JPH11126753A - ガス導入部 - Google Patents

ガス導入部

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Publication number
JPH11126753A
JPH11126753A JP30933397A JP30933397A JPH11126753A JP H11126753 A JPH11126753 A JP H11126753A JP 30933397 A JP30933397 A JP 30933397A JP 30933397 A JP30933397 A JP 30933397A JP H11126753 A JPH11126753 A JP H11126753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
reaction chamber
reaction
box
flange
Prior art date
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Pending
Application number
JP30933397A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoaki Yamada
清明 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
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Publication of JPH11126753A publication Critical patent/JPH11126753A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェーハへの薄膜生成の条件を良好に保つと共
にメンテナンスが容易で経済的なガス導入部を提供す
る。 【解決手段】本発明は、反応管1端のフランジ3に気密
に固着される吹出ボックス31が複数の分割片32,3
3に分割可能であり、該吹出ボックスが内部に中空部3
7を有し、該中空部に反応室側からノズル孔38が連通
すると共に反反応室側からガス導入孔35が連通し、反
応ガスを前記ノズル孔より分散して前記反応室に供給
し、該反応室内での反応ガスの流れを層流状態にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置のガ
ス導入部、特に被処理基板を1枚ずつ処理する枚葉式半
導体製造装置に於けるガス導入部に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造装置はウェーハ等被処理基板
表面に各種薄膜を生成し、或はエッチング等の各種表面
処理を行い、多数の半導体素子を形成するものである。
【0003】半導体製造工程の1つである薄膜の生成は
高温下で反応ガスを導入し、分離したガスと被処理基板
を接触させている。従って、半導体製造装置は反応ガス
を反応室内に導入する為のガス導入部を具備している。
【0004】先ず、図2、図3に於いて従来のガス導入
部を具備する枚葉式半導体製造装置を説明する。
【0005】図中、1は石英製の角筒状の反応管であ
り、該反応管1の両端にはフランジ部2が設けられ、該
両フランジ部2にそれぞれ金属製フランジ3が気密に接
続されている。該各フランジ3には上方からガス導入部
4が気密に接続され、該ガス導入部4にはガス供給管5
が接続され、該ガス供給管5の末端は外部のガス供給ボ
ックス6内に接続されている。又、前記各フランジ3に
は下方から排気管7が接続され、該排気管7は外部の図
示しないポンプボックスに接続されている。
【0006】前記反応管1の周囲にはヒータ(図示せ
ず)が設けられ、該反応管1には前記フランジ3及びゲ
ートバルブ8を介して搬送室9が気密に設けられ、前記
フランジ3の反搬送室9側は側壁10により気密に閉塞
され、更に、前記搬送室9にはロードロック室11が気
密に連設されている。
【0007】前記搬送室9内部にはウェーハ(図示せ
ず)を前記反応管1内、即ち反応室に搬入搬出する為の
搬送機(図示せず)が設けられており、前記ロードロッ
ク室11内部にはウェーハが所要枚数収納される様にな
っている。
【0008】前記搬送機(図示せず)によりバッファ棚
(図示せず)から前記反応室内へ前記ウェーハ(図示せ
ず)を搬入する。
【0009】前記ヒータ(図示せず)で前記反応室を所
要温度に加熱した状態で、前記ゲートバルブ8を閉塞
し、前記反応室を密閉状態とする。
【0010】前記ガス供給ボックス6より反応ガスを前
記ガス供給管5を介して前記ガス導入部4から択一的に
前記反応室へ導入する。前記反応ガスは前記反応室内を
対角線状に流れ、前記ウェーハ(図示せず)表面に接触
し、該ウェーハに薄膜を生成し、前記フランジ3を経て
前記排気管7から排気される。
【0011】次に、図2、図4、図5に於いて従来のガ
ス導入管4aの構造を説明する。
【0012】円板状のフランジ継手12の上面に直管部
13が固着され、該直管部13の上端に配管接続キット
14が固着され、該配管接続キット14に前記ガス供給
管5が接続される。
【0013】前記フランジ継手12には中心にガス導入
孔15が穿設されていると共に周辺部には円周を等分す
る位置に所要数(図示では4個)の固定用孔16が穿設
されている。前記直管部13は前記ガス導入孔15に連
通する様、該ガス導入孔15と同心となっている。前記
配管接続キット14には前記ガス供給管5が螺着可能な
