JP2003091246A - 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬディスプレイパネルにおいて透明電
極上に形成される有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、
電子輸送層）が平坦化膜開口部のエッジ部で段切れによ
る陰極層とのショートが生じ画素単位でのＥＬ発光の伴
わない非点灯画素不良の発生やリーク現象で消費電力増
大や時間経過に伴う非点灯領域が増大するなどの課題が
あった。 【解決手段】 透明電極と薄膜トランジスタのドレイン
のコンタクト部分、すなわち平坦化膜の開口部を絶縁樹
脂で覆う構成にすることにより、有機ＥＬ層と陰極間の
ショートおよび、陰極の断線をする。
極上に形成される有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、
電子輸送層）が平坦化膜開口部のエッジ部で段切れによ
る陰極層とのショートが生じ画素単位でのＥＬ発光の伴
わない非点灯画素不良の発生やリーク現象で消費電力増
大や時間経過に伴う非点灯領域が増大するなどの課題が
あった。 【解決手段】 透明電極と薄膜トランジスタのドレイン
のコンタクト部分、すなわち平坦化膜の開口部を絶縁樹
脂で覆う構成にすることにより、有機ＥＬ層と陰極間の
ショートおよび、陰極の断線をする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであ
る。
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯端末、モバイルPC、携帯電話
等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイが有望視
されている。有機ＥＬディスプレイは画素自身が自己発
光方式のためバックライトが不要でかつ、カラーフィル
タを用いずにフルカラー表示が可能なため、広視野角、
高コントラスト、優れた色再現性といった特長を持ち、
加えて高輝度、薄型、応答特性に優れるなどの特性を備
えていることから、携帯電話やＰＤＡ（携帯情報端末）
向けに各社で開発が盛んに行われている。
等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイが有望視
されている。有機ＥＬディスプレイは画素自身が自己発
光方式のためバックライトが不要でかつ、カラーフィル
タを用いずにフルカラー表示が可能なため、広視野角、
高コントラスト、優れた色再現性といった特長を持ち、
加えて高輝度、薄型、応答特性に優れるなどの特性を備
えていることから、携帯電話やＰＤＡ（携帯情報端末）
向けに各社で開発が盛んに行われている。
【０００３】有機ＥＬディスプレイは例えば特開平９−
１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６号公報に
記載されているように、マトリクス状に配置された個々
の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧により陰極
から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、電子と
ホールの再結合により発光をさせ、表示を行うものであ
り、この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極と陽
極とが重なり合う部分で生じるものである。
１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６号公報に
記載されているように、マトリクス状に配置された個々
の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子
と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧により陰極
から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、電子と
ホールの再結合により発光をさせ、表示を行うものであ
り、この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極と陽
極とが重なり合う部分で生じるものである。
【０００４】図４に従来における有機ＥＬディスプレイ
パネルの構成を示す。
パネルの構成を示す。
【０００５】透明基板であるガラス基板３０上にはマト
リクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）から成るの複数の島状の透明電極３１と、この透明
電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互いに
接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリソグ
ラフィや真空蒸着技術などによって形成されている。非
線形素子上には平坦化のため感光性樹脂による平坦化膜
３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９をフォトリソ
グラフィーによって開口した開口部から非線形素子３２
と透明電極３１が電気的に接続されている。平坦化膜３
９と透明電極３１上には感光性樹脂から成る突起３８が
形成されている。陽極となる透明電極３１上にはホール
輸送層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体
が薄膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜
が形成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で
順次成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極
３６との間に直流電圧を選択的に印加することによっ
て、透明電極３１から注入されたホールがホール輸送層
３３を経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸
送層３５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子と
ホールの再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が
生じ、透明基板３０の側から発光表示ができるものであ
る。また、このとき、赤（３７-Ｒ）、緑（３７-Ｇ）、
青（３７-Ｂ）の各色に発光物質が異なる発光層３４を
それぞれ個々に透明電極３１上に並置配置形成すること
によりフルカラー表示を行うことが可能となる。
リクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）から成るの複数の島状の透明電極３１と、この透明
電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互いに
接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリソグ
ラフィや真空蒸着技術などによって形成されている。非
線形素子上には平坦化のため感光性樹脂による平坦化膜
３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９をフォトリソ
グラフィーによって開口した開口部から非線形素子３２
と透明電極３１が電気的に接続されている。平坦化膜３
９と透明電極３１上には感光性樹脂から成る突起３８が
形成されている。陽極となる透明電極３１上にはホール
輸送層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体
が薄膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜
が形成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で
