JP2011023340A - 有機発光表示装置 - Google Patents
有機発光表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011023340A JP2011023340A JP2010126737A JP2010126737A JP2011023340A JP 2011023340 A JP2011023340 A JP 2011023340A JP 2010126737 A JP2010126737 A JP 2010126737A JP 2010126737 A JP2010126737 A JP 2010126737A JP 2011023340 A JP2011023340 A JP 2011023340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic light
- light emitting
- pixel
- display device
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【選択図】図１
【解決手段】本発明による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機発光表示装置に関し、より詳しくは、透明な有機発光表示装置に関する。
有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は、正孔注入電極、有機発光層、及び電子注入電極を有する複数の有機発光素子を含む。有機発光層の内部で電子及び正孔が結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発生するエネルギーによって発光し、これを利用して有機発光表示装置は画像を形成する。
従って、有機発光表示装置は、自発光特性を有して、液晶表示装置とは異なって別途の光源が必要ないため、厚さ及び重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品位特性を有するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
また、有機発光表示装置は、その特性上、使用者が有機発光表示装置を透過して反対側に位置した事物またはイメージを見ることができる透明表示装置に形成される。具体的に、スイッチオフの状態である時には反対側に位置した事物またはイメージが透過され、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像が表示されるように有機発光表示装置を製造することができる。
しかし、スイッチオフの状態である時に、反対側に位置した事物またはイメージが有機発光素子だけでなく薄膜トランジスター及び各種配線などのパターンの間の空間を透過して使用者に伝達される。通常、パターンの間の間隔は数百ｎｍ水準であるため、可視光領域の光の波長と同一な水準となって、透過する光の散乱をもたらすようになる。その結果、使用者は歪曲されたイメージの伝達を受けるようになる問題点がある。
本発明は、上記問題点を解決するためのものであって、その目的は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置を提供することである。
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材と、前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子と、前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ラインと、前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極とを含む。
前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一であるのが好ましい。
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内であるのが好ましい。
前記画素電極は、反射型導電物質から形成されるのが好ましい。
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示するのが好ましい。
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続するのが好ましい。
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成されるのが好ましい。
前記有機発光表示装置において、 前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一であるのが好ましい。
前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内であるのが好ましい。
前記画素電極は、反射型導電物質から形成されるのが好ましい。
前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示するのが好ましい。
前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続するのが好ましい。
前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成されるのが好ましい。
前記有機発光表示装置において、 前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一であるのが好ましい。
本発明によれば、有機発光表示装置は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限られない。
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであるため、本発明に示されたものに必ずしも限られない。
また、図面では、多くの層及び領域を明確に表示するために、厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分については、同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上に」または「上部に」あるとする場合、これはある部分の「直ぐ上に」ある場合だけでなく、その間にまた他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直ぐ上に」あるとする場合、これはその中間に他の部分がないことを意味する。
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略した。なお、本明細書及び図面において、同一または類似した構成要素については、同一の符号を付ける。
また、添付図面では、一つの画素領域に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）及び一つの蓄電素子を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されない。従って、有機発光表示装置は、一つの画素領域に三つ以上の薄膜トランジスター及び二つ以上の蓄電素子を備えることもでき、別途の配線がさらに形成されて、多様な構造を有するように形成しても良い。ここで、画素領域は、画素が形成された領域をいう。画素は、画像を表示する最小単位であり、有機発光表示装置は、複数の画素によって画像を表示する。
以下、図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態を説明する。
図１に示したように、有機発光表示装置１００は、透明領域（ＴＡ）と、透明領域（ＴＡ）を介して互いに隔離した複数の画素領域（ＰＡ）とに区分される。ここで、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
図２に示したように、有機発光表示装置１００は、各画素領域（ＰＡ）に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、そして有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。
そして、有機発光表示装置１００は、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）上で一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、このゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１と、共通電源ライン１７２とをさらに含む。この時、透明領域（ＴＡ）上に形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２は、互いに隣接した画素領域（ＰＡ）上に各々形成されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を互いに接続するパターンに形成される。つまり、透明領域（ＴＡ）上には最小限のゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２が形成される。
有機発光素子７０は、画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０（図３に図示）と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０（図３に図示）とを含む。ここで、画素電極７１０は、正孔注入電極である陽（＋）極であり、共通電極７３０は、電子注入電極である陰（-）極である。しかし、本発明はこれに必ずしも限定されず、有機発光表示装置１００の駆動方法によって、画素電極７１０が陰極となり、共通電極７３０が陽極となっても良い。画素電極７１０及び共通電極７３０から正孔及び電子が有機発光層７２０の内部に各々注入される。注入された正孔及び電子が結合した励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に遷移する時に、有機発光層７２０で発光が行われる。
