JP2845233B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陽極、有機化合物
からなる正孔輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰
極の積層構造からなる固定表示セグメントを複数備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬと
略称する）及びその製造方法に関する。
からなる正孔輸送層、有機化合物からなる発光層及び陰
極の積層構造からなる固定表示セグメントを複数備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬと
略称する）及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬは、バックライト、固定パタン
表示デバイスからドットマトリクスデバイスまで対応可
能な素子として期待されている。
表示デバイスからドットマトリクスデバイスまで対応可
能な素子として期待されている。
【０００３】一般的な有機ＥＬとして、コダックのタン
らが１９８７年のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．に報
告した素子の構成を図４に示す。
らが１９８７年のＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．に報
告した素子の構成を図４に示す。
【０００４】図４に示す有機ＥＬは、例えばＭｇ：Ａ
ｇ、Ａｌ：Ｌｉ等の金属電極による陰極３１と、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明電極による陽極３２
との間に、有機蛍光体薄膜による発光層３３と有機正孔
輸送層３４の２層が積層され、陽極３２の外側にガラス
基板３５が配設されて構成される。
ｇ、Ａｌ：Ｌｉ等の金属電極による陰極３１と、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明電極による陽極３２
との間に、有機蛍光体薄膜による発光層３３と有機正孔
輸送層３４の２層が積層され、陽極３２の外側にガラス
基板３５が配設されて構成される。
【０００５】そして、上記構成による有機ＥＬでは、有
機蛍光体薄膜による発光層３３に対し、各電極（陰極３
１、陽極３２）から電子と正孔を注入し、それらを再結
合させることにより励起子（エキシントン）を生成さ
せ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）
を利用して表示を行っており、このときの発光はガラス
基板３５側から観測される。
機蛍光体薄膜による発光層３３に対し、各電極（陰極３
１、陽極３２）から電子と正孔を注入し、それらを再結
合させることにより励起子（エキシントン）を生成さ
せ、この励起子が失活する際の光の放出（蛍光・燐光）
を利用して表示を行っており、このときの発光はガラス
基板３５側から観測される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した従
来の素子構成により高密度の固定パタン表示を行う場合
には、以下に示すような問題があった。
来の素子構成により高密度の固定パタン表示を行う場合
には、以下に示すような問題があった。
【０００７】（１）ダイナミック駆動による微細なパタ
ンを形成したり、配線を引き回す必要がある場合、比抵
抗の高いＩＴＯにより陰極３１の配線を行うと、配線抵
抗が大きくなり、電圧ドロップによって表示の不均一、
駆動電圧の上昇を招き、高精細なダイナミック駆動の固
定パタン表示デバイス（例えば配線幅０．１ｍｍ以下）
を製作することができない。このため、表示部分を外し
て例えば２層配線等の特殊なパターニングを施して抵抗
の補正を行う必要があり（特開平５−３０７９９７号公
報参照）、生産性を悪化させるという問題を招く。
ンを形成したり、配線を引き回す必要がある場合、比抵
抗の高いＩＴＯにより陰極３１の配線を行うと、配線抵
抗が大きくなり、電圧ドロップによって表示の不均一、
駆動電圧の上昇を招き、高精細なダイナミック駆動の固
定パタン表示デバイス（例えば配線幅０．１ｍｍ以下）
を製作することができない。このため、表示部分を外し
て例えば２層配線等の特殊なパターニングを施して抵抗
の補正を行う必要があり（特開平５−３０７９９７号公
報参照）、生産性を悪化させるという問題を招く。
【０００８】（２）ＩＴＯを共通電極として、陰極金属
材料に微細パタンを形成し、信号電極とする場合には、
有機層である発光層３３上に形成した金属薄膜による陰
極３１をドライプロセスでパターニングしなければなら
ない。これは、有機ＥＬ素子においては、水の吸着が素
子劣化に重大な影響を及ぼすため、有機層形成後のウエ
ット処理は実際上不可能であることによる。このため、
陰極３１の金属電極を形成する場合、フォトリソグラフ
ィ法を使用することができず、マスク蒸着か、レーザー
によるパターニングが試みられている（特開平５−３０
７６号公報参照）。しかしながら、マスク蒸着は微細化
が困難であり、設計の自由度が小さくなるという問題が
あった。又、レーザーによるパターニングは、レーザー
を走査しなければならず、時間がかかり生産性が悪い。
材料に微細パタンを形成し、信号電極とする場合には、
有機層である発光層３３上に形成した金属薄膜による陰
極３１をドライプロセスでパターニングしなければなら
ない。これは、有機ＥＬ素子においては、水の吸着が素
子劣化に重大な影響を及ぼすため、有機層形成後のウエ
ット処理は実際上不可能であることによる。このため、
