JPH0714805A - 電極の形成方法及びその形成装置 - Google Patents
電極の形成方法及びその形成装置Info
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- JPH0714805A JPH0714805A JP15168793A JP15168793A JPH0714805A JP H0714805 A JPH0714805 A JP H0714805A JP 15168793 A JP15168793 A JP 15168793A JP 15168793 A JP15168793 A JP 15168793A JP H0714805 A JPH0714805 A JP H0714805A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来よりも低温の加熱処理による電極の形成
方法及びその形成装置を提供する。 【構成】 ｎ型ＺｎＳｅを有機洗浄などによって清浄な
状態とし、真空容器１ｂ内の基板ホルダ２ｂに装着す
る。ここで、真空度は１×１０-8Ｔｏｒｒ程度である。
ヒータ２ｃによって基板ホルダ２ｂごと予備加熱処理を
施し、ｎ型ＺｎＳｅの表面に付着している水分や有機物
を除去する。予備加熱処理は２００℃で１５分間にわた
って行う。同時に、マスク３ｂを、１０００℃で１時間
にわたって焼き出しし、マスク３ｂのガス出しを行う。
基板温度を２００℃に保ったまま、焼き出ししたマスク
３ｂを基板表面に移動させる（３ａ）。表面にハロゲン
ランプ （ヨウ素タングステンランプ６０Ｗ）４ｂの光
４ｃを集光して照射しながら、Ｉｎの分子線５ｃを１×
１０-6Ｔｏｒｒの圧力で１時間にわたって照射する。
方法及びその形成装置を提供する。 【構成】 ｎ型ＺｎＳｅを有機洗浄などによって清浄な
状態とし、真空容器１ｂ内の基板ホルダ２ｂに装着す
る。ここで、真空度は１×１０-8Ｔｏｒｒ程度である。
ヒータ２ｃによって基板ホルダ２ｂごと予備加熱処理を
施し、ｎ型ＺｎＳｅの表面に付着している水分や有機物
を除去する。予備加熱処理は２００℃で１５分間にわた
って行う。同時に、マスク３ｂを、１０００℃で１時間
にわたって焼き出しし、マスク３ｂのガス出しを行う。
基板温度を２００℃に保ったまま、焼き出ししたマスク
３ｂを基板表面に移動させる（３ａ）。表面にハロゲン
ランプ （ヨウ素タングステンランプ６０Ｗ）４ｂの光
４ｃを集光して照射しながら、Ｉｎの分子線５ｃを１×
１０-6Ｔｏｒｒの圧力で１時間にわたって照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の電流注入型電
極の形成方法及びその形成装置に関する。
極の形成方法及びその形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この分野の電極としては、金属電
極材料を蒸着した後に加熱処理を施すことにより、電極
と半導体との間の接触抵抗を下げるようにしたものが多
く用いられている。
極材料を蒸着した後に加熱処理を施すことにより、電極
と半導体との間の接触抵抗を下げるようにしたものが多
く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低い成長温
度で半導体結晶を形成する場合には、蒸着後における加
熱処理の温度が成長温度よりも高いことがある。例え
ば、ｎ型ＺｎＳｅにＩｎ電極を付ける場合には、３００
℃のアニール温度が必要である。
度で半導体結晶を形成する場合には、蒸着後における加
熱処理の温度が成長温度よりも高いことがある。例え
ば、ｎ型ＺｎＳｅにＩｎ電極を付ける場合には、３００
℃のアニール温度が必要である。
【０００４】しかし、このｎ型ＺｎＳｅが２５０℃で結
晶成長させたものであった場合、成長温度よりも高いプ
ロセス温度が存在するために、半導体結晶内における不
純物の拡散や複合準位の形成など、特性の劣化を引き起
こす虞れがある。
晶成長させたものであった場合、成長温度よりも高いプ
ロセス温度が存在するために、半導体結晶内における不
純物の拡散や複合準位の形成など、特性の劣化を引き起
こす虞れがある。
【０００５】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、従来よりも低い加熱温度で、電極と半導体との間
の接触抵抗を下げることのできる電極の形成方法及びそ
の形成装置を提供することを目的とする。
ため、従来よりも低い加熱温度で、電極と半導体との間
の接触抵抗を下げることのできる電極の形成方法及びそ
の形成装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る電極の形成方法は、半導体を、その成
長温度よりも低い温度に加熱し、前記半導体の表面に、
その禁制帯幅よりも高いエネルギーの光を照射しなが
ら、金属電極材料を蒸着することを特徴とする。
め、本発明に係る電極の形成方法は、半導体を、その成
長温度よりも低い温度に加熱し、前記半導体の表面に、
その禁制帯幅よりも高いエネルギーの光を照射しなが
ら、金属電極材料を蒸着することを特徴とする。
【０００７】また、本発明に係る電極の形成装置は、真
空容器内に、半導体の表面に光を照射する手段と、前記
半導体の表面に金属電極を蒸着する電極材料蒸発源と、
ガス出しが可能で、かつ、移動可能なマスクとを少なく
とも備えてなるものである。
空容器内に、半導体の表面に光を照射する手段と、前記
半導体の表面に金属電極を蒸着する電極材料蒸発源と、
ガス出しが可能で、かつ、移動可能なマスクとを少なく
とも備えてなるものである。
【０００８】
【作用】本発明は上記の手段によって得られる以下の作
用に基づくものと考えられる。すなわち、半導体表面に
禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射すると、半導体が
光を吸収して電子正孔対を発生させる。そして、この電
子正孔対が半導体と金属との間の結合に際してのエネル
ギーバリアを減少させ、半導体表面における金属のマイ
グレーションを促進させる。これにより、金属電極材料
を蒸着した後に加熱処理を施さなくても、電極と半導体
との間の接触抵抗を低く抑えることができる。従って、
成長温度の低温化でオーミック性電極の形成が困難にな
った材料系であっても、低温での後プロセスによって、
オーミック性電極の形成が可能となる。
用に基づくものと考えられる。すなわち、半導体表面に
禁制帯幅以上のエネルギーの光を照射すると、半導体が
光を吸収して電子正孔対を発生させる。そして、この電
子正孔対が半導体と金属との間の結合に際してのエネル
ギーバリアを減少させ、半導体表面における金属のマイ
グレーションを促進させる。これにより、金属電極材料
を蒸着した後に加熱処理を施さなくても、電極と半導体
との間の接触抵抗を低く抑えることができる。従って、
成長温度の低温化でオーミック性電極の形成が困難にな
った材料系であっても、低温での後プロセスによって、
オーミック性電極の形成が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係る電極の形成装置の一実
施例を示す概略図である。図１に示すように、真空ポン
プ１ａを備えた真空容器１ｂには光導入窓４ａが設けら
れており、外部から基板２ａの表面に光を導入すること
ができるようにされている。また、電極材料の蒸発源と
してＩｎ（インジウム）用のるつぼ５ａが装備されてお
り、シャッタ５ｂによってＩｎの分子線５ｃの供給をコ
ントロールすることができるようにされている。基板ホ
ルダ２ｂはヒータ２ｃによって加熱することができ、移
動可能でかつ交換式のタンタル製マスク３ａを備えてい
る。そして、このマスク３ａは、蒸着直前において同じ
チャンバ内の基板加熱用ヒータ２ｃとは別のヒータ３ｃ
によって十分な高温（１０００℃程度）にまで加熱さ
れ、これによりガス出しが行われる（図１中、３ｂは待
機時及びガス出し時におけるマスク位置を示す）。尚、
このガス出しに際しては、蒸着物質や被蒸着物質に影響
を与えないように、真空容器１ｂの真空度を十分高くす
ることによって、マスク３ｂから蒸発した物質が膜に吸
着しないようにし、分子線となって真空容器１ｂの内壁
などに直接衝突して吸着されるようにするのが好まし
い。このようにマスクを十分高温にしてガス出しをする
ことができるので、そのままの真空を破らずにマスクと
して使用することができる。ガス出しができない場合、
蒸着時のサンプル加熱時に、サンプルに隣接しているマ
スクも加熱されるために、マスクからの不純物がサンプ
ル表面に付着する。このために、マスクのガス出し機構
は本発明に不可欠となる。ここで、マスク３ａ（３ｂ）
はタンタル製としたが、必ずしもこれに限定されるもの
ではなく、蒸着に用いる温度範囲で構成元素のガス出し
の無い材料であれば、例えばステンレスやパイロリティ
ックボロンナイトライド（ＰＢＮ）であってもよい。
尚、図１において、４ｂはハロゲンランプ（ヨウ素タン
グステンランプ６０Ｗ）、４ｃはその光、４ｄはフィル
タを示す。
に説明する。 （実施例１）図１は本発明に係る電極の形成装置の一実
施例を示す概略図である。図１に示すように、真空ポン
プ１ａを備えた真空容器１ｂには光導入窓４ａが設けら
れており、外部から基板２ａの表面に光を導入すること
ができるようにされている。また、電極材料の蒸発源と
してＩｎ（インジウム）用のるつぼ５ａが装備されてお
り、シャッタ５ｂによってＩｎの分子線５ｃの供給をコ
ントロールすることができるようにされている。基板ホ
ルダ２ｂはヒータ２ｃによって加熱することができ、移
動可能でかつ交換式のタンタル製マスク３ａを備えてい
る。そして、このマスク３ａは、蒸着直前において同じ
チャンバ内の基板加熱用ヒータ２ｃとは別のヒータ３ｃ
によって十分な高温（１０００℃程度）にまで加熱さ
れ、これによりガス出しが行われる（図１中、３ｂは待
機時及びガス出し時におけるマスク位置を示す）。尚、
このガス出しに際しては、蒸着物質や被蒸着物質に影響
を与えないように、真空容器１ｂの真空度を十分高くす
ることによって、マスク３ｂから蒸発した物質が膜に吸
着しないようにし、分子線となって真空容器１ｂの内壁
などに直接衝突して吸着されるようにするのが好まし
い。このようにマスクを十分高温にしてガス出しをする
ことができるので、そのままの真空を破らずにマスクと
して使用することができる。ガス出しができない場合、
蒸着時のサンプル加熱時に、サンプルに隣接しているマ
スクも加熱されるために、マスクからの不純物がサンプ
ル表面に付着する。このために、マスクのガス出し機構
は本発明に不可欠となる。ここで、マスク３ａ（３ｂ）
はタンタル製としたが、必ずしもこれに限定されるもの
ではなく、蒸着に用いる温度範囲で構成元素のガス出し
の無い材料であれば、例えばステンレスやパイロリティ
ックボロンナイトライド（ＰＢＮ）であってもよい。
尚、図１において、４ｂはハロゲンランプ（ヨウ素タン
グステンランプ６０Ｗ）、４ｃはその光、４ｄはフィル
タを示す。
【００１０】（実施例２）次に、実施例１の装置を用い
た電極の形成方法について説明する。本実施例２では、
半導体として、成長温度３００℃で分子線エピタキシャ
ル（ＭＢＥ）成長させた、キャリア密度が１×１０18ｃ
ｍ-3で膜厚が２．３μｍのｎ型ＺｎＳｅを用い、金属電
極材料としてＩｎを用いた場合を例に挙げて説明する。
た電極の形成方法について説明する。本実施例２では、
半導体として、成長温度３００℃で分子線エピタキシャ
ル（ＭＢＥ）成長させた、キャリア密度が１×１０18ｃ
ｍ-3で膜厚が２．３μｍのｎ型ＺｎＳｅを用い、金属電
極材料としてＩｎを用いた場合を例に挙げて説明する。
【００１１】電極の形成手順は以下のとおりである。す
なわち、まず、電極を付けようとする基板２ａとしての
ｎ型ＺｎＳｅを有機洗浄などによって清浄な状態とし、
真空容器１ｂ内の基板ホルダ２ｂに装着する。この時の
真空度は、不純物の付着の虞れがない点で、１×１０-5
Ｔｏｒｒ以下にするのが好ましい。本実施例２では、Ｍ
ＢＥ（分子線エピタキシャル）成長装置を使用してお
り、真空度は１×１０-8Ｔｏｒｒ程度となっている。次
いで、ヒータ２ｃによって基板ホルダ２ｂごと予備加熱
処理を施し、ｎ型ＺｎＳｅの表面に付着している水分や
有機物を除去する。ここで、予備加熱処理は２００℃で
１５分間にわたって行う。
なわち、まず、電極を付けようとする基板２ａとしての
ｎ型ＺｎＳｅを有機洗浄などによって清浄な状態とし、
真空容器１ｂ内の基板ホルダ２ｂに装着する。この時の
真空度は、不純物の付着の虞れがない点で、１×１０-5
Ｔｏｒｒ以下にするのが好ましい。本実施例２では、Ｍ
ＢＥ（分子線エピタキシャル）成長装置を使用してお
り、真空度は１×１０-8Ｔｏｒｒ程度となっている。次
いで、ヒータ２ｃによって基板ホルダ２ｂごと予備加熱
処理を施し、ｎ型ＺｎＳｅの表面に付着している水分や
有機物を除去する。ここで、予備加熱処理は２００℃で
１５分間にわたって行う。
【００１２】これと同時に、ヒータ３ｃによってマスク
３ｂを１０００℃で１時間にわたって焼き出しし、これ
によりマスク３ｂのガス出しを行う。尚、焼き出し時間
は長ければ長いほどよく、焼き出し温度は高ければ高い
ほどよい。
３ｂを１０００℃で１時間にわたって焼き出しし、これ
によりマスク３ｂのガス出しを行う。尚、焼き出し時間
は長ければ長いほどよく、焼き出し温度は高ければ高い
ほどよい。
【００１３】次いで、基板温度を２００℃に保ったま
ま、焼き出ししたマスク３ｂを基板（ｎ型ＺｎＳｅ）２
ａの表面に移動させる（３ａ）。そして、基板（ｎ型Ｚ
ｎＳｅ）２ａの表面にハロゲンランプ（ヨウ素タングス
テンランプ６０Ｗ）４ｂの光４ｃを集光して照射しなが
ら、Ｉｎの分子線５ｃを１×１０-6Ｔｏｒｒの圧力で１
時間にわたって照射する。これにより、基板（ｎ型Ｚｎ
Ｓｅ）２ａの表面に厚さ約０．５μｍのＩｎ電極が形成
される。ここでは、基板温度を２００℃としたが、半導
体素子の形成温度以下であれば、結晶成長時の膜の特性
を劣化させることなく金属電極材料を蒸着することがで
きる。また、蒸着時の基板温度は高い方が電流電圧特性
（Ｉ−Ｖ特性）の立ち上がり電圧は低かった。
ま、焼き出ししたマスク３ｂを基板（ｎ型ＺｎＳｅ）２
ａの表面に移動させる（３ａ）。そして、基板（ｎ型Ｚ
ｎＳｅ）２ａの表面にハロゲンランプ（ヨウ素タングス
テンランプ６０Ｗ）４ｂの光４ｃを集光して照射しなが
ら、Ｉｎの分子線５ｃを１×１０-6Ｔｏｒｒの圧力で１
時間にわたって照射する。これにより、基板（ｎ型Ｚｎ
Ｓｅ）２ａの表面に厚さ約０．５μｍのＩｎ電極が形成
される。ここでは、基板温度を２００℃としたが、半導
体素子の形成温度以下であれば、結晶成長時の膜の特性
を劣化させることなく金属電極材料を蒸着することがで
きる。また、蒸着時の基板温度は高い方が電流電圧特性
（Ｉ−Ｖ特性）の立ち上がり電圧は低かった。
【００１４】尚、マスク３ｂのガス出しを行わない場合
には、前回使用した電極材料が試料に付着し、電極の特
性劣化（例えば、接触抵抗の増加）が見られた。図２
に、従来の形成方法によって電極を形成し、蒸着後に加
熱処理を施さなかったもの（サンプルＡ）と、本発明の
形成方法で形成した電極（サンプルＢ）と、従来の形成
方法によって電極を形成し、蒸着後に還元雰囲気
（Ｈ2 ；１０容量％、Ａｒ；９０容量％）中で、３００
℃で１０分間にわたって加熱処理を施したもの（サンプ
ルＣ）のＩ−Ｖ特性を示す。尚、測定は、電極間の距離
が５ｍｍで電極の直径が１ｍｍの２つのＩｎ電極を用
い、光照射以外は同じ蒸着条件で形成した。
には、前回使用した電極材料が試料に付着し、電極の特
性劣化（例えば、接触抵抗の増加）が見られた。図２
に、従来の形成方法によって電極を形成し、蒸着後に加
熱処理を施さなかったもの（サンプルＡ）と、本発明の
形成方法で形成した電極（サンプルＢ）と、従来の形成
方法によって電極を形成し、蒸着後に還元雰囲気
（Ｈ2 ；１０容量％、Ａｒ；９０容量％）中で、３００
℃で１０分間にわたって加熱処理を施したもの（サンプ
ルＣ）のＩ−Ｖ特性を示す。尚、測定は、電極間の距離
が５ｍｍで電極の直径が１ｍｍの２つのＩｎ電極を用
い、光照射以外は同じ蒸着条件で形成した。
【００１５】サンプルＡは、立ち上がり電圧が約６Ｖと
高く、ショットキー接触であることを示している。一
方、サンプルＢ（本発明）は、蒸着後に加熱処理を施さ
なくても立ち上がり電圧が改善されている。すなわち、
オーミック接触特性を示し、蒸着後に加熱処理を施した
従来の電極（サンプルＣ）とほぼ同じ特性であることが
分かる。
高く、ショットキー接触であることを示している。一
方、サンプルＢ（本発明）は、蒸着後に加熱処理を施さ
なくても立ち上がり電圧が改善されている。すなわち、
オーミック接触特性を示し、蒸着後に加熱処理を施した
従来の電極（サンプルＣ）とほぼ同じ特性であることが
分かる。
【００１６】尚、光照射は、蒸着された金属の膜厚が３
０ｎｍ以上になるとほとんど効果がなくなる。これは、
金属が光を吸収してしまい、半導体まで到達しなくなる
からである。従って、光の照射は蒸着初期だけでも構わ
ない。また、基板の加熱も蒸着初期だけで構わない。こ
こでいう蒸着初期とは、蒸着膜の厚さが３０ｎｍ以下の
段階である。
０ｎｍ以上になるとほとんど効果がなくなる。これは、
金属が光を吸収してしまい、半導体まで到達しなくなる
からである。従って、光の照射は蒸着初期だけでも構わ
ない。また、基板の加熱も蒸着初期だけで構わない。こ
こでいう蒸着初期とは、蒸着膜の厚さが３０ｎｍ以下の
段階である。
【００１７】上記サンプルＣの場合には、加熱処理の温
度が３００℃であり、半導体結晶の成長温度（３００
℃）よりも高温ではないので、加熱処理による膜の電気
的特性の劣化はほとんど見られない。しかし、成長温度
が５０℃だけ低い２５０℃である場合、その抵抗率は、
本発明の形成方法によって形成した電極で測定した半導
体薄膜の抵抗率に比べて１０％程度低くなった。
度が３００℃であり、半導体結晶の成長温度（３００
℃）よりも高温ではないので、加熱処理による膜の電気
的特性の劣化はほとんど見られない。しかし、成長温度
が５０℃だけ低い２５０℃である場合、その抵抗率は、
本発明の形成方法によって形成した電極で測定した半導
体薄膜の抵抗率に比べて１０％程度低くなった。
【００１８】ここで、ハロゲンランプ４ｂの光４ｃのど
の成分が電極形成に効果的であるかを調べるため、フィ
ルタ４ｄを介在させた状態で光４ｃを照射した。その結
果、４８０ｎｍよりも長い波長の光を透過するフィルタ
（ＨＯＹＡのＹ−４８フィルタ使用）を介在させた場合
には、立ち上がり電圧の改善は見られなかった。これに
対し、４６０ｎｍよりも長い波長の光を透過するフィル
タ（ＨＯＹＡのＹ−４６フィルタ使用）を介在させた場
合には、立ち上がり電圧の改善が見られた。そして、透
過上限の波長を短くするに伴い、立ち上がり電圧の改善
度が向上した。
の成分が電極形成に効果的であるかを調べるため、フィ
ルタ４ｄを介在させた状態で光４ｃを照射した。その結
果、４８０ｎｍよりも長い波長の光を透過するフィルタ
（ＨＯＹＡのＹ−４８フィルタ使用）を介在させた場合
には、立ち上がり電圧の改善は見られなかった。これに
対し、４６０ｎｍよりも長い波長の光を透過するフィル
タ（ＨＯＹＡのＹ−４６フィルタ使用）を介在させた場
合には、立ち上がり電圧の改善が見られた。そして、透
過上限の波長を短くするに伴い、立ち上がり電圧の改善
度が向上した。
【００１９】尚、本実施例２においては、蒸着速度は
０．２ｎｍ／ｓであったが、蒸着速度を１ｎｍ／ｓ以上
に上げると、立ち上がり電圧の改善度が低下した。これ
は、蒸着速度が速すぎると、半導体と金属との間の接合
が十分に行われない状態のままで次の金属原子が半導体
基板上に飛来し、十分な接合ができないためと考えられ
る。従って、蒸着速度は十分にゆっくりである必要があ
る。
０．２ｎｍ／ｓであったが、蒸着速度を１ｎｍ／ｓ以上
に上げると、立ち上がり電圧の改善度が低下した。これ
は、蒸着速度が速すぎると、半導体と金属との間の接合
が十分に行われない状態のままで次の金属原子が半導体
基板上に飛来し、十分な接合ができないためと考えられ
る。従って、蒸着速度は十分にゆっくりである必要があ
る。
【００２０】また、本実施例２においては、基板２ａと
してｎ型ＺｎＳｅを用いているが、ｎ型ＣｄＳを用いた
場合には５００ｎｍよりも短い波長の光が有効であっ
た。また、ＺｎＳを用いた場合には、３６０ｎｍよりも
短い波長の光が有効であった。これにより、非熱処理電
極として用いるには蒸着時の禁制帯幅以上の光が有効で
あると考えられる。尚、ここには示していないが、他の
あらゆる半導体においても、禁制帯幅以上のエネルギー
の光を照射しながらゆっくりとした速度で蒸着を行った
結果、同様に立ち上がり電圧の改善が見られた。
してｎ型ＺｎＳｅを用いているが、ｎ型ＣｄＳを用いた
場合には５００ｎｍよりも短い波長の光が有効であっ
た。また、ＺｎＳを用いた場合には、３６０ｎｍよりも
短い波長の光が有効であった。これにより、非熱処理電
極として用いるには蒸着時の禁制帯幅以上の光が有効で
あると考えられる。尚、ここには示していないが、他の
あらゆる半導体においても、禁制帯幅以上のエネルギー
の光を照射しながらゆっくりとした速度で蒸着を行った
結果、同様に立ち上がり電圧の改善が見られた。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電極
の形成方法によれば、従来よりも低い加熱処理温度で、
電極と半導体との間の接触抵抗を下げることができる。
このため、成長温度の低温化でオーミック性電極の形成
が困難になった材料系であっても、低温での後プロセス
によってオーミック性電極の形成が可能となる。従っ
て、電流注入素子への応用として、その実用的価値は大
きい。
の形成方法によれば、従来よりも低い加熱処理温度で、
電極と半導体との間の接触抵抗を下げることができる。
このため、成長温度の低温化でオーミック性電極の形成
が困難になった材料系であっても、低温での後プロセス
によってオーミック性電極の形成が可能となる。従っ
て、電流注入素子への応用として、その実用的価値は大
きい。
【００２２】また、本発明に係る電極の形成装置によれ
ば、低温熱処理電極を効率良く合理的に形成することが
できる。
ば、低温熱処理電極を効率良く合理的に形成することが
できる。
【図１】本発明に係る電極の製造装置の一実施例を示す
概略図である。
概略図である。
【図２】電極のＩ−Ｖ特性を示す図である。
１ａ 真空ポンプ １ｂ 真空容器 ２ａ 基板 ２ｂ 基板ホルダ ２ｃ 基板加熱用ヒータ ３ａ マスク（蒸着時） ３ｂ マスク（待機時・ガス出し時） ３ｃ マスク加熱用ヒータ ４ａ 光導入窓 ４ｂ ハロゲンランプ（ヨウ素タングステンランプ） ４ｃ 光 ４ｄ フィルタ ５ａ Ｉｎ用のるつぼ ５ｂ 分子線用シャッタ ５ｃ Ｉｎ分子線
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体を、その成長温度よりも低い温度
に加熱し、前記半導体の表面に、その禁制帯幅よりも高
いエネルギーの光を照射しながら、金属電極材料を蒸着
する電極の形成方法。 - 【請求項２】 真空容器内に、半導体の表面に光を照射
する手段と、前記半導体の表面に金属電極を蒸着する電
極材料蒸発源と、ガス出しが可能で、かつ、移動可能な
マスクとを少なくとも備えてなる電極の形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15168793A JPH0714805A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 電極の形成方法及びその形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15168793A JPH0714805A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 電極の形成方法及びその形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714805A true JPH0714805A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15524070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15168793A Pending JPH0714805A (ja) | 1993-06-23 | 1993-06-23 | 電極の形成方法及びその形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714805A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7491982B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-02-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Diode having low forward voltage drop |
| JP2010238788A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| KR101009558B1 (ko) * | 2003-12-02 | 2011-01-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 진공 성막 장치 |
| CN106256925A (zh) * | 2015-06-18 | 2016-12-28 | 佳能特机株式会社 | 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法 |
| CN108504995A (zh) * | 2017-02-24 | 2018-09-07 | 萨特隆股份公司 | 用于基材、特别是眼镜镜片的真空涂布的箱式涂布设备及其加热装置 |
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1993
- 1993-06-23 JP JP15168793A patent/JPH0714805A/ja active Pending
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