JPS63303061A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPS63303061A JPS63303061A JP13861887A JP13861887A JPS63303061A JP S63303061 A JPS63303061 A JP S63303061A JP 13861887 A JP13861887 A JP 13861887A JP 13861887 A JP13861887 A JP 13861887A JP S63303061 A JPS63303061 A JP S63303061A
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- Japan
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- substrate
- vessel
- exhaust
- cylinder
- electrode
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 14
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタエツチング、スパッタリング、プラ
ズマＣＶＤ等、真空中で処理ガスを用いて半導体基板の
表面に膜付け、膜エツチング等の処理を行なう真空装置
において、被処理基板表面の処理ガスの流れを均一にし
た真空容器の構造に間するものである。
ズマＣＶＤ等、真空中で処理ガスを用いて半導体基板の
表面に膜付け、膜エツチング等の処理を行なう真空装置
において、被処理基板表面の処理ガスの流れを均一にし
た真空容器の構造に間するものである。
（従来の技術）
従来の一般的な真空装置を第３図に示す。
基板２２は基板ホルダー２３に固定され、この基板ホル
ダーに対向する位置に電極２１が配置されている。メイ
ンポンプ２５と処理ガス２６は、基板ホルダー２３、電
極２１とは非対称な位置に配置され、処理ガス２６は矢
印２７．２８．２９と流れ、メインポンプ２５で排気さ
れる。この処理ガスの流れは当然基板の膜厚分布、膜質
分布に影響を与え、現在および特にこれからの精密な半
導体製造には不向きである。
ダーに対向する位置に電極２１が配置されている。メイ
ンポンプ２５と処理ガス２６は、基板ホルダー２３、電
極２１とは非対称な位置に配置され、処理ガス２６は矢
印２７．２８．２９と流れ、メインポンプ２５で排気さ
れる。この処理ガスの流れは当然基板の膜厚分布、膜質
分布に影響を与え、現在および特にこれからの精密な半
導体製造には不向きである。
（発明者が解決しようとする問題点）
上記従来の装置では、処理ガスの流れが基板２２に対し
て非対称であるがそのために、精密な半導体製造の諸加
工では、膜付け、膜エツチングに際してその基板の膜厚
分布、膜質分布に不均一を生じ、製品の良品率が非常に
劣り、精密な半導体製品の製造を困難にしている。この
不均一は処理ガスの流れの非対称を解消しない限り容易
に解決されないことが判明した。
て非対称であるがそのために、精密な半導体製造の諸加
工では、膜付け、膜エツチングに際してその基板の膜厚
分布、膜質分布に不均一を生じ、製品の良品率が非常に
劣り、精密な半導体製品の製造を困難にしている。この
不均一は処理ガスの流れの非対称を解消しない限り容易
に解決されないことが判明した。
（発明の目的）
本発明は、上記問題を解決し、基板の膜厚分布、膜質分
布の向上を可能にする新規な構造の真空装置を提供する
ことを目的とする。
布の向上を可能にする新規な構造の真空装置を提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明では上記の問題点を解決するために、基板に対し
て処理ガスが均−且つ対称に流れるように、真空容器、
排気孔、排気補正円筒、排気ポンプおよび処理ガス吹き
出し孔を設けるよう構成されている。
て処理ガスが均−且つ対称に流れるように、真空容器、
排気孔、排気補正円筒、排気ポンプおよび処理ガス吹き
出し孔を設けるよう構成されている。
即ち、半導体基板を被処理物としてその表面にスパ゛ツ
タエツチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の処
理を行なう真空装置において、該基板の被処理表面の中
心を通る軸につき回転対称形に、放電プラズマ空間に導
入される処理ガスの吹き出し孔と、該放電プラズマ空間
を囲む排気補正円筒と、該排気補正円筒と真空容器内壁
の間のガス通路と、該真空容器の排気孔と、を設けた真
空装置によって前記目的を達成したものである。
タエツチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の処
理を行なう真空装置において、該基板の被処理表面の中
心を通る軸につき回転対称形に、放電プラズマ空間に導
入される処理ガスの吹き出し孔と、該放電プラズマ空間
を囲む排気補正円筒と、該排気補正円筒と真空容器内壁
の間のガス通路と、該真空容器の排気孔と、を設けた真
空装置によって前記目的を達成したものである。
（作用）
処理ガスの流れを、基板に対して最大限に均一かつ対称
にすることにより基板の膜厚分布、膜質分布を向上させ
ることが可能となる。
にすることにより基板の膜厚分布、膜質分布を向上させ
ることが可能となる。
（実施例）
次にこの発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例の真空装置の概要の構成図であ
る。
る。
第２図は第１図のＡ−Ａ断面図である。
基板６は、円筒状の基板ホルダー５に固定され、基板ホ
ルダー５に対向する位置に円筒状の電極７が配置される
。基板ホルダー５と電極７の周囲に円筒状の排気補正円
筒２が配置される。この基板ホルダー５と電極７および
排気補正円筒２は、断面が正方形の形状の真空容器ｌの
中心と同一の中心上に配置されている。また排気孔３は
第２図に示すように排気補正円筒２の外周に４ケ所、基
板に対し対称に配置されている。
ルダー５に対向する位置に円筒状の電極７が配置される
。基板ホルダー５と電極７の周囲に円筒状の排気補正円
筒２が配置される。この基板ホルダー５と電極７および
排気補正円筒２は、断面が正方形の形状の真空容器ｌの
中心と同一の中心上に配置されている。また排気孔３は
第２図に示すように排気補正円筒２の外周に４ケ所、基
板に対し対称に配置されている。
更に排気チャンバー４を処理チャンバー１の下部に同一
中心上に配置し、排気チャンバー４の下部に同じく同一
中心上にメインポンプ９を配置している。
中心上に配置し、排気チャンバー４の下部に同じく同一
中心上にメインポンプ９を配置している。
また処理ガス１０は電極７の下部１１より導入し、電極
７の内部で基板に対して対称な数ケ所１１１．１１２等
に分岐し、処理チャンバー１の内部へ導入される。
７の内部で基板に対して対称な数ケ所１１１．１１２等