また、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）全体を覆う。つまり、画素電極７３０が覆う領域は、画素領域（ＰＡ）と実質的に同一である。従って、画素電極７１０は、画素領域（ＰＡ）上に形成されたスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を全て覆う。
スイッチング薄膜トランジスター１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスター２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
蓄電素子８０は、ゲート絶縁膜１４０（図３に図示）を介して配置された第１維持電極１５８及び第２維持電極１７８を含む。
スイッチング薄膜トランジスター１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２は、ゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３は、データライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４は、スイッチングソース電極１７３から隔離配置されて、第１維持電極１５８と接続される。
駆動薄膜トランジスター２０は、選択した画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は、第１維持電極１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２維持電極１７８は、各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７は、接触孔１８２を通じて有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスター１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動して、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧及びスイッチング薄膜トランジスター１０から伝達されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に貯められ、蓄電素子８０に貯められた電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通して有機発光素子７０に流れて、有機発光素子７０が発光する。
以下、図３を参照して、有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図３は駆動薄膜トランジスター２０、有機発光素子７０、及び蓄電素子８０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
以下では、駆動薄膜トランジスター２０を例に挙げて薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。また、スイッチング薄膜トランジスター１０については、駆動薄膜トランジスターとの相違点だけを簡略に説明する。
基板部材１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる透明な絶縁性基板から形成される。そして、基板部材１１０は、基板部材１１０上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一な透過率を有する。具体的に、基板部材１１０上には後述するバッファー層１２０、駆動半導体層１３２、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、有機発光層７２０、そして各種導電配線及び電極などが形成される。
基板部材１１０上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は、不純元素の浸透を防止すると共に、表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たすことができる多様な物質から形成される。例えば、バッファー層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は、必ずしも必要なものではないため、基板部材１１０の種類及び工程条件によっては省略することもできる。
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は、多結晶シリコン膜から形成される。また、駆動半導体層１３２は、不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ+ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７とを含む。この時、ドーピングされるイオン物質は、ホウ素（Ｂ）などのＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスターの種類によって異なる。
本発明の一実施形態においては、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されない。従って、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが全て用いられる。
また、図３に示された駆動薄膜トランジスター２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであるが、図３に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は、多結晶薄膜トランジスターであっても良く、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターであっても良い。
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を含むゲート配線が形成される。ゲート配線は、ゲートライン１５１（図２に図示）、第１維持電極１５８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１５５は、駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０及び層間絶縁膜１６０は、駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する複数の貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などから形成される。
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線は、データライン１７１（図２に図示）、共通電源ライン１７２、第２維持電極１７８、及びその他の配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は、各々貫通孔を通じて駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。
このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスター２０が形成される。
駆動薄膜トランジスター２０の構成は、前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家や当業者が容易に実施できる公知の構成に多様に変形される。
層間絶縁膜１６０上にはデータ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う平坦化膜１８０が形成される。平坦化膜１８０は、その上に形成される有機発光素子７０の発光効率を高めるために、段差をなくして平坦化させる役割を果たす。また、平坦化膜１８０は、ドレイン電極１７７の一部を露出させる接触孔１８２を有する。
平坦化膜１８０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの一つ以上の物質などから形成される。
平坦化膜１８０上には有機発光素子７０の画素電極７１０が形成される。画素電極７１０は、平坦化膜１８０の接触孔１８２を通じてドレイン電極１７７と接続される。
画素領域（ＰＡ）内で、ゲート電極１５５、ソース電極１７６、ドレイン電極１７７、第１維持電極１５８、第２維持電極１７８、ゲートライン１５１（図２に図示）、データライン１７１（図２に図示）、及び共通電源ライン１７２は、全て画素電極７１０下に配置される。
また、平坦化膜１８０上には画素電極７１０を露出する開口部を有する画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素電極７１０は、画素定義膜１９０の開口部に対応するように配置される。従って、画素定義膜１９０が形成された部分は、画素電極７１０が形成された部分を除いた残りの部分と類似している。つまり、画素定義膜１９０が形成された領域は透明領域（ＴＡ）と類似している。
画素定義膜１９０は、ポリアクリル系樹脂及びポリイミド系樹脂、またはシリカ系の無機物などから形成される。
画素電極７１０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を含む有機発光素子７０が形成される。
