JP2003257667A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子及びその製造方法Info
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明では生産収率が向上された高解像度／
高開口率構造有機電界発光素子を提供することを目的に
する。このために、本発明ではアレー素子と有機電界発
光ダイオードを相異なる基板に構成して各基板に対する
検査工程を経て製品不良率を減らすようにして、安定し
た構造を有する上部発光方式構造を提供する。 【解決手段】 本発明では、第１基板と；該第１基板に
近接して一定間隔離隔されていて、前記第１基板と一緒
に複数個のサブピクセル領域からなるピクセル領域を有
する第２基板と；第１基板の内側面に形成されていて、
各サブピクセル領域に形成される複数個のスイッチング
素子を含む複数個のアレー素子と；第２基板の内側面に
形成された、透明導電性物質からなる第１電極と；第１
電極下部に形成される有機電界発光層と；有機電界発光
層下部の各サブピクセル領域に形成される第２電極と；
第１基板、第２基板間の周辺部に沿って形成されるシー
ルパターンと；各サブピクセル領域に形成されていて、
第２電極とスイッチング素子を電気的に連結する連結パ
ターンとを含む有機電界発光素子を提供する。
高開口率構造有機電界発光素子を提供することを目的に
する。このために、本発明ではアレー素子と有機電界発
光ダイオードを相異なる基板に構成して各基板に対する
検査工程を経て製品不良率を減らすようにして、安定し
た構造を有する上部発光方式構造を提供する。 【解決手段】 本発明では、第１基板と；該第１基板に
近接して一定間隔離隔されていて、前記第１基板と一緒
に複数個のサブピクセル領域からなるピクセル領域を有
する第２基板と；第１基板の内側面に形成されていて、
各サブピクセル領域に形成される複数個のスイッチング
素子を含む複数個のアレー素子と；第２基板の内側面に
形成された、透明導電性物質からなる第１電極と；第１
電極下部に形成される有機電界発光層と；有機電界発光
層下部の各サブピクセル領域に形成される第２電極と；
第１基板、第２基板間の周辺部に沿って形成されるシー
ルパターンと；各サブピクセル領域に形成されていて、
第２電極とスイッチング素子を電気的に連結する連結パ
ターンとを含む有機電界発光素子を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機電界発光素子に
係り、特に上部発光方式のアクティブマトリックス型有
機電界発光素子に関する。
係り、特に上部発光方式のアクティブマトリックス型有
機電界発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】新しい平板ディスプレー素子のうちの一
つである有機電界発光素子は、自己発光型であるために
液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが優秀
で、バックライトが要らないために軽量薄形化が可能で
あって、消費電力側面でも有利である。そして、直流低
電圧駆動が可能であって応答速度も速くて、全部固体で
あるために外部衝撃に強く、使用温度範囲も広くて特に
製造費用側面でも低廉である等の長所を有している。
つである有機電界発光素子は、自己発光型であるために
液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが優秀
で、バックライトが要らないために軽量薄形化が可能で
あって、消費電力側面でも有利である。そして、直流低
電圧駆動が可能であって応答速度も速くて、全部固体で
あるために外部衝撃に強く、使用温度範囲も広くて特に
製造費用側面でも低廉である等の長所を有している。
【０００３】特に、前記有機電界発光素子の製造工程で
は、液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤ
Ｐ）と異なり蒸着装置及びカプセル封止装置が全工程の
殆ど全部と言えるために、工程が非常に単純である。
は、液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤ
Ｐ）と異なり蒸着装置及びカプセル封止装置が全工程の
殆ど全部と言えるために、工程が非常に単純である。
【０００４】従来はこのような有機電界発光素子の駆動
方式として、別途のスイッチング素子を備えないパッシ
ブマトリックス型が主に利用されていた。
方式として、別途のスイッチング素子を備えないパッシ
ブマトリックス型が主に利用されていた。
【０００５】しかし、前記パッシブマトリックス方式で
は走査線と信号線が交差しながらマトリックス状で素子
を構成しており、各々のピクセルを駆動するために走査
線を時間によって順次に駆動するので、要求される平均
輝度を得るためには平均輝度とライン数の積に相当する
瞬間輝度を出さなければならない。
は走査線と信号線が交差しながらマトリックス状で素子
を構成しており、各々のピクセルを駆動するために走査
線を時間によって順次に駆動するので、要求される平均
輝度を得るためには平均輝度とライン数の積に相当する
瞬間輝度を出さなければならない。
【０００６】これに対して、アクティブマトリックス方
式では、ピクセルをオン／オフするスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタがサブピクセル別に配置されてい
て、この薄膜トランジスタと連結された第１電極はサブ
ピクセル単位でオン／オフされて、この第１電極と接す
る第２電極は共通電極になる。
式では、ピクセルをオン／オフするスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタがサブピクセル別に配置されてい
て、この薄膜トランジスタと連結された第１電極はサブ
ピクセル単位でオン／オフされて、この第１電極と接す
る第２電極は共通電極になる。
【０００７】そして、前記アクティブマトリックス方式
ではピクセルに印加された電圧がストレージキャパシタ
に充電されていて、その次にフレーム信号が印加される
時まで電源を印加することとなるため、走査線数に関係
なく１画面の期間中引続き駆動する。
ではピクセルに印加された電圧がストレージキャパシタ
に充電されていて、その次にフレーム信号が印加される
時まで電源を印加することとなるため、走査線数に関係
なく１画面の期間中引続き駆動する。
【０００８】したがって、アクティブマトリックス方式
によると低い電流で駆動しても同一な輝度を示すので低
消費電力、高精細、大型化が可能であるという長所を有
する。
によると低い電流で駆動しても同一な輝度を示すので低
消費電力、高精細、大型化が可能であるという長所を有
する。
【０００９】以下、このようなアクティブマトリックス
型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】図１は、一般的なアクティブマトリックス
型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した図面で
ある。
型有機電界発光素子の基本ピクセル構造を示した図面で
ある。
【００１１】図示したように、第１方向に走査線ＧＬが
形成されていて、この第１方向と交差する第２方向に信
号線ＤＬ及び電力供給線ＳＬが相互に一定間隔離隔して
形成されていて、一つのサブピクセル領域Ｐを定義す
る。
形成されていて、この第１方向と交差する第２方向に信
号線ＤＬ及び電力供給線ＳＬが相互に一定間隔離隔して
形成されていて、一つのサブピクセル領域Ｐを定義す
る。
【００１２】前記走査線ＧＬと信号線ＤＬの交差地点に
はアドレッシングエレメントであるスイッチング薄膜ト
ランジスタＴｒ１が形成されていて、このスイッチング
薄膜トランジスタＴｒ１及び電力供給線ＳＬと連結され
てストレージキャパシタＣＳ Ｔが形成されている。さら
に、このストレージキャパシタＣＳＴ及び電力供給線Ｓ
Ｌと連結されて、電流源エレメントである駆動薄膜トラ
ンジスタＴｒ２が形成されていて、この駆動薄膜トラン
ジスタＴｒ２と連結されて有機電界発光ダイオードＤが
構成されている。
はアドレッシングエレメントであるスイッチング薄膜ト
ランジスタＴｒ１が形成されていて、このスイッチング
薄膜トランジスタＴｒ１及び電力供給線ＳＬと連結され
てストレージキャパシタＣＳ Ｔが形成されている。さら
に、このストレージキャパシタＣＳＴ及び電力供給線Ｓ
Ｌと連結されて、電流源エレメントである駆動薄膜トラ
ンジスタＴｒ２が形成されていて、この駆動薄膜トラン
ジスタＴｒ２と連結されて有機電界発光ダイオードＤが
構成されている。
【００１３】この有機電界発光ダイオードは、有機発光
物質に順方向で電流を供給すれば、正孔提供層である陽
極と電子提供層である陰極間のＰ−Ｎ接合部分を通して
電子と正孔が移動しながら相互に再結合して、前記電子
と正孔が離れているときより小さいエネルギーを有する
ようになるので、このとき発生するエネルギー差によっ
て光を放出する原理を利用している。
物質に順方向で電流を供給すれば、正孔提供層である陽
極と電子提供層である陰極間のＰ−Ｎ接合部分を通して
電子と正孔が移動しながら相互に再結合して、前記電子
と正孔が離れているときより小さいエネルギーを有する
ようになるので、このとき発生するエネルギー差によっ
て光を放出する原理を利用している。
【００１４】前記有機電界発光素子は、有機電界発光ダ
イオードから発光された光の進行方向によって上部発光
方式（top emission type ）と下部発光方式（bottom e
mission type ）に分けられる。
イオードから発光された光の進行方向によって上部発光
方式（top emission type ）と下部発光方式（bottom e
mission type ）に分けられる。
【００１５】図２は従来の下部発光方式有機電界発光素
子の概略的な断面図であって、赤、緑、青サブピクセル
Ｐｓｕｂで構成される一つのピクセル領域Ｐを中心に図
示した。
子の概略的な断面図であって、赤、緑、青サブピクセル
Ｐｓｕｂで構成される一つのピクセル領域Ｐを中心に図
示した。
【００１６】図示したように、第１基板１０、第２基板
３０が相互に近接するように配置されていて、第１基板
１０、第２基板３０の縁部はシールパターン４０により
封止されている構造において、第１基板１０上部にはサ
ブピクセル別に薄膜トランジスタＴが形成されていて、
薄膜トランジスタＴと連結されて第１電極１２が形成さ
れている。薄膜トランジスタＴ及び第１電極１２の上部
には薄膜トランジスタＴと連結されて第１電極１２と対
応するように配置される赤、緑、青のカラーを帯びる発
光物質を含む有機電界発光層１４が形成されていて、有
機電界発光層１４上部には第２電極１６が形成されてい
る。
３０が相互に近接するように配置されていて、第１基板
１０、第２基板３０の縁部はシールパターン４０により
封止されている構造において、第１基板１０上部にはサ
ブピクセル別に薄膜トランジスタＴが形成されていて、
薄膜トランジスタＴと連結されて第１電極１２が形成さ
れている。薄膜トランジスタＴ及び第１電極１２の上部
には薄膜トランジスタＴと連結されて第１電極１２と対
応するように配置される赤、緑、青のカラーを帯びる発
光物質を含む有機電界発光層１４が形成されていて、有
機電界発光層１４上部には第２電極１６が形成されてい
る。
【００１７】前記第１電極１２、第２電極１６は、有機
電界発光層１４に電界を印加する役割を有する。
電界発光層１４に電界を印加する役割を有する。
【００１８】そして、前述したシールパターン４０によ
り第２電極１６と第２基板３０間は一定間隔離隔されて
おり、図示しなかったが、第２基板３０の内部面には外
部への水分を遮断する吸湿剤及び該吸湿剤と第２基板３
０間の接着のための半透光性テープが含まれる。
り第２電極１６と第２基板３０間は一定間隔離隔されて
おり、図示しなかったが、第２基板３０の内部面には外
部への水分を遮断する吸湿剤及び該吸湿剤と第２基板３
０間の接着のための半透光性テープが含まれる。
【００１９】一例として、前記の下部発光方式構造にお
いて、前記第１電極１２を陽極とし、第２電極１６を陰
極として構成する場合、第１電極１２は透明導電性物質
から選択され、第２電極１６は第１電極１２より仕事関
数が低い金属物質から選択され、このような条件下で前
記有機電界発光層１４は第１電極１２と接する層から正
孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、及
び電子輸送層１４ｄの順序で積層された構造をなす。
いて、前記第１電極１２を陽極とし、第２電極１６を陰
極として構成する場合、第１電極１２は透明導電性物質
から選択され、第２電極１６は第１電極１２より仕事関
数が低い金属物質から選択され、このような条件下で前
記有機電界発光層１４は第１電極１２と接する層から正
孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、及
び電子輸送層１４ｄの順序で積層された構造をなす。
【００２０】このとき、前記発光層１４ｃは、サブピク
セルＰｓｕｂ別に赤、緑、青カラーを具現する発光物質
が順序どおり配置された構造を有する。
セルＰｓｕｂ別に赤、緑、青カラーを具現する発光物質
が順序どおり配置された構造を有する。
【００２１】図３は、前記図２の下部発光方式有機電界
発光素子における一つのサブピクセル領域Ｐｓｕｂの拡
大断面図である。
発光素子における一つのサブピクセル領域Ｐｓｕｂの拡
大断面図である。
【００２２】図示したように、第１基板１０上には半導
体層６２、ゲート電極６８、ソース電極８０及びドレイ
ン電極８２が図示の順序で形成されて薄膜トランジスタ
領域Ｔをなしていて、前記ソース電極８０及びドレイン
電極８２には図示しなかった電源供給線で形成されたパ
ワー電極７２及び有機電界発光ダイオードＤＥＬが各々
連結されている。
体層６２、ゲート電極６８、ソース電極８０及びドレイ
ン電極８２が図示の順序で形成されて薄膜トランジスタ
領域Ｔをなしていて、前記ソース電極８０及びドレイン
電極８２には図示しなかった電源供給線で形成されたパ
ワー電極７２及び有機電界発光ダイオードＤＥＬが各々
連結されている。
【００２３】そして、前記パワー電極７２に対応する下
部には絶縁体が介在された状態で前記半導体層６２と同
一物質からなるキャパシタ電極６４が位置しており、こ
れらが対応する領域はストレージキャパシタ領域ＣＳＴ
をなす。
部には絶縁体が介在された状態で前記半導体層６２と同
一物質からなるキャパシタ電極６４が位置しており、こ
れらが対応する領域はストレージキャパシタ領域ＣＳＴ
をなす。
【００２４】前記有機電界発光ダイオードＤＥＬ以外の
薄膜トランジスタ領域Ｔ及びストレージキャパシタ領域
ＣＳＴに形成された素子はアレー素子Ａをなす。
薄膜トランジスタ領域Ｔ及びストレージキャパシタ領域
ＣＳＴに形成された素子はアレー素子Ａをなす。
【００２５】前記有機電界発光ダイオードＤＥＬは、有
機電界発光層１４が介在された状態で相互に対向する第
１電極１２及び第２電極１６で構成される。前記有機電
界発光ダイオードＤＥＬは自己発光による光を外部に放
出させる発光領域に位置する。
機電界発光層１４が介在された状態で相互に対向する第
１電極１２及び第２電極１６で構成される。前記有機電
界発光ダイオードＤＥＬは自己発光による光を外部に放
出させる発光領域に位置する。
【００２６】このように、既存の有機電界発光素子は、
アレー素子Ａと有機電界発光ダイオードＤＥＬが同一基
板上に積層された構造からなることを特徴としている。
アレー素子Ａと有機電界発光ダイオードＤＥＬが同一基
板上に積層された構造からなることを特徴としている。
【００２７】図４は、従来の有機電界発光素子の製造工
程についての工程流れ図である。
程についての工程流れ図である。
【００２８】ｓｔ１は、第１基板上にアレー素子を形成
する段階であって、前記第１基板は透明基板を指称する
ものであり、第１基板上に走査線と、該走査線と交差し
ながら相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線
と、前記走査線及び信号線と交差する地点に形成される
スイッチング薄膜トランジスタ、及び前記走査線及び電
力供給線が交差する地点に形成される駆動薄膜トランジ
スタを含むアレー素子を形成する段階を含む。
する段階であって、前記第１基板は透明基板を指称する
ものであり、第１基板上に走査線と、該走査線と交差し
ながら相互に一定間隔離隔した信号線及び電力供給線
と、前記走査線及び信号線と交差する地点に形成される
スイッチング薄膜トランジスタ、及び前記走査線及び電
力供給線が交差する地点に形成される駆動薄膜トランジ
スタを含むアレー素子を形成する段階を含む。
【００２９】ｓｔ２は、有機電界発光ダイオードの第１
構成要素である第１電極を形成する段階であって、該第
１電極は駆動薄膜トランジスタと連結されてサブピクセ
ル別にパターン化される。
構成要素である第１電極を形成する段階であって、該第
１電極は駆動薄膜トランジスタと連結されてサブピクセ
ル別にパターン化される。
【００３０】ｓｔ３は、前記第１電極上部に有機電界発
光ダイオードの第２構成要素である有機電界発光層を形
成する段階であって、前記第１電極を陽極で構成する場
合に、前記有機電界発光層は正孔注入層、正孔輸送層、
発光層、電子輸送層順に積層構成される。
光ダイオードの第２構成要素である有機電界発光層を形
成する段階であって、前記第１電極を陽極で構成する場
合に、前記有機電界発光層は正孔注入層、正孔輸送層、
発光層、電子輸送層順に積層構成される。
【００３１】ｓｔ４は、前記有機電界発光層上部に有機
電界発光ダイオードの第３構成要素である第２電極を形
成する段階であって、前記第２電極は共通電極として基
板全面に形成される。
電界発光ダイオードの第３構成要素である第２電極を形
成する段階であって、前記第２電極は共通電極として基
板全面に形成される。
【００３２】ｓｔ５は、もう一方の基板である第２基板
を利用して第１基板をカプセル封止する段階であって、
この段階では第１基板を外部衝撃から保護して、外気流
入による有機電界発光層の損傷を防止するために第１基
板の周辺部を第２基板にカプセル封止する段階であっ
て、前記第２基板の内部面には吸湿剤が含まれる。
を利用して第１基板をカプセル封止する段階であって、
この段階では第１基板を外部衝撃から保護して、外気流
入による有機電界発光層の損傷を防止するために第１基
板の周辺部を第２基板にカプセル封止する段階であっ
て、前記第２基板の内部面には吸湿剤が含まれる。
【００３３】このように、既存の下部発光方式有機電界
発光素子は、アレー素子及び有機電界発光ダイオードが
形成された基板と別途のカプセル封止用基板の合着を通
して素子を製作した。このような場合、アレー素子の収
率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光
素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子
構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工
程により全体工程の収率が大幅に制限される問題点があ
った。例えば、アレー素子が良好に形成されても、１０
００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時に異
物やその他の要素により不良が発生するようになれば、
有機電界発光素子は不良等級と判定される。
発光素子は、アレー素子及び有機電界発光ダイオードが
形成された基板と別途のカプセル封止用基板の合着を通
して素子を製作した。このような場合、アレー素子の収
率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光
素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子
構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工
程により全体工程の収率が大幅に制限される問題点があ
った。例えば、アレー素子が良好に形成されても、１０
００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時に異
物やその他の要素により不良が発生するようになれば、
有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００３４】これによって、良品のアレー素子を製造す
るのに必要な諸経費及び材料費の損失を招くこととな
り、生産収率が低下するという問題点があった。
るのに必要な諸経費及び材料費の損失を招くこととな
り、生産収率が低下するという問題点があった。
【００３５】そして、下部発光方式は、カプセル封止に
よる安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限
があって高解像度製品に適用し難い問題点があり、上部
発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率
向上が可能であるために製品寿命の面で有利であるが、
既存の上部発光方式構造では有機電界発光層の上部に通
常的に陰極が位置するので、材料選択幅が狭いために透
過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低
下を最少化するために薄膜型の保護膜を使用しなければ
ならないので外気を十分に遮断できない問題点があっ
た。
よる安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限
があって高解像度製品に適用し難い問題点があり、上部
発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易であって開口率
向上が可能であるために製品寿命の面で有利であるが、
既存の上部発光方式構造では有機電界発光層の上部に通
常的に陰極が位置するので、材料選択幅が狭いために透
過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低
下を最少化するために薄膜型の保護膜を使用しなければ
ならないので外気を十分に遮断できない問題点があっ
た。
【００３６】
【発明が解決しようとする課題】前記問題点を解決する
ために、本発明では生産収率が向上された高解像度／高
開口率構造の有機電界発光素子を提供することを目的に
する。このために、本発明ではアレー素子と有機電界発
光ダイオードを相異なる基板に構成して各基板に対する
検査工程を経て製品不良率を減らすようにして、安定し
た構造を有する上部発光方式構造を提供する。
ために、本発明では生産収率が向上された高解像度／高
開口率構造の有機電界発光素子を提供することを目的に
する。このために、本発明ではアレー素子と有機電界発
光ダイオードを相異なる基板に構成して各基板に対する
検査工程を経て製品不良率を減らすようにして、安定し
た構造を有する上部発光方式構造を提供する。
【００３７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一つの特徴は、第１基板と；前記第１基板
に近接して一定間隔離隔していて、前記第１基板と一緒
に複数個のサブピクセル領域でなされたピクセル領域を
有する第２基板と；前記第１基板の内側面に形成されて
いて、前記各サブピクセル領域に形成される複数個のス
イッチング素子を含む複数個のアレー素子と；前記第２
基板の内側面に形成された、透明導電性物質からなる第
１電極と；前記第１電極下部に形成される有機電界発光
層と；前記有機電界発光層下部の前記各サブピクセル領
域に形成される第２電極と；前記第１基板及び第２基板
の周辺部に沿って形成されるシールパターンと；前記各
サブピクセル領域に形成されていて、前記第２電極とス
イッチング素子を電気的に連結する連結パターンを含む
有機電界発光素子を提供する。
に、本発明の一つの特徴は、第１基板と；前記第１基板
に近接して一定間隔離隔していて、前記第１基板と一緒
に複数個のサブピクセル領域でなされたピクセル領域を
有する第２基板と；前記第１基板の内側面に形成されて
いて、前記各サブピクセル領域に形成される複数個のス
イッチング素子を含む複数個のアレー素子と；前記第２
基板の内側面に形成された、透明導電性物質からなる第
１電極と；前記第１電極下部に形成される有機電界発光
層と；前記有機電界発光層下部の前記各サブピクセル領
域に形成される第２電極と；前記第１基板及び第２基板
の周辺部に沿って形成されるシールパターンと；前記各
サブピクセル領域に形成されていて、前記第２電極とス
イッチング素子を電気的に連結する連結パターンを含む
有機電界発光素子を提供する。
【００３８】前記複数個のサブピクセル領域は、赤色、
緑色、青色サブピクセル領域を含んでおり、前記有機電
界発光層は発光層、注入層、輸送層を含む。
緑色、青色サブピクセル領域を含んでおり、前記有機電
界発光層は発光層、注入層、輸送層を含む。
【００３９】前記発光層は、前記赤色サブピクセル領域
では赤色発光物質を含んでおり、前記緑色サブピクセル
領域では緑色発光物質を含んでおり、前記青色サブピク
セル領域では青色発光物質を含む。
では赤色発光物質を含んでおり、前記緑色サブピクセル
領域では緑色発光物質を含んでおり、前記青色サブピク
セル領域では青色発光物質を含む。
【００４０】前記連結パターンは、延性を帯びる金属物
質からなり、前記連結パターンは柱状である。
質からなり、前記連結パターンは柱状である。
【００４１】前記第１電極は、陰極の役割を有してお
り、前記第２電極は陽極の役割を有する。
り、前記第２電極は陽極の役割を有する。
【００４２】前記第１電極の仕事関数値は、前記第２電
極の仕事関数値より低く、前記第１電極はアルミニウ
ム、アルミニウム−マグネシウム合金、アルミニウム−
リチウム合金、アルミニウム−安息香酸塩合金のうちの
いずれか一つからなり、前記第２電極は不透明導電性物
質からなる。
極の仕事関数値より低く、前記第１電極はアルミニウ
ム、アルミニウム−マグネシウム合金、アルミニウム−
リチウム合金、アルミニウム−安息香酸塩合金のうちの
いずれか一つからなり、前記第２電極は不透明導電性物
質からなる。
【００４３】前記スイッチング素子と連結され、前記連
結パターンと直接的に接触する接触パターンをさらに含
む。
結パターンと直接的に接触する接触パターンをさらに含
む。
【００４４】前記スイッチング素子は、ゲート電極、ソ
ース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタであっ
て、前記接触パターンは前記ドレイン電極と接触する。
ース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタであっ
て、前記接触パターンは前記ドレイン電極と接触する。
【００４５】前記有機電界発光素子は、前記第２基板に
光を発光させる上部発光方式であり、前記アレー素子は
前記第２電極から実質的に前記連結パターンの高さと同
じ空間だけ離隔していて、前記空間は窒素気体（Ｎ２）
で充填される。
光を発光させる上部発光方式であり、前記アレー素子は
前記第２電極から実質的に前記連結パターンの高さと同
じ空間だけ離隔していて、前記空間は窒素気体（Ｎ２）
で充填される。
【００４６】本発明の第２特徴は、複数個のサブピクセ
ル領域からなるピクセル領域を有する第１基板上部に、
前記各サブピクセル領域に形成されるスイッチング素子
を含む複数個のアレー素子を形成する段階と；透明導電
性物質からなる第１電極を第２基板上部に形成する段階
と；前記第１電極上部に有機電界発光層を形成する段階
と；前記有機電界発光層上部の前記各サブピクセル領域
に第２電極を形成する段階と；前記第１基板及び第２基
板を電気的に連結する連結パターンを形成する段階と；
前記複数個のアレー素子が前記第２電極と接するように
前記第１基板及び第２基板を合着する段階を含む有機電
界発光素子の製造方法を提供する。
ル領域からなるピクセル領域を有する第１基板上部に、
前記各サブピクセル領域に形成されるスイッチング素子
を含む複数個のアレー素子を形成する段階と；透明導電
性物質からなる第１電極を第２基板上部に形成する段階
と；前記第１電極上部に有機電界発光層を形成する段階
と；前記有機電界発光層上部の前記各サブピクセル領域
に第２電極を形成する段階と；前記第１基板及び第２基
板を電気的に連結する連結パターンを形成する段階と；
前記複数個のアレー素子が前記第２電極と接するように
前記第１基板及び第２基板を合着する段階を含む有機電
界発光素子の製造方法を提供する。
【００４７】前記複数個のサブピクセル領域は、赤色サ
ブピクセル領域、緑色サブピクセル領域、青色サブピク
セル領域を含む。
ブピクセル領域、緑色サブピクセル領域、青色サブピク
セル領域を含む。
【００４８】前記連結パターンは、前記第１基板上部に
前記複数個のアレー素子を形成する段階で形成され、前
記連結パターンは前記スイッチング素子と前記第２電極
を電気的に連結する。
前記複数個のアレー素子を形成する段階で形成され、前
記連結パターンは前記スイッチング素子と前記第２電極
を電気的に連結する。
【００４９】前記第１基板及び第２基板間の周辺部に沿
ってシールパターンを形成する段階をさらに含んでお
り、前記スイッチング素子に連結されて、前記連結パタ
ーンと直接的に接触する接触パターンを形成する段階を
さらに含む。
ってシールパターンを形成する段階をさらに含んでお
り、前記スイッチング素子に連結されて、前記連結パタ
ーンと直接的に接触する接触パターンを形成する段階を
さらに含む。
【００５０】前記接触パターンは、前記複数個のアレー
素子を形成する段階で形成されて、前記第１基板及び第
２基板を合着する段階前に前記第１基板及び第２基板を
検査する段階をさらに含む。
素子を形成する段階で形成されて、前記第１基板及び第
２基板を合着する段階前に前記第１基板及び第２基板を
検査する段階をさらに含む。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による望ましい実施
例について図面を参照しながら詳細に説明する。
例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５２】図５は、本発明による有機電界発光素子の
概略的な断面図であって、説明の便宜上一つのピクセル
領域Ｐを中心に図示した。
概略的な断面図であって、説明の便宜上一つのピクセル
領域Ｐを中心に図示した。
【００５３】図示したように、第１基板１１０、第２基
板１３０が相互に近接して配置されていて、前記第１基
板１１０、第２基板１３０の周辺部はシールパターン１
４０により封止されている。
板１３０が相互に近接して配置されていて、前記第１基
板１１０、第２基板１３０の周辺部はシールパターン１
４０により封止されている。
【００５４】前記第１基板１１０上部にはアレー素子１
２０が形成されていて、第２基板１３０下部には有機電
界発光ダイオードＤＥＬが形成されている。
２０が形成されていて、第２基板１３０下部には有機電
界発光ダイオードＤＥＬが形成されている。
【００５５】前記有機電界発光ダイオードＤＥＬは、共
通電極として利用される第１電極１３２と、該第１電極
１３２の下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機
電界発光層１３４の下部に位置し、サブピクセルＰｓｕ
ｂ別にパターン化された第２電極１３６とからなる。
通電極として利用される第１電極１３２と、該第１電極
１３２の下部に位置する有機電界発光層１３４と、有機
電界発光層１３４の下部に位置し、サブピクセルＰｓｕ
ｂ別にパターン化された第２電極１３６とからなる。
【００５６】前記有機電界発光層１３４は、サブピクセ
ルＰｓｕｂ別に赤、緑、青のカラーを帯びる発光物質が
配列された発光層１３４ｂと、該発光層１３４ｂの上部
及び下部に各々位置する第１有機物質層１３４ａ及び第
２有機物質層１３４ｃで構成される。
ルＰｓｕｂ別に赤、緑、青のカラーを帯びる発光物質が
配列された発光層１３４ｂと、該発光層１３４ｂの上部
及び下部に各々位置する第１有機物質層１３４ａ及び第
２有機物質層１３４ｃで構成される。
【００５７】前記第１有機物質層１３４ａ及び第２有機
物質層１３４ｃをなす有機電界発光物質は、陽極及び陰
極の配置構造によって定まるものであって、一例とし
て、第１電極１３２を陰極、第２電極１３６を陽極とし
て構成する場合には、第１有機物質層１３４ａは電子注
入層、電子輸送層を含み、第２有機物質層１３４ｃは正
孔注入層、正孔輸送層を含むことができる。
物質層１３４ｃをなす有機電界発光物質は、陽極及び陰
極の配置構造によって定まるものであって、一例とし
て、第１電極１３２を陰極、第２電極１３６を陽極とし
て構成する場合には、第１有機物質層１３４ａは電子注
入層、電子輸送層を含み、第２有機物質層１３４ｃは正
孔注入層、正孔輸送層を含むことができる。
【００５８】そして、前記アレー素子１２０は、薄膜ト
ランジスタＴ及び薄膜トランジスタＴと連結される接触
パターン１１２で構成されるが、接触パターン１１２は
薄膜トランジスタＴをなす電極パターンの延長パターン
で構成されたり、または別途の金属物質をパターン化し
て構成することができ、前記薄膜トランジスタＴは有機
電界発光ダイオードＤＥＬと連結される駆動用薄膜トラ
ンジスタに該当する。
ランジスタＴ及び薄膜トランジスタＴと連結される接触
パターン１１２で構成されるが、接触パターン１１２は
薄膜トランジスタＴをなす電極パターンの延長パターン
で構成されたり、または別途の金属物質をパターン化し
て構成することができ、前記薄膜トランジスタＴは有機
電界発光ダイオードＤＥＬと連結される駆動用薄膜トラ
ンジスタに該当する。
【００５９】そして、前記第２電極１３６と接触パター
ン１１２との間には前述したシールパターン１４０と平
行した方向に第２電極１３６と薄膜トランジスタＴを電
気的に連結させる連結パターン１１４が形成されてい
る。
ン１１２との間には前述したシールパターン１４０と平
行した方向に第２電極１３６と薄膜トランジスタＴを電
気的に連結させる連結パターン１１４が形成されてい
る。
【００６０】前記連結パターン１１４は、伝導性物質か
ら選択され、望ましくは延性を帯びて、抵抗率値が低い
金属物質から選択されることが望ましい。このような連
結パターン１１４は第１基板１１０のアレー素子１２０
を形成する工程で形成することができる。
ら選択され、望ましくは延性を帯びて、抵抗率値が低い
金属物質から選択されることが望ましい。このような連
結パターン１１４は第１基板１１０のアレー素子１２０
を形成する工程で形成することができる。
【００６１】そして、本発明では有機電界発光層１３４
から発光された光を第２基板１３０の方に発光させる上
部発光方式であることを特徴とする。
から発光された光を第２基板１３０の方に発光させる上
部発光方式であることを特徴とする。
【００６２】これにより、前記第１電極１３２は、透光
性または半透光性を有する導電性物質から選択され、一
例として、前記第１電極１３２を陰極として構成する場
合、仕事関数値が第２電極１３６より低い金属物質から
選択されることが望ましい。この場合、前記有機電界発
光層１３４と接する陰極用第１電極１３２の物質層は仕
事関数値が第２電極１３６より低い半透明金属物質を薄
膜で形成することが望ましい。前記半透明金属物質とし
てはアルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、
アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−安息香酸
塩合金のうちのいずれか一つから選択されることが望ま
しい。
性または半透光性を有する導電性物質から選択され、一
例として、前記第１電極１３２を陰極として構成する場
合、仕事関数値が第２電極１３６より低い金属物質から
選択されることが望ましい。この場合、前記有機電界発
光層１３４と接する陰極用第１電極１３２の物質層は仕
事関数値が第２電極１３６より低い半透明金属物質を薄
膜で形成することが望ましい。前記半透明金属物質とし
てはアルミニウム、アルミニウム−マグネシウム合金、
アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−安息香酸
塩合金のうちのいずれか一つから選択されることが望ま
しい。
【００６３】そして、前記第２電極１３６は、下部に発
光される光の反射により補償干渉が発生することを防止
するために、不透明金属物質から選択されることが望ま
しい。
光される光の反射により補償干渉が発生することを防止
するために、不透明金属物質から選択されることが望ま
しい。
【００６４】また、前記第１基板１１０、第２基板１３
０間の離隔空間は窒素（Ｎ２）雰囲気をなすことが望ま
しい。
０間の離隔空間は窒素（Ｎ２）雰囲気をなすことが望ま
しい。
【００６５】図示していないが、前記アレー素子１２０
は走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔し
た信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差
する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、そ
してストレージキャパシタを含む。
は走査線と、該走査線と交差し、相互に一定間隔離隔し
た信号線及び電力供給線と、前記走査線と信号線が交差
する地点に位置するスイッチング薄膜トランジスタ、そ
してストレージキャパシタを含む。
【００６６】本発明による有機電界発光素子は、アレー
基板と有機電界発光ダイオード基板が個別的に構成され
て、上部発光方式構造を有するために生産効率が向上さ
れた高開口率／高解像度構造を具現できる。
基板と有機電界発光ダイオード基板が個別的に構成され
て、上部発光方式構造を有するために生産効率が向上さ
れた高開口率／高解像度構造を具現できる。
【００６７】図６は、本発明による有機電界発光素子製
造工程の一実施例の工程流れ図である。
造工程の一実施例の工程流れ図である。
【００６８】ＳＴ１は、第１基板上にアレー素子を形成
する段階であって、この段階では透明基板上にバッファ
層を形成する段階と、バッファ層上部に半導体層及びキ
ャパシタ電極を形成する段階と、半導体層上部にゲート
電極、ソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記
キャパシタ電極の上部に位置し、前記ソース電極と連結
されるパワー電極を形成する段階を含む。
する段階であって、この段階では透明基板上にバッファ
層を形成する段階と、バッファ層上部に半導体層及びキ
ャパシタ電極を形成する段階と、半導体層上部にゲート
電極、ソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記
キャパシタ電極の上部に位置し、前記ソース電極と連結
されるパワー電極を形成する段階を含む。
【００６９】この段階では、後続工程で第１基板、第２
基板間の電気的連結のための連結パターンが形成される
ことが望ましい。なぜなら、有機電界発光ダイオード基
板に連結パターンを形成するためには有機電界発光層に
損傷を与えることがあるフォトエッチング工程が要求さ
れるためである。
基板間の電気的連結のための連結パターンが形成される
ことが望ましい。なぜなら、有機電界発光ダイオード基
板に連結パターンを形成するためには有機電界発光層に
損傷を与えることがあるフォトエッチング工程が要求さ
れるためである。
【００７０】ＳＴ２は、前記第２基板上に第１電極を形
成する段階であって、前記ＳＴ１で形成されたアレー素
子とは別の基板上に形成されることを特徴とする。
成する段階であって、前記ＳＴ１で形成されたアレー素
子とは別の基板上に形成されることを特徴とする。
【００７１】本発明では、有機電界発光ダイオード用第
１電極を構成するにおいて、既存のものと異なり透明基
板上に直ちに形成するために、材料選択幅を広めること
ができて工程の進行がはるかに容易になる。前記第１電
極は透光性を有する導電性物質から選択される。
１電極を構成するにおいて、既存のものと異なり透明基
板上に直ちに形成するために、材料選択幅を広めること
ができて工程の進行がはるかに容易になる。前記第１電
極は透光性を有する導電性物質から選択される。
【００７２】ＳＴ３は、前記第１電極上に有機電界発光
層を形成する段階であって、前記有機電界発光層は赤、
緑、青のカラーを帯びる発光物質からなる発光層及び電
子または正孔を注入及び輸送する低分子物質または高分
子物質層から選択される。
層を形成する段階であって、前記有機電界発光層は赤、
緑、青のカラーを帯びる発光物質からなる発光層及び電
子または正孔を注入及び輸送する低分子物質または高分
子物質層から選択される。
【００７３】ＳＴ４は、前記有機電界発光層上部に第２
電極を形成する段階である。
電極を形成する段階である。
【００７４】ＳＴ５は、連結パターンを利用して前記第
１基板と第２基板を電気的に連結させる段階であって、
さらに詳細には第１基板上の薄膜トランジスタまたは該