に分岐し、処理チャンバー１の内部へ導入される。
このような構造になっているので、処理ガスは矢印１２
，１３，１４．１５と流れ、常に基板に対して均一かつ
対称に流れる。この均一かつ対称な処理ガスの流れによ
り、膜付け、膜エツチング後の基板の膜厚分布、膜質分
布は、処理ガスの流れに左右されることなく均一なもの
となる。
，１３，１４．１５と流れ、常に基板に対して均一かつ
対称に流れる。この均一かつ対称な処理ガスの流れによ
り、膜付け、膜エツチング後の基板の膜厚分布、膜質分
布は、処理ガスの流れに左右されることなく均一なもの
となる。
（発明の効果）
上記の実施例について述べたところから明かなように、
本発明の真空装置は、簡単で安価な構造で処理ガスの流
れを基板に対して均一かつ対称にし、スパッタエツチン
グやスパッタリング、プラズマＣＶＤ等で膜厚分布、膜
質分布を向上させることが出来る。
本発明の真空装置は、簡単で安価な構造で処理ガスの流
れを基板に対して均一かつ対称にし、スパッタエツチン
グやスパッタリング、プラズマＣＶＤ等で膜厚分布、膜
質分布を向上させることが出来る。
・ 第１図は、本発明の真空装置の概略の構成図を示す
。 第２図は、そのＡ−Ａ断面図。 第３図は従来の同様の図を示す。 １・・・・・・処理チャンバー、２・・・・・・排気補
正円筒、３・・・・・・排気孔、 ４・・・・・・排
気チャンバー、５・・・・・・基板ホルダー、６・・・
・・・基板、７・・・・・・電極、８．１０・・・・・
・バルブ、９・・・・・・メインポンプ、１１・・・・
・・処理ガス入口、 １２．１３，１４．１５・・・・・・処理ガスの流れ。
。 第２図は、そのＡ−Ａ断面図。 第３図は従来の同様の図を示す。 １・・・・・・処理チャンバー、２・・・・・・排気補
正円筒、３・・・・・・排気孔、 ４・・・・・・排
気チャンバー、５・・・・・・基板ホルダー、６・・・
・・・基板、７・・・・・・電極、８．１０・・・・・
・バルブ、９・・・・・・メインポンプ、１１・・・・
・・処理ガス入口、 １２．１３，１４．１５・・・・・・処理ガスの流れ。
Claims (1)
- （１）半導体基板を被処理物としてその表面にスパッタ
エッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等の処理
を行なう真空装置において、該基板の被処理表面の中心
を通る軸につき回転対称形に、放電プラズマ空間に導入
される処理ガスの吹き出し孔と、該放電プラズマ空間を
囲む排気補正円筒と、該排気補正円筒と真空容器内壁の
間のガス通路と、該真空容器の排気孔と、を設けたこと
を特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861887A JPS63303061A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861887A JPS63303061A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303061A true JPS63303061A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15226288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13861887A Pending JPS63303061A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303061A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5228968A (en) * | 1991-12-11 | 1993-07-20 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system with axial gas distribution |
| JPH05269362A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US5269847A (en) * | 1990-08-23 | 1993-12-14 | Applied Materials, Inc. | Variable rate distribution gas flow reaction chamber |
| US5451290A (en) * | 1989-08-14 | 1995-09-19 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system |
| US5470451A (en) * | 1993-06-08 | 1995-11-28 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| CN111826630A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 日东电工株式会社 | 溅射装置 |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP13861887A patent/JPS63303061A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5451290A (en) * | 1989-08-14 | 1995-09-19 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system |
| US5269847A (en) * | 1990-08-23 | 1993-12-14 | Applied Materials, Inc. | Variable rate distribution gas flow reaction chamber |
| US5228968A (en) * | 1991-12-11 | 1993-07-20 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering system with axial gas distribution |
| JPH05269362A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-19 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US5470451A (en) * | 1993-06-08 | 1995-11-28 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
| CN111826630A (zh) * | 2019-04-22 | 2020-10-27 | 日东电工株式会社 | 溅射装置 |
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