JPH0661164A - 半導体製造装置の炉口シャッタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェーハを所要数保持するウェーハボートを有
する半導体製造装置に於いて、ボート装脱状態で反応炉
の炉口を閉塞可能とし、炉内からの輻射熱の遮断、炉内
の汚染を防止する。 【構成】ウェーハ５を所要数装填したボート６が装脱さ
れる反応炉１の炉口部側方に、炉口シャッタ２３を回動
可能に設けると共に該炉口シャッタを縦型反応炉の炉口
に押圧離反可能とし、ボートが装入された状態では、炉
口シャッタを反応炉の炉口より離反させて側方で待機さ
せ、ボートが装脱されると炉口シャッタを反応炉の炉口
と対峙する位置迄回転移動させ、更に炉口シャッタを炉
口に押圧し炉口を閉塞する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置、特に縦
型反応炉を有する半導体製造装置の縦型反応炉の炉口を
閉塞可能なシャッタを具備する半導体製造装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造は、円板状のシリコンウェ
ーハ表面に薄膜を蒸着し、又薄膜をエッチングする等し
て行われるが、処理されるウェーハを水平姿勢で多段に
保持するものに縦型ウェーハボートがある。

【０００３】半導体製造装置の１つである縦型拡散装
置、縦型ＣＶＤ装置は縦型反応炉を有し、該反応炉には
ウェーハをウェーハボートに装填した状態で装入する。

【０００４】図３に於いて、縦型拡散装置、縦型ＣＶＤ
装置の概略を説明する。

【０００５】図中、１は縦型反応炉、２は該縦型反応炉
１下方に配設されたボートエレベータ、３はカセットス
トッカ、４は該カセットストッカ３と前記ボートエレベ
ータ２との間に配設されたウェーハ移載機である。

【０００６】前記ボートエレベータ２の昇降アーム８に
はボート６が垂直姿勢で載置され、ボートエレベータ２
の昇降動作でボート６を前記縦型反応炉１に装入、装脱
する様になっている。

【０００７】前記カセットストッカ３にはウェーハが装
填されたウェーハカセットが所要位置の棚に所要数載置
され、前記ウェーハ移載機４は複数枚数ウェーハを把持
するウェーハチャック７を有し、該ウェーハチャック７
の昇降、回転、進退によって所要位置のウェーハカセッ
トから所要枚数ずつウェーハ５を把持し、前記ボート６
に移載する様になっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記した様に、縦型拡
散装置、縦型ＣＶＤ装置ではウェーハをボートに多数装
填した状態で反応炉に装入、装脱するが、従来の縦型拡
散装置、縦型ＣＶＤ装置には炉口を閉塞する炉口シャッ
タを備えていない。この為、ボートを装脱した時には炉
口が開放状態となる。炉口の開放状態では、炉内からの
輻射熱があり、装脱中のウェーハが不要の酸化をしてし
まう。或は、反応炉内に外部雰囲気ガスが流入し、炉内
を汚染するという不具合があった。

【０００９】本発明は斯かる実情を鑑み、ボート装脱状
態で反応炉の炉口を閉塞可能とし、炉内からの輻射熱の
遮断、炉内の汚染を防止しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを所
要数装填したボートが装入装脱される反応炉の炉口部側
方に、炉口シャッタを回動可能に設けると共に該炉口シ
ャッタを縦型反応炉の炉口に押圧離反可能としたことを
特徴とするものである。

【００１１】

【作用】ボートが装入された状態では、炉口シャッタを
反応炉の炉口より離反させ、更に側方で待機させ、ボー
トが装脱されると炉口シャッタを反応炉の炉口と対峙す
る位置迄回転移動させ、更に炉口シャッタを炉口に押圧
し炉口を閉塞する。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。

【００１３】尚、図１、図２中、図３中で示したものと
同一の機能を有するものには同符号を付してある。

【００１４】筐体１０に垂直な立基板１１に水平な上基
板１２を突設し、又該上基板１２に対峙させ、下基板１
３を突設し、回動軸１４の上下両端部を両上基板１２、
下基板１３に軸受を介して回転自在に支承させる。又、
該回動軸１４の上端は突出しており、該回動軸１４の突
出した上端には被動ギア１５を嵌着し、又前記上基板１
２には回動モータ１６を設け、該回動モータ１６の出力
軸には駆動ギア１７を嵌着し、該駆動ギア１７と前記被
動ギア１５とを噛合させる。

【００１５】前記回動軸１４に回動アーム１８を摺動自
在且回転不能に嵌合し、該回動アーム１８の下方に位置
させたシリンダアーム１９を前記回動軸１４に固着す
る。該回動軸１４の下面には閉塞シリンダ２０を受け、
該閉塞シリンダ２０のロッドを前記回動アーム１８に連
結する。

【００１６】前記回動アーム１８の先端にシャッタ保持
ビーム２１を固着し、該シャッタ保持ビーム２１の先端
部に摺動自在に貫通した保持ピン２２を介して炉口シャ
ッタ２３を取付ける。該保持ピン２２は円周上の所要等
分した位置に設けてあり、スプリング２４によって上方
に付勢してある。

【００１７】前記炉口シャッタ２３の上面には前記縦型
反応炉１の炉口フランジ２５に密着可能なリング状のシ
ール材２６を埋設してあり、又前記炉口シャッタ２３の
内部には冷却水路２７を設け、該冷却水路２７に冷却水
管２８を連通させる。該冷却水管２８は特に図示してい
ないが、冷却水源に接続する。

【００１８】以下、作動を説明する。

【００１９】前記ボート６の装入状態では、前記炉口シ
ャッタ２３は待機状態であり、前記回動アーム１８は短
縮し、更に炉口シャッタ２３は炉口の側方に位置する。

【００２０】前記炉口シャッタ２３により炉口を閉塞す
る場合は、ボート６が縦型反応炉１より装脱された場合
である。

【００２１】前記回動モータ１６を駆動し、前記駆動ギ
ア１７、被動ギア１５を介して前記回動軸１４を回転さ
せる。該回動軸１４の回転によって前記回動アーム１
８、シリンダアーム１９が一体に回る。該シリンダアー
ム１９に前記シャッタ保持ビーム２１を介して取付けら
れている前記炉口シャッタ２３の中心と前記縦型反応炉
１の軸心とが一致したところで前記回動モータ１６が停
止される。前記閉塞シリンダ２０が伸長して前記炉口シ
ャッタ２３を前記炉口フランジ２５に押圧する。

【００２２】前記した様に、炉口シャッタ２３は前記ス
プリング２４により炉口側に付勢されているので、前記
炉口シャッタ２３の押圧力は前記スプリング２４の付勢
力によって与えられ、而もスプリング２４は円周に所要
数配設されているので、前記シール材２６の変形は均一
となり、前記シール材２６は前記炉口フランジ２５に適
正に密着し、炉口を密閉閉塞する。

【００２３】前記シール材２６が前記炉口フランジ２５
に密着し、炉口を閉塞する。前記冷却水路２７には冷却
水管２８を介して冷却水を流通させ前記シール材２６を
冷却して該シール材２６の焼損を防止する。

【００２４】ボート６を装入する場合は、前記閉塞シリ
ンダ２０を縮短させ、前記シール材２６を縦型反応炉１
の炉口部より離反させ、次に前記回動モータ１６を駆動
して前記炉口シャッタ２３を図２中時計方向に移動さ
せ、縦型反応炉１の炉口を開放する。

【００２５】而して、ボート６の装脱状態での縦型反応
炉１の炉口を閉塞することができ、ウェーハ５の不要な
酸化、縦型反応炉１内に雰囲気ガスが流入するのを防止
することができる。

【００２６】尚、上述した実施例は、縦型反応炉を有す
る半導体製造装置について説明したが横型反応炉を有す
る半導体製造装置についても同様に実施可能であること
は言う迄もない。

【００２７】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ボート
の装脱状態での反応炉の炉口を閉塞するので、ウェーハ
の不要な酸化が防止できると共に反応炉内への雰囲気ガ
スの流入を抑制するので、反応炉内の汚染によるウェー
ハの汚染が防止でき、製品品質歩留まりを向上させるこ
とができるという優れた効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。

【図２】同前一実施例の平面図である。

【図３】縦型拡散装置、縦型ＣＶＤ装置の概要を示す斜
視図である。

【符号の説明】

１ 縦型反応炉 ５ ウェーハ ６ ボート １６ 回動モータ ２０ 閉塞シリンダ ２３ 炉口シャッタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昭一郎 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 鈴木 増雄 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハを所要数装填したボートが装入
   装脱される反応炉の炉口部側方に、炉口シャッタを回動
   可能に設けると共に該炉口シャッタを縦型反応炉の炉口
   に押圧離反可能としたことを特徴とする半導体製造装置
   の炉口シャッタ装置。