薄膜トランジスタと連結された接触パターンを利用して
第１基板、第２基板を電気的に連結する段階である。す
なわち、前記連結パターンは第１基板上に形成された駆
動用薄膜トランジスタと第２基板の有機電界発光ダイオ
ードを電気的に連結する役割を有する。
１基板と第２基板を電気的に連結させる段階であって、
さらに詳細には第１基板上の薄膜トランジスタまたは該
薄膜トランジスタと連結された接触パターンを利用して
第１基板、第２基板を電気的に連結する段階である。す
なわち、前記連結パターンは第１基板上に形成された駆
動用薄膜トランジスタと第２基板の有機電界発光ダイオ
ードを電気的に連結する役割を有する。
【００７５】ＳＴ６は、第１基板、第２基板をカプセル
封止する段階であって、第１基板、第２基板のいずれか
一つの基板の周辺部にシールパターンを形成して第１基
板、第２基板を合着する段階であり、この段階では第１
基板、第２基板間の離隔空間を窒素雰囲気にする段階を
含む。
封止する段階であって、第１基板、第２基板のいずれか
一つの基板の周辺部にシールパターンを形成して第１基
板、第２基板を合着する段階であり、この段階では第１
基板、第２基板間の離隔空間を窒素雰囲気にする段階を
含む。
【００７６】この段階では、外部の水分が有機電界発光
層に流入することを防止する吸湿剤を構成する場合に、
既存のものと異なりシールパターンと近接した内部で、
第１基板、第２基板のうちのいずれか一つの基板に付着
させるか、またはシールパターンと平行した柱状に形成
することができる。
層に流入することを防止する吸湿剤を構成する場合に、
既存のものと異なりシールパターンと近接した内部で、
第１基板、第２基板のうちのいずれか一つの基板に付着
させるか、またはシールパターンと平行した柱状に形成
することができる。
【００７７】このように、従来の有機電界発光素子で
は、アレー素子製造段階と有機電界発光ダイオード製造
段階のうちのいずれかの工程で不良が発生しても有機電
界発光素子パネル全体が不良処理されることとなるが、
本発明ではアレー基板と有機電界発光ダイオード基板各
々に対する検査工程を経て良品の二基板を合着するので
製品不良率を低めることができ、生産管理効率性を高め
ることができる。
は、アレー素子製造段階と有機電界発光ダイオード製造
段階のうちのいずれかの工程で不良が発生しても有機電
界発光素子パネル全体が不良処理されることとなるが、
本発明ではアレー基板と有機電界発光ダイオード基板各
々に対する検査工程を経て良品の二基板を合着するので
製品不良率を低めることができ、生産管理効率性を高め
ることができる。
【００７８】しかし、本発明は、前記実施例に限らず、
本発明の趣旨から逸脱しない限度内で多様に変更して実
施できる。
本発明の趣旨から逸脱しない限度内で多様に変更して実
施できる。
【００７９】
【発明の効果】以上のように、本発明による有機電界発
光素子によると次のような効果を有する。
光素子によると次のような効果を有する。
【００８０】第一に、生産収率及び生産管理効率を向上
させることができて、製品寿命を増やすことができる。
させることができて、製品寿命を増やすことができる。
【００８１】第二に、上部発光方式であるために薄膜ト
ランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が
可能である。
ランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が
可能である。
【００８２】第三に、基板上に有機電界発光ダイオード
用電極を構成するために、材料選択幅を広めることがで
きる。
用電極を構成するために、材料選択幅を広めることがで
きる。
【００８３】第四に、上部発光方式でありながらカプセ
ル封止構造であるために、外気から安定した製品を提供
することができる。
ル封止構造であるために、外気から安定した製品を提供
することができる。
【図１】一般的なアクティブマトリックス型有機電界発
光素子の基本ピクセル構造を示した図面。
光素子の基本ピクセル構造を示した図面。
【図２】従来の下部発光方式有機電界発光素子の概略的
な断面図。
な断面図。
【図３】前記図２有機電界発光素子の１サブピクセル領
域の拡大断面図。
域の拡大断面図。
【図４】従来の有機電界発光素子の製造工程の工程流れ
図。
図。
【図５】本発明による上部発光方式有機電界発光素子の
概略的な断面図。
概略的な断面図。
【図６】本発明による有機電界発光素子の製造工程の工
程流れ図。
程流れ図。
１１０：第１基板
１１２：接触パターン
１１４：連結パターン
１２０：アレー素子
１３０：第２基板
１３２：第１電極
１３４ａ：第１有機物質層
１３４ｂ：発光層
１３４ｃ：第２有機物質層
１３４：有機電界発光層
１３６：第２電極
１４０：シールパターン
Ｔ：薄膜トランジスタ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 リー ナム−ヤン
大韓民国 463−729 ギョンギ−ド，ソン
ナム−シ，ブンダン−グ，ネヨン−ドン,
サミック アパートメント 120−604
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 AB13 AB18 BA06
DB03 FA01
Claims (24)
- 【請求項１】 第１基板と；前記第１基板に近接して一
定間隔離隔していて、前記第１基板と一緒に複数個のサ
ブピクセル領域からなるピクセル領域を有する第２基板
と；前記第１基板の内側面に形成されていて、前記各サ
ブピクセル領域に形成される複数個のスイッチング素子
を含む複数個のアレー素子と；前記第２基板の内側面に
形成された、透明導電性物質からなる第１電極と；前記
第１電極下部に形成される有機電界発光層と；前記有機
電界発光層下部の前記各サブピクセル領域に形成される
第２電極と；前記第１基板、第２基板間の周辺部に沿っ
て形成されるシールパターンと；前記各サブピクセル領
域に形成され、前記第２電極とスイッチング素子を電気
的に連結する連結パターンとを含むことを特徴とする有
機電界発光素子。 - 【請求項２】 前記複数個のサブピクセル領域は、赤
色、緑色、青色サブピクセル領域を含むことを特徴とす
る請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項３】 前記有機電界発光層は、発光層、注入
層、輸送層を含むことを特徴とする請求項２に記載の有
機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記発光層は、前記赤色サブピクセル領
域では赤色発光物質を含んでおり、前記緑色サブピクセ
ル領域では緑色発光物質を含んでおり、前記青色サブピ
クセル領域では青色発光物質を含んでいることを特徴と
する請求項３に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記連結パターンは、延性を帯びる金属
物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電
界発光素子。 - 【請求項６】 前記連結パターンは、柱状であることを
特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記第１電極は、陰極の役割を有してお
り、前記第２電極は陽極の役割を有することを特徴とす
る請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項８】 前記第１電極の仕事関数値は、前記第２
電極の仕事関数値より低いことを特徴とする請求項７に
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項９】 前記第１電極は、アルミニウム、アルミ
ニウム−マグネシウム合金、アルミニウム−リチウム合
金、アルミニウム−安息香酸塩合金のうちのいずれか一
つからなることを特徴とする請求項８に記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項１０】 前記第２電極は、不透明導電性物質か
らなることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１１】 前記スイッチング素子と連結され、前
記連結パターンと直接的に接触する接触パターンをさら
に含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１２】 前記スイッチング素子は、ゲート電
極、ソース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ
であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１３】 前記接触パターンは、前記ドレイン電
極と接触することを特徴とする請求項１２に記載の有機
電界発光素子。 - 【請求項１４】 前記有機電界発光素子は、前記第２基
板に光を発光させる上部発光方式であることを特徴とす
る請求項１に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１５】 前記アレー素子は、前記第２電極から
実質的に前記連結パターンの高さと同じ空間だけ離隔し
ていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１６】 前記空間は、窒素気体（Ｎ２）で充填
されることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発
光素子。 - 【請求項１７】 複数個のサブピクセル領域からなるピ
クセル領域を有する第１基板上部に、前記各サブピクセ
ル領域に形成されるスイッチング素子を含む複数個のア
レー素子を形成する段階と；透明導電性物質からなる第
１電極を第２基板上部に形成する段階と；前記第１電極
上部に有機電界発光層を形成する段階と；前記有機電界
発光層上部の前記各サブピクセル領域に第２電極を形成
する段階と；前記第１基板及び第２基板を電気的に連結
する連結パターンを形成する段階と；前記複数個のアレ
ー素子が前記第２電極と接するように前記第１基板及び
第２基板を合着する段階とを含む有機電界発光素子の製
造方法。 - 【請求項１８】 前記複数個のサブピクセル領域は、赤
色サブピクセル領域、緑色サブピクセル領域、青色サブ
ピクセル領域を含むことを特徴とする請求項１７に記載
の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項１９】 前記連結パターンは、前記第１基板上
部に前記複数個のアレー素子を形成する段階で形成され
ることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光素
子の製造方法。 - 【請求項２０】 前記連結パターンは、前記スイッチン
グ素子と前記第２電極を電気的に連結することを特徴と
する請求項１９に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２１】 前記第１基板及び第２基板間の周辺部
に沿ってシールパターンを形成する段階をさらに含むこ
とを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光素子の
製造方法。 - 【請求項２２】 前記スイッチング素子に連結されて、
前記連結パターンと直接的に接触する接触パターンを形
成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に
記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２３】 前記接触パターンは、前記複数個のア
レー素子を形成する段階で形成されることを特徴とする
請求項２２に記載の有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２４】 前記第１基板及び第２基板を合着する
段階の前に前記第１基板及び第２基板を検査する段階を
さらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機電
界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020009646A KR20030069707A (ko) | 2002-02-22 | 2002-02-22 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR2002-009646 | 2002-02-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257667A true JP2003257667A (ja) | 2003-09-12 |
Family
ID=19719418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003044274A Pending JP2003257667A (ja) | 2002-02-22 | 2003-02-21 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
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| CN (1) | CN100544063C (ja) |
| DE (1) | DE10307504B4 (ja) |
| FR (1) | FR2836599B1 (ja) |
| GB (1) | GB2387482B (ja) |
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