陰極３１の金属電極を形成する場合、フォトリソグラフ
ィ法を使用することができず、マスク蒸着か、レーザー
によるパターニングが試みられている（特開平５−３０
７６号公報参照）。しかしながら、マスク蒸着は微細化
が困難であり、設計の自由度が小さくなるという問題が
あった。又、レーザーによるパターニングは、レーザー
を走査しなければならず、時間がかかり生産性が悪い。
【０００９】（３）陰極３１としては、仕事関数の小さ
い金属材料（Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ａｇ，Ｍｇ：Ｉｎ等）
を使用するが、有機層である発光層３３上に陰極３１が
露出する構成なので、例えばＳｉＯ，ＧｅＯ等のフッ素
系樹脂による保護膜が陰極３１上に必要となる（特開平
４−２１２２８４号公報参照）。
い金属材料（Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ａｇ，Ｍｇ：Ｉｎ等）
を使用するが、有機層である発光層３３上に陰極３１が
露出する構成なので、例えばＳｉＯ，ＧｅＯ等のフッ素
系樹脂による保護膜が陰極３１上に必要となる（特開平
４−２１２２８４号公報参照）。
【００１０】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、一般的なフォトリソグラフィー法を
用いて陰極を微細なパタンで形成でき、高精細なダイナ
ミック駆動の固定パタン表示デバイスの実現が可能で、
従来に比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇が
避けられ、設計の自由度も向上させることができる有機
ＥＬ及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
されたものであり、一般的なフォトリソグラフィー法を
用いて陰極を微細なパタンで形成でき、高精細なダイナ
ミック駆動の固定パタン表示デバイスの実現が可能で、
従来に比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇が
避けられ、設計の自由度も向上させることができる有機
ＥＬ及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、絶縁性基板と、低抵抗の金属材
料からなり、表示パタンと共に該表示パタンの各固定表
示セグメントに配線される配線パタンとして前記絶縁性
基板上に形成された陰極と、前記各固定表示セグメント
の一部が表出するように開口部を有して前記陰極上に積
層形成された絶縁層と、前記開口部上に積層形成された
電子注入層と、該電子注入層上に積層形成された発光層
と、該発光層上に積層形成された正孔輸送層と、該正孔
輸送層上に積層形成された陽極とを備えたことを特徴と
する。
め、請求項１の発明は、絶縁性基板と、低抵抗の金属材
料からなり、表示パタンと共に該表示パタンの各固定表
示セグメントに配線される配線パタンとして前記絶縁性
基板上に形成された陰極と、前記各固定表示セグメント
の一部が表出するように開口部を有して前記陰極上に積
層形成された絶縁層と、前記開口部上に積層形成された
電子注入層と、該電子注入層上に積層形成された発光層
と、該発光層上に積層形成された正孔輸送層と、該正孔
輸送層上に積層形成された陽極とを備えたことを特徴と
する。
【００１２】請求項２の発明は、請求項１の有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記電子注入層は、
仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事関数の小さ
い金属材料の合金からなることを特徴とする。
トロルミネッセンス素子において、前記電子注入層は、
仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事関数の小さ
い金属材料の合金からなることを特徴とする。
【００１３】請求項３の発明は、請求項１の有機エレク
トロルミネッセンス素子において、前記陽極は、ＩＴＯ
からなることを特徴とする。
トロルミネッセンス素子において、前記陽極は、ＩＴＯ
からなることを特徴とする。
【００１４】請求項４の発明は、低抵抗の金属材料によ
り、表示パタンと共に該表示パタンの各固定表示セグメ
ントに配線される配線パタンを陰極として絶縁性基板上
に形成し、前記各固定表示セグメントの一部が表出する
ように開口部を有して前記陰極上に絶縁層を積層形成
し、仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事関数の
小さい金属材料の合金からなる電子注入層を前記開口部
上に積層形成し、該電子注入層上に発光層を積層形成
し、該発光層上に正孔輸送層を積層形成し、該正孔輸送
層上に陽極を積層形成したことを特徴とする。
り、表示パタンと共に該表示パタンの各固定表示セグメ
ントに配線される配線パタンを陰極として絶縁性基板上
に形成し、前記各固定表示セグメントの一部が表出する
ように開口部を有して前記陰極上に絶縁層を積層形成
し、仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事関数の
小さい金属材料の合金からなる電子注入層を前記開口部
上に積層形成し、該電子注入層上に発光層を積層形成
し、該発光層上に正孔輸送層を積層形成し、該正孔輸送
層上に陽極を積層形成したことを特徴とする。
【００１５】請求項５の発明は、請求項４の有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造方法において、前記電子
注入層は、仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事
関数の小さい金属材料の合金からなることを特徴とす
る。
トロルミネッセンス素子の製造方法において、前記電子
注入層は、仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事
関数の小さい金属材料の合金からなることを特徴とす
る。
【００１６】請求項６の発明は、請求項４の有機エレク
トロルミネッセンス素子の製造方法において、前記陽極
は、ＩＴＯからなることを特徴とする。
トロルミネッセンス素子の製造方法において、前記陽極
は、ＩＴＯからなることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明による有機ＥＬの概
略平面図、図２は本発明による有機ＥＬの一実施の形態
を示す断面図である。
略平面図、図２は本発明による有機ＥＬの一実施の形態
を示す断面図である。
【００１８】この実施の形態による有機ＥＬは、矩形状
に形成された絶縁性部材からなるガラス基板１を基部と
している。
に形成された絶縁性部材からなるガラス基板１を基部と
している。
【００１９】図１に示すように、ガラス基板１の表面に
は、低抵抗で安定な金属薄膜（例えばＡｌ）により、日
の字の表示パタン２を構成する各固定表示セグメント２
ａ（以下、セグメントという）と、陰極３をなす配線パ
タンとが形成されている。
は、低抵抗で安定な金属薄膜（例えばＡｌ）により、日
の字の表示パタン２を構成する各固定表示セグメント２
ａ（以下、セグメントという）と、陰極３をなす配線パ
タンとが形成されている。
【００２０】陰極３は、各セグメント２ａから引き出さ
れて表示パタン２の各桁の同一セグメント毎に一纏めに
され、それぞれ電源４の−端子に接続される。陰極３
は、発光時にダイナミック駆動され、時分割的に表示パ
タン２の各桁毎に電子が注入される。
れて表示パタン２の各桁の同一セグメント毎に一纏めに
され、それぞれ電源４の−端子に接続される。陰極３
は、発光時にダイナミック駆動され、時分割的に表示パ
タン２の各桁毎に電子が注入される。
【００２１】表示パタン２上には、絶縁層５が積層形成
されている。更に説明すると、絶縁層５には、図２に示
すように、セグメント２ａの一部が表出するようにセグ
メント２ａとの間に開口穴６が形成されている。そし
て、絶縁層５は、開口穴６以外の部分を覆うように表示
パタン２の表面に積層形成される。
されている。更に説明すると、絶縁層５には、図２に示
すように、セグメント２ａの一部が表出するようにセグ
メント２ａとの間に開口穴６が形成されている。そし
て、絶縁層５は、開口穴６以外の部分を覆うように表示
パタン２の表面に積層形成される。
【００２２】図２に示すように、開口穴６に表出するセ
グメント２ａと開口穴６周囲の絶縁層５との間に渡る部
分には、表示パタン２における実際の発光部分に対応し
て電子注入層７が形成されている。電子注入層７は、電
子の注入をし易くするため、例えばＬｉ，Ｎａ，Ｍｇ，
Ｃａ等の仕事関数の小さい金属材料単体、或いは例えば
Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ｉｎ，Ｍｇ：Ａｇ等の仕事関数の小
さい合金が使用される。
グメント２ａと開口穴６周囲の絶縁層５との間に渡る部
分には、表示パタン２における実際の発光部分に対応し
て電子注入層７が形成されている。電子注入層７は、電
子の注入をし易くするため、例えばＬｉ，Ｎａ，Ｍｇ，
Ｃａ等の仕事関数の小さい金属材料単体、或いは例えば
Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ｉｎ，Ｍｇ：Ａｇ等の仕事関数の小
さい合金が使用される。
【００２３】尚、電子注入層７を数十〜数百Åの薄膜で
形成した場合には、絶縁層５上全体につけてもよい。そ
の場合、電子注入層７は、ガラス基板１の表面に沿う横
方向に対して絶縁され、電子注入のみに機能する。
形成した場合には、絶縁層５上全体につけてもよい。そ
の場合、電子注入層７は、ガラス基板１の表面に沿う横
方向に対して絶縁され、電子注入のみに機能する。
【００２４】図２に示すように、電子注入層７の表面に
は、電子注入層７全体を覆うようにして発光層８が積層
形成されている。発光層８の発光材料としては、発光層
８そのものを発光させる場合には、例えばアルミキノリ
ン（Ａｌｑ）やジスチルアリーレン系化合物等が使用さ
れる。又、発光層８に別の発光材料（ドーパント）を微
量ドーピングすることでドーパントを発光させる場合に
は、ドーパントとしてキナクリドン（Ｑｄ）やレーザ用
の色素等が使用される。この発光層８は、７つのセグメ
ントを１表示単位として、実際の発光部分をなす表示部
９を形成している。
は、電子注入層７全体を覆うようにして発光層８が積層
形成されている。発光層８の発光材料としては、発光層
８そのものを発光させる場合には、例えばアルミキノリ
ン（Ａｌｑ）やジスチルアリーレン系化合物等が使用さ
れる。又、発光層８に別の発光材料（ドーパント）を微
量ドーピングすることでドーパントを発光させる場合に
は、ドーパントとしてキナクリドン（Ｑｄ）やレーザ用
の色素等が使用される。この発光層８は、７つのセグメ
ントを１表示単位として、実際の発光部分をなす表示部
９を形成している。
【００２５】図２に示すように、発光層８の表面には、
発光層８と同一形状の例えばＤｉａｍｉｎｅ等の有機化
合物からなる正孔輸送層１０が積層形成されている。
発光層８と同一形状の例えばＤｉａｍｉｎｅ等の有機化
合物からなる正孔輸送層１０が積層形成されている。
【００２６】図２に示すように、正孔輸送層１０の表面
には、ＩＴＯからなる透明電極による陽極１１が各表示
パタン２の桁毎にベタに積層形成されている。陽極１１
は、電源４の＋端子に接続される。陽極１１には、発光
時に表示パタン２の桁単位で正孔が注入される。
には、ＩＴＯからなる透明電極による陽極１１が各表示
パタン２の桁毎にベタに積層形成されている。陽極１１
は、電源４の＋端子に接続される。陽極１１には、発光
時に表示パタン２の桁単位で正孔が注入される。
【００２７】図２に示すように、ガラス基板１には、絶
縁性及び透光性を有する蓋状のガラス容器１２が封止さ
れている。表示部９による発光は、ガラス基板１に対面
するガラス容器１２の平面板１２ａより観測される。
縁性及び透光性を有する蓋状のガラス容器１２が封止さ
れている。表示部９による発光は、ガラス基板１に対面
するガラス容器１２の平面板１２ａより観測される。
【００２８】次に、上記のように構成される有機ＥＬの
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００２９】まず、ガラス基板１をよく洗浄する。次
に、洗浄したガラス基板１上に対し、空気中でも安定な
低抵抗の金属薄膜を配線材料として成膜し、所望の表示
パタン２と引き回しの配線パタンによる陰極３とをガラ
ス基板１の同一平面上に形成する。
に、洗浄したガラス基板１上に対し、空気中でも安定な
低抵抗の金属薄膜を配線材料として成膜し、所望の表示
パタン２と引き回しの配線パタンによる陰極３とをガラ
ス基板１の同一平面上に形成する。
【００３０】このときのパタン（表示パタン２及び陰極
３の配線パタン）の形成方法は、フォトリソグラフィー
法、マスク蒸着法等、一般的な手法が用いられる。又、
金属薄膜としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ等の比較的
仕事関数の大きい難腐蝕性の金属材料が使用される。
３の配線パタン）の形成方法は、フォトリソグラフィー
法、マスク蒸着法等、一般的な手法が用いられる。又、
金属薄膜としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ等の比較的
仕事関数の大きい難腐蝕性の金属材料が使用される。
【００３１】次に、実際に発光させる表示パタン部分以
外の部分に絶縁層５を積層形成する。更に説明すると、
絶縁層５は、表示パタン２の各セグメント２ａの一部が
表出するように開口穴６を有して表示パタン２上に形成
される。この絶縁層５は、無機ガラス材料やフッ素系高
分子材料を印刷・焼成、或いはマスク蒸着等で形成す
る。
外の部分に絶縁層５を積層形成する。更に説明すると、
絶縁層５は、表示パタン２の各セグメント２ａの一部が
表出するように開口穴６を有して表示パタン２上に形成
される。この絶縁層５は、無機ガラス材料やフッ素系高
分子材料を印刷・焼成、或いはマスク蒸着等で形成す
る。
【００３２】その後、表面をプラズマ洗浄、或いはＵＶ
オゾン洗浄で清浄化し、真空槽に投入する。これ以降は
完全ドライプロセスとする。
オゾン洗浄で清浄化し、真空槽に投入する。これ以降は
完全ドライプロセスとする。
【００３３】次に、表示パタン部分（開口穴６に表出す
るセグメント２ａと開口穴６周囲の絶縁層５との間に渡
る部分）、或いは絶縁層５上全体に仕事関数の小さい金
属材料単体（例えばＬｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａ等）、或い
はＡｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ｉｎ，Ｍｇ：Ａｇ等の合金により
マスク蒸着を行い、電子注入層７を積層形成する。
るセグメント２ａと開口穴６周囲の絶縁層５との間に渡
る部分）、或いは絶縁層５上全体に仕事関数の小さい金
属材料単体（例えばＬｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａ等）、或い
はＡｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ｉｎ，Ｍｇ：Ａｇ等の合金により
マスク蒸着を行い、電子注入層７を積層形成する。
【００３４】このとき、電子注入層７は、膜厚数十〜数
百Åとして絶縁層５上全体につけるか、又は表示部のみ
に選択的につける。そして、電子注入層７は、膜厚が薄
い場合、ガラス基板１の表面に沿う横方向が絶縁され、
表示部９の電子注入のみに機能する。
百Åとして絶縁層５上全体につけるか、又は表示部のみ
に選択的につける。そして、電子注入層７は、膜厚が薄
い場合、ガラス基板１の表面に沿う横方向が絶縁され、
表示部９の電子注入のみに機能する。
【００３５】続いて、電子注入層７上に発光層８、正孔
輸送層１０の順に成膜し、更に正孔輸送層１０上に陽極
（正孔注入電極）１１となるＩＴＯを真空蒸着、スパッ
タリング法等で積層形成する。このとき、ＩＴＯによる
陽極１１は、共通電極として機能すればよく、微細な形
状は要求されない。
輸送層１０の順に成膜し、更に正孔輸送層１０上に陽極
（正孔注入電極）１１となるＩＴＯを真空蒸着、スパッ
タリング法等で積層形成する。このとき、ＩＴＯによる
陽極１１は、共通電極として機能すればよく、微細な形
状は要求されない。
【００３６】その後、水を極力取り除いたドライ窒素、
或いはドライエアによる雰囲気において、ガラス基板１
の外周部分にガラス容器１２を固着してパッケージとし
て封止する。これにより、高精細な固定パタン表示有機
ＥＬデバイスが完成する。
或いはドライエアによる雰囲気において、ガラス基板１
の外周部分にガラス容器１２を固着してパッケージとし
て封止する。これにより、高精細な固定パタン表示有機
ＥＬデバイスが完成する。
【００３７】従って、上述した実施の形態によれば、以
下に示す効果を奏する。
下に示す効果を奏する。
【００３８】（１）陰極３を一般的なフォトリソグラフ
ィー法を用いて微細なパタンに形成でき、高精細なダイ
ナミック駆動の固定パタン表示デバイスが実現できる。
ィー法を用いて微細なパタンに形成でき、高精細なダイ
ナミック駆動の固定パタン表示デバイスが実現できる。
【００３９】（２）微細なパタンを形成する配線材料に
は、ＩＴＯに比べて抵抗値が低く安定した金属（例えば
Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ等）が用いられるので、従来の
ＩＴＯを配線材料としたものに比べてパターニングが容
易であり、固定パタン表示デバイスの設計の自由度が向
上する。しかも、従来のＩＴＯを配線材料としたものに
比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇を避ける
ことができる。
は、ＩＴＯに比べて抵抗値が低く安定した金属（例えば
Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ等）が用いられるので、従来の
ＩＴＯを配線材料としたものに比べてパターニングが容
易であり、固定パタン表示デバイスの設計の自由度が向
上する。しかも、従来のＩＴＯを配線材料としたものに
比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇を避ける
ことができる。
【００４０】（３）従来より行われていたレーザー加
工、２層配線等、生産性を悪化させるプロセスをとる必
要がない。
工、２層配線等、生産性を悪化させるプロセスをとる必
要がない。
【００４１】（４）従来の陰極には非常に仕事関数の小
さい金属材料（Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ａｇ，Ｍｇ：Ｉｎ等
の合金）が使用され、有機層上に露出して形成した陰極
上に更に保護膜が必要とされていたが、本実施の形態で
は、水に対する影響が小さく安定なＩＴＯが共通電極を
なす陽極１１として露出する構成なので、従来のような
保護膜がなくとも耐久性が向上する。
さい金属材料（Ａｌ：Ｌｉ，Ｍｇ：Ａｇ，Ｍｇ：Ｉｎ等
の合金）が使用され、有機層上に露出して形成した陰極
上に更に保護膜が必要とされていたが、本実施の形態で
は、水に対する影響が小さく安定なＩＴＯが共通電極を
なす陽極１１として露出する構成なので、従来のような
保護膜がなくとも耐久性が向上する。
【００４２】ところで、図２に示す実施の形態では、電
子注入層７を数十〜数百Åの薄膜で形成しているが、図
３に示すように数千Åの膜厚で形成してもよい。この場
合、開口穴６が小径のスルーホールで形成され、電子注
入層７が実際の発光部分をなす表示部９を形成すること
になる。
子注入層７を数十〜数百Åの薄膜で形成しているが、図
３に示すように数千Åの膜厚で形成してもよい。この場
合、開口穴６が小径のスルーホールで形成され、電子注
入層７が実際の発光部分をなす表示部９を形成すること
になる。
【００４３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、陰極を一般的なフォトリソグラフィー法を用い
て微細なパタンに形成することができ、高精細なダイナ
ミック駆動の固定パタン表示デバイスが実現できる。
よれば、陰極を一般的なフォトリソグラフィー法を用い
て微細なパタンに形成することができ、高精細なダイナ
ミック駆動の固定パタン表示デバイスが実現できる。
【００４４】微細なパタンを形成する配線材料が低抵抗
な金属材料であるため、従来のＩＴＯを配線材料とした
ものに比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇を
避けることができ、固定パタン表示デバイスの設計の自
由度も向上する。しかも、従来より行われていたレーザ
ー加工、２層配線等、生産性を悪化させるプロセスをと
る必要がない。
な金属材料であるため、従来のＩＴＯを配線材料とした
ものに比べ、電圧ドロップが小さく、駆動電圧の上昇を
避けることができ、固定パタン表示デバイスの設計の自
由度も向上する。しかも、従来より行われていたレーザ
ー加工、２層配線等、生産性を悪化させるプロセスをと
る必要がない。
【００４５】水に対する影響が小さく安定なＩＴＯが共
通電極をなす陽極として露出する構成なので、従来のよ
うな保護膜がなくとも耐久性の向上を図ることができ
る。
通電極をなす陽極として露出する構成なので、従来のよ
うな保護膜がなくとも耐久性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明による有機ＥＬの概略平面図
【図２】本発明による有機ＥＬの一実施の形態を示す断
面図
面図
【図３】本発明による有機ＥＬの他の実施の形態を示す
断面図
断面図
【図４】従来の有機ＥＬの断面図
１…ガラス基板（絶縁性基板）、２…表示パタン、３…
陰極、５…絶縁層、７…電子注入層、８…発光層、９…
表示部、１０…正孔輸送層、１１…陽極。
陰極、５…絶縁層、７…電子注入層、８…発光層、９…
表示部、１０…正孔輸送層、１１…陽極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−290873（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307197（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/10 H05B 33/26
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、 低抵抗の金属材料からなり、表示パタンと共に該表示パ
タンの各固定表示セグメントに配線される配線パタンと
して前記絶縁性基板上に形成された陰極と、 前記各固定表示セグメントの一部が表出するように開口
部を有して前記陰極上に積層形成された絶縁層と、 前記開口部上に積層形成された電子注入層と、 該電子注入層上に積層形成された発光層と、 該発光層上に積層形成された正孔輸送層と、 該正孔輸送層上に積層形成された陽極とを備えたことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記電子注入層は、仕事関数の小さい金
属材料単体、或いは仕事関数の小さい金属材料の合金か
らなる請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項３】 前記陽極は、ＩＴＯからなる請求項１記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 低抵抗の金属材料により、表示パタンと
共に該表示パタンの各固定表示セグメントに配線される
配線パタンを陰極として絶縁性基板上に形成し、 前記各固定表示セグメントの一部が表出するように開口
部を有して前記陰極上に絶縁層を積層形成し、 仕事関数の小さい金属材料単体、或いは仕事関数の小さ
い金属材料の合金からなる電子注入層を前記開口部上に
積層形成し、 該電子注入層上に発光層を積層形成し、 該発光層上に正孔輸送層を積層形成し、 該正孔輸送層上に陽極を積層形成したことを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記電子注入層は、仕事関数の小さい金
属材料単体、或いは仕事関数の小さい金属材料の合金か
らなる請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子の製造方法。 - 【請求項６】 前記陽極は、ＩＴＯからなる請求項４記
載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015378A JP2845233B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US09/012,575 US5998926A (en) | 1997-01-29 | 1998-01-23 | Organic electroluminescence device having apertured insulation layers and method for manufacturing the same |
| GB9801709A GB2321781B (en) | 1997-01-29 | 1998-01-27 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9015378A JP2845233B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US09/012,575 US5998926A (en) | 1997-01-29 | 1998-01-23 | Organic electroluminescence device having apertured insulation layers and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10208882A JPH10208882A (ja) | 1998-08-07 |
| JP2845233B2 true JP2845233B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=26351509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9015378A Expired - Lifetime JP2845233B2 (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5998926A (ja) |
| JP (1) | JP2845233B2 (ja) |
| GB (1) | GB2321781B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6452218B1 (en) * | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Uniax Corporation | Ultra-thin alkaline earth metals as stable electron-injecting electrodes for polymer light emitting diodes |
| JPH1131590A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-02-02 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| GB2343993B (en) * | 1998-11-20 | 2003-10-01 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Organic EL device |
| JP4472073B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
| JP4595143B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2010-12-08 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌデバイスとその製造方法 |
| TW478019B (en) | 1999-10-29 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Self light-emitting device |
| US8957584B2 (en) | 1999-10-29 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light-emitting device |
| AU1904100A (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-25 | Institute Of Materials Research And Engineering | Improved transparent electrode material for quality enhancement of oled devices |
| JP2001185366A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Teikoku Tsushin Kogyo Co Ltd | Ｅｌ発光シート |
| JP3560150B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2004-09-02 | 日本精機株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| JP2004111324A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子 |
| JP4824776B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2011-11-30 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 |
| US8349462B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-01-08 | Alcoa Inc. | Aluminum alloys, aluminum alloy products and methods for making the same |
| CN109375445A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-02-22 | 上海幂方电子科技有限公司 | 一种柔性发光装置及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3341916A (en) * | 1963-03-27 | 1967-09-19 | Gen Electric | Method of manufacturing electroluminescent display devices |
| US4670690A (en) * | 1985-10-23 | 1987-06-02 | Rockwell International Corporation | Thin film electrolumenescent display panel |
| GB8909011D0 (en) * | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
| JP3300069B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5491378A (en) * | 1993-09-07 | 1996-02-13 | Goldstar Co., Ltd. | Electro luminescence device and method for fabricating the same |
| JPH07335382A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Sharp Corp | 薄膜ｅｌ素子 |
| JP4124379B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2008-07-23 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP9015378A patent/JP2845233B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-01-23 US US09/012,575 patent/US5998926A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-27 GB GB9801709A patent/GB2321781B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2321781A (en) | 1998-08-05 |
| GB9801709D0 (en) | 1998-03-25 |
| GB2321781B (en) | 2002-04-10 |
| US5998926A (en) | 1999-12-07 |
| JPH10208882A (ja) | 1998-08-07 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980929 |