有機発光層７２０は、低分子有機物または高分子有機物から構成される。このような有機発光層７２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ）、そして電子注入層（ＥＩＬ）を含む多重膜から形成される。つまり、正孔注入層は、陽極である画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、前面発光型に形成される。つまり、有機発光層７２０から共通電極７３０方向に光を放出して画像を表示する。
また、画素電極７１０は、反射型導電物質から形成される。反射型導電物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ/Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ/Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などを用いることができる。しかし、本発明の一実施形態は、これに限定されない。従って、画素電極７１０は、透明な導電膜及び反射膜を含む多重層に形成されても良い。
共通電極は、透明な導電物質または半透過型導電物質から形成される。透明な導電物質としては、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物））、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を使用することができる。半透過型導電物質としては、マグネシウム（Ｍｇ）及び銀（Ａｇ）のうちの一つ以上を含む共蒸着物質を使用したり、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の物質を使用することができる。
また、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０は、透明に形成される。そして、透明領域（ＴＡ）には、一部分が最小限に配置されたゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を除いては、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０、及び画素定義膜１９０などのように透明な構成だけが配置される。
また、前述した図１に示したように、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％乃至９０％の範囲に属するように画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）が形成される。
このような構成により、有機発光表示装置１００は、透過する光の散乱を抑制して、歪曲現象が防止された、透明な有機発光表示装置に形成される。
つまり、使用者が、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態である時には有機発光表示装置１００を透過して反対側に位置した事物またはイメージを歪曲なく見ることができると共に、スイッチオンの状態である時には有機発光素子から発光した画像を見ることができるようになる。
この時、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が２０％より小さいと、有機発光表示装置１００がスイッチオフの状態の時に有機発光表示装置１００を透過する光が少ないため、使用者が反対側に位置した事物またはイメージを見るのが難しい。つまり、有機発光表示装置が透明だとは言えなくなる。
一方で、画素領域（ＰＡ）及び透明領域（ＴＡ）の面積全体に対する透明領域（ＴＡ）の面積の比率が９０％より大きいと、有機発光表示装置１００の画素集積度が過度に低くなって、有機発光素子７０の発光によって安定した画像を実現するのが難しい。つまり、画素領域（ＰＡ）の面積が小さくなるほど、画像を実現するための有機発光素子７０が発光する光の輝度が高くならなければならない。このように、有機発光素子７０を高輝度状態に作動させると、寿命が急激に低下する問題点が発生する。また、一つの画素領域（ＰＡ）の大きさを適正な大きさに維持して、透明領域（ＴＡ）の面積の比率を９０％より大きくすると、画素領域（ＰＡ）の数が減少して、解像度が低下する問題点が発生する。
以上で、本発明を望ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲の概念及び範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形が可能であることが本発明の属する技術分野に携わる者には簡単に理解される。
１０ スイッチング薄膜トランジスター
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５５ ゲート電極
１５８ 第１維持電極
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２維持電極
１８０ 平坦化膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
２０ 駆動薄膜トランジスター
８０ 蓄電素子
７０ 有機発光素子
１００ 有機発光表示装置
１１０ 基板部材
１２０ バッファー層
１３２ 駆動半導体層
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ ゲートライン
１５５ ゲート電極
１５８ 第１維持電極
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データライン
１７２ 共通電源ライン
１７６ ソース電極
１７７ ドレイン電極
１７８ 第２維持電極
１８０ 平坦化膜
７１０ 画素電極
７２０ 有機発光層
７３０ 共通電極
Claims (8)
- 透明領域及び前記透明領域を介して互いに隔離した複数の画素領域を含む基板部材;
前記画素領域上に形成された薄膜トランジスター及び蓄電素子;
前記画素領域及び前記透明領域上に形成されて、前記薄膜トランジスター及び前記蓄電素子のうちの一つ以上に各々接続されたゲートライン、データライン、及び共通電源ライン;
前記画素領域上に形成された前記薄膜トランジスター、前記蓄電素子、前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを全て覆う画素電極；を含む、有機発光表示装置。 - 前記画素領域は、前記画素電極が覆う領域と実質的に同一である、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素領域及び前記透明領域の面積全体に対する前記透明領域の面積の比率は、２０％乃至９０％の範囲内である、請求項２に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素電極は、反射型導電物質から形成される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素電極上に順に形成された有機発光層及び共通電極をさらに含み、
前記有機発光層から前記共通電極方向に光を放出して画像を表示する、請求項４に記載の有機発光表示装置。 - 前記透明領域上に形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインは、互いに隣接した前記画素領域上に各々形成された前記ゲートライン、前記データライン、及び前記共通電源ラインを互いに接続する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記基板部材上に形成された絶縁膜、平坦化膜、及び画素定義膜をさらに含み、
前記絶縁膜、前記平坦化膜、及び前記画素定義膜は、透明な物質から形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。 - 前記基板部材が有する透過率は、前記基板部材上に形成された多様な層が有する全体的な透過率より大きいか同一である、請求項１から７のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2009-0066044 | 2009-07-20 | ||
| KR1020090066044A KR101107178B1 (ko) | 2009-07-20 | 2009-07-20 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011023340A true JP2011023340A (ja) | 2011-02-03 |
| JP5578712B2 JP5578712B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=42797183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010126737A Active JP5578712B2 (ja) | 2009-07-20 | 2010-06-02 | 有機発光表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8587499B2 (ja) |
| EP (1) | EP2278622A3 (ja) |
| JP (1) | JP5578712B2 (ja) |
| KR (1) | KR101107178B1 (ja) |
| CN (1) | CN101958340B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012234798A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP2018073761A (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2020038964A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光素子及びこれを適用した透明表示装置 |
| JP7406611B2 (ja) | 2013-09-13 | 2023-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101084245B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 |
| KR101097335B1 (ko) | 2010-02-25 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101156440B1 (ko) * | 2010-03-09 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101108170B1 (ko) | 2010-03-15 | 2012-01-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| TWI445170B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-07-11 | Au Optronics Corp | 有機發光二極體畫素陣列 |
| KR101391244B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2014-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101924996B1 (ko) * | 2012-03-29 | 2018-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN102881839B (zh) | 2012-09-28 | 2014-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管、触摸显示装置及其制造方法 |
| KR102000642B1 (ko) | 2012-12-12 | 2019-07-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고 휘도 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR20140123861A (ko) | 2013-04-15 | 2014-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102137473B1 (ko) | 2013-06-13 | 2020-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| US9626184B2 (en) * | 2013-06-28 | 2017-04-18 | Intel Corporation | Processors, methods, systems, and instructions to transcode variable length code points of unicode characters |
| KR20150069379A (ko) * | 2013-12-13 | 2015-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
| CN103700692A (zh) | 2013-12-27 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| KR102262772B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2021-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR102166869B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| TWI567971B (zh) | 2014-04-22 | 2017-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| KR102215092B1 (ko) | 2014-06-05 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016045979A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| KR102356592B1 (ko) * | 2014-11-03 | 2022-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102409060B1 (ko) | 2015-09-11 | 2022-06-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102471113B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2022-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102500161B1 (ko) * | 2016-01-15 | 2023-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102457244B1 (ko) * | 2016-05-19 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102561709B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2023-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111627967B (zh) * | 2016-09-08 | 2022-12-23 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| KR102402525B1 (ko) * | 2017-10-17 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| TWI742339B (zh) * | 2019-01-28 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN110098238A (zh) | 2019-05-15 | 2019-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN110783487A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
| CN110718580A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-01-21 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组及电子设备 |
| CN114120816A (zh) * | 2020-08-28 | 2022-03-01 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板及电子装置 |
| KR20220096854A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN114424850B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-08-29 | 业成科技（成都）有限公司 | 智能显示头盔 |
| KR20230158138A (ko) * | 2022-05-09 | 2023-11-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10161564A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JP2002170686A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| JP2003091246A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2003257667A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2003264082A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機ｌｅｄ素子 |
| JP2008112112A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Optrex Corp | 発光装置 |
| JP2008159935A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ |
| JP2009086024A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4142117B2 (ja) * | 1995-10-06 | 2008-08-27 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法 |
| DE69739633D1 (de) * | 1996-11-28 | 2009-12-10 | Casio Computer Co Ltd | Anzeigevorrichtung |
| GB0028877D0 (en) * | 2000-11-28 | 2001-01-10 | Koninkl Philips Electronics Nv | Liquid crystal displays |
| KR100834346B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
| KR100637458B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광 표시 패널 |
| KR100700648B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면발광 유기전계발광표시장치 |
| DE502005009415D1 (de) | 2005-05-27 | 2010-05-27 | Novaled Ag | Transparente organische Leuchtdiode |
| JP4939045B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| TW200732733A (en) * | 2006-02-17 | 2007-09-01 | Ind Tech Res Inst | Hybrid display |
| JP4930704B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2012-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
-
2009
- 2009-07-20 KR KR1020090066044A patent/KR101107178B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-06-02 JP JP2010126737A patent/JP5578712B2/ja active Active
- 2010-07-19 US US12/805,200 patent/US8587499B2/en active Active
- 2010-07-19 EP EP10169978.3A patent/EP2278622A3/en not_active Withdrawn
- 2010-07-20 CN CN2010102337613A patent/CN101958340B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10161564A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JP2002170686A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| JP2003091246A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP2003257667A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2003264082A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機ｌｅｄ素子 |
| JP2008112112A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Optrex Corp | 発光装置 |
| JP2008159935A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ |
| JP2009086024A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置および電子機器 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012234798A (ja) * | 2011-05-03 | 2012-11-29 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| JP7406611B2 (ja) | 2013-09-13 | 2023-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2018073761A (ja) * | 2016-11-04 | 2018-05-10 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP7434511B2 (ja) | 2016-11-04 | 2024-02-20 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JP2020038964A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 発光素子及びこれを適用した透明表示装置 |
| US11223022B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-11 | Lg Display Co., Ltd. | Light emitting device and transparent display device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110012816A1 (en) | 2011-01-20 |
| CN101958340A (zh) | 2011-01-26 |
| KR101107178B1 (ko) | 2012-01-25 |
| JP5578712B2 (ja) | 2014-08-27 |
| CN101958340B (zh) | 2013-08-14 |
| EP2278622A3 (en) | 2014-04-23 |
| US8587499B2 (en) | 2013-11-19 |
| EP2278622A2 (en) | 2011-01-26 |
| KR20110008621A (ko) | 2011-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5578712B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| CN108172597B (zh) | 有机发光二极管显示器及其制造方法 | |
| KR101378439B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100989135B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101147428B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100989133B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP4621925B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| JP5096391B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| JP4912437B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| KR100959108B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| JP4785911B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| KR20100081772A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101571091B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR20100025804A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101513882B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR101432236B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100965250B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR100989132B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20090042406A (ko) | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120403 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120814 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121003 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130423 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140707 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5578712 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |