上から見た模式図であり、半導体基板
２は支柱１ａ，１ａ…の切り込み部により、周縁の４点
で支持されている。このように、半導体基板の自重は半
導体基板周縁の４点で支持されているので、自重による
応力（支持点が与える力）が半導体基板に不均一に付加
される。この応力は半導体基板のサイズが大きい程大き
な力となり、自重による応力と前記熱応力とにより、半
導体基板に転位又はスリップが発生し易くなる。これ
は、近年多用される大口径８インチφ以上の半導体基板
において、特に顕著な問題であった。
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、半導体基板対向側に突起部を設けた支持体を
備えて半導体基板の自重による応力を分散せしめ、面積
の大きな半導体基板でも、転位又はスリップの発生を防
止して、均一な加熱処理を行うことができる半導体製造
装置を提供することを目的とする。
のであり、半導体基板対向側に突起部を設けた支持体を
備えて半導体基板の自重による応力を分散せしめ、面積
の大きな半導体基板でも、転位又はスリップの発生を防
止して、均一な加熱処理を行うことができる半導体製造
装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る半導体製
造装置は、支柱の側部に設けた切り込み部に半導体基板
を挿入し、該半導体基板を保持する縦型のボートを備
え、前記半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置にお
いて、前記ボートは、半円板状の平面形状を有し半導体
基板を支持する一対の支持体を支柱の切り込み部近傍に
備え、該支持体の半導体基板との対向側に複数の突起部
を設けてあり、前記支持体は、一部を欠落させて形成し
た通気部を前記半導体基板の厚み方向に備えることを特
徴とする。
造装置は、支柱の側部に設けた切り込み部に半導体基板
を挿入し、該半導体基板を保持する縦型のボートを備
え、前記半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置にお
いて、前記ボートは、半円板状の平面形状を有し半導体
基板を支持する一対の支持体を支柱の切り込み部近傍に
備え、該支持体の半導体基板との対向側に複数の突起部
を設けてあり、前記支持体は、一部を欠落させて形成し
た通気部を前記半導体基板の厚み方向に備えることを特
徴とする。
【０００７】第２発明に係る半導体製造装置は、支柱の
側部に設けた切り込み部に半導体基板を挿入し、該半導
体基板を保持する縦型のボートを備え、前記半導体基板
に熱処理を施す半導体製造装置において、前記ボート
は、円弧状の平面形状を有し半導体基板を支持する支持
体を支柱の切り込み部近傍に備え、該支持体の半導体基
板との対向側に複数の突起部を設けてあることを特徴と
する。
側部に設けた切り込み部に半導体基板を挿入し、該半導
体基板を保持する縦型のボートを備え、前記半導体基板
に熱処理を施す半導体製造装置において、前記ボート
は、円弧状の平面形状を有し半導体基板を支持する支持
体を支柱の切り込み部近傍に備え、該支持体の半導体基
板との対向側に複数の突起部を設けてあることを特徴と
する。
【０００８】
【作用】第１発明の半導体製造装置では、半導体基板対
向側に突起物を設けた支持体上に半導体基板を保持する
ことにより、半導体基板の自重を支える点が分散される
ので、自重による応力が半導体基板に均一に付加され
る。また、前記支持体に設けられた突起部により、半導
体基板が支持体の表面から僅かに離隔し、半導体下面側
へのガスの流通が良好となって、半導体基板の中央部と
周縁部との温度差が小さくなる。更に、支持体が半円板
状であり、一部を欠落させて形成した通気部を有してお
り、ガスが半導体下面側へ回り込むので、ガスの流通が
一層良好になる。そして、例えば半導体に成膜を行う場
合は、半導体下面側も上面側と同様に成膜され、半導体
基板の表面と裏面との成膜厚が均一になるので、成膜に
よる半導体基板の応力が均一となって反りを防止する。
向側に突起物を設けた支持体上に半導体基板を保持する
ことにより、半導体基板の自重を支える点が分散される
ので、自重による応力が半導体基板に均一に付加され
る。また、前記支持体に設けられた突起部により、半導
体基板が支持体の表面から僅かに離隔し、半導体下面側
へのガスの流通が良好となって、半導体基板の中央部と
周縁部との温度差が小さくなる。更に、支持体が半円板
状であり、一部を欠落させて形成した通気部を有してお
り、ガスが半導体下面側へ回り込むので、ガスの流通が
一層良好になる。そして、例えば半導体に成膜を行う場
合は、半導体下面側も上面側と同様に成膜され、半導体
基板の表面と裏面との成膜厚が均一になるので、成膜に
よる半導体基板の応力が均一となって反りを防止する。
【０００９】第２発明の半導体製造装置では、半導体基
板対向側に突起物を設けた支持体上に半導体基板を保持
することにより、半導体基板の自重を支える点が分散さ
れるので、自重による応力が半導体基板に均一に付加さ
れる。また、前記支持体に設けられた突起部により、半
導体基板が支持体の表面から僅かに離隔し、半導体下面
側へのガスの流通が良好となって、半導体基板の中央部
と周縁部との温度差が小さくなる。更に、支持体が円弧
状であり、その下部の略全面が開放されておりガスが半
導体基板の下面側へ回り込むので、ガスの流通が一層良
好になる。そして、例えば半導体に成膜を行う場合は、
半導体下面側も上面側と同様に成膜され、半導体基板の
表面と裏面との成膜厚が均一になるので、成膜による半
導体基板の応力が均一となって反りを防止する。
板対向側に突起物を設けた支持体上に半導体基板を保持
することにより、半導体基板の自重を支える点が分散さ
れるので、自重による応力が半導体基板に均一に付加さ
れる。また、前記支持体に設けられた突起部により、半
導体基板が支持体の表面から僅かに離隔し、半導体下面
側へのガスの流通が良好となって、半導体基板の中央部
と周縁部との温度差が小さくなる。更に、支持体が円弧
状であり、その下部の略全面が開放されておりガスが半
導体基板の下面側へ回り込むので、ガスの流通が一層良
好になる。そして、例えば半導体に成膜を行う場合は、
半導体下面側も上面側と同様に成膜され、半導体基板の
表面と裏面との成膜厚が均一になるので、成膜による半
導体基板の応力が均一となって反りを防止する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は、本発明に係る第１実施例
の石英ボートの構造を示す拡大正面図であり、図２は保
持された半導体基板を上から見た模式図であり、図３は
石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した斜視
図である。石英ボート１には、長手方向を鉛直方向と
し、水平面で半円弧を描くように４本の支柱１ａ，１ａ
…が配されており、支柱１ａ，１ａ…夫々には、同じ高
さに切り込み部１ｂ，１ｂ…が等間隔で設けられてい
る。そして、４本の支柱１ａ，１ａ…を備えた側即ち背
面側に向かって右側の２本の支柱１ａ，１ａには、保持
すべき半導体基板２の周縁より僅かに小さい円弧を有す
る、例えば石英製の半円板状の支持体６が、切り込み部
１ｂ，１ｂ…の底面と同一平面をなすように周着されて
いる。また、左側の２本の支柱１ａ，１ａには同様の半
円板状の支持体６が、中央部を含む正背方向を空間にし
て同様に周着されている。そして、支持体６夫々の上面
には、滑らかな突起部７，７…が３個づつ均一に位置さ
せて設けられている。そして、大口径、例えば８インチ
φの半導体基板２が支持部６上に載置され、突起部７，
７…により支持される。
き具体的に説明する。図１は、本発明に係る第１実施例
の石英ボートの構造を示す拡大正面図であり、図２は保
持された半導体基板を上から見た模式図であり、図３は
石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した斜視
図である。石英ボート１には、長手方向を鉛直方向と
し、水平面で半円弧を描くように４本の支柱１ａ，１ａ
…が配されており、支柱１ａ，１ａ…夫々には、同じ高
さに切り込み部１ｂ，１ｂ…が等間隔で設けられてい
る。そして、４本の支柱１ａ，１ａ…を備えた側即ち背
面側に向かって右側の２本の支柱１ａ，１ａには、保持
すべき半導体基板２の周縁より僅かに小さい円弧を有す
る、例えば石英製の半円板状の支持体６が、切り込み部
１ｂ，１ｂ…の底面と同一平面をなすように周着されて
いる。また、左側の２本の支柱１ａ，１ａには同様の半
円板状の支持体６が、中央部を含む正背方向を空間にし
て同様に周着されている。そして、支持体６夫々の上面
には、滑らかな突起部７，７…が３個づつ均一に位置さ
せて設けられている。そして、大口径、例えば８インチ
φの半導体基板２が支持部６上に載置され、突起部７，
７…により支持される。
【００１１】石英ボート１には、このような支持体６，
６が、鉛直方向に複数設けられた切り込み部１ｂ，１ｂ
…に対応させて複数備えてある。半導体基板２，２…を
載置するときには、図示しないセラミック製のアームに
より半導体基板２の裏面中央を支持し、切り込み部１
ｂ，１ｂ…及び支持体６，６…夫々に半導体基板２，２
…を移送する。このとき半導体基板２は突起部７，７…
に支持され、支持体６表面から僅かに離隔している。こ
の石英ボート１を用いて半導体基板２，２，…に、例え
ば熱酸化処理，ＣＶＤ工程，熱拡散処理又はアニール工
程等の加熱処理を行う場合には、石英ボート１を図示し
ない炉芯管に挿入し、半導体基板２，２…を加熱処理す
る。
６が、鉛直方向に複数設けられた切り込み部１ｂ，１ｂ
…に対応させて複数備えてある。半導体基板２，２…を
載置するときには、図示しないセラミック製のアームに
より半導体基板２の裏面中央を支持し、切り込み部１
ｂ，１ｂ…及び支持体６，６…夫々に半導体基板２，２
…を移送する。このとき半導体基板２は突起部７，７…
に支持され、支持体６表面から僅かに離隔している。こ
の石英ボート１を用いて半導体基板２，２，…に、例え
ば熱酸化処理，ＣＶＤ工程，熱拡散処理又はアニール工
程等の加熱処理を行う場合には、石英ボート１を図示し
ない炉芯管に挿入し、半導体基板２，２…を加熱処理す
る。
【００１２】このような石英ボート１に保持された半導
体基板２は、支持体６，６上に設けられた突起部７，７
…により支持されるので、自重による応力が均一に付加
され、加熱時の転位及びスリップの発生を防止できる。
また、突起部７，７…により支持体６，６表面から離隔
されるので、半導体基板下面へのガスの流通が良好とな
って、半導体基板の中央部と周縁部との温度差が小さく
なる。
体基板２は、支持体６，６上に設けられた突起部７，７
…により支持されるので、自重による応力が均一に付加
され、加熱時の転位及びスリップの発生を防止できる。
また、突起部７，７…により支持体６，６表面から離隔
されるので、半導体基板下面へのガスの流通が良好とな
って、半導体基板の中央部と周縁部との温度差が小さく
なる。
【００１３】なお、本実施例では支持体として、対をな
す半円板状のものを備えているが、これに限るものでは
なく、炉芯管内のガスの流れを妨げない形状のものであ
れば、例えば半導体基板の周縁のみを支える円弧状のも
のであっても良い。
す半円板状のものを備えているが、これに限るものでは
なく、炉芯管内のガスの流れを妨げない形状のものであ
れば、例えば半導体基板の周縁のみを支える円弧状のも
のであっても良い。
【００１４】図２，図３に示すように支持体６は、その
厚み方向、即ち鉛直方向に貫通するように、通気部とし
ての作用をなす複数の開口部１８，１８，…を有してお
り、上から見て網目形状をなしている。支持体６の厚み
は、前述のように支持される半導体基板２の重量に耐え
得る程度に厚く、石英ボート内のガスの流れを妨げない
程度に薄いことが望ましい。
厚み方向、即ち鉛直方向に貫通するように、通気部とし
ての作用をなす複数の開口部１８，１８，…を有してお
り、上から見て網目形状をなしている。支持体６の厚み
は、前述のように支持される半導体基板２の重量に耐え
得る程度に厚く、石英ボート内のガスの流れを妨げない
程度に薄いことが望ましい。
【００１５】
【００１６】
【００１７】以上の如き石英ボートに半導体基板２，２
…を載置する際には、図示しないセラミック製のアーム
により半導体基板２の裏面中央を支持し、左右の支持体
６，６間に正背方向に設けられた空間を利用して、切り
込み部内及び支持体６，６上に半導体基板２を移送す
る。このとき半導体基板２は、前記突起部７，７…によ
り、支持体６，６の表面から僅かに離隔して支持され
る。
…を載置する際には、図示しないセラミック製のアーム
により半導体基板２の裏面中央を支持し、左右の支持体
６，６間に正背方向に設けられた空間を利用して、切り
込み部内及び支持体６，６上に半導体基板２を移送す
る。このとき半導体基板２は、前記突起部７，７…によ
り、支持体６，６の表面から僅かに離隔して支持され
る。
【００１８】このような石英ボートを、前述の如く図示
しない炉芯管に挿入し、複数か所の支持体６，６…に支
持された半導体基板２，２…に成膜する場合、石英ボー
ト内のガスは、支持体６，６，…に設けられた開口部１
８，１８，…を通って半導体基板２，２，…の裏面に達
し、該裏面にも表面と同様の成膜がなされる。これによ
り、半導体基板の表面と裏面との膜厚が均一になり、半
導体基板の応力が均一となって、応力の不均一から生じ
る反りを防止できる。
しない炉芯管に挿入し、複数か所の支持体６，６…に支
持された半導体基板２，２…に成膜する場合、石英ボー
ト内のガスは、支持体６，６，…に設けられた開口部１
８，１８，…を通って半導体基板２，２，…の裏面に達
し、該裏面にも表面と同様の成膜がなされる。これによ
り、半導体基板の表面と裏面との膜厚が均一になり、半
導体基板の応力が均一となって、応力の不均一から生じ
る反りを防止できる。
【００１９】図４は他の実施例の石英ボート内に保持さ
れた半導体基板を上から見た模式図であり、図５はその
石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した斜視
図である。また、図６は他の実施例の石英ボート内に保
持された半導体基板を上から見た模式図であり、図７は
その石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した
斜視図である。図において２６，３６は夫々支持体であ
り、支持体２６，３６の以下に説明する形状以外は上述
の実施例と同様の構造であり、対応する部分に対応する
符号を付してその説明を省略する。
れた半導体基板を上から見た模式図であり、図５はその
石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した斜視
図である。また、図６は他の実施例の石英ボート内に保
持された半導体基板を上から見た模式図であり、図７は
その石英ボートが備える支柱及び支持体の構造を示した
斜視図である。図において２６，３６は夫々支持体であ
り、支持体２６，３６の以下に説明する形状以外は上述
の実施例と同様の構造であり、対応する部分に対応する
符号を付してその説明を省略する。
【００２０】図４，図５において、支持体２６は外形が
半円形状をなしており、半導体基板２の厚み方向に貫通
する複数の開口部２８，２８，…を設けている。この支
持体２６は、開口部２８，２８，…の面積が上述の第１
実施例より大きいこと以外は、第１実施例で示した支持
体と同構造である。この支持体２６を備えることによ
り、ガスの流通がさらに良好になる。なお、図５は石英
ボートの左側の一部分だけを示したものであり、右側に
も同様の支持体を備えている。
半円形状をなしており、半導体基板２の厚み方向に貫通
する複数の開口部２８，２８，…を設けている。この支
持体２６は、開口部２８，２８，…の面積が上述の第１
実施例より大きいこと以外は、第１実施例で示した支持
体と同構造である。この支持体２６を備えることによ
り、ガスの流通がさらに良好になる。なお、図５は石英
ボートの左側の一部分だけを示したものであり、右側に
も同様の支持体を備えている。
【００２１】また、図６，図７において、支持体３６
は、支柱１ａ，１ａ，…に周着される円弧状部分と、こ
の円弧状部分の内側に張り出す棒状部分とを残し、その
大部分を欠落させた円板形状をなしており、前記棒状部
分の間を通気部として作用する切欠部３８，３８，…と
し、各棒状部分に前記突起部７，７…を設けた構成であ
り、上から見て櫛形状をなしている。支持体３６の形状
以外は第１実施例で示した支持体と同様である。このよ
うな支持体３６を備えることにより、ガスの流通がさら
に良好になる。なお、図７は石英ボートの左側の一部分
だけを示したものであり、右側にも同様の支持体を備え
ている。
は、支柱１ａ，１ａ，…に周着される円弧状部分と、こ
の円弧状部分の内側に張り出す棒状部分とを残し、その
大部分を欠落させた円板形状をなしており、前記棒状部
分の間を通気部として作用する切欠部３８，３８，…と
し、各棒状部分に前記突起部７，７…を設けた構成であ
り、上から見て櫛形状をなしている。支持体３６の形状
以外は第１実施例で示した支持体と同様である。このよ
うな支持体３６を備えることにより、ガスの流通がさら
に良好になる。なお、図７は石英ボートの左側の一部分
だけを示したものであり、右側にも同様の支持体を備え
ている。
【００２２】なお、上述の実施例では支持体及び突起部
に石英製のものを用いているが、これは石英ボート内が
800℃以上の高温になっても変形せず、炉芯管内の洗浄
度を低下させないためであり、ＳｉＣを用いても良い。
に石英製のものを用いているが、これは石英ボート内が
800℃以上の高温になっても変形せず、炉芯管内の洗浄
度を低下させないためであり、ＳｉＣを用いても良い。
【００２３】また、本実施例では、支持体に突起部７を
３個備えた場合を説明しているが、これに限るものでは
なく、複数の突起部７を備えてあれば良い。
３個備えた場合を説明しているが、これに限るものでは
なく、複数の突起部７を備えてあれば良い。
【００２４】さらに突起部７は、半導体基板２の自重に
よる応力が均一になるように支持できる位置であれば、
どのような位置に設けても良い。
よる応力が均一になるように支持できる位置であれば、
どのような位置に設けても良い。
【００２５】さらに、本実施例では、水平に支持した半
導体基板２を鉛直方向に複数保持するタイプのボート１
の場合について説明しているが、これに限るものではな
く、水平面上に複数保持するタイプのボートであっても
良い。
導体基板２を鉛直方向に複数保持するタイプのボート１
の場合について説明しているが、これに限るものではな
く、水平面上に複数保持するタイプのボートであっても
良い。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、支持
体上に半導体基板を保持するので、半導体基板の自重に
よる応力が分散され、面積の大きな半導体基板でも、転
位又はスリップの発生を防止することができる。さら
に、支持体の半導体基板保持側に突起部を設け、この突
起部上に半導体基板を支持するので、半導体基板の下面
にもガスが流通し、半導体基板の中央部と周縁部との温
度差が小さくなる。また、前記支持体を通気部を備える
半円形状、又は円弧状としたから、ガスの半導体基板の
裏面への流通が良好になり、例えば、半導体基板の表裏
両面への成膜処理が行われる場合、半導体基板の表面と
裏面との成膜厚が均一になって反りを防止する等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
体上に半導体基板を保持するので、半導体基板の自重に
よる応力が分散され、面積の大きな半導体基板でも、転
位又はスリップの発生を防止することができる。さら
に、支持体の半導体基板保持側に突起部を設け、この突
起部上に半導体基板を支持するので、半導体基板の下面
にもガスが流通し、半導体基板の中央部と周縁部との温
度差が小さくなる。また、前記支持体を通気部を備える
半円形状、又は円弧状としたから、ガスの半導体基板の
裏面への流通が良好になり、例えば、半導体基板の表裏
両面への成膜処理が行われる場合、半導体基板の表面と
裏面との成膜厚が均一になって反りを防止する等、本発
明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る石英ボートの構造を示す模式的正
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る石英ボートに保持された半導体基
板を上から見た模式図である。
板を上から見た模式図である。
【図３】本発明に係る支持体の斜視図である。
【図４】本発明に係る石英ボートに保持された半導体基
板を上から見た模式図である。
板を上から見た模式図である。
【図５】本発明に係る支持体の斜視図である。
【図６】本発明に係る石英ボートに保持された半導体基
板を上から見た模式図である。
板を上から見た模式図である。
【図７】本発明に係る支持体の斜視図である。
【図８】従来の電気炉の構造を示す模式図である。
【図９】従来の石英ボートに保持された半導体基板を上
から見た模式図である。
から見た模式図である。
１ 石英ボート １ａ 支柱 １ｂ 切り込み部 ２ 半導体基板 ５ 炉芯管 ６，２６，３６ 支持体 ７ 突起部 １８ 開口部 ２８，３８ 切欠部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−298724（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−89864（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−272112（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17633（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−102523（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−93724（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−142839（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/22 511 H01L 21/324 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】 支柱の側部に設けた切り込み部に半導体
基板を挿入し、該半導体基板を保持する縦型のボートを
備え、前記半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置に
おいて、 前記ボートは、半円状の平面形状を有し半導体基板を支
持する一対の支持体を支柱の切り込み部近傍に備え、該
支持体の半導体基板との対向側に複数の突起部を設けて
あり、前記支持体は、一部を欠落させて形成した通気部
を前記半導体基板の厚み方向に備えることを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項２】 支柱の側部に設けた切り込み部に半導体
基板を挿入し、該半導体基板を保持する縦型のボートを
備え、前記半導体基板に熱処理を施す半導体製造装置に
おいて、 前記ボートは、円弧状の平面形状を有し半導体基板を支
持する支持体を支柱の切り込み部近傍に備え、該支持体
の半導体基板との対向側に複数の突起部を設けてあるこ
とを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6033918A JP3067509B2 (ja) | 1993-03-24 | 1994-03-03 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-13793 | 1993-03-24 | ||
| JP1379393 | 1993-03-24 | ||
| JP6033918A JP3067509B2 (ja) | 1993-03-24 | 1994-03-03 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333914A JPH06333914A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3067509B2 true JP3067509B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=26349636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6033918A Expired - Lifetime JP3067509B2 (ja) | 1993-03-24 | 1994-03-03 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067509B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4589545B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2010-12-01 | 新日本製鐵株式会社 | ウェハ支持部材、ウェハ保持具およびウェハ保持装置 |
| KR100469379B1 (ko) * | 2000-10-16 | 2005-02-02 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 웨이퍼 유지구, 웨이퍼 지지부재, 웨이퍼 유지 장치 및열처리로 |
| US7204887B2 (en) | 2000-10-16 | 2007-04-17 | Nippon Steel Corporation | Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace |
-
1994
- 1994-03-03 JP JP6033918A patent/JP3067509B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06333914A (ja) | 1994-12-02 |
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