順次成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極
３６との間に直流電圧を選択的に印加することによっ
て、透明電極３１から注入されたホールがホール輸送層
３３を経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸
送層３５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子と
ホールの再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が
生じ、透明基板３０の側から発光表示ができるものであ
る。また、このとき、赤（３７-Ｒ）、緑（３７-Ｇ）、
青（３７-Ｂ）の各色に発光物質が異なる発光層３４を
それぞれ個々に透明電極３１上に並置配置形成すること
によりフルカラー表示を行うことが可能となる。
【０００６】次に図５、図６にＥＬディスプレイパネル
の製造方法を示す。
の製造方法を示す。
【０００７】図５（ａ）においてガラス基板３０上には
マトリクス状に配置した非線形素子３２が形成される。
非線形素子３２はフォトリソグラフィーや真空蒸着法に
より形成する。
マトリクス状に配置した非線形素子３２が形成される。
非線形素子３２はフォトリソグラフィーや真空蒸着法に
より形成する。
【０００８】非線形素子３２上には非線形素子形成によ
る凹凸を緩和するための平坦化膜３９を形成し、平坦化
膜３９上には非線形素子３２と電気的に接続するインジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極３１を形成す
る。そのために平坦化膜３９の一部には開口部が設けら
れている。
る凹凸を緩和するための平坦化膜３９を形成し、平坦化
膜３９上には非線形素子３２と電気的に接続するインジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極３１を形成す
る。そのために平坦化膜３９の一部には開口部が設けら
れている。
【０００９】図５（ｂ）において平坦化膜３９および透
明電極３１上に感光性樹脂による突起４０をフォトリソ
グラフィー法により形成する。この突起４０は後のマス
ク蒸着工程で有機ＥＬ層を形成する際に成膜用マスクが
透明電極３１および、形成した有機ＥＬ層と接触するこ
とによる損傷を防止するために形成される。突起４０の
厚みは０．５〜１０ミクロンである。
明電極３１上に感光性樹脂による突起４０をフォトリソ
グラフィー法により形成する。この突起４０は後のマス
ク蒸着工程で有機ＥＬ層を形成する際に成膜用マスクが
透明電極３１および、形成した有機ＥＬ層と接触するこ
とによる損傷を防止するために形成される。突起４０の
厚みは０．５〜１０ミクロンである。
【００１０】図５（ｃ）において個々の透明電極３１に
ホール輸送層３３となる有機媒体を形成し、さらにその
上に発光層３４、電子輸送層３５を順次形成する（図５
（ｄ）、図６（ａ））。なお、発光層３４は赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光物質が異なる個々の発
光層３４−Ｒ、３４−Ｇ、３４−Ｂを並置配置するよう
形成される。
ホール輸送層３３となる有機媒体を形成し、さらにその
上に発光層３４、電子輸送層３５を順次形成する（図５
（ｄ）、図６（ａ））。なお、発光層３４は赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光物質が異なる個々の発
光層３４−Ｒ、３４−Ｇ、３４−Ｂを並置配置するよう
形成される。
【００１１】次に図６（ｂ）において、ホール輸送層３
３、発光層３５、電子輸送層を覆うようにＡｌからなる
陰極３６を形成する。最後に、これら有機ＥＬ層を、湿
度の影響による特性劣化を防ぐため、封止するというも
のであった。
３、発光層３５、電子輸送層を覆うようにＡｌからなる
陰極３６を形成する。最後に、これら有機ＥＬ層を、湿
度の影響による特性劣化を防ぐため、封止するというも
のであった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記のように発光物質
が異なる有機発光層をマトリクス状に並置配置された非
線形素子の透明電極上に配置形成することにより自己発
光のフルカラー有機ＥＬディスプレイを実現することが
可能であるが、その際下記の課題が生じる。
が異なる有機発光層をマトリクス状に並置配置された非
線形素子の透明電極上に配置形成することにより自己発
光のフルカラー有機ＥＬディスプレイを実現することが
可能であるが、その際下記の課題が生じる。
【００１３】透明電極は蒸着法によって形成され、膜厚
数ミクロンの厚さの平坦化膜の開口部を介して非線形素
子と接続されている。このため、透明電極表面は平坦化
膜の開口部に沿った凹部を有しているため、透明電極上
に形成される有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子
輸送層）が平坦化膜開口部のショルダー部のエッジ部で
の段切れが生じ、これによって陽極である透明電極と陰
極層間にショートが生じ、画素単位での非点灯画素不良
が発生することがある。また、同様に平坦化膜ショルダ
ー部のエッジ部領域で有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光
層、電子輸送層）の膜厚が極端に薄くなることにより、
陽極と陰極間に低抵抗化によるリークパスが発生し、こ
れにより有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送
層）を形成した領域全体の発光が困難となり、発光面積
が著しく減少することによる発光面積当りの電流密度が
上昇する。これにより有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光
層、電子輸送層）の劣化による輝度低下や、時間経過に
伴う非点灯領域が増大するなど表示信頼性が著しく低下
するという問題点がある。
数ミクロンの厚さの平坦化膜の開口部を介して非線形素
子と接続されている。このため、透明電極表面は平坦化
膜の開口部に沿った凹部を有しているため、透明電極上
に形成される有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子
輸送層）が平坦化膜開口部のショルダー部のエッジ部で
の段切れが生じ、これによって陽極である透明電極と陰
極層間にショートが生じ、画素単位での非点灯画素不良
が発生することがある。また、同様に平坦化膜ショルダ
ー部のエッジ部領域で有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光
層、電子輸送層）の膜厚が極端に薄くなることにより、
陽極と陰極間に低抵抗化によるリークパスが発生し、こ
れにより有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送
層）を形成した領域全体の発光が困難となり、発光面積
が著しく減少することによる発光面積当りの電流密度が
上昇する。これにより有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光
層、電子輸送層）の劣化による輝度低下や、時間経過に
伴う非点灯領域が増大するなど表示信頼性が著しく低下
するという問題点がある。
【００１４】本発明の目的は、かかる問題点を解消する
べく簡素な構成で非点灯画素による画素欠陥を低減し、
経時的な輝度低下、画素欠陥の発生を皆無にし、歩留ま
りが高く、信頼性に優れた有機ＥＬディスプレイパネル
を提供することにある。
べく簡素な構成で非点灯画素による画素欠陥を低減し、
経時的な輝度低下、画素欠陥の発生を皆無にし、歩留ま
りが高く、信頼性に優れた有機ＥＬディスプレイパネル
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明はマトリクス状に
配置された透明電極と非線形素子とのコンタクト部分、
すなわち平坦化膜の開口部を絶縁体層あるいは導電体層
で覆い、平坦化膜の開口部をなだらかな構成にすること
により、有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送
層）の段切れによる陽極と陰極間のショートおよび、有
機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送層）の膜厚
が薄くなることによる陽極と陰極間の電流リークを防止
するものである。これにより、非点灯画素による画素欠
陥、経時的な輝度低下、表示領域の輝度バラツキを低減
させ、製造歩留まりが高く、信頼性に優れた有機ＥＬデ
ィスプレイパネルを実現、提供できる。
配置された透明電極と非線形素子とのコンタクト部分、
すなわち平坦化膜の開口部を絶縁体層あるいは導電体層
で覆い、平坦化膜の開口部をなだらかな構成にすること
により、有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送
層）の段切れによる陽極と陰極間のショートおよび、有
機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、電子輸送層）の膜厚
が薄くなることによる陽極と陰極間の電流リークを防止
するものである。これにより、非点灯画素による画素欠
陥、経時的な輝度低下、表示領域の輝度バラツキを低減
させ、製造歩留まりが高く、信頼性に優れた有機ＥＬデ
ィスプレイパネルを実現、提供できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明における実施例につ
いて図面を用いて説明する。
いて図面を用いて説明する。
【００１７】（第一の実施例）図１は本発明における第
一の実施例の有機ＥＬディスプレイの断面構成を示した
ものである。
一の実施例の有機ＥＬディスプレイの断面構成を示した
ものである。
【００１８】透明基板であるガラス基板１上にはマトリ
クス状に並置配列された非線形素子である薄膜トランジ
スタ３がフォトリソグラフィや真空蒸着技術などによっ
て形成されている。非線形素子には、必要に応じてコン
デンサや配線が接続されており、これらを含めて非線形
素子回路と呼ぶ。そして薄膜トランジスタ３を含む非線
形素子回路上には薄膜トランジスタ３自身の膜厚による
凹凸を緩和するため平坦化膜４が形成塗布されている。
平坦化膜４は感光性樹脂でフォトリソグラフィーによっ
て形成され、形成膜厚は数ミクロンである。そして平坦
化膜４にはフォトリソグラフィーによって開口された開
口部７をを設け、この開口部７を介して薄膜トランジス
タ３のドレイン電極５と電気的に接続された透明電極２
が形成されている。この透明電極２は薄膜トランジスタ
３と一対で形成され、薄膜トランジスタ３と同様にガラ
ス基板１上にマトリクス状に並置配列される。また、こ
の透明電極２はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事
関数が小さい材料を用いて形成され、後の工程で形成さ
れる有機ＥＬ層の陽極（アノード電極）となる。
クス状に並置配列された非線形素子である薄膜トランジ
スタ３がフォトリソグラフィや真空蒸着技術などによっ
て形成されている。非線形素子には、必要に応じてコン
デンサや配線が接続されており、これらを含めて非線形
素子回路と呼ぶ。そして薄膜トランジスタ３を含む非線
形素子回路上には薄膜トランジスタ３自身の膜厚による
凹凸を緩和するため平坦化膜４が形成塗布されている。
平坦化膜４は感光性樹脂でフォトリソグラフィーによっ
て形成され、形成膜厚は数ミクロンである。そして平坦
化膜４にはフォトリソグラフィーによって開口された開
口部７をを設け、この開口部７を介して薄膜トランジス
タ３のドレイン電極５と電気的に接続された透明電極２
が形成されている。この透明電極２は薄膜トランジスタ
３と一対で形成され、薄膜トランジスタ３と同様にガラ
ス基板１上にマトリクス状に並置配列される。また、こ
の透明電極２はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事
関数が小さい材料を用いて形成され、後の工程で形成さ
れる有機ＥＬ層の陽極（アノード電極）となる。
【００１９】また、透明電極の上には絶縁樹脂による突
起６が設けられる。この突起６は以降のマスク蒸着工程
で有機ＥＬ層を蒸着形成する際に成膜用マスクが透明電
極２および、形成された有機ＥＬ層と接触し、これらが
損傷するのを防止するために形成されるものである。な
お、この突起６は感光性を有した絶縁樹脂であり、平坦
化膜４と同材料を用いて形成できるものである。
起６が設けられる。この突起６は以降のマスク蒸着工程
で有機ＥＬ層を蒸着形成する際に成膜用マスクが透明電
極２および、形成された有機ＥＬ層と接触し、これらが
損傷するのを防止するために形成されるものである。な
お、この突起６は感光性を有した絶縁樹脂であり、平坦
化膜４と同材料を用いて形成できるものである。
【００２０】さらには、透明電極２と薄膜トランジスタ
３のドレイン電極５と接続コンタクトする平坦化膜４の
開口部７は開口部全体を覆うように絶縁樹脂による開口
部の穴埋め８がなされている。穴埋め８は平坦化膜４や
突起６と同様に同材料を用いて形成できる。有機ＥＬ層
の陽極となる透明電極２上にはホール輸送層９、発光層
１０及び電子輸送層１１の有機媒体が薄膜で順次形成さ
れている。そしてこれら有機ＥＬ層９、１０、１１を覆
うように陰極１２となる金属薄膜が最上層に形成されて
いる。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法等によ
って形成する。また、この陰極１２は発光層１０で発光
した光をガラス基板１側に反射させ、発光効率を増大す
る目的もある。また、反射をより確実にするために、さ
らに別の反射膜を形成することもできる。これらの薄膜
は例えば真空蒸着法で順次成膜されるもので、陽極であ
る透明電極２と陰極１２との間に直流電圧を選択的に印
加することによって、透明電極２から注入されたホール
がホール輸送層９を経て、また陰極１２から注入された
電子が電子輸送層１１を経て、それぞれ発光層１０に到
達して電子とホールの再結合が生じ、ここから所定波長
の発光が生じ、ガラス基板１の側から発光表示ができる
ものである。
３のドレイン電極５と接続コンタクトする平坦化膜４の
開口部７は開口部全体を覆うように絶縁樹脂による開口
部の穴埋め８がなされている。穴埋め８は平坦化膜４や
突起６と同様に同材料を用いて形成できる。有機ＥＬ層
の陽極となる透明電極２上にはホール輸送層９、発光層
１０及び電子輸送層１１の有機媒体が薄膜で順次形成さ
れている。そしてこれら有機ＥＬ層９、１０、１１を覆
うように陰極１２となる金属薄膜が最上層に形成されて
いる。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法等によ
って形成する。また、この陰極１２は発光層１０で発光
した光をガラス基板１側に反射させ、発光効率を増大す
る目的もある。また、反射をより確実にするために、さ
らに別の反射膜を形成することもできる。これらの薄膜
は例えば真空蒸着法で順次成膜されるもので、陽極であ
る透明電極２と陰極１２との間に直流電圧を選択的に印
加することによって、透明電極２から注入されたホール
がホール輸送層９を経て、また陰極１２から注入された
電子が電子輸送層１１を経て、それぞれ発光層１０に到
達して電子とホールの再結合が生じ、ここから所定波長
の発光が生じ、ガラス基板１の側から発光表示ができる
ものである。
【００２１】また、発光した光を上方すなわち陰極１２
側へ取り出す構成も可能で、この場合は陰極１２を透明
電極とする。そして、陽極側へ出る光を反射させるため
に、陽極の外側（発光層と反対側）に反射膜を設ける。
側へ取り出す構成も可能で、この場合は陰極１２を透明
電極とする。そして、陽極側へ出る光を反射させるため
に、陽極の外側（発光層と反対側）に反射膜を設ける。
【００２２】なお、上記実施例での非線形素子は透明電
極２上に形成された有機ＥＬ層９、１０、１１に加わる
電流を制御し、発光層１０を発光させるものでこれに用
