JPS6367729A - 半導体熱処理装置 - Google Patents

半導体熱処理装置

Info

Publication number
JPS6367729A
JPS6367729A JP21360186A JP21360186A JPS6367729A JP S6367729 A JPS6367729 A JP S6367729A JP 21360186 A JP21360186 A JP 21360186A JP 21360186 A JP21360186 A JP 21360186A JP S6367729 A JPS6367729 A JP S6367729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paddle
boat
process tube
tube
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP21360186A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0783002B2 (ja
Inventor
Yoshitsugu Nabeshima
鍋島 可継
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KOYO RINDOBAAGU KK
Original Assignee
KOYO RINDOBAAGU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KOYO RINDOBAAGU KK filed Critical KOYO RINDOBAAGU KK
Priority to JP21360186A priority Critical patent/JPH0783002B2/ja
Publication of JPS6367729A publication Critical patent/JPS6367729A/ja
Publication of JPH0783002B2 publication Critical patent/JPH0783002B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体を製造するためのウェハなどを熱処
理するさいに用いられる半導体熱処理装置に関する。
従来の技術とその問題点 半導体熱処理装置のプロセスチューブにウェハを載置し
たボートをローディングする場合、r!lI!Iによる
ほこりの発生を防止するために、カンチレバ一式のパド
ルにボートをのせてプロセスチューブ内に挿入している
。このようにすると、ボートをプロセスチューブに接触
することなくローディングすることができるが、ローデ
ィングのさいにプロセスチューブの開口部から空気が流
入する。このため、酸化膜厚にばらつきが生じる。また
、熱放散が大きいために緩衝ゾーンが必要になるという
問題がある。
この発明の目的は、上記の問題を解決し、ローディング
のさいの空気の流入が少なく、熱放散の少ない半導体熱
処理装置を提供することにある。
問題点を解決するための手段 この発明による半導体熱処理装置は、プロセスチューブ
の開口部内側に、パドル、パドル上のボートおよびボー
ト上の被熱処理物との間にこれらが通過できる程度の小
さい隙間を有する構造物が設けられ、パドルの取手部に
、断面の輪郭がパドル、ボートおよび被熱処理物の輪郭
とほぼ同じ構造物が設けられ、プロセスチューブ内の構
造物の内面にパージ用ガスの吹出し口が設けられ、プロ
セスチューブ内の構造物とパドルの取手部の構造物に断
熱部が設けられているものである。
実  施  例 図面は半導体熱処理装置の一部を示し、この装置は石英
製プロセスチューブ(10)、プロセスチューブ(10
)の周囲に配置されたヒータ(11)、多数のウェハ(
12)が載置されたボート(13)をローディングする
ためのカンチレバ一式のパドル(14)、パドル(14
)をプロセスチューブ(10)に出し入れするためのキ
ャリッジ(15)などを備えている。
パドル(14)は石英または炭化ケイ素などよりなり、
キャリッジ(15)に固定されてプロセスチューブ(1
0)側に伸びており、その先端側すなわちプロセスチュ
ーブ(10)側にボート(13)がのせられる。パドル
(14)基端部にプロセスチューブ(10)より少し大
きい外径を有する遮蔽蓋(1G)が固定され、基端部側
の取手部(14a)に、横断面の輪郭がパドル(14)
、ボート(13)およびウェハ(12)を合わせた輪郭
とほぼ同じ炉内雰囲気整流構造物(17)が設けられて
いる。この構造物(17)は中空状をなし、その長さ方
向中央部の区画内に断熱材(18)が充填されている。
プロセスチューブ(10)の開口部(10a)内側に、
パドル(14)、ボート(13)およびウェハ(12)
ならびにパドル(14)の構造物(17)との間にこれ
らが通過できる程度の小さい隙間を有する環状の断熱構
造物(19)およびパージ用構造物(20)が奥側から
順に設けられている。断熱構造物(19)は中空状をな
し、その内部に断熱材(21)が充填されている。パー
ジ用構造物(20)も中空状をなし、片側の外面にパー
ジ用雰囲気導入ボート(22)が、内面にパージ用雰囲
気吹出し口(23)がそれぞれ設けられ、反対側の内面
に炉内雰囲気排出口(24)が、外面に炉内雰囲気排出
ボート(25)がそれぞれ設けられている。また、断熱
構造物(19)とパージ用構造物(20)の間にバッフ
ル板(26)が設けられており、その一部が構造物(1
9) (20)より少し内側に突出して、パドル(14
)、ボート(13)およびウェハ(12)ならびにパド
ル(14)の構造物(17)との隙間がさらに小さくな
っている。なお、断熱構造物(19)の部分のプロセス
チューブ(10)の外側に、ヒータ炉口断熱材(27)
が設けられている。
上記の半導体熱処理装置において、ボート(13)をロ
ーディングするときには、キャリッジ(15)をプロセ
スチューブ(10)側に移動してプロセスチューブ(1
0)内に挿入する。
次に第5図〜第9図を参照して、O−ディング時の動作
を説明する。
まず、第5図のように、パドル(14)がプロセスチュ
ーブ(10)に挿入される前には、パージ用構造物(2
0)の吹出し口(23)から吹出されるパージ用ガスと
バッフル板(26)の効果により、プロセスチューブ(
10)内に吸込まれる空気の弓は少ない。このとき、従
来のものでは、プロセスチューブに開口部から多量の空
気が流入する。
第6図のように、パドル(14)上のボート(13)お
よびウェハ(12)の部分がプロセスチューブ(10)
内に入ろうとするとき、これらと構造物(20)の隙間
が小さいため、空気を吸込むことなく、パージ用ガスで
プロセスチューブ(10)内が満たされる。また、第7
図のようにボート(13)およびウェハ(12)の部分
がパージ用構造物(20)の内側を通ってプロセスチュ
ーブ(10)内に入っていく間に、吹出し口(23)か
ら吹出すパージ用ガスがウェハ(12)の間にある空気
を追出し、プロセスチューブ(10)外に排出する。
第8図のように、ボート(13)およびウェハ(12)
の部分がプロセスチューブ(10)の加熱部に入ると、
構造物(19020)およびバッフル板(26)とその
内側にあるパドル(14)の構造物(17)との隙間を
通ってガスが排出され、この隙間が小さいため、プロセ
スチューブ(10)内に空気を吹込むことがない。この
とき、従来のものでは、炉内雰囲気整流構造物(17)
に相当する部分がないため、パドルとプロセスチューブ
の隙間が大きく、この部分からプロセスチューブ内に空
気が吸込まれる。
第9図のように、ボート(13)およびウェハ(12)
の部分が完全にプロセスチューブ(10)中央部の均熱
部に入ると、プロセスチューブ(10)の開口部(10
a)がパドル(14)の蓋(16)により遮蔽される。
そして、炉内ガスはM (16)との隙間から排出され
る。このようにしてボート(13)がローディングされ
ると、プロセスチューブ(10)の開口部(10a)に
パドル(14)の構造物(17)の断熱材(18)の部
分が位置し、しかもその外側に断熱構造物(19)があ
るので、熱放散が少ない。
発明の効果 この発明による半導体熱処理装置は、上述の構成を有す
るので、ローディングのさいの空気の流入が少なく、し
かもローディング後の熱放散が少ない。そして、ローデ
ィング時の空気の流入が少ないから、不純物が除去され
、清浄な処理ができる。さらに、空気中の酸素によって
酸化されないため、酸化膜が正確にかつ均一に形成され
、酸化すぺぎでない膜の酸化防止ができる。また、熱放
散が少ないから、温度分布の均一性が向上し、均熱部の
長さが増大する。このため、緩衝ゾーンが短くてすみ、
小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例を示すプロセスチューブの開
口部付近の水平断面図、第2図は第1図の縦断面図、第
3図は第2図■−■線の断面図、第4図は第2図IV−
IV線の断面図、第5図はローディング時の第1段階を
示すプロセスチューブの縦断面図、第6図は同第2段階
を示す縦断面図、第7図は同第3段階を示す水平断面図
、第8図は同第4段階を示す縦断面図、第9図は同最終
段階を示す縦断面図である。 (10)・・・プロセスチューブ、(10a)・・・開
口部、(12)・・・ウェハ、(13)・・・ボート、
(14)・・・パドル、(14a)・・・取手部、(1
7)・・・炉内雰囲気整流構造物、(18)・・・断熱
材、(19)・・・断熱構造物、(20)・・・パージ
用構造物、(21)・・・断熱材、(22)・・・吹出
し口、(26)・・・バッフル板。 以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プロセスチューブの開口部内側に、パドル、パドル上の
    ボートおよびボート上の被熱処理物との間にこれらが通
    過できる程度の小さい隙間を有する構造物が設けられ、
    パドルの取手部に断面の輪郭がパドル、ボートおよび被
    熱処理物の輪郭とほぼ同じ構造物が設けられ、プロセス
    チューブ内の構造物の内面にパージ用ガスの吹出し口が
    設けられ、プロセスチューブ内の構造物とパドルの取手
    部の構造物に断熱部が設けられている半導体熱処理装置
JP21360186A 1986-09-09 1986-09-09 半導体熱処理装置 Expired - Fee Related JPH0783002B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21360186A JPH0783002B2 (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体熱処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21360186A JPH0783002B2 (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6367729A true JPS6367729A (ja) 1988-03-26
JPH0783002B2 JPH0783002B2 (ja) 1995-09-06

Family

ID=16641888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21360186A Expired - Fee Related JPH0783002B2 (ja) 1986-09-09 1986-09-09 半導体熱処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0783002B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
JP2017183557A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7980003B2 (en) * 2006-01-25 2011-07-19 Tokyo Electron Limited Heat processing apparatus and heat processing method
JP2017183557A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0783002B2 (ja) 1995-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08264521A (ja) 半導体製造用反応炉
JPH05217929A (ja) 酸化拡散処理装置
US4957781A (en) Processing apparatus
JPS62206826A (ja) 半導体熱処理装置
JPS6367729A (ja) 半導体熱処理装置
JP3207402B2 (ja) 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法
JPS62140413A (ja) 縦型拡散装置
JPH0250619B2 (ja)
JPH04350927A (ja) 半導体ウェーハの熱処理装置
JPS62252932A (ja) 半導体ウエハの熱処理装置
JPH04245421A (ja) 熱処理装置
JP2912248B2 (ja) 横型ベーク炉装置
JPS60194528A (ja) 熱処理装置
JPH02128419A (ja) 半導体製造装置
JPH0151051B2 (ja)
JPS62185313A (ja) 拡散炉装置
JPH1167782A (ja) 熱処理方法
JPH05226345A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JPH0783000B2 (ja) 処理装置
JPH06196428A (ja) 半導体基板の処理装置
JPS6159722A (ja) 横型熱処理炉
JPS5978526A (ja) 半導体気相反応装置
JP2002093732A (ja) 半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法
JPS60138912A (ja) 熱処理炉
JPS6295819A (ja) 半導体素子の熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees