CN103981490A - 有机el器件制造装置及有机el器件制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供一种在形成高精细的像素的基础上、能够成膜为该像素应有的位置、大小、形状的有机EL器件制造装置或有机EL器件制造方法。本发明的特征在于,对磁性体的掩模施加规定的第1磁力强度,使所述掩模紧贴于被蒸镀基板,经过了规定时间后,以比所述第1磁力强度提高了强度而成的第2磁力强度使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,在真空状态下借助所述掩模将蒸镀材料蒸镀在所述被蒸镀基板上。
Description
技术领域
本发明涉及有机EL器件制造装置及有机EL器件制造方法,尤其涉及能够高精细地蒸镀于面板的有机EL器件制造装置及有机EL器件制造方法。
背景技术
有机EL显示器是指使用了按R(红)G(绿)B(蓝)分别涂覆具有流过电流时像素自身发光这一性质的有机物质(发光体)的面板的显示器。有机EL面板的分别涂覆像素方法有使蒸镀材料蒸镀于有机EL面板的“蒸镀法”和在目标部位滴下RGB的墨水的“涂布法”。本发明涉及前者的“蒸镀法”。
“蒸镀法”的面板制造方法是采用如下方式来制造,即在形成于玻璃基板上的称为ITO(Indium-Tin Oxide,氧化铟锡)的透明电极蒸镀非常薄的有机物质,进一步用电极进行夹持,从而进行制造。在有机EL器件制造工序中,RGB的分别涂覆像素主要是在真空状态使用掩模进行。代表性的掩模有:以极其微细的开口(100μm以下)形成的掩模;极微小的短片状物质以微小间距(50μm左右)排列而成的掩模。
这些掩模由磁性体形成,在用于放置玻璃的玻璃放置台即载物台的背面配置由磁铁,用掩模和位于载物台背面的磁铁夹持放置在载物台上的玻璃,以磁力使其紧贴,从而能够进行高品质(高精细)的分别涂覆像素。
如上所述,使用这样的掩模进行分别涂覆像素,但若在掩模与玻璃之间存在微小间隙,则一个个的像素模糊,像素变得不完整。像素不完整的面板会导致亮度降低、寿命缩短。虽然有机EL面板的不良原因有很多,作为不良原因之一是在分别涂覆像素蒸镀时发生的。
因此,为了改善掩模与玻璃之间的间隙,将掩模和载物台水平设置、利用掩模的自重使其紧贴的水平方式是第1改善对策,是当前的主流方式。作为第2改善对策,有以极高精度调整载物台的平整度(平坦度)的方法。作为第3改善对策有如下方法:如专利文献1所示,使作为磁性体的掩模和载物台为竖立状态,使位于载物台背面的磁铁连续地接近掩模,从而将掩模紧贴于基板保持架(载物台)。
专利文献1:日本特开2004-079349号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
通过“蒸镀法”形成的像素的大小为几十μm,分别涂覆像素时的位置精度、像素的大小要求极高精度的技术。若不按该像素应有的大小、形状、膜厚成膜,则该有机EL面板成为不良品。导致有机EL面板成为不良的很大原因是在使用掩模在玻璃分别涂覆像素时,该像素被模糊成膜而使像素变得不完整。此外,导致该原因的是由于在成膜时的掩模与玻璃之间存在微小间隙而形成不完整的像素。为此,对于形成无模糊的锐利的像素而言,掩模与玻璃的紧贴性是关键点。无模糊是指在进行高精细的像素形成的基础上,成膜为该像素应有的位置、大小、形状的状态,掩模与玻璃的紧贴性降低的原因是掩模的歪扭、错位等相对于应平坦的规定状态发生形变。以下,将相对于应平坦的规定状态发生的形变简称为形变。
要提高掩模与玻璃的紧贴性,可列举提高设置于载物台背面的磁铁的磁力的方法。例如,在上述水平方式中,随着有机EL面板的大型化,掩模、玻璃的挠曲变大,为了减少掩模的挠曲,一边利用磁铁的磁力缓和挠曲一边进行掩模与玻璃的对位。但是,此时若用强力的磁力吸引,则掩模受到磁力的影响,可能发生变形或破损。
此外,掩模具有所谓掩模和固定所谓掩模的框架(图3所示的16a),所谓掩模具有用于高精度地蒸镀的开口部,以极高精度将所谓掩模定位于框架并加以固定。但是,由于强力磁场,可能出现该固定脱离的情况。另外,在以下的说明中,只要没有特别限定,将所谓掩模记作掩模。
如上所示,仅是简单的磁力强化在掩模与玻璃的对位等时可能使掩模破损,必须充分考虑到该情况。
此外,由于掩模以微细间距构成,因此由于强力磁场会打乱其排列。为此,采用不会由于磁场而打乱排列的紧贴方法进行紧贴尤为重要。但是,在第3改善对策中,由于使位于载物台背面的磁铁连续地接近掩模,因此在接近的中途,可能出现掩模因磁场而被打乱其排列的情况。
此外,在作为第1改善对策的水平方式中,机器占地(设置面积)变大,面向大型化出现问题。在第2改善对策中,由于加工精度的极限、调整方法的极限,与第1改善对策同样,对于有机EL面板的大型化而言成为较大的壁垒。
因而,本发明的目的在于提供一种在进行高精细的像素形成的基础上、能够成膜为该像素应有的位置、大小、形状的有机EL器件制造装置或有机EL器件制造方法。
用于解决技术问题的手段
为了达到上述目的,本发明至少具有以下特征。
本发明的特征在于,对磁性体的掩模施加规定的第1磁力强度,使所述掩模紧贴于被蒸镀基板,
经过了规定时间后,以比所述第1磁力强度提高了强度而成的第2磁力强度使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,在真空状态下借助所述掩模将蒸镀材料蒸镀在所述被蒸镀基板上。
此外,本发明的特征在于,包括:真空腔室;蒸发源,其配置于所述真空腔室内,将蒸镀材料蒸镀在被蒸镀基板上;磁性体的掩模,其设于所述蒸发源与所述被蒸镀基板之间;2阶段紧贴机构,在对所述掩模施加规定的第1磁力强度而使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,经过了规定时间后,以比所述第1磁力强度提高了强度而成的第2磁力强度使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板。
此外可以是,所述第1磁力强度是使所述掩模的形变在规定范围内的程度的磁力强度,所述第2磁力强度是要得到规定的高精细像素所必需的磁力强度。
而且可以是,所述第1磁力强度为80~200G,所述第2磁力强度为180~500G。
此外,所述第1磁力强度及所述第2磁力强度可以是基于预先得到的多个永磁铁与所述掩模的位置关系而获得的,所述多个永磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
而且,所述第1磁力强度及所述第2磁力强度可以是基于预先得到的多个电磁铁的电流关系而获得的,所述多个永磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
此外,所述第1磁力强度及所述第2磁力强度可以是通过测量所述掩模的磁力强度、并基于所述测量结果来控制多个永磁铁与所述掩模的位置而获得的,所述多个永磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
所述第1磁力强度及所述第2磁力强度可以是通过测量所述掩模的磁力强度、并基于所述测量结果来控制多个电磁铁的电流而获得的,所述多个电磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种在采用使用了掩模的高精细的分别涂覆像素方法的技术中,解决像素不完整这一问题,形成锐利的像素、更高品质的有机EL器件制造装置或有机EL器件制造方法。
上述的结果为,第1,能够提供一种不会使掩模破损的有机EL器件装置或有机EL器件制造方法。第2,能够提供一种不良率低、生产率更高的有机EL器件装置或有机EL器件制造方法。
附图说明
图1是表示有机EL器件的层叠构造的一例的图。
图2是作为本发明的实施方式的有机EL器件装置的结构图。
图3表示作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第1实施例,是从图2的箭头A方向观察到的蒸镀腔室的结构图。
图4是本发明的实施方式的蒸镀源的结构图。
图5是表示在有机EL蒸镀前工序中,被蒸镀基板被在各腔室之间搬送的搬送状态的一例的图。
图6是表示在本发明的实施方式中在被蒸镀基板与掩模之间保持一定距离地进行对准处理时的状态的图。
图7是表示对准处理时的被蒸镀基板与掩模的状态的图。
图8是表示作为本实施方式的特征的、利用磁力使掩模与被蒸镀基板紧贴的紧贴处理流程的图。
图9是表示在作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第1实施例中,在被蒸镀基板与掩模的对准处理后消除了被蒸镀基板与掩模的物理间隙的状态的图。
图10是表示在作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第1实施例中,使磁性基座移动到不会对掩模造成形变影响的适当磁力强度位置的状态的图。
图11是表示在作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第1实施例中,使磁性基座移动到使被蒸镀基板与掩模更牢固地紧贴的成膜紧贴强度位置的状态的图。
图12是表示作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第2实施例的图。
图13是表示作为本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第3实施例的图。
附图标记的说明
1:阴极;2:电子注入层;3:电子输送层;4:发光层;5:空穴输送层;6:空穴注入层;7:阳极;9:加载互锁腔室;10:闸阀;11:蒸镀腔室;12:被蒸镀基板;13:搬送腔室;14:搬送机械臂;15:蒸镀源;16:掩模;17:载物台;18:磁性基座;19:引导机构;20:加热器;21:坩埚;22:温度测量器;23:蒸镀箱;24:喷嘴;25:上下移动机构;26:磁力计;30:控制装置;100:有机EL器件装置。
具体实施方式
使用图1~图10说明本发明的有机EL器件制造装置的实施方式。图1是表示有机EL器件的层叠构造的一例的图。有机EL的层叠构造是将如下的各种蒸镀材料呈薄膜状堆积于被蒸镀基板12上而成的多层构造,所述各种蒸镀材料包括发光层4、空穴注入层6、空穴输送层5、电子注入层2、电子输送层3以及夹着这些层地设置的阴极1、阳极7等的蒸镀材料。
在此,使用图2说明作为本发明的实施方式的有机EL器件装置100的结构。在有机EL器件制造方法中,示出了用“蒸镀法”将处于真空状态的蒸镀材料成膜于处理对象的玻璃基板即被蒸镀基板12上的制造装置的一个例子。
本实施方式的有机EL器件装置100包括:用于将被蒸镀基板12搬入搬出的加载互锁腔室9、用于在被蒸镀基板12上蒸镀的蒸镀腔室11;在加载互锁腔室9与蒸镀腔室11之间搬送被蒸镀基板12的搬送腔室13;控制这些腔室的控制装置30。
为了从大气环境到真空状态,加载互锁腔室9在大气环境侧具有闸阀10。搬送腔室13具有搬送被蒸镀基板12的搬送机械臂14。此外,有机EL器件装置100在加载互锁腔室9与搬送腔室13之间、搬送腔室13与蒸镀腔室11之间分别具有闸阀10。进而,有机EL器件装置100在利用闸阀10的开闭进行控制的同时维持各腔室的真空,进行向搬送腔室13、蒸镀腔室11或其他群组等交接被蒸镀基板12。
蒸镀腔室11的结构因蒸镀材料的不同而不同,但在真空状态的蒸镀腔室11内,加热坩埚内的蒸镀材料,并使其从坩埚喷射,由此进行成膜。
采用这样的方式,在各个蒸镀腔室11进行有机EL器件所需的蒸镀材料的成膜,以尤其进行高精细像素形成的有机蒸镀材料成膜时的蒸镀腔室为例进行说明。图3表示作为后述的本实施方式的特征的2阶段紧贴机构的第1实施例,是从图2的箭头A方向观察到的该实施例的蒸镀腔室11的结构图。本实施方式的有机EL器件装置100在蒸镀腔室11进行有机EL器件的制造所必需的蒸镀材料的蒸镀。
蒸镀腔室11包括:使有机蒸镀材料蒸发的蒸镀源15;掩模16;用于放置被蒸镀基板12的载物台17;设于载物台背面17a的基座(以下磁性基座)18。蒸镀源15借助上下移动机构25而在图中上下移动,遍及被蒸镀基板12的整个面地成膜。磁性基座18具有可相对于载物台背面17a垂直移动的引导机构19,在磁性基座18配置有未图示的永磁铁,以使掩模处的磁力密度均匀。另外,在以下的说明中,除了永磁铁之外,也有使用电磁铁的情况,将永磁铁、电磁铁统称为磁铁。
在此,图4示出蒸镀源15的结构,并使用图3和图4对“蒸镀法”进行说明。蒸镀源15包括:用于加热的加热器20;填充有作为对象的有机蒸镀材料的坩埚21;用于测定坩埚内温度的温度测量器22,具有上述部件设于具有冷却机构的蒸镀箱23内的构造。
蒸镀是如下这样形成薄膜的主要工序:对加热器20流通电流而使其发热,利用该热量来加热坩埚21,使坩埚21内的有机蒸镀材料蒸发,使该蒸气从设于坩埚一端侧的喷嘴24喷射,从正面吹喷到被蒸镀基板12上。
接着,利用图5~图7说明实现本实施方式的有机EL蒸镀前的工序。图5是表示在有机EL蒸镀前工序中在各腔室之间搬送被蒸镀基板12的搬送状态的一例的图。被蒸镀基板12如虚线所示那样被搬入到加载互锁腔室9,其后经由搬送腔室13,如实线所示那样被载置于蒸镀腔室11的载物台17上。
如图6所示,载置于载物台17上的被蒸镀基板12以与掩模16保持一定距离的状态进行对准处理。在此所述的对准处理是指,用于将搬送来的被蒸镀基板12高精度地与放置于固定位置的掩模16对位的工序。具体而言,如图7所示,控制被蒸镀基板12的姿势,以使设于处理基板的四角的基板对准标记12m达到设于掩模16的对应位置的窗口状的掩模对准标记16m的尽可能中央处。
在此,在使掩模16处于固定位置地控制被蒸镀基板12的姿势,但也可以相反地使被蒸镀基板12处于固定位置地控制掩模16的姿势。
在该对准处理中,如在所要解决的技术问题中说明的那样,在使被蒸镀基板12和掩模16相对地动作的情况下,若受到磁力的影响会打乱掩模16的排列,进而可能导致破损。磁力越强该影响越大。因此,如图6所示,在对准处理中,将被蒸镀基板12以与掩模16保持一定距离L0的状态进行对准,以使得能够与掩模16所受的磁力影响无关地进行对准。
图8是表示作为本实施方式的特征的、利用磁力使掩模16与被蒸镀基板12紧贴的紧贴处理流程的图。
首先,在被蒸镀基板12与掩模16的对准处理结束后,如图9所示,使被蒸镀基板12与掩模16物理接触,进行消除被蒸镀基板12与掩模16之间的间隙的接触处理(S1)。该接触处理也是在不存在磁铁对掩模16的磁力影响的状态下进行。
在此,说明本实施方式的设于磁性基座18的磁铁与掩模16。该磁铁是具有数千高斯磁力的强力磁铁。
如上所述,尤其是由于进行高精细处理,在被蒸镀基板12与掩模16的对准处理、接触处理中使被蒸镀基板12与掩模16相对地动作的情况下,若受到磁力的影响,则可能导致掩模16的破损。进而,通过用较强磁力一次紧贴,也无法避免在掩模产生形变的可能性。另一方面,在进行成膜(蒸镀)时,若不使被蒸镀基板12与掩模16更牢固地紧贴,则在被蒸镀基板12形成的高精细的像素变得不完整。
因而,对掩模16作用磁力需要在某一适当的时刻利用适当的磁力,还需要采用适当的接触方法进行。因此,在本实施方式的紧贴处理中,不是一次施加数千高斯的强磁力,而是分2阶段地对掩模16施加磁力。在第1阶段,以掩模16的形变控制在规定范围内的方式提高到作为适当磁力的适当磁力强度,使掩模16一次紧贴(S2)。该适当磁力强度根据掩模16、载物台17等的结构不同而不同,但若掩模16、载物台17等的结构确定,能够通过实验或模拟而获得该适当磁力强度。例如,在本实施方式中,适当磁力强度为80~200G左右。
接着,获得以下见解,即,若一次以适当磁力强度得到紧贴,则其后可得到稳定的紧贴,基于该见解,用第1阶段的适当磁力在掩模不发生形变的状态使掩模接触,经过了规定时间后,在第2阶段进一步提高到成膜所必需的紧贴强度(S3)。例如,在本实施方式中,成膜紧贴强度为180~500G左右。
在以上说明的掩模16与被蒸镀基板12的物理接触后,分2阶段地对掩模16施加磁力的2阶段紧贴方式的控制由控制装置30进行。
以上,根据说明的2阶段紧贴方式,可提供一种解决了像素不完整这一问题、形成锐利的像素、可实现更高品质的有机EL器件制造方法。
结果,第1,可提供一种不会使掩模破损的有机EL器件制造方法。第2,可提供一种不良率低、生产率更高的有机EL器件制造方法。
以下に,说明实现2阶段紧贴方式的2阶段紧贴机构的实施例和该2阶段紧贴机构的紧贴方法。
(实施例1)
图3是表示2阶段紧贴机构的第1实施例的图。2阶段紧贴机构包括:设于载物台背面17a侧的磁性基座18;为使磁力密度均匀而配置于磁性基座18的多个永磁铁;改变磁性基座18与载物台17(掩模16)之间的距离、且可相对于载物台背面垂直移动的引导机构19。例如,关于永磁铁的配置,为了修正掩模端部处的磁力降低的端部效应而在磁性基座18的比掩模稍宽广的区域均等地排列永磁铁或提高排列在端部的永磁铁的强度。当然,若能无视端部效应,则可以简单地均等配置永磁铁。
通过这样的结构,通过利用引导机构19使磁性基座18接近载物台背面17a(掩模16),由此改变永磁铁对作为磁性体的掩模16的磁力强度,即改变掩模16被磁性基座18的永磁铁吸引的程度,改变掩模16与被蒸镀基板12的紧贴度。
引导机构19可进行位置控制,可以将磁性基座18控制在任意位置。因此,预先对施加适当磁力强度及成膜紧贴强度的磁性基座18的位置赋予关联。使施加适当磁力强度及成膜紧贴强度的磁性基座18的位置分别为适当磁力强度位置L1、成膜紧贴强度位置L2。
因此,在实施例1中,从图6的状态,如图9所示那样被蒸镀基板12与掩模16物理接触后,首先,如图10所示,使磁性基座18移动到不会对掩模带来形变影响的适当磁力强度位置L1。磁性基座18的移动速度可以是一定速度,也可以是例如以最初较快、越接近适当磁力强度位置L1越慢的方式等相对于距离改变速度。
到达适当磁力强度位置L1后,暂时停止磁性基座18的移动,接着,如图11所示,使磁性基座18移动到成膜紧贴强度位置L2。此时的磁性基座18的移动速度也与适当磁力强度位置L1时同样,可以是一定速度,也可以是例如以最初较快、越接近成膜紧贴强度位置L2越慢的方式等相对于距离改变速度。
(实施例2)
图12是表示2阶段紧贴机构的第2实施例的图。实施例2的2阶段紧贴机构与实施例1的2阶段紧贴机构的不同点在于:将磁性基座18D紧贴于载物台背面17a或固定在与载物台背面相距一定距离的位置,在磁性基座18D上取代永磁铁而排列电磁铁。在实施例2中,由控制装置30控制流向电磁铁的电流,可改变磁力强度、得到适当磁力强度及成膜紧贴磁力强度。包括电磁铁的配置在内的其他方面与实施例1相同。
(实施例3)
图13是表示2阶段紧贴机构的第3实施例的图。实施例3的2阶段紧贴机构是在实施例1、2的2阶段紧贴机构上还设有对掩模测量检测磁力的磁力计26。图13是代表性地在实施例1中设置磁力计26的图。在实施例1、2中,以成为预先确定的位置或电流的方式进行控制,但对于磁力强度实施开环控制。在实施例3中,通过直接测量磁力,由此采用对磁力强度的直接反馈控制进行适当磁力强度及成膜紧贴磁力强度的控制。
另外,设置磁力计26的位置,优选是设置在端部效应不存在或端部效应可无视的、与蒸镀无关的所谓掩模16的角部附近或固定所谓掩模的框架16a上。
在以上的实施例的说明中,尤其作为掩模16而举出高精细掩模为例,但也可以适用于通用层的成膜等所使用的开口较大的大开口掩模、或除此之外的掩模。
根据以上说明的实施方式,说明了分2阶段进行蒸镀的2阶段紧贴方式,为了更可靠地不产生形变,也可以将取得适当磁力强度的第1阶段进一步再分为多阶段。但是,为了避免繁杂,优选是进一步分为2阶段或3阶段的程度。
此外,根据以上说明的实施方式,可提供一种解决了像素不完整这一问题、形成锐利的像素、可实现更高品质画质的有机EL器件制造装置及有机EL器件制造方法。
在以上说明中以有机EL器件为例进行了说明,但也可以适用于与有机EL器件相同背景的、进行蒸镀处理的成膜装置。
Claims (14)
1.一种有机EL器件制造方法,其特征在于,
对磁性体的掩模施加规定的第1磁力强度,使所述掩模紧贴于被蒸镀基板,
经过了规定时间后,以比所述第1磁力强度提高了强度而成的第2磁力强度使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,
在真空状态下借助所述掩模将蒸镀材料蒸镀在所述被蒸镀基板上。
2.根据权利要求1所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
所述第1磁力强度是使所述掩模的形变在规定范围内的程度的磁力强度,
所述第2磁力强度是要得到规定的高精细像素所必需的磁力强度。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
所述第1磁力强度是80~200G,
所述第2磁力强度是180~500G。
4.根据权利要求1或2所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
所述第1磁力强度及所述第2磁力强度是基于预先得到的多个永磁铁与所述掩模的位置关系或预先得到的多个电磁铁的电流关系而获得的,所述多个永磁铁或所述多个电磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
5.根据权利要求1或2所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
所述第1磁力强度及所述第2磁力强度是通过测量所述掩模的磁力强度、并基于所述测量结果来控制多个永磁铁与所述掩模的位置或多个电磁铁的电流而获得的,所述多个永磁铁或所述多个电磁铁设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧。
6.根据权利要求4所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
使所述位置或所述电流以一定速度变化,或使所述位置或所述电流以随着接近所述第1磁力强度及所述第2磁力强度而变化速度减慢的方式变化。
7.根据权利要求5所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
使所述位置或所述电流以一定速度变化,或使所述位置或所述电流以随着接近所述第1磁力强度及所述第2磁力强度而变化速度减慢的方式变化。
8.根据权利要求1或2所述的有机EL器件制造方法,其特征在于,
进一步分多次设定所述第1磁力强度,用分别设定的磁力强度分别使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,分别经过了规定时间后,进行下一次的所述磁力强度的紧贴。
9.一种有机EL器件制造装置,其特征在于,包括:
真空腔室;
蒸发源,其配置于所述真空腔室内,将蒸镀材料蒸镀在被蒸镀基板上;
磁性体的掩模,其设于所述蒸发源与所述被蒸镀基板之间;
2阶段紧贴机构,在对所述掩模施加规定的第1磁力强度而使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板,经过了规定时间后,以比所述第1磁力强度提高了强度而成的第2磁力强度使所述掩模紧贴于所述被蒸镀基板。
10.根据权利要求9所述的有机EL器件制造装置,其特征在于,
所述第1磁力强度是使所述掩模的形变在规定范围内的程度的磁力强度,
所述第2磁力强度是要得到规定的高精细像素所必需的磁力强度。
11.根据权利要求9或10所述的有机EL器件制造装置,其特征在于,
所述2阶段紧贴机构包括:具有多个永磁铁的磁性基座,其设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧;控制机构,其基于预先得到的、所述磁性基座的位置与该位置处的掩模的磁力强度的关系来使所述磁性基座的位置移动,获得所述第1磁力强度及所述第2磁力强度。
12.根据权利要求9或10所述的有机EL器件制造装置,其特征在于,
所述2阶段紧贴机构包括:具有多个电磁铁的磁性基座,其设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧;控制机构,其基于预先得到的、多个所述电磁铁的电流与此时的所述掩模的磁力强度的关系来控制所述电流,获得所述第1磁力强度及所述第2磁力强度。
13.根据权利要求9或10所述的有机EL器件制造装置,其特征在于,
所述2阶段紧贴机构包括:具有多个永磁铁的磁性基座,其设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧;磁力计,其对所述掩模的磁力强度进行测量;控制机构,其基于所述磁力计的测量结果使所述磁性基座的位置移动,获得所述第1磁力强度及所述第2磁力强度。
14.根据权利要求9或10所述的有机EL器件制造装置,其特征在于,
所述2阶段紧贴机构包括:具有多个电磁铁的磁性基座,其设于所述被蒸镀基板的相对于所述掩模相反的一侧;磁力计,其对所述掩模的磁力强度进行测量;控制机构,其基于所述磁力计的测量结果控制所述电流,获得所述第1磁力强度及所述第2磁力强度。
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