いられる非線形素子としてはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｔｅ等の薄膜トランジスタを用いることができ、
またＭＯＳ−ＦＥＴを用いた回路も用いることが可能で
ある。さらに、３端子タイプではなく、２端子タイプの
ＭＩＭなどを用いた回路構成にすることも可能である。
極２上に形成された有機ＥＬ層９、１０、１１に加わる
電流を制御し、発光層１０を発光させるものでこれに用
いられる非線形素子としてはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、Ｃｄ
Ｓｅ、Ｔｅ等の薄膜トランジスタを用いることができ、
またＭＯＳ−ＦＥＴを用いた回路も用いることが可能で
ある。さらに、３端子タイプではなく、２端子タイプの
ＭＩＭなどを用いた回路構成にすることも可能である。
【００２３】次に、本発明における第１の実施例の有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法を図面を用いてに説
明する。
ＥＬディスプレイパネルの製造方法を図面を用いてに説
明する。
【００２４】図２（ａ）において、ガラス基板１上に非
線形素子である薄膜トランジス３とゲートライン、ゲー
ト絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレイ
ンライン、信号線等（図示せず）をマトリクス状に配置
形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４を形成し、
平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介して薄膜ト
ランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接続したＩＴ
Ｏから成る透明電極２を５００〜１５００オングストロ
ームの膜厚で形成する。この透明電極２は後の有機ＥＬ
層の陽極（アノード）となるものでインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用いられる。
線形素子である薄膜トランジス３とゲートライン、ゲー
ト絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレイ
ンライン、信号線等（図示せず）をマトリクス状に配置
形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４を形成し、
平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介して薄膜ト
ランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接続したＩＴ
Ｏから成る透明電極２を５００〜１５００オングストロ
ームの膜厚で形成する。この透明電極２は後の有機ＥＬ
層の陽極（アノード）となるものでインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用いられる。
【００２５】図２（ｂ）において、レジストあるいは感
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に絶縁性の突起６
をフォトリソグラフィーによって形成する。この突起６
の高さは透明電極２の表面や、後の有機ＥＬ層を成膜す
る際の成膜用マスク（図示せず）が突起６に突き合わさ
れた際に成膜用マスクで既に成膜された有機ＥＬ媒体を
傷つけない程度の高さ（０．５μm以上）を有しておれ
ば良い。一方、突起６が高すぎても壊れやすくなるので
１０μｍ以下程度、できれば１〜２μｍ程度が望まし
い。更に、その後の工程で成膜する陰極が突起６のテー
パー角度によって断線しないように、突起６の断面が略
台形の形状になることが望ましい。このときのテーパー
角度は６０度以下が望ましい。このようにマトリクス状
に並置された突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また突起６の平面形状は、長方形底面の壁とな
るように形成しているが、正方形、円形などその形状は
如何なるものでも良い。なお、この突起６は平坦化膜４
と同材料で形成することもできる。
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に絶縁性の突起６
をフォトリソグラフィーによって形成する。この突起６
の高さは透明電極２の表面や、後の有機ＥＬ層を成膜す
る際の成膜用マスク（図示せず）が突起６に突き合わさ
れた際に成膜用マスクで既に成膜された有機ＥＬ媒体を
傷つけない程度の高さ（０．５μm以上）を有しておれ
ば良い。一方、突起６が高すぎても壊れやすくなるので
１０μｍ以下程度、できれば１〜２μｍ程度が望まし
い。更に、その後の工程で成膜する陰極が突起６のテー
パー角度によって断線しないように、突起６の断面が略
台形の形状になることが望ましい。このときのテーパー
角度は６０度以下が望ましい。このようにマトリクス状
に並置された突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また突起６の平面形状は、長方形底面の壁とな
るように形成しているが、正方形、円形などその形状は
如何なるものでも良い。なお、この突起６は平坦化膜４
と同材料で形成することもできる。
【００２６】次に図２（ｃ）において、透明電極２と薄
膜トランジスタ３のドレイン電極５とを電気的に接続し
ている平坦化膜４の開口部７を覆うように絶縁性を有す
る材料で開口部の穴埋め８を行う。この開口部の穴埋め
８は平坦化膜４や突起６と同材料で形成できる。また、
フォトリソグラフィのマスクを共通化することにより突
起６と同時に形成できるものである。さらにはＳｉＯ２
やＳｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。
膜トランジスタ３のドレイン電極５とを電気的に接続し
ている平坦化膜４の開口部７を覆うように絶縁性を有す
る材料で開口部の穴埋め８を行う。この開口部の穴埋め
８は平坦化膜４や突起６と同材料で形成できる。また、
フォトリソグラフィのマスクを共通化することにより突
起６と同時に形成できるものである。さらにはＳｉＯ２
やＳｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。
【００２７】次に図２（ｄ）において有機ＥＬ層の陽極
となる透明電極２上にはホール輸送層９を、次に図３
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
次に図３（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層
１１を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して
薄膜で順次形成する。
となる透明電極２上にはホール輸送層９を、次に図３
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
次に図３（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層
１１を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して
薄膜で順次形成する。
【００２８】そして図３（ｃ）において、これら有機Ｅ
Ｌ層９、１０、１１を覆うように陰極（カソード）１２
となる金属薄膜を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金
属材料を蒸着法等によって形成するものである。その
後、透明電極２上に形成した有機ＥＬ層９、１０、１１
の湿度による特性劣化および物質的劣化による発光特性
低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止するため、ガラス
板等を樹脂接着して封止が行われ（図示せず）、有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルが実現できるものである。なお、
平坦化膜の開口部の穴埋めには前記したように感光性を
有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ２やＳｉＮｘ等の無機材料
を用いることも可能である。また、ペースト状のスクリ
ーン印刷印刷法によっても形成が可能である。
Ｌ層９、１０、１１を覆うように陰極（カソード）１２
となる金属薄膜を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金
属材料を蒸着法等によって形成するものである。その
後、透明電極２上に形成した有機ＥＬ層９、１０、１１
の湿度による特性劣化および物質的劣化による発光特性
低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止するため、ガラス
板等を樹脂接着して封止が行われ（図示せず）、有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルが実現できるものである。なお、
平坦化膜の開口部の穴埋めには前記したように感光性を
有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ２やＳｉＮｘ等の無機材料
を用いることも可能である。また、ペースト状のスクリ
ーン印刷印刷法によっても形成が可能である。
【００２９】なお、赤、緑、青など発光色の異なる発光
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。
【００３０】（第２の実施例）また、第２の実施例とし
て、第１実施例では平坦化膜４の開口部７の穴埋め８は
突起６と個別の工程で形成されるが、突起６と平坦化膜
４の開口部７の穴埋め８は同じ材料を用いることができ
るため、突起６を形成する工程で平坦化膜４の開口部７
の穴埋め８を同時に行うことも可能である。
て、第１実施例では平坦化膜４の開口部７の穴埋め８は
突起６と個別の工程で形成されるが、突起６と平坦化膜
４の開口部７の穴埋め８は同じ材料を用いることができ
るため、突起６を形成する工程で平坦化膜４の開口部７
の穴埋め８を同時に行うことも可能である。
【００３１】（第３の実施例）また、第３の実施例とし
て平坦化膜４の開口部７の穴埋め８をインジウム錫酸化
物（ＩＴＯ）やアルミ等の導電体の材料を用いることも
可能である。
て平坦化膜４の開口部７の穴埋め８をインジウム錫酸化
物（ＩＴＯ）やアルミ等の導電体の材料を用いることも
可能である。
【００３２】（第４の実施例）さらには第４の実施例と
して透明電極２上の突起６を形成せず、平坦化膜４の開
口部７の穴埋め８のみを形成して、穴埋め８に突起６の
作用を受け持たせることによって、有機ＥＬ層（ホール
輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１）を成膜時、成
膜用マスクが透明電極２および、形成された有機ＥＬ層
と接触し、損傷を防止ことも可能である。そのときの平
坦化膜４の開口部７の穴埋め８は導電体層あるいは絶縁
体層いずれを用いても良い。なお、その際の平坦化膜４
の開口部７の穴埋め８の高さ、膜厚は有機ＥＬ成膜用マ
スクで透明電極２および、既に成膜された有機ＥＬ媒体
を傷つけない程度の高さ（０．５μm以上）を有してお
れば良い。
して透明電極２上の突起６を形成せず、平坦化膜４の開
口部７の穴埋め８のみを形成して、穴埋め８に突起６の
作用を受け持たせることによって、有機ＥＬ層（ホール
輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１）を成膜時、成
膜用マスクが透明電極２および、形成された有機ＥＬ層
と接触し、損傷を防止ことも可能である。そのときの平
坦化膜４の開口部７の穴埋め８は導電体層あるいは絶縁
体層いずれを用いても良い。なお、その際の平坦化膜４
の開口部７の穴埋め８の高さ、膜厚は有機ＥＬ成膜用マ
スクで透明電極２および、既に成膜された有機ＥＬ媒体
を傷つけない程度の高さ（０．５μm以上）を有してお
れば良い。
【００３３】
【発明の効果】透明電極上に形成される平坦化膜の開口
部が絶縁体層あるいは導電体層で埋込まれているので平
坦化膜表面の凹凸が緩和され、有機ＥＬ層（ホール輸送
層、発光層、電子輸送層）が平坦化膜開口部のエッジで
段切れが生じなくなり、画素単位でのＥＬ発光が伴わな
い非点灯不良を防止できる。また、平坦化膜開口部のエ
ッジ領域において有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、
電子輸送層）の膜厚が極端に薄くなることによるリーク
パスが生じないため、時間経過に伴う非点灯領域の拡大
や消費電力の増加を防止でき、有機ＥＬパネルの製造歩
留まりが高く、信頼性に優れた高画質で低消費電力な有
機ＥＬディスプレイパネルを簡素な構成で実現すること
が可能となる。
部が絶縁体層あるいは導電体層で埋込まれているので平
坦化膜表面の凹凸が緩和され、有機ＥＬ層（ホール輸送
層、発光層、電子輸送層）が平坦化膜開口部のエッジで
段切れが生じなくなり、画素単位でのＥＬ発光が伴わな
い非点灯不良を防止できる。また、平坦化膜開口部のエ
ッジ領域において有機ＥＬ層（ホール輸送層、発光層、
電子輸送層）の膜厚が極端に薄くなることによるリーク
パスが生じないため、時間経過に伴う非点灯領域の拡大
や消費電力の増加を防止でき、有機ＥＬパネルの製造歩
留まりが高く、信頼性に優れた高画質で低消費電力な有
機ＥＬディスプレイパネルを簡素な構成で実現すること
が可能となる。
【図１】本発明の一実施例である有機ＥＬディスプレイ
の構造断面図
の構造断面図
【図２】本発明の一実施例である有機ＥＬディスプレイ
の製造工程を示す工程断面図
の製造工程を示す工程断面図
【図３】本発明の一実施例である有機ＥＬディスプレイ
の製造工程を示す工程断面図
の製造工程を示す工程断面図
【図４】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイの
断面構造図
断面構造図
【図５】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイの
製造工程を示す工程断面図
製造工程を示す工程断面図
【図６】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイの
製造工程を示す工程断面図
製造工程を示す工程断面図
１ ガラス基板
２ 透明電極
３ 薄膜トランジスタ
４ 平坦化膜
５ ドレイン電極
６ 突起
７ 開口部
８ 開口部の穴埋め
９ ホール輸送層
１０ 発光層
１１ 電子輸送層
１２ 陰極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/22 33/22 Ｚ
(72)発明者 諸沢 成浩
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB11 AB18 BA06 BB07
CA01 CB01 DA01 DB03 EB00
FA01 GA04
5C094 AA31 AA42 AA43 BA03 BA12
BA27 CA19 CA24 DA13 DB01
DB04 EA04 EA05 EA06 EB02
FA01 FA02 FB01 FB12 FB15
FB20 GB10
5G435 AA04 AA14 AA17 BB05 CC09
CC12 EE37 HH01 HH12 HH14
HH20 KK05
Claims (45)
- 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであっ
て、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発光
部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上に
形成された透明基板において、前記非線形素子回路上に
形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記第
１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した突起と、
前記非線形素子回路と前記第１の表示電極とのコンタク
ト領域を覆うようにして絶縁体が形成され、前記絶縁体
で覆われている領域を含む前記第１の表示電極の各々上
に形成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネッ
センス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極と
からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記非線形素子回路は互いに接続された
薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴と
する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル。 - 【請求項３】 前記基板及び前記第１表示電極が透明で
あることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記第２表示電極上に形成された反射膜
を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記第２表示電極が透明であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記第１表示電極の外側に形成された反
射膜を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記突起が感光性樹脂であることを特徴
とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項８】 前記絶縁体が感光性樹脂であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項９】 マトリクス状に配置された複数の非線形
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであっ
て、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発光
部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上に
形成された透明基板において、前記非線形素子回路上に
形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記第
１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した突起と、
前記非線形素子回路と前記第１の表示電極とのコンタク
ト領域を覆うようにして導電体が形成され、前記導電体
で覆われている領域を含む前記第１の表示電極の各々上
に形成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネッ
センス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極と
からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項１０】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項１１】 前記基板及び前記第１表示電極が透明
であることを特徴とする請求項９記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１２】 前記第２表示電極上に形成された反射
膜を有することを特徴とする請求項９記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１３】 前記第２表示電極が透明であることを
特徴とする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項１４】 前記第１表示電極の外側に形成された
反射膜を有することを特徴とする請求項９記載の有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項１５】 前記突起が感光性樹脂であることを特
徴とする請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項１６】 前記導電体が透明であることを特徴と
する請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル。 - 【請求項１７】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであ
って、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発
光部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上
に形成された透明基板において、前記非線形素子回路上
に形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記
非線形素子回路と前記第１の表示電極とのコンタクト領
域を覆うようにして絶縁体が形成され、前記絶縁体で覆
われている領域を含む前記第１の表示電極の各々上に形
成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒
体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極とから
なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項１８】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項１９】 前記基板及び前記第１表示電極が透明
であることを特徴とする請求項１７記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２０】 前記第２表示電極上に形成された反射
膜を有することを特徴とする請求項１７記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２１】 前記第２表示電極が透明であることを
特徴とする請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２２】 前記第１表示電極の外側に形成された
反射膜を有することを特徴とする請求項１７記載の有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２３】 前記絶縁体が感光性樹脂であることを
特徴とする請求項１７記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項２４】 前記絶縁体が前記絶縁膜よりも厚く形
成されていることを特徴とする請求項１７記載の有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネル - 【請求項２５】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであ
って、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発
光部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上
に形成された透明基板において、前記非線形素子回路上
に形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記
非線形素子回路と前記第１の表示電極とのコンタクト領
域を覆うようにして導電体が形成され、前記導電体で覆
われている領域を含む前記第１の表示電極の各々上に形
成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネッセン
ス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒
体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極とから
なることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項２６】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項２５記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項２７】 前記基板及び前記第１表示電極が透明
であることを特徴とする請求項２５記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２８】 前記第２表示電極上に形成された反射
膜を有することを特徴とする請求項２５記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項２９】 前記第２表示電極が透明であることを
特徴とする請求項２５記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項３０】 前記第１表示電極の外側に形成された
反射膜を有することを特徴とする請求項２５記載の有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項３１】 前記導電体が透明であることを特徴と
する請求項２５記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項３２】 前記導電体が前記第１の表示電極と同
一材料で形成されていることを特徴とする請求項２５記
載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３３】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１表示電極上に電気絶縁性を有した
突起を形成する工程と、前記絶縁膜の開口部上の前記第
１表示電極上に導電体を形成する工程と、前記第１表示
電極部を露出せしめる複数の開口を有するマスクを、前
記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッセンス
媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表示電極
の各々上に堆積させ、少くとも１層の有機エレクトロル
ミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の上に第
２表示電極を共通に形成する工程とを含むことを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項３４】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項３３記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３５】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
３３記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項３６】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１の表示電極上に電気絶縁性を有し
た突起を形成する工程と、前記絶縁膜の開口部上の前記
第１表示電極上に絶縁体を形成する工程と、前記第１表
示電極を露出せしめる複数の開口を有するマスクを、前
記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッセンス
媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表示電極
の各々上に堆積させ、少くとも１層の有機エレクトロル
ミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の上に第
２表示電極を共通に形成する工程とを含むことを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項３７】 前記突起と前記絶縁体を同時に形成す
ることを特徴とする請求項３６記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３８】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項３６記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項３９】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
３６記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項４０】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記絶縁膜の開口部上の前記第１表示電極
上に導電体を形成する工程と、前記第１表示電極を露出
せしめる複数の開口を有するマスクを前記導電体の上面
に載置し、有機エレクトロルミネッセンス媒体を前記開
口を介して前記第１表示電極の各々上に堆積させ、少く
とも１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を
形成する発光層形成工程と、前記有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体の薄膜の上に第２表示電極を共通に形成す
る工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４１】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項４０記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４２】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
４０記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項４３】 マトリクス状に配置された複数の非線
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記絶縁膜の開口部上の前記第１表示電極
上に絶縁体を形成する工程と、前記第１表示電極を露出
せしめる複数の開口を有するマスクを前記絶縁体の上面
に載置し、有機エレクトロルミネッセンス媒体を前記開
口を介して前記第１表示電極の各々上に堆積させ、少く
とも１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を
形成する発光層形成工程と、前記有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体の薄膜の上に第２表示電極を共通に形成す
る工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンスディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４４】 前記非線形素子回路は互いに接続され
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項４３記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項４５】 １つの前記開口が１つの前記第１表示
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
４３記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。
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| JP2001283280A JP5303818B2 (ja) | 2001-09-18 | 2001-09-18 | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158672A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
| JP2007012504A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2011023340A (ja) * | 2009-07-20 | 2011-02-03 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| CN102405539A (zh) * | 2010-05-07 | 2012-04-04 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示面板及其制造方法 |
| JP2015065012A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US9147717B2 (en) | 2013-08-21 | 2015-09-29 | Japan Display Inc. | Organic display device having a contact hole planarization film made of an organic insulating material |
| CN110797472A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法 |
| WO2022176736A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2023100014A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08179252A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 液晶パネル及びその製造方法 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH11125831A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001160486A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ |
| JP2001312223A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置及びその作製方法 |
| JP2002149088A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | 有機自己発光型表示装置 |
-
2001
- 2001-09-18 JP JP2001283280A patent/JP5303818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08179252A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Hitachi Ltd | 液晶パネル及びその製造方法 |
| JPH08227276A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
| JPH11125831A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2001160486A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-12 | Sony Corp | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ |
| JP2001312223A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-11-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 自発光装置及びその作製方法 |
| JP2002149088A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Toshiba Corp | 有機自己発光型表示装置 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005158672A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置 |
| US8063550B2 (en) | 2003-11-26 | 2011-11-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display with taper reducing layer |
| JP2007012504A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2011023340A (ja) * | 2009-07-20 | 2011-02-03 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
| US8587499B2 (en) | 2009-07-20 | 2013-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| EP2579351A1 (en) * | 2010-05-07 | 2013-04-10 | Panasonic Corporation | Organic el display panel and method for producing same |
| KR20130014073A (ko) * | 2010-05-07 | 2013-02-07 | 파나소닉 주식회사 | 유기 ｅｌ 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| CN102405539A (zh) * | 2010-05-07 | 2012-04-04 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示面板及其制造方法 |
| EP2579351A4 (en) * | 2010-05-07 | 2014-03-12 | Panasonic Corp | ORGANIC EL DISPLAY BOARD AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| KR101643011B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 유기 ｅｌ 표시 패널 및 그 제조 방법 |
| US9147717B2 (en) | 2013-08-21 | 2015-09-29 | Japan Display Inc. | Organic display device having a contact hole planarization film made of an organic insulating material |
| JP2015065012A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| CN110797472A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种显示基板、显示装置及显示基板的制作方法 |
| WO2022176736A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2023100014A1 (ja) * | 2021-11-30 | 2023-06-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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