螺子穴17が刻設されていると共に該螺子穴17の底面
中央には前記直管部13に連通するガス導入孔18が穿
設されている。
【0014】前記フランジ継手12は前記固定用孔16
に挿通されるボルト(図示せず)により前記フランジ3
に気密に固着される。
【0015】前記ガス供給ボックス6内の反応ガスは前
記ガス供給管5、ガス導入孔18、直管部13を経由
し、前記ガス導入孔15より前記反応室内へ供給され
る。
【0016】次に、図2、図6〜図8に於いて、他の従
来のガス導入部4bの構造を説明する。
【0017】外形がレンガブロック状のボックス本体1
9の内部に長手方向に沿って円柱形状の中空部20が一
端面21側より貫通させないで穿設され、該一端面21
はメクラ栓22が溶接され閉塞されている。
【0018】前記ボックス本体19の上面中央部には前
記中空部20に連通するガス導入孔23が穿設され、直
管部13が前記ガス導入孔23に連通する様固着され、
更に、前記直管部13の上端には前記配管接続キット1
4が固着されている。前記ボックス本体19の下面には
前記中空部20に連通する複数(図示では4個)のノズ
ル孔24が穿設されている。又、前記ボックス本体19
の周辺部には所要数の固定用孔(図示せず)が穿設され
ている。
【0019】前記ボックス本体19は前記固定用孔(図
示せず)に挿通したボルト(図示せず)により前記フラ
ンジ3に気密に固着され、前記配管接続キット14の螺
子穴17には前記ガス供給管5が螺着される。
【0020】前記ガス供給ボックス6内の反応ガスは、
前記ガス供給管5、ガス導入孔18、直管部13、ガス
導入孔23、中空部20を経由し、複数の前記ノズル孔
24により分散され前記反応室内に供給され、該反応室
内での反応ガスの流れは層流状態となる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】上記した前者の従来の
ガス導入部4aでは、反応ガスは2箇所の前記ガス導入
孔15から集中的に前記反応室内に供給される為、該反
応室内での反応ガスの流れは層流状態になり難かった。
従って、ウェーハ表面に反応ガスを均一に接触させ、ウ
ェーハへの薄膜生成の条件を良好に保つことが困難であ
った。
【0022】又、後者の従来のガス導入部4bでは、反
応ガスは前記ノズル孔24より分散して前記反応室内へ
供給される為、該反応室内での反応ガスの流れは層流状
態となり易く、ウェーハ表面に反応ガスを均一に接触さ
せ、ウェーハへの薄膜生成の条件を良好に保つことが容
易となる。ところが、前記ノズル孔24は径が細い為、
反応ガスが凝固し、該凝固物により前記ノズル孔24が
詰まる虞れがある。又、図7に示す様に、前記一側面2
1側は前記メクラ栓22が溶接され閉塞されている為、
前記一側面21を閉塞した後、前記中空部20側からの
作業はできない。従って、前記ノズル孔24が詰まった
場合、前記ボックス本体19の外面側から作業する他な
く作業性が悪く、清掃が不完全であり、前記ボックス本
体19を交換せざるを得ず不経済であった。
【0023】本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの薄
膜生成の条件を良好に保つと共にメンテナンスが容易で
経済的なガス導入部を提供するものである。
【0024】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管端のフ
ランジに気密に固着される吹出ボックスが複数の分割片
に分割可能であり、該吹出ボックスが内部に中空部を有
し、該中空部に反応室側からノズル孔が連通すると共に
反反応室側からガス導入孔が連通したガス導入部に係
り、又、前記吹出ボックスが積層状に分割可能なガス導
入部に係り、反応ガスを前記ノズル孔より分散して前記
反応室に供給し、該反応室内での反応ガスの流れを層流
状態にする。又、反応ガスが凝固し、該凝固物が前記ノ
ズル孔に詰まった場合には、前記吹出ボックスを分解
し、前記ノズル孔の両側から前記凝固物を除去する。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、図1を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
【0026】尚、図1中、図4〜図7と同等のものには
同符号を付し、説明は省略する。
【0027】吹出ボックス31は上部分割片32と下部
分割片33に積層状に2分割され、前記上部分割片32
は前記下部分割片33にOリング34を介して気密に重
合されている。
【0028】前記上部分割片32は平面が細長の長方形
で平板状を成し、中央部にガス導入孔35が穿設され、
周辺部には外周縁に沿って所要数(図示では8個)の上
部側固定用孔36が穿設されている。
【0029】前記下部分割片33は外形が偏平な直方体
形状で前記上部分割片32と同一形状を成している。前
記下部分割片33には上面から溝37が刻設され、該溝
37は前記下部分割片33の長辺方向に沿って細長い長
円形状を成し、前記上部分割片32が前記下部分割片3
3に重合することにより中空部が形成される。前記溝3
7の底面には複数(図示では4個)のノズル孔38が所
要ピッチで穿設されている。
【0030】前記下部分割片33の周辺部の前記上部側
固定用孔36に対応する位置には下部側固定用孔39が
穿設されている。
【0031】前記上部側固定用孔36、下部側固定用孔
39に挿通したボルト(図示せず)をフランジ3に螺着
することで前記上部分割片32が前記Oリング34を介
して前記下部分割片33に重合し、該下部分割片33が
Oリング40を介して前記フランジ3の開口部41の周
囲に気密に重合し、ガス導入部42は前記フランジ3の
上面に気密に固着される。
【0032】反応ガスは複数の前記ノズル孔38より分
散して反応室内に供給される。分散して供給されること
で反応室内での反応ガスの流れの分布が均一化され層流
状態となる。供給されたガスは反応室内を対角線状に流
れ前記ノズル孔38と対角にある排気管7より排気され
る。
【0033】反応ガスが凝固し、該凝固物が前記ノズル
孔38に詰まった場合には、前記ボルト(図示せず)を
抜脱し、前記吹出ボックス31を分解する。前記下部分
割片33を洗浄し、前記凝固物を除去後、前記下部分割
片33を前記Oリング40を介して前記フランジ3に重
合させ、更に、前記上部分割片32を前記Oリング34
を介して前記下部分割片33に重合させ、前記ボルト
(図示せず)により再組付を行う。
【0034】尚、上記実施の形態に於いては、前記下部
分割片33に前記溝37及びノズル孔38を設けている
が、前記上部分割片32に前記溝37を設け、前記下部
分割片33に前記ノズル孔38を設けてもよく、又、前
記上部分割片32及び下部分割片33の両方に溝37を
設け、前記下部分割片33に前記ノズル孔38を設けて
もよい。
【0035】更に、前記下部分割片33を前記溝37を
刻設した部分と前記ノズル孔38を穿設した部分に2分
割し、全体として3分割としてもよい。
【0036】更に又、前記吹出ボックス31は前記直管
部13、配管接続キット14を介して前記ガス供給管5
と接続されているが、前記直管部13、配管接続キット
14を省略して前記ガス供給管5を直接、前記吹出ボッ
クス31に接続可能な様に、該吹出ボックス31上面に
前記ガス供給管5の接続口を設けてもよい。
【0037】更に又、前記ガス導入部42は前記フラン
ジ3の上面に接続されているが、該フランジ3の側面に
固着してもよい。
【0038】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応ガ
スはノズル孔より分散して反応室へ供給される為、該反
応室内の反応ガスの流れの分布を均一とし、層流状態に
することが容易となり、ウェーハへの薄膜生成の条件を
良好に保つことができる。又、反応ガスが凝固し、該凝
固物により前記ノズル孔が詰まった場合、前記吹出ボッ
クスを複数片に分解し、該ノズル孔の両側から前記凝固
物の除去作業を行うことができ、該凝固物を完全に取除
くことができる。従って、前記吹出ボックスを再利用す
ることが可能となり、経済性の向上が図れると共に清掃
等メンテナンスが容易となる等種々の優れた効果を発揮
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す斜視図である。
【図2】従来の枚葉式半導体製造装置を示す説明図であ
る。
【図3】従来の反応管を示す斜視図である。
【図4】従来例を示す断面図である。
【図5】図4のA−A矢視図である。
【図6】他の従来例の斜視図である。
【図7】図6のB−B矢視図である。
【図8】図7のC−C矢視図である。
【符号の説明】
13 直管部 14 配管接続キット 31 吹出ボックス 32 上部分割片 33 下部分割片 37 溝 38 ノズル孔

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 反応管端のフランジに気密に固着される
    吹出ボックスが複数の分割片に分割可能であり、該吹出
    ボックスが内部に中空部を有し、該中空部に反応室側か
    らノズル孔が連通すると共に反反応室側からガス導入孔
    が連通したことを特徴とするガス導入部。
  2. 【請求項2】 前記吹出ボックスが積層状に分割可能な
    請求項1のガス導入部。
JP30933397A 1997-10-23 1997-10-23 ガス導入部 Pending JPH11126753A (ja)

Priority Applications (1)

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JP30933397A JPH11126753A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 ガス導入部

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JP30933397A JPH11126753A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 ガス導入部

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JPH11126753A true JPH11126753A (ja) 1999-05-11

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ID=17991761

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JP30933397A Pending JPH11126753A (ja) 1997-10-23 1997-10-23 ガス導入部

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100811068B1 (ko) 2007-03-27 2008-03-06 한국기계연구원 Lcd 감광막 제거용 혼합가스 분사노즐

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