TWI485282B - 提高封裝成膜均勻性的方法及裝置 - Google Patents

Description

提高封裝成膜均勻性的方法及裝置

本發明涉及一種封裝成膜的方法及裝置，尤其涉及一種提高封裝成膜均勻性的方法及裝置。

有機電致發光器件，具有自發光、反應時間快、視角廣、成本低、製造工藝簡單、解析度佳及高亮度等多項優點，被認為是下一代的平面顯示器新興應用技術。在OLED（Organic Light-Emitting Diode，有機電致發光二極體）技術中，向上成膜封裝工藝是一項非常重要和關鍵的工藝，該工藝直接影響OLED產品的品質和製造成本。

第一圖是在夾持框中設置有永久磁鐵的向上成膜封裝裝置的側視結構示意圖；如圖所示，現有技術中的向上成膜封裝裝置包括：掩膜版101、夾持框103和蒸發源105，夾持框103固定設置於蒸發源105的上方，掩膜版101上設置有多個鍍膜區（圖中未示），對應于鍍膜區的夾持框103的位置處設置有夾持區，鍍膜區、夾持區均為陣列結構，在每個夾持區的兩側均固定設置有永久磁鐵104。

第二圖是採用第一圖所示的向上成膜封裝裝置進行夾持框與掩膜版對位操作時的永久磁鐵的磁極性的分佈示意圖；如第二圖所示，在進行掩膜版與夾持框的對位操作時，由於該掩膜版為金屬掩膜版，利用永久磁鐵的磁性，一列為N極列，相鄰N極列的一列為S極列，使夾持框能夠夾持金屬掩膜版，固定硬質襯底，從而達到緊密夾持的效果，使夾持框、硬質襯底和金屬掩膜版形成三明治結構，進而可以進行後續的向上成膜封裝工藝。

第三圖是利用第一圖所示的向上成膜封裝裝置進行鍍膜工藝時的永久磁鐵的磁力線的分佈示意圖；如圖所示，在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝時，由於夾持區兩側的永久磁鐵具有磁性，會吸附進行鍍膜工藝的成膜離子，從而導致越靠近永久磁鐵的夾持區的兩側對應的硬質襯底上所沉積的膜越厚，影響封裝向上成膜的均勻性，進而導致產品的良率降低。

中國專利（公開號：CN101090994A）公開了一種掩膜保持機構以及成膜裝置，掩膜保持機構是覆蓋在被安裝保持于成膜裝置的夾頭上的基板的掩膜的掩膜保持機構，上述掩膜由磁性體形成，在保持上述夾頭的上述基板的夾頭面的相反側，將磁鐵以點狀配設，而且，上述磁鐵被配設為形成格子的格子點的結構。

上述發明通過使用多個磁鐵散佈，能夠將作用在掩膜的中央部的磁力比周緣部弱，從而使得掩膜能夠緊密結合到玻璃基板上，避免了蒸發源蒸發的有機材料進入掩膜與玻璃基板的間隙的發生，但是上述發明並沒有克服由於磁性體具有磁性，在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝時，會吸附進行鍍膜工藝的成膜離子的問題，從而導致了越靠近磁性體的夾持區的兩側對應於硬質襯底的待鍍膜區的兩側所沉積的膜越厚，影響封裝向上成膜的均勻性，進而導致產品的良率降低。

中國專利（公開號：CN1867216A）公開了一種掩膜保持結構、成膜方法、電光學裝置的製造方法以及電子設備，掩膜包括：基體基板，其具有開口部；基片，其具有由基體基板的開口部確定位置的開口圖案，該掩膜夾持被成膜基板並配置於模座的下麵。磁鐵配設於所述模座上，被所述磁鐵磁吸引的插頭配設於所述基體基板上。

上述發明提供的成膜方法，雖然相對於大型的被成膜基板，也可高精度地形成薄膜圖案，能夠製造出高品質的電學裝置，可提高顯示品質，但是上述發明並沒有克服由於磁鐵具有磁性，在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝時，會吸附進行鍍膜工藝的成膜離子的問題，從而導致了越靠近磁鐵的夾持區的兩側對應於硬質襯底的待鍍膜區的兩側所沉積的膜越厚，影響封裝向上成膜的均勻性，進而導致產品的良率降低。

針對上述存在的問題，本發明提供一種提高封裝成膜均勻性的方法及裝置，以克服現有技術中在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝時，由於磁鐵具有磁性，會吸附進行鍍膜工藝的成膜離子，從而導致越靠近磁鐵的夾持區的兩側對應於硬質襯底的待鍍膜區的兩側所沉積的膜越厚，影響封裝向上成膜的均勻性，進而導致產品的良率降低的問題。

為了實現上述目的，本發明採取的技術方案為：一種提高封裝成膜均勻性的裝置，應用於一襯底的封裝工藝中，其中，所述裝置包括：磁性夾持框、掩膜版和蒸發源；

所述磁性夾持框固定設置於所述蒸發源的上方，且該磁性夾持框吸附所述掩膜版，以固定位於所述掩膜版與所述磁性夾持框之間的所述襯底；

其中，所述磁性夾持框上設置有電磁鐵。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的裝置，其中，所述裝置還包括一可程式控制設備；

所述電磁鐵包括多個電磁鐵單元，所述可程式控制設備控制該多個電磁鐵單元的磁極性。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的裝置，其中，所述掩膜版上設置有多個鍍膜區，對應於所述鍍膜區位置處的所述磁性夾持框上設置有夾持區；

所述電磁鐵單元設置於所述夾持區四周的所述磁性夾持框上。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的裝置，其中，每個所述電磁鐵單元均包括鐵芯和感應線圈，所述可程式控制設備通過控制所述感應線圈中的電流流向，以控制該電磁鐵單元的磁極性。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的裝置，其中，所述掩膜版為金屬掩膜版。

一種提高封裝成膜均勻性的方法，應用於上述的提高封裝成膜均勻性的裝置上，其中，包括：

採用所述磁性夾持框吸附所述掩膜版以對所述襯底進行對位操作；

控制所述磁性夾持框上不同位置的電磁鐵單元的磁極性，以使所述襯底上對應於所述掩膜版的鍍膜區的區域的磁力線分佈均勻；

對所述襯底進行鍍膜工藝。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，所述掩膜版上設置有多個鍍膜區，所述磁性夾持框上設置有多個夾持區；

其中，所述夾持區與所述鍍膜區一一對應，並通過所述鍍膜區對所述襯底上待進行鍍膜的區域進行鍍膜工藝。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，所述電磁鐵單元設置於所述磁性夾持框上的夾持區的四周。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，根據所述夾持區、所述鍍膜區和所述襯底上待進行鍍膜的區域的之間的位置關係，進行所述對位操作。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，所述掩膜版為金屬掩膜版。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，所述磁性夾持框吸附所述金屬掩膜版以固定所述襯底，使所述磁性夾持框的下表面緊密接觸於所述襯底的上表面，所述襯底的下表面緊密接觸於所述金屬掩膜版的上表面；

所述襯底位於所述磁性夾持框和所述金屬掩膜版之間，形成一三明治結構。

優選的，該提高封裝成膜均勻性的方法，其中，所述電磁鐵單元包括鐵芯和感應線圈，所述可程式控制設備通過控制所述感應線圈中的電流流向，以控制該電磁鐵單元的磁極性。

上述方案具有如下優點或者有益效果：本發明通過將現有技術中的永久磁鐵更換為電磁鐵，並且由可程式控制設備控制電磁鐵的極性，從而在進行向上成膜封裝工藝中，當進行磁性夾持框與掩膜版的對位操作時，控制電磁鐵的磁極性以使磁性夾持框緊密夾持掩膜版，當進行鍍膜工藝時，控制電磁鐵的磁極性，達到擾磁的目的，使電磁鐵的磁力線均勻分佈于鍍膜區的各個位置，進而克服了現有技術中在進行鍍膜工藝時，由於磁鐵具有磁性，吸附進行鍍膜工藝的離子，導致越靠近磁鐵的夾持區對應於襯底的待鍍膜區兩側所沉積的膜越厚的問題，進一步的提高了進行向上成膜封裝工藝後膜的均勻性，提高了產品的良率。

101．．．掩膜版

102．．．硬質襯底

103．．．夾持框

104．．．永久磁鐵

105．．．蒸發源

201．．．金屬掩膜版

202．．．襯底

203．．．磁性夾持框

204．．．電磁鐵單元

205．．．蒸發源

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明及其特徵、外形和優點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。並未可以按照比例繪製附圖，重點在於示出本發明的主旨。

第一圖是在夾持框中設置有永久磁鐵的向上成膜封裝裝置的側視結構示意圖；
第二圖是採用第一圖所示的向上成膜封裝裝置進行夾持框與掩膜版對位操作時的永久磁鐵的磁極性的分佈示意圖；
第三圖是利用第一圖所示的向上成膜封裝裝置進行鍍膜工藝時的永久磁鐵的磁力線的分佈示意圖；
第四圖是本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置的側視結構示意圖；
第五圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行磁性夾持框與掩膜版進行對位操作時的電磁鐵的磁極性的分佈示意圖；
第六圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行磁性夾持框與掩膜版進行對位操作時的電磁鐵的磁力線的分佈示意圖；
第七圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行封裝工藝的鍍膜工藝時的電磁鐵的磁極性的分佈示意圖；
第八圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行封裝工藝的鍍膜工藝時的電磁鐵的磁力線的分佈示意圖。

下面根據具體的實施例及附圖對本發明作進一步的說明，但是不作為本發明的限定。

第四圖是本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置的側視結構示意圖；如第四圖所示，提高封裝成膜均勻性的裝置包括金屬掩膜版201、磁性夾持框203和蒸發源205，磁性夾持框203固定設置於蒸發源205的上方（具體高度根據工藝需求決定），金屬掩膜版201中設置有多個鍍膜區（圖中未示），對應于鍍膜區的磁性夾持框203上的位置處設置有夾持區（圖中未示），掩膜區和夾持區均對應於襯底202上的待鍍膜區，鍍膜區、夾持區均為陣列結構，且在每個夾持區的四周均設置有一個或者多個電磁鐵單元204，使得磁性夾持框203能夠吸附金屬掩膜版201，從而使得磁性夾持框203和金屬掩膜版201能夠緊密夾持襯底202，以固定襯底202，其中，磁性夾持框203、襯底202和金屬掩膜版201形成一三明治結構，襯底202優選為一硬質襯底，如玻璃基板或者塑膠基本等。

另外，提高封裝成膜均勻性的裝置還包括一可程式控制設備，電磁鐵單元204包括鐵芯和感應線圈，可程式控制設備通過控制感應線圈中的電流流向達到控制電磁鐵單元204的磁極性的目的；在進行磁性夾持框203與金屬掩膜版201的對位操作中，可程式控制設備控制電磁鐵單元204的磁極性，使磁性夾持框203與金屬掩膜版204緊密夾持襯底202；在進行封裝工藝的鍍膜工藝時，可程式控制設備控制電磁鐵單元204的磁極性，使多個電磁鐵單元204的磁性相互干擾，以達到擾磁的目的，從而使電磁鐵單元204的磁力線均勻分佈於磁性夾持框的每個位置，蒸發源205蒸發成膜離子一部分蒸發至金屬掩膜版201的掩膜區對應於襯底202的待鍍膜區的中央區域，一部分成膜離子由於電磁鐵單元204的磁性，被均勻吸附至金屬掩膜版201的掩膜區對應於襯底202的待鍍膜區的四周，進而得到均勻性較好的膜，進一步的提高了產品的良率。

第五圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行磁性夾持框與掩膜版進行對位操作時的電磁鐵的磁極性的分佈示意圖；如第五圖所示，封裝工藝優選為向上成膜封裝工藝，在進行向上成膜封裝工藝中的鍍膜工藝之前，需要對磁性夾持框和金屬掩膜版進行對位元操作，利用磁性夾持框上的電磁鐵進行對位操作時，最佳的情況是只有夾持框兩側的電磁鐵具備磁性，此時，利用可程式控制設備控制設置于夾持區四周的電磁鐵單元的磁極性，使磁極性分佈如第五圖所示，即在電磁鐵單元的縱向方向，控制一列電磁鐵為N極列（極性均為N），且控制與該N極列相鄰的每列電磁鐵則均為S極列（極性均為S），從而使得磁性夾持框與金屬掩膜版緊密夾持硬質襯底，使得對位操作順利進行。

第六圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行磁性夾持框與掩膜版進行對位操作時的電磁鐵的磁力線的分佈示意圖；如第六圖所示，封裝工藝優選為向上成膜封裝工藝，在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝之前，對磁性夾持框和金屬掩膜版進行對位操作，利用可程式控制設備控制設置于夾持區四周的電磁鐵單元，使電磁鐵單元的縱向方向具有磁性，從而在對位元操作過程中，電磁鐵單元的磁力線分佈如第六圖所示，進而使得磁性夾持框與金屬掩膜版緊密夾持硬質襯底，使得對位操作順利進行。

第七圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行封裝工藝的鍍膜工藝時的電磁鐵的磁極性的分佈示意圖；如第七圖所示，封裝工藝優選為向上成膜封裝工藝，在進行向上成膜封裝工藝的鍍膜工藝時，啟動蒸發源，同時利用可程式控制設備控制設置于夾持區四周的電磁鐵單元，使磁極性分佈如圖7所示，電磁鐵單元的縱向方向為N極、橫向方向為S極，從而使得電磁鐵單元的磁性相互干擾，以達到擾磁的目的，使電磁鐵單元的磁力線均勻分佈於磁性夾持框的每個位置，蒸發源蒸發成膜離子一部分蒸發至金屬掩膜版的鍍膜區對應於襯底的待鍍膜區的中央區域，一部分成膜離子被均勻吸附至金屬掩膜版的鍍膜區對應於硬質襯底的待鍍膜區的四周，進而得到均勻性較好的膜，進一步的提高了產品的良率。

其中，襯底優選為硬質襯底，如玻璃基板或者塑膠基板等。

第八圖是利用本發明實施例提供的提高封裝成膜均勻性的裝置進行封裝工藝的鍍膜工藝時的電磁鐵的磁力線的分佈示意圖；如第八圖所示，封裝工藝優選為向上成膜封裝工藝，利用可程式控制設備控制設置于夾持區四周的電磁鐵單元的磁極性後，其電磁鐵單元的磁力線分佈如第八圖所示，均勻分佈於磁性夾持框的每個位置，進行鍍膜工藝時，蒸發源蒸發成膜離子一部分蒸發至金屬掩膜版的鍍膜區對應於襯底的待鍍膜區的中央區域，一部分成膜離子被均勻吸附至金屬掩膜版的鍍膜區對應於襯底的待鍍膜區的四周，從而得到均勻性較好的膜，進而的提高了產品的良率。

綜上所述，本發明通過將現有技術中的永久磁鐵更換為電磁鐵，並且由可程式控制設備控制電磁鐵的極性，從而在進行向上成膜封裝的工藝中，當進行磁性夾持框與掩膜版的對位操作時，控制電磁鐵的磁極性以使磁性夾持框緊密夾持掩膜版，當進行鍍膜工藝時，控制電磁鐵進行擾磁，使電磁鐵的磁力線均勻分佈于鍍膜區的各個位置，進而克服了現有技術中在進行鍍膜工藝時，由於磁鐵具有磁性，會吸附進行鍍膜工藝的離子，導致越靠近磁鐵的夾持區對應於硬質襯底的待鍍膜區兩側所沉積的膜越厚的問題，進一步的提高了進行向上成膜封裝工藝後膜的均勻性，提高了產品的良率。

本領域技術人員應該理解，本領域技術人員結合現有技術以及上述實施例可以實現所述變化例，在此不予贅述。這樣的變化例並不影響本發明的實質內容，在此不予贅述。

以上對本發明的較佳實施例進行了描述。需要理解的是，本發明並不局限於上述特定實施方式，其中未盡詳細描述的設備和結構應該理解為用本領域中的普通方式予以實施；任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例，這並不影響本發明的實質內容。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬於本發明技術方案保護的範圍內。

Claims (12)

1. 【第1項】

   一種提高封裝成膜均勻性的裝置，其特徵在於，所述裝置包括：磁性夾持框、掩膜版和蒸發源；
   所述磁性夾持框固定設置於所述蒸發源的上方，且該磁性夾持框吸附所述掩膜版，以固定位於所述掩膜版與所述磁性夾持框之間的所述襯底；
   其中，所述磁性夾持框上設置有電磁鐵。
2. 【第2項】

   如申請專利範圍第1項之提高封裝成膜均勻性的裝置，其特徵在於，所述裝置還包括一可程式控制設備；
   所述電磁鐵包括多個電磁鐵單元，所述可程式控制設備控制該多個電磁鐵單元的磁極性。
3. 【第3項】

   如申請專利範圍第2項之提高封裝成膜均勻性的裝置，其特徵在於，所述掩膜版上設置有多個鍍膜區，對應於所述鍍膜區位置處的所述磁性夾持框上設置有夾持區；
   所述電磁鐵單元設置於所述夾持區四周的所述磁性夾持框上。
4. 【第4項】

   如申請專利範圍第2項之提高封裝成膜均勻性的裝置，其特徵在於，每個所述電磁鐵單元均包括鐵芯和感應線圈，所述可程式控制設備通過控制所述感應線圈中的電流流向，以控制該電磁鐵單元的磁極性。
5. 【第5項】

   如申請專利範圍第1項之提高封裝成膜均勻性的裝置，其特徵在於，所述掩膜版為金屬掩膜版。
6. 【第6項】

   一種提高封裝成膜均勻性的方法，應用於權利要求1~5中任意一項所述的提高封裝成膜均勻性的裝置上，其步驟包括：
   採用所述磁性夾持框吸附所述掩膜版以對所述襯底進行對位操作；
   控制所述磁性夾持框上不同位置的電磁鐵單元的磁極性，以使所述襯底上對應於所述掩膜版的鍍膜區的區域的磁力線分佈均勻；
   對所述襯底進行鍍膜工藝。
7. 【第7項】

   如申請專利範圍第6項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，所述掩膜版上設置有多個鍍膜區，所述磁性夾持框上設置有多個夾持區；
   其中，所述夾持區與所述鍍膜區一一對應，並通過所述鍍膜區對所述襯底上待進行鍍膜的區域進行鍍膜工藝。
8. 【第8項】

   如申請專利範圍第7項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，所述電磁鐵單元設置於所述磁性夾持框上的夾持區的四周。
9. 【第9項】

   如申請專利範圍第8項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，根據所述夾持區、所述鍍膜區和所述襯底上待進行鍍膜的區域的之間的位置關係，進行所述對位操作。
10. 【第10項】

    如申請專利範圍第6項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，所述掩膜版為金屬掩膜版。
11. 【第11項】

    如申請專利範圍第10項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，所述磁性夾持框吸附所述金屬掩膜版以固定所述襯底，使所述磁性夾持框的下表面緊密接觸於所述襯底的上表面，所述襯底的下表面緊密接觸於所述金屬掩膜版的上表面；
    所述襯底位於所述磁性夾持框和所述金屬掩膜版之間，形成一三明治結構。
12. 【第12項】

    如申請專利範圍第6項之提高封裝成膜均勻性的方法，其特徵在於，所述電磁鐵單元包括鐵芯和感應線圈，所述可程式控制設備通過控制所述感應線圈中的電流流向，以控制該電磁鐵單元